【課題】雑音が小さい積層型の固体撮像装置を実現できるようにする。
【解決手段】固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素１１と、列ごとに形成された垂直信号線１４１と、垂直信号線と接続された負荷部２３とを備えている。画素１１は、増幅トランジスタ１１３、アドレストランジスタ１１５、リセットトランジスタ１１７及び光電変換部１１１を有している。光電変換部１１１は、半導体基板の上に形成された光電変換膜と、光電変換膜の基板側の面に形成された画素電極及び光電変換膜の画素電極と反対側の面に形成された透明電極とを含む。リセットトランジスタ１１７は、ソースが画素電極と接続され、ドレインが増幅トランジスタ１１３のドレインと共に電源線と接続され、負荷部２３は、負性抵抗２３Ｂを含む。 （もっと読む）

【課題】十分な感度を有し、かつ低いコストで実現することが可能な構成の光電変換素子を提供する。
【解決手段】チオインジゴ誘導体を含んで成る光電変換層１２を有する、光電変換素子１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】光照射時のＴＦＴ特性を安定化する。
【解決手段】ゲート電極１４上に配置されたゲート絶縁層１６上に、第一の酸化物半導体膜２４を成膜する第一工程と、第一の酸化物半導体膜２４とカチオン組成が異なり、且つ第一の酸化物半導体膜２４より低い電気伝導度を有する第二の酸化物半導体膜２６を成膜する第二工程と、酸化性雰囲気の下３００℃超で熱処理する第三工程と、第一の酸化物半導体膜２４とカチオン組成が異なり、且つ第一の酸化物半導体膜２４より低い電気伝導度を有する第三の酸化物半導体膜２８を成膜する第四工程と、酸化性雰囲気の下３００℃超で熱処理する第五工程と、第三の酸化物半導体膜２８上に、ソース電極２０及びドレイン電極２２を形成する電極形成工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】光電変換特性の劣化を回避する裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１１は、光電変換部２３が内部に形成された半導体基板の上方に層間絶縁膜２２を介して積層された光電変換層２３を備え、その光電変換層２３は、絶縁膜５１により側面が絶縁された下部電極５２ｂと、下部電極に積層された光電変換膜５３と、下部電極５２ｂとの間で光電変換膜５３を挟み込む上部電極５４とを有して構成される。そして、下部電極５２ｂの上面が絶縁膜５１の上面よりも低く形成された凹構造を有している。 （もっと読む）

【課題】長波長の光の吸光度が大きい高分子化合物を提供する。
【解決手段】式（Ａ）で表される繰り返し単位と式（Ｂ）で表される繰り返し単位とを含む高分子化合物。


〔式（Ａ）及び式（Ｂ）中、Ｑ及びＲは、同一又は相異なり、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基又は、特定の、アルコキシカルボニル（アルキレン）基、もしくはアラルキルオキシカルボニル（アルキレン）基で、これらの基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。複数個あるＱは、同一でも相異なっていてもよい。複数個あるＲは、同一でも相異なっていてもよい。〕 （もっと読む）

【課題】透過光量が大きく、赤、緑、及び青の着色画素を含むカラーフィルタを固体撮像素子に用いたときに、ノイズが低く、色再現性が良好な固体撮像素子を実現するカラーフィルタを提供する。
【解決手段】赤色画素、緑色画素、および青色画素を含むカラーフィルタにおいて、前記赤色画素における４００ｎｍの透過率が１５％以下、６５０ｎｍの透過率が９０％以上であり、前記緑色画素の４５０ｎｍの透過率が５％以下、５００〜６００ｎｍの波長範囲のいずれかの透過率が９０％以上であり、且つ、前記青色画素の４５０ｎｍの透過率が８５％以上、５００ｎｍの透過率が１０％以上５０％以下、７００ｎｍの透過率が１０％以下であるカラーフィルタ。 （もっと読む）

【課題】より良好な色再現性を有する固体撮像素子および電子機器を提供する。
【解決手段】同一の半導体基板２２の内部における１画素ごとに、それぞれ異なる深さに、それぞれ異なる波長域の光を光電変換する複数の光電変換領域２３Ｂ、２３Ｇ、２３Ｒが積層され、複数の光電変換領域２３Ｂ、２３Ｇ、２３Ｒのうち、半導体基板の深さ方向に隣接する光電変換領域２３Ｂおよび２３Ｇ、または２３Ｇおよび２３Ｒの間に、その光電変換領域２３Ｂおよび２３Ｇ、または２３Ｇおよび２３Ｒの間の領域における光電変換で発生した電荷を排出する排出領域２４が形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示すと共に、高速で連続して製造した際にも製造ロッド間での応答速度のばらつきが小さい光電変換素子を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性膜、光電変換材料を含む光電変換膜、および透明導電性膜をこの順で積層してなる光電変換素子であって、光電変換膜が固体からなる膜であり、該光電変換材料が、一般式（１）で表される化合物を含む、光電変換素子。
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【課題】半導体基板内の裏面側に高濃度の不純物領域を形成する裏面照射型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１７は、裏面側が光入射面とされ、表面側が回路形成面とされる。接続部２３は、裏面側の半導体基板上で生成された信号電荷を半導体基板内に転送するコンタクトプラグ３１と接続される接続部であって、裏面側の半導体基板の界面近傍に不純物濃度分布のピークを有する。半導体基板内には、１以上の光電変換部が形成される。 （もっと読む）

【課題】光電変換膜の劣化を抑制する。
【解決手段】固体撮像素子は、行列状に配置された複数の画素と、画素の行ごとに駆動信号を出力する垂直駆動部とを備えて構成される。画素は、シリコン基板上に他の画素と分離されて形成された画素電極と、前記画素電極上に形成された光電変換膜と、前記光電変換膜上に形成された対向電極とを有している。そして、対向電極が、隣接する他の対向電極と電気的に分離されている。また、垂直駆動部は、少なくとも読み出しタイミングが異なる画素の行ごとに、画素の露光期間以外の所定のタイミングで、画素の露光中に光電変換膜に印加される電位に対して逆方向となる電位を印加する。本開示は、例えば、デジタルスチルカメラなどの電子機器に適用できる。 （もっと読む）

【課題】積層型の画素構造を採用するに当たって、色毎の感度のＦ値依存の低減を可能にした固体撮像装置及び当該固体撮像装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板の配線層が形成される第１面と反対側の第２面側に設けられ、所定の波長域の光について光電変換を行い、他の波長域の光を透過させる光電変換膜と、半導体基板の内部に設けられ、光電変換膜を透過した他の波長域の光について光電変換を行う光電変換層とを備え、光電変換膜に対して第２面側から入射光を取り込むようにする。 （もっと読む）

【課題】光学特性が良好であり、かつ薄型化、小型化を実現した撮像装置を得る。
【解決手段】レンズ群115および開口絞り111を含む結像用光学系110と、固体撮像素子10とを備え、固体撮像素子10が、有機材料からなる光電変換層14、および２色以上のカラーフィルタ21r、21g、21bと分離壁22とからなるカラーフィルタ層CFを備え、光電変換層14の厚さが0.1μｍ〜1μｍであり、各色のカラーフィルタ21r、21g、21bの屈折率がいずれも1.5〜1.8であり、分離壁22の幅が0.05μｍ〜0.2μｍであり、分離壁22の屈折率が1.22〜1.34であり、固体撮像素子10における画素ピッチＤ(μｍ)と該固体撮像素子に入射する主光線の最大角度α(°)との関係が、Ｄ≦2.6μｍ、45≧α≧25・Ｄ−20となるようにレンズ群115と固体撮像素子10とを配置する。 （もっと読む）

【課題】微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な固体撮像装置を信頼性が高い製造方法により得られるようにする。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１の上部に形成されたトランジスタ４と、半導体基板１の上に形成され、トランジスタ４と電気的に接続する配線１０を含む配線層と、配線層の上に、配線１０と電気的に接続するように形成され、行列状に配置された複数の下部電極１１、該複数の下部電極１１の上に形成された光電変換膜１２及び該光電変換膜１２の上に形成された上部電極１３を含む光電変換部１４とを備えている。光電変換膜１２は、単層膜又は積層膜であり、酸化銅（Ｉ）を含む。 （もっと読む）

【課題】高昇華温度で、耐熱性が高い有機材料を高純度、高収率、短時間で昇華精製することができる、有機材料の精製方法を提供すること。
【解決手段】真空度１×１０^−２Ｐａ以下での熱重量測定における１０％重量減少温度が２５０℃以上の有機材料の精製方法であって、有機材料中の無機不純物の濃度を５０００ｐｐｍ以下とした後に、該有機材料を昇華精製する。 （もっと読む）

【課題】画像に点欠陥を生じない撮像素子を得る。
【解決手段】画素電極１６は、基板１０の基板面１０ａに傾斜角度α（但し、３０°≦α≦８５°）で傾斜する端部を有するものとし、この画素電極１６上に設けられる有機層２０は、その有機層２０のガラス転移温度より低い蒸着基板温度条件下で基板面１０ａに対して（９０°−α_max）より小さい入射角θで入射する蒸着ビームＢにより蒸着してされてなるものとする。ここで、α_maxは、複数の画素電極の端部の傾斜角度のうち最大の傾斜角度である。 （もっと読む）

【課題】受光部を形作るスリットを設けても犠牲層が残存し、レジストマスクパターンの精度悪化も起こらない参照素子を備え、当該参照素子の遮光効果及び伝熱効果が高く、ドリフト抑制精度が高い熱型赤外線固体撮像素子及びその製造方法の提供。
【解決手段】内部に熱電変換素子を包含する絶縁膜に受光素子を形作るスリットが犠牲層に達するまで開口された参照素子において、受光部及びスリットを覆う導電性材料膜とその上に保護膜が設けられ、導電性材料膜及び保護膜は、スリットの側壁に沿ってスリット内部に入り込みスリット内部に空隙が残存している。これにより、絶縁膜の残留応力が受光素子と参照素子とで揃った状態が保たれ、焦点ズレによるレジストマスクパターン精度悪化は起こらず、入射赤外線に対する遮光効果や熱を効率良く逃がす伝熱効果も向上し、ドリフト抑制精度を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】複数の撮像素子をタイル状につなぎ合わせた大面積撮像装置において、ダイシング後の切断面に欠損が無く、画素配列に欠落を生じない素子端部の構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】つなぎ合わせ端部の受光領域の構造が素子分離領域の一部であって密接する互いの素子分離領域の幅の合計がつなぎ合わせ領域以外の素子分離領域の幅と同等もしくはそれよりも狭く形成する。 （もっと読む）

【課題】吸収スペクトルをシャープにし且つ暗電流を低くすることが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３の間に配置された光電変換層１２ａとを含む光電変換部を有し、一対の電極１１，１３間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子Ａの光電変換層１２ａを、特定波長域の光を吸収して前記光に応じた電荷を発生する１種類の光電変換材料（例えばスズフタロシアニン）と、前記特定波長域を含む前記特定波長域よりも広い範囲の波長域の光に対して透明で且つ前記光電変換材料で発生した電荷の輸送性を有するマトリックス材料（例えばＴＭＭ−１）とを、真空中で気化させた後に混合して形成する。 （もっと読む）

【課題】光により励起されたキャリアが再結合により消滅するのを防止することができ、光電変換効率の向上を図ることができる光伝導体およびこの光伝導体を用いた光電変換素子を提供する。
【解決手段】導電性ポリマーおよび／または高分子半導体１１と、少なくとも一つの、長寿命励起状態を有する色素１２ａを含む一つまたは複数のタンパク質１２との複合体により光伝導体を形成する。色素１２ａが発光中心となる。導電性ポリマーおよび／または高分子半導体１１はネットワーク状に形成される。導電性ポリマーおよび／または高分子半導体１１とタンパク質１２とは非共有結合または共有結合により互いに結合している。この光伝導体のネットワーク状の導電性ポリマーおよび／または高分子半導体１１の互いに異なる部位に第１の電極および第２の電極を電気的に接続して光電変換素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】焦電体が還元ガスにより還元されて焦電効果を失することを防止することができる焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】基体１００より突出するスペーサー部材１０４に支持される支持部材２１０に支持される焦電型検出素子を有し、焦電型検出素子は第１電極２３４と第２電極２３６と第１，第２電極間に配置された焦電体２３２とを含むキャパシター２３０を有し、熱型検出素子はキャパシターの表面を覆う絶縁層２５０と絶縁層が第２電極と対面する位置に形成された第２開口部２５２と開口部に埋め込まれたプラグ２２６と絶縁層上に形成され第２電極にプラグを介して接続される第２電極配線層２２４と絶縁層とキャパシターとの間に形成された第１開口部を有する第１還元ガスバリア層２４０と少なくともプラグを覆って層間絶縁層及び第２電極配線層上に形成された第２還元ガスバリア層２６０を含む。 （もっと読む）