【課題】高光電変換効率（高感度）、低暗電流を示し、かつ、低い混色率を示すための高度なＢ光に対する光選択性（光電変換層の薄膜吸収スペクトルにおける吸収極大波長が４００〜５２０ｎｍの範囲内）を有する光電変換素子、撮像素子、及び光電変換素子の駆動方法を提供すること。
【解決手段】第一の電極、電子ブロッキング層、メロシアニン色素を含む光電変換層、正孔ブロッキング層、第二の電極である透明電極をこの順に含む光電変換素子であって、該メロシアニン色素を含む光電変換層の薄膜吸収スペクトルにおける吸収極大波長が４００〜５２０ｎｍの範囲内にあることを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】光損失の少なく高感度な光電変換素子とその製造方法、および固体撮像素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子の各撮像画素１０では、基板１００上に、絶縁層１０１、光電変換機能層１１１、保護層１１２、カラーフィルタ層１１３、およびトップレンズ層１１４が順に積層形成されている。光電変換機能層１１１は、有機半導体材料を含む材料から構成されている。各撮像画素１０では、絶縁層１０１上に、画素電極１０７と対向電極１０８とが、Ｘ軸方向において、互いに対向している。 （もっと読む）

【課題】基板上方に配列された複数の光電変換部を有する固体撮像素子であって、画素間の混色、感度低下、および、高照度時のシェーディングの抑制が可能な、固体撮像素子を提供する。
【解決手段】基板５の上方に配列された複数の光電変換部９を有する固体撮像素子１であって、前記光電変換部９が、基板５の上方に形成された下部電極２５と、下部電極２５の上面に形成された光電変換膜２７と、光電変換膜２７の上面に形成された上部電極２９とを含んで構成され、上部電極２９の上面に接して配置され、光電変換部９に開口を有する形状で、隣接する光電変換部９の境界部分に形成された導電膜３３を備える。 （もっと読む）

【課題】感度低下及び分光感度のブロード化を防ぐことが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第一電極膜１１と、第一電極膜１１に対向する第二電極膜１３と、第一電極膜１１と第二電極膜１３の間に配置される光電変換膜を含む光電変換層１２とからなる光電変換部を有する光電変換素子であって、第二電極膜１３上方から該光電変換膜に光が入射されるものであり、該光電変換膜は、第二電極膜１３上方からの入射光に応じて電子と正孔を発生し、且つ、正孔の移動度よりも電子の移動度が小さい特性を持ち、且つ、第一電極膜１１近傍よりも第二電極膜１３近傍の方が電子と正孔をより多く発生するものであり、第一電極膜１１を正孔の取り出し用の電極とした。 （もっと読む）

【課題】光電変換膜を有する固体撮像素子において、下部電極とその直下に配列された配線間に発生する寄生容量を小さくすることのできる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】基板５の上方に絶縁層７を介して形成された下部電極１５と、下部電極１５の上方に形成された上部電極１９と、下部電極１５と上部電極１９との間に形成された光電変換膜１７とを有し、上部電極１９の上方に形成されたカラーフィルタ１１を備え、下部電極１５の形状は、下部電極１５の直下に配列された絶縁層７内の配線層３９との対面面積が小さくなるように開口４５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高品質の撮像画像信号を得ることができる光電変換層積層型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】信号読出手段が表面部に形成された半導体基板１１０と、半導体基板１１０の光入射側上方に積層され第１電極膜１０４と画素毎に区分けされた複数の第２電極膜１１３との間に光電変換層１０３が形成された光電変換部と、該光電変換部の光入射側且つ有効画素領域の外側に形成され第１電極膜１０４との間に誘電材料（１１７，１１８）が介装された導電性の遮光膜１２１とを備える。第１電極膜１０４に接続される配線の抵抗Ｒと第１電極膜１０４―遮光膜１２１間に形成されるキャパシタＣとでローパスフィルタが形成されるため、第１電極膜１０４に電圧を印加する電源のノイズが第１電極膜１０４に伝搬するのが低減される。 （もっと読む）

【課題】電荷蓄積時にこれらのノイズ信号が混入されない構造を有する光電変換膜積層型の固体撮像装置を提供することである。
【解決手段】固体撮像装置は、ｎ型半導体基板１３０上に形成され、入射光を信号電荷に変換する光電変換部１２０ｒ、１２０ｇ、１２０ｂと、信号電荷を読み出して画素信号として出力する信号読み出し回路とを備えている。信号読み出し回路は、ゲート電極が、光電変換部１２０ｒ、１２０ｇ、１２０ｂに接続された信号変換トランジスタ１１６ｒ、１１６ｇ、１１６ｂを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子の画素特性に対する高画質化と微細化とを向上できるようにする。
【解決手段】固体撮像素子は、画素領域と周辺領域とを有する半導体基板１００と、半導体基板１００の画素領域に形成され、行列状に配置された複数の拡散層１０２、１０３とを備えている。さらに、固体撮像素子は、半導体基板１００の上に形成された複数の配線層１０７と、複数の配線層の上に複数の拡散層とそれぞれ接続されると共に互いに間隔をおいて形成された複数の画素側電極１０８と、複数の画素側電極のそれぞれの間に形成された遮光膜１１１と、複数の画素側電極及び遮光膜を覆うように形成された有機光電変換膜１０９と、有機光電変換膜の上に形成され、可視光を透過する透明電極１１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の光電変換層が積層された構造であって微細加工に有利な構造を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、第１の色の光を光電変換する有機物の第１の光電変換層と、無機物の第２の光電変換層と、前記第１の光電変換層に沿った方向において前記第２の光電変換層に隣接して配された無機物の第３の光電変換層と、前記第１の光電変換層を通過した光のうち第２の色の光を選択的に前記第２の光電変換層へ導くように、前記第１の光電変換層と前記第２の光電変換層との間に配された無機物の第１のフィルターと、前記第１の光電変換層を通過した光のうち第３の色の光を選択的に前記第３の光電変換層へ導くように、前記第１の光電変換層と前記第３の光電変換層との間に配された無機物の第２のフィルターとを備えている。 （もっと読む）

【課題】暗電流の増大、歩留まりの悪化、素子性能のばらつきを改善した光電変換素子を提供する。
【解決手段】
基体上に導電性薄膜、有機層からなる光電変換膜、透明導電性酸化物薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、光電変換膜の膜厚が１５０ｎｍ以上であり、前記透明導電性酸化物薄膜の膜厚が５ｎｍ以上１０ｎｍ以下とした。 （もっと読む）

【課題】白傷欠陥の発生を確実に抑制することができる撮像素子を提供する。
【解決手段】基板上方に二次元状に配列された複数の下部電極と、複数の下部電極の上方に、各下部電極と対向して配置された上部電極と、複数の下部電極と上部電極との間に配置された有機光電変換層と、上部電極の上方に配置され、該上部電極を覆う封止膜と、を備え、下部電極の端部側面と、該下部電極を支持する下方の層の表面とのなす角度が４５度以上であり、且つ、封止膜が複数の層で構成され、該封止膜全体の膜応力が−２００ＭＰａ〜２５０ＭＰａである。 （もっと読む）

【課題】高品質、高Ｓ／Ｎの撮像画像信号を得ることができる積層型の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子Ｐを含む有効画素１ａと、光電変換素子Ｐの暗時出力を取得するためのＯＢ画素２ａとを有する固体撮像素子１００であって、光電変換素子Ｐは、半導体基板１０上方に設けられた一対の電極１４，１６と、電極１４，１６の間に設けられた光電変換層１５とを含んで構成され、有効画素１ａは、半導体基板１０に形成され、光電変換素子Ｐで発生した電荷に応じた信号を読み出す信号読み出し回路１１を含み、ＯＢ画素２ａは、信号読み出し回路１１と同じ構成の信号読み出し回路１１’を含む。信号読み出し回路１１と信号読み出し回路１１’はそれぞれ遮光されており、信号読み出し回路１１の入力ノードは、光電変換素子Ｐの画素電極１４と電気的に接続され、信号読み出し回路１１’の入力ノードは、キャパシタ１９に接続されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子として機能し、低い暗電流を示し、かつ素子を加熱処理した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供する。
【解決手段】透明導電性膜、光電変換膜、及び導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、前記光電変換膜は、光電変換層、及び電子ブロッキング層を含み、前記電子ブロッキング層が下記一般式（Ｙ１）で表される化合物を含有する、光電変換素子。一般式（Ｙ１）


（式中、Ｒ_１〜Ｒ_８、Ｒ’_１〜Ｒ’_８、及びＲ’’_１〜Ｒ’’_８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。） （もっと読む）

【課題】光電変換素子に適用した場合に高い光電変換効率を有する光電変換素子として機能し、かつ、暗電流の絶対値が小さく、かつ室温〜６０℃の温度下において、良好な特性を示す、有機光電変換素子を用いた固体撮像素子を提供する。さらに性能の温度依存性が十分小さい有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極の間に挟持された光電変換層を含む光電変換素子であって、前記光電変換層がフラーレン又はフラーレン誘導体とｐ型有機半導体材料が混合されたバルクへテロ層であり、前記光電変換層のイオン化ポテンシャルが５．２ｅＶ以上５．６ｅＶ以下であり、前記一対の電極の少なくとも一方の電極と、前記光電変換層との間に、少なくとも一層の電子ブロッキング層を備え、光電変換層と隣接する前記電子ブロッキング層のイオン化ポテンシャルが前記光電変換層のイオン化ポテンシャルよりも大きいことを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】特定の構造の化合物を光電変換素子に適用した場合に光電変換素子として機能し、かつ、その素子は低い暗電流を示し、かつ該素子を加熱した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供すること。
【解決手段】透明導電性膜と導電性膜との間に挟持された、光電変換層及び電子ブロッキング層を含む光電変換膜を有する光電変換素子であって、前記電子ブロッキング層が環構造を３つ以上含む置換アミノ基を置換基に有する化合物を含む事を特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子に適用した場合に光電変換素子として機能し、かつ、低い暗電流を示し、かつ素子を加熱処理した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子を提供し得る化合物を提供すること。
【解決手段】例えば下記化合物。
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【課題】有機光電変換層を備える光電変換素子で、光照射による感度劣化を抑制する。
【解決手段】基板1０１上に第１電極層１０４と有機材料を含む光電変換層１５と第２電極層１０８とが積層されてなる光電変換素子１００であって、光電変換層１５がＰ型有機半導体とＮ型有機半導体のバルクへテロ構造体を備え、該Ｐ型有機半導体のイオン化ポテンシャルと前記バルクへテロ構造体の見かけのイオン化ポテンシャルとの差が０．５０ｅＶ以下とする。これにより、光照射による感度劣化を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】十分な感度と耐熱性が得られ、高速応答性を示す光電変換素子及び固体撮像素子に適した光電変換素子材料として有用な新規化合物の中間体を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｖ）で表される化合物。


（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、複素環基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を表す。Ｒ_１とＲ_２、Ｒ_２とＲ_３、Ｒ_４とＲ_５、Ｒ_５とＲ_６は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよい。
好ましくは、Ｒ_２１及びＲ_２２の少なくとも一方が、置換又は無置換のアリール基であって、単結合又は置換基を介してＲ_３又はＲ_６と連結して環を形成する基。Ｒ_２１及びＲ_２２の一方が前記環を形成する基の場合、他方は置換又は無置換のアリール基又はヘテロアリール基である。 （もっと読む）

【課題】白傷欠陥の発生を抑制することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に設けられた有機膜と、有機膜に入射した光に応じて電荷を生成する画素領域とを備える固体撮像素子の製造方法であって、基板の光入射側表面に有機膜を蒸着する蒸着工程と、蒸着工程の後、有機膜上に他の膜を成膜する前に、蒸着された有機膜を磁場にさらすことによって、該有機膜表面に付着したパーティクルを除去するパーティクル除去工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子の信頼性や製造歩留まりを、製造コストを上昇させずに向上する。
【解決手段】画素電極膜１２５と、画素電極膜１２５に対向する対向電極膜１３１と、画素電極膜１２５と対向電極膜１３１とで挟まれる受光層１３０とを含む光電変換部を、半導体基板１２１上方に二次元アレイ状に配置した固体撮像素子は、半導体基板１２１に各光電変換部に対応して設けられ、受光層１３０で発生して画素電極膜１２５に移動した電荷量に応じた信号を読み出す信号読出回路と、画素電極膜１２５が配置される領域の外側に配置され、画素電極膜１２５と同一面上にかつ同一材料で形成された前記光電変換部を検査するためのテスト用端子１１４ａ，ｂとを備える。この固体撮像素子の製造途中の段階でテスト用端子１１４ａ，ｂで受光層１３０の検査を行い、不良品と判定したときは以後の製造工程の継続を中止する。 （もっと読む）