【課題】長期安定利用可能な、タンパク質を用いたカラー撮像素子、光センサーおよび光電変換素子ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】金電極１１上に自己組織化単分子膜１２を介して亜鉛置換シトクロムｃ５５２ １３を固定化して青色光の光電変換素子を形成する。あるいは、金電極上に自己組織化単分子膜を介してシトクロムｃ５５２を固定化し、このシトクロムｃ５５２に青色光を吸収する蛍光タンパク質を結合して青色光の光電変換素子を形成する。これらの光電変換素子をカラー撮像素子または光センサーの青色光の光電変換素子として用いる。 （もっと読む）

【課題】非常に光量が多い環境下でも、十分なダイナミックレンジを確保する。
【解決手段】画素アレイ部３１の各画素３１１から読み出される信号を記憶する記憶手段３４が、画素アレイ部３１の画素３１１の数よりも多い画素数分だけ画素情報を記憶可能な容量を持ち、演算手段３３４において記憶手段３４に格納されている各画素３１１の信号と画素アレイ部３１から読み出される各画素３１１の信号とを加算または加算・平均化する前に、時間的に前の画像に対する後の画像の動きベクトルを検出する動きベクトル検出手段３８の検出結果に基づいて、画素アレイ部３１から読み出された各画素３１１の信号を記憶手段３４に格納するアドレスの補正が行われ、アドレスを補正した後の各画素３１１の信号が、記憶手段３４の対応する画素３１１の記憶領域に記憶される固体撮像装置１０Ｂを構成する。 （もっと読む）

【課題】キャリアの湧き出しを抑制することで、暗電流を低下させることができる光電変換素子及び撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、一対の電極の間に挟まれ、ｎ型有機半導体を含む光電変換層と、一対の電極の少なくとも一方と光電変換層との間に設けられ、単層又は複数層からなる電荷ブロッキング層とを備え、
（ａ）光電変換層と隣接する電荷ブロッキング層のイオン化ポテンシャルＩｐとｎ型有機半導体の電子親和力Ｅａとの差（Δ１）が１ｅＶ以上、
（ｂ）電荷ブロッキング層の総厚が２０ｎｍ以上、である光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの上面を平坦化して精度良く所定の膜厚にすることが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１３の上面１３ａには、下部電極１４、有機光電変換材料からなる中間層１５、上部電極１６、透明絶縁層１７、第１〜第３の着色層７５，７９，８３が順次積層され、下部電極１４、中間層１５、上部電極１６、第１〜第３の着色層７５，７９，８３が重なり合う有効画素領域の外側に研磨ストッパー層１８が形成されている。第１〜第３の着色層７５，７９，８３を研磨処理で平坦化する際、研磨ストッパー層１８が露出するまで平坦化するので容易に終点検出を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光ショットノイズを抑制した状態で、アバランシェ増倍によって感度の向上を可能にする。
【解決手段】第１電極２１と、前記第１電極２１に対向して形成された第２電極２５と、前記第１電極２１と前記第２電極２５との間に形成されていて、導電膜２２中にナローギャップ半導体の量子ドット２３を分散させた光電変換膜２４とを有し、前記第１電極２１および前記第２電極２５の一方の電極が透明電極で形成され、他方の電極が金属電極もしくは透明電極で形成されている。 （もっと読む）

【課題】受光箇所によって撮像感度が異なるといった不具合を解消して安定した撮像を得ることができる赤外線撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０上に光吸収層１０およびシリコン層２０を積層して得た撮像デバイスチップ４０の厚さ分布を測定し、所望の厚さを超えている箇所が認められたら、その箇所のシリコン層２０の表面を研磨して厚さを減じる。この後、シリコン層２０の表面に多数のレンズ５０を有するレンズユニット５１を積層して撮像素子１を得る。レンズ５０の表面から光吸収層１０までの距離が一定となり、安定した撮像が得られる。 （もっと読む）

【課題】フィルファクターを向上させたイメージセンサを提供する。
【解決手段】第１型不純物を有する半導体基板１と、入射光に反応して光電荷を生じるように構成されたフォトダイオード（８，９）と、フォトダイオードが生じた光電荷をセンサ出力信号に変換する複数のトランジスタＴｘ，Ｒｘ，Ｄｘ，Ｓｘと、を備える。フォトダイオードは、半導体基板の表面上方の、第２型不純物を有する第１導電層８と、第１導電層８上に形成され、第１型不純物を有することによって第１導電層８との間にｐｎ接合を形成する第２導電層９と、を備える。第１導電層８は、半導体基板１の表面に近い位置での断面積が、第２導電層９に近い位置での断面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】イメージセンサは、リードアウト回路１２０を含む半導体基板１００と、前記リードアウト回路１２０に接続されるように、前記半導体基板１００上に形成された配線１５０及び層間絶縁層１６０と、前記層間絶縁層１６０上に形成されたイメージ感知部と、前記配線１５０に対応するように、前記イメージ感知部に形成されたトレンチと、前記トレンチの側壁に形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に形成され、前記トレンチの底面を選択的に露出させるバリアパターンと、前記配線が露出するように、前記バリアパターンの下部の前記イメージ感知部及び層間絶縁層を貫通するビア孔と、前記ビア孔の内部に形成されたメタルコンタクトとを備える。 （もっと読む）

【課題】一種類の有機材料のみを含む光電変換層の構成で、光電変換効率の向上を実現することができる光電変換素子、撮像素子、及び、光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の電極と、一対の電極の間に設けられた光電変換層とを備えた光電変換素子であって、光電変換層が、有機化合物として一種類のドナー−アクセプタ連結構造の有機化合物のみを含み、光電変換層の形成時に膜の温度を室温以下とした状態で形成される。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリックス基板を備えるＸ線平面検出器や画像表示装置において、ゲート線およびデータ線の交差部における短絡（ショート）不良を低減する。
【解決手段】
ゲート線とデータ線の層間絶縁膜を２層構造とし、１層面および２層目の絶縁膜を光または熱硬化により絶縁膜を形成する流動性の絶縁体を用いて形成する。１層目の絶縁膜を形成する流動性絶縁体を予備硬化させる。次に、予備硬化された絶縁膜１上に２層目の絶縁膜を形成する流動性絶縁体を塗布することで、１層目の絶縁膜にピンホールが発生しても、このピンホールを２層目の流動性絶縁体で穴埋めすることができる。また、１層目と２層目の流動性絶縁体の本硬化を一括して行うことでスループットを向上しつつ、ゲート線およびデータ線の交差部における短絡（ショート）不良を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】多結晶化合物半導体層を備えるＸ線平面検出器において、多結晶化合物半導体層に入射する放射線の減衰を低減する。
【解決手段】
多結晶化合物半導体層の支持基板を全て研磨することで多結晶化合物半導体層単体を製作して、これに新たに金薄膜の電極を形成することで多結晶化合物半導体層に入射されるＸ線の減衰を低減することができる。また、支持基板を全て研磨するのではなく、厚みを薄くすることでも、Ｘ線の減衰量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】色分離に優れ、偽色がなく、Ｂ・Ｒ光用光電変換部の開口率を向上させた単板式のカラーイメージセンサを提供する。
【解決手段】第１イメージセンサ１０と第２イメージセンサ２０とを含み、前記第２イメージセンサ２０に前記第１イメージセンサ１０が重ねられるカラーイメージセンサであって、前記第１イメージセンサ１０は、有機材料で構成され、撮像光のうちのＧ成分を光電変換する第１光電変換層１３と、前記第１光電変換層１３の上に配設される透明薄膜トランジスタで構成され、前記第１光電変換層１３で生成される撮像信号を読み出す透明読み出し回路１２と、前記透明読み出し回路１２の上に配設され、被写体からの撮像光が入射するガラス基板とを含み、前記第２イメージセンサ２０は、前記第１イメージセンサ１０を透過した撮像光のうちのＢ・Ｒ成分を光電変換し、当該光電変換によって得られる撮像信号を読み出すＢ・Ｒ成分用のイメージセンサ。 （もっと読む）

【課題】
単結晶、微結晶、又は多結晶で構成される有機光電変換層を用いつつ、抵抗率を向上させることにより、光電変換効率が高く、解像度の高い光電変換膜及びこれを用いた撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】
有機材料製の正孔注入阻止層、光電変換層、及び電子注入阻止層が積層され、バイアス電圧が印加される光電変換膜であって、光電変換層の電子伝導準位Ｅ_ｃ、正孔伝導準位Ｅ_ｖ、正孔注入阻止層の電子伝導準位Ｅ_ｃＨ、正孔伝導準位Ｅ_ｖＨ、電子注入阻止層の電子伝導準位Ｅ_ｃＥ、正孔伝導準位Ｅ_ｖＥに対し、｜Ｅ_ｃＨ｜＞｜Ｅ_ｃ｜、｜Ｅ_ｖＨ｜＞｜Ｅ_ｖ｜、｜Ｅ_ｖ｜＞｜Ｅ_ｖＥ｜、及び、｜Ｅ_ｃ｜＞｜Ｅ_ｃＥ｜が成立し、電子注入阻止層又は正孔注入阻止層のうち、信号読み出し側になる阻止層の抵抗率は１０^１０Ω・ｃｍ以上であり、キャリアの移動度は１０^−３ｃｍ^２／Ｖｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光電変換膜のハイライトキズの発生を効果的に抑制し、安定して撮像を行うことができる撮像装置及び撮像方法を提供することを目的とする。
【解決手段】撮像面に入射した光Ｌを電荷に変換するとともに、該電荷をアバランシェ増倍作用により増加させる光電変換膜２３を有し、該光電変換膜に蓄積された電荷を読み取ることにより撮像を行う撮像装置１００、１００ａ〜１００ｃであって、
前記撮像を行う前に、前記光電変換膜の前記撮像面に紫外線を照射する紫外線照射手段５０を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】色再現、色解像度を劣化させることなく、可視光の信号と近赤外光の信号の両方を得て、夜間のような暗時の撮像を可能にする。
【解決手段】入射光を光電変換して信号電荷を得る複数の光電変換素子１２と、前記複数の光電変換素子１２のそれぞれの光入射側に設けられたカラーフィルター層１３と、前記各カラーフィルター層１３よりも前記光入射側に形成されていて、近赤外光に吸収を有する色素を用いた有機光電変換層１４を有する。 （もっと読む）

【課題】アンダーカットに自然酸化膜が形成されるのを防止し、素子の信頼性を向上できるイメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に従うイメージセンサの製造方法は、半導体基板１００の上に配線１５３を含む層間絶縁層１６０を形成するステップと、上記層間絶縁層１６０の上に第１ドーピング層２１０及び第２ドーピング層２２０が積層されたイメージ感知部２００を形成するステップと、上記イメージ感知部２００及び層間絶縁層１６０を貫通して上記配線１５３を露出させるビアホール２３５を形成するステップと、上記ビアホール２３５が形成された上記半導体基板１００に洗浄工程を進行するステップと、を含み、上記ビアホール２３５を形成する時、上記イメージ感知部２００にアンダーカット１７０が発生して、上記洗浄工程で上記アンダーカット１７０に形成された自然酸化膜を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサの製造方法は、半導体基板上に、配線を含む層間絶縁層を形成するステップと、層間絶縁層上に、第１ドーピング層及び第２ドーピング層が積層されたイメージ感知部を形成するステップと、イメージ感知部上に、配線に対応するように開口部が形成されたハードマスクを形成するステップと、ハードマスクをエッチングマスクとするエッチング工程を行ってイメージ感知部の内部を露出させる予備ビアホールを形成するステップと、予備ビアホールを形成する際に、ハードマスクのエッチング副産物によって予備ビアホールの内部にスペーサが形成されるステップと、ケミカルを使用したエッチング工程を行って予備ビアホール内部のスペーサを除去するステップと、予備ビアホール下部のイメージ感知部及び層間絶縁層をエッチングして配線を露出させる深いビアホールを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】珪素系ＰＩＮ−ＰＤの暗電流を減らすため、ＰＩＮ−ＰＤのＩ層を挟むＰ層、またはＮ層に炭素を加えバンドギャップを大きくし、Ｉ層からの暗電流を抑える方法では、炭化珪素と珪素とでは２５％程度格子定数が異なっており、珪素中に炭素を添加することで大きな応力が生じ、この応力により欠陥が発生し暗電流が増える。また、側面からのリークを下げるのみでは、暗電流を抑制は限定的なものとなる。
【解決手段】ＡｌＮｄを用いたＰＩＮ−ＰＤ１０の第１導電層２０をエッチング液で処理しテクスチャー構造を作り、さらにこの工程で生成されたＡｌＮｄ酸化物を下バリア層２１として用いる。この際、第１半導体層２２と第１導電層２０との間はＦＮ電流により電荷が伝達される。ＦＮ電流が少ない黒状態では下バリア層２１の微分抵抗は高く、暗電流の通過を阻止する。白状態では微分抵抗は低くなり、光電流は通過するので、画像のＳＮ比が上がる。 （もっと読む）

【課題】信号電荷の転送効率を向上させ、かつ、飽和電荷量（Ｑｓ）、及び感度の向上を図った固体撮像装置と、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】基板２６内に複数積層されたフォトダイオードを形成し、基板２６表面側のフォトダイオードＰＤ２に蓄積された信号電荷ｅ_２は、平面型ゲート電極（第２のゲート電極）２３で読み出し、基板２６表面から深さ方向に深い位置に形成されたフォトダイオードＰＤ３に蓄積された信号電荷ｅ_３は、縦型ゲート電極（第３のゲート電極２２）で読み出す。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示す光電変換素子を提供する。
【解決手段】導電性薄膜、少なくとも１つの材料からなる有機光電変換膜、透明導電性薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、該有機光電変換膜が下記の一般式（Ｉ）で示される化合物及びフラーレンもしくはフラーレン誘導体を含んでなる光電変換素子。
一般式（Ｉ）


式中、Ｚ_１は５または６員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｌ_１、Ｌ_２、Ｌ_３はそれぞれ無置換メチン基、または置換メチン基を表す。Ｄ_１は原子群を表す。ｎは０以上の整数を表す。 （もっと読む）