【課題】赤外光カットフィルタを用いることなく、実用上問題ない色差を実現することが可能なカラー撮像用の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素電極３と、画素電極３に対向する対向電極５と、画素電極３と対向電極５との間に設けられる光電変換層を含む受光層４とを有する受光部Ｐが半導体基板１上方に複数配列された固体撮像素子１００であって、受光部Ｐの分光感度特性は、（１）波長６００ｎｍにおける分光感度が７０％以上、（２）波長６００ｎｍ以上の範囲で分光感度が単調減少、（３）波長７００ｎｍにおける分光感度が波長６００ｎｍにおける分光感度の３０％以下、（４）波長７５０ｎｍにおける分光感度が１０％以下の条件を満たしている。 （もっと読む）

【課題】被写体から反射した可視光に基づく可視画像の撮影と赤外光に基づく赤外画像の撮影とを同時に行うことのできる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板内１にはＲ光検出光電変換部３ｒ、Ｇ光検出光電変換部３ｇ、Ｂ光検出光電変換部３ｂが二次元状に配列される。基板１内の各光電変換部の上方には、一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３間に設けられた光電変換膜１２とを含む光電変換部が形成される。光電変換膜１２は、可視域と赤外域を併せた範囲における吸収スペクトルの吸収ピークを赤外域に持ち、吸収した光に応じた電荷を発生する有機光電変換材料を含んで構成され、全体として可視域の光を５０％以上透過する。電極１３上方には、基板内の各光電変換部に対応してカラーフィルタ１３ｒ，ｇ，ｂが設けられる。 （もっと読む）

【課題】光電変換層におけるクラックの発生を抑制することが可能な光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の電極２，４と、一対の電極２，４に挟まれた光電変換層３とを含む光電変換素子１００は、電極２と光電変換層３との間に、電極２の光電変換層３側の表面の凹凸を緩和する凹凸緩和層５を備える。凹凸緩和層５は、電極２上にアモルファス性材料又は高分子材料を成膜後、これを加熱することで形成する。 （もっと読む）

【課題】高歩留まりと低暗電流の積層型の固体撮像素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１００は、画素電極３と電気的に接続されるプラグ２０と、プラグ２０と接続される接続部１１と、受光層４で発生し接続部１１に移動した電荷に応じた信号を読みだす信号読み出し部とを備える。基板１表面に接続部１１を形成する工程と、信号読み出し部及び接続部１１を形成した基板１上方に絶縁膜２を形成し、平面視において接続部１１よりも内側の位置に接続部１１よりも小さい開口を絶縁膜２に形成する工程と、開口に導電性材料を埋め込んでプラグ２０を形成する工程と、プラグ２０上に画素電極３を形成する工程とを含み、設計上、開口と接続部１１の中心が一致しかつ当該中心を通る全ての方向における開口の端部から接続部１１の端部までの距離が、当該方向における開口の幅の２０％以上５０％以下になるように、開口及び接続部１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】ローリングシャッタ的雑音を低減した高性能なグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】二次元状に配置された複数の単位画素セルを備え、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置であって、前記複数の単位画素セル２３のそれぞれは、半導体基板の上方に形成され、入射光を信号電荷に変換する光電変換膜１６と、前記光電変換膜の前記半導体基板側の面に形成された画素電極１５と、前記半導体基板上に形成され、グローバルシャッタによって前記光電変換膜１６から転送された信号電荷を蓄積するグローバル電荷蓄積拡散層７とを備え、前記グローバルシャッタは前記複数の単位セルにおいて同時に光電変換膜１６からグ信号電荷を転送することであり、前記画素電極１５は、遮光性を有する金属で形成される。 （もっと読む）

【課題】光電変換膜に印加される電圧が高い場合でも増幅トランジスタのゲート破壊を抑えることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素単位セル１１と垂直信号線１７とを備え、画素単位セル１１は、光電変換膜１３と、画素電極７と、正電圧が印加された透明電極９と、シリコン基板１内に形成されたトランジスタであって、画素電極７と結線されたゲート電極を有し、画素電極７の電位に応じた信号電圧を出力する増幅トランジスタ５と、シリコン基板１内に形成されたトランジスタであって、画素電極７と結線されたドレイン領域を有し、増幅トランジスタ５のゲート電極の電位をリセット電圧にリセットするリセットトランジスタ６とを有し、シリコン基板１内には、リセットトランジスタ６のドレイン領域により寄生ダイオードが形成され、寄生ダイオードのブレークダウン電圧は増幅トランジスタ５のゲート破壊電圧以下である。 （もっと読む）

【課題】高画質化、多画素化、低コスト化、低消費電力化が可能な固体撮像素子の提供。
【解決手段】基板１０上方に形成された有機材料を含む光電変換層２２と、基板１０に形成され光電変換層２２で発生した電荷に応じた信号を読みだす信号読出し回路Ｓを有する固体撮像素子１００は、読出し回路Ｓが、光電変換層２２よって発生した電荷を蓄積する蓄積部１１と、蓄積部１１に蓄積された電荷が転送されるＦＤ１３と、蓄積部１１の電荷をＦＤ１３に転送する転送トランジスタ（Ｔｒ）３０と、ＦＤ１３の電位をリセットするリセットＴｒ３１と、ＦＤ１３の電位に応じた信号を出力する出力Ｔｒ３２を含み、リセットＴｒ３１に供給するリセット電圧を制御して、当該リセット電圧を供給する電源から蓄積部１１に電荷を注入し、その後、当該リセット電圧を制御して、蓄積部１１に注入した電荷の一部を前記電源に排出させる駆動をフレーム毎に行う制御部１０４を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、色分解特性を向上させることができる光電変換素子を提供することを目的とする。
【解決手段】入射光を複数の波長範囲に分けて光電変換する光電変換素子であって、
前記入射光が入射され、第１の波長範囲に光吸収の最大値Ｗｐ１を有する第１の光電変換層１０と、
該第１の光電変換層の背面側に設けられ、前記第１の波長範囲に光吸収の最大値Ｗｐ１ｃを有する第１のカラーフィルタ１５と、
該第１のカラーフィルタの背面側に設けられ、第２の波長範囲に光吸収の最大値Ｗｐ２を有する第２の光電変換層２０と、
該第２の光電変換層の背面側に設けられ、前記第２の波長範囲に光吸収の最大値Ｗｐ２ｃを有する第２のカラーフィルタ２５と、
該第２のカラーフィルタの背面側に設けられ、第３の波長範囲に光吸収の最大値を有する第３の光電変換層と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】駆動回路や電極に影響を及ぼすことなく、この上部に結晶性に優れた半導体薄膜からなる光電変換部を積層形成することが可能な固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板２１上に光電変換部となる半導体薄膜２３を成膜する。第２基板２１の表面側にトランジスタＴｒや画素電極４３を含む駆動回路を形成する。駆動回路に半導体薄膜を接続する状態で、第１基板２１と第２基板３１とを対向配置して張り合わせる。第２基板３１側に半導体薄膜２３を残す状態で、半導体薄膜２３から第１基板２１を除去する。 （もっと読む）

【課題】白傷欠陥の発生を抑制することができ、数画素に亘る感度低下を抑えることができる撮像素子を提供する。
【解決手段】基板上方で二次元状に配列された複数の下部電極１０４と、各下部電極１０４と対向して配置された上部電極１０８と、複数の下部電極１０４と上部電極１０８との間に配された光電変換層と、上部電極１０８の上方に配置され、該上部電極を覆う封止膜１１０と、上部電極１０８と封止膜１１０との間に配置された封止補助層１０９と、を備える撮像素子であって、封止膜１１０が複数の層で構成され、該封止膜全体の膜応力を緩和する応力緩和層を含み、封止補助層１０９は、真空蒸着法又はＣＶＤで形成された膜であり、厚さが５ｎｍ以上で、内部応力が１００ＭＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】素子性能の劣化とコストの増大を防ぐことが可能な有機光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電極２と電極２上方に形成された電極５と、電極２及び電極５間に形成された有機材料を含む光電変換層４と、電極２、電極５、及び光電変換層４を封止する封止層６とを含む有機光電変換素子１０の製造方法であって、光電変換層４は、フラーレン又はフラーレン誘導体とｐ型有機半導体との混合層で構成されており、基板１上方に電極２を形成する第一の工程と、電極２の上方に光電変換層４を形成する第二の工程と、光電変換層４の上方に電極５を形成する第三の工程と、電極５の上方に封止層６を形成する第四の工程とを備え、第二の工程〜第四の工程の各工程を真空下で行い、第二の工程と第四の工程との間の各工程間に、作製途中の有機光電変換素子を非真空下に置く第五の工程を備える。 （もっと読む）

【課題】シェーディングを発生させることなくランダム雑音を抑圧することが可能な固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】複数の単位画素４２と、垂直信号線９と、フィードバックアンプ１２と、フィードバック線１６と、画素リセット信号線７と、タイミング制御回路５０と、タイミング制御回路５０から出力されたリセット信号３６に含まれるリセットパルスの後縁の波形に傾斜を付与するようリセット信号３６の波形を調整するリセット信号制御回路６０とを備え、単位画素４２は、増幅トランジスタ４、選択トランジスタ５、リセットトランジスタ３及び光電変換部１を有し、リセットトランジスタ３のオンオフを制御するリセットパルスの後縁の変化の開始からリセットトランジスタ３がオフになるまでのソフトリセット時間は、同じ行の単位画素４２のそれぞれで揃えられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光電変換膜が半導体基板上に積層された積層型の固体撮像装置に関する。
【解決手段】複数の画素が二次元配置されてなる固体撮像装置であって、半導体基板と、半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に、画素毎に隙間を空けて形成された下部電極と、真性半導体材料からなり、画素毎に、隙間を空けて、各下部電極上に形成された光電変換膜と、不純物半導体材料からなり、前記光電変換膜上に、複数の画素に亘って形成され、光電変換膜間の隙間に相当する部位が当該隙間に入り込んで、光電変換膜の側面の一部または全部を覆っているブロッキング層と、ブロッキング層上に、複数の画素に亘って形成された透光性を有する上部電極とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フレア防止膜を形成せずにフレアの発生を抑制し、オプティカルブラックによるオフセット量測定精度が高められる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】積層型の固体撮像装置１００において、有効画素領域１１０及び周辺領域１３０で同時に形成される光電変換膜４２は、周辺領域１３０では、金属からなる配線３７に向かって入射された光を吸収することにより、配線３７での反射を低減させるフレア防止膜としての機能を果たし、また配線３７ｂ上部を露出させ、周辺領域１３０で発生した電子がオプティカルブラック領域１２０へ入り込むのを防止する。 （もっと読む）

【課題】高感度で、且つ、混色の発生を抑制できる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、基板１０１上に、絶縁膜１０７を介した状態で、互いに間隔をあけた状態で隔壁１０９が立設されている。そして、隣接する隔壁１０９同士および絶縁膜１０７の表面により形成された凹部の内壁に沿った状態で、下部電極１１０が形成されている。即ち、下部電極１１０は、絶縁膜１０７の表面上に形成された底壁部分と、当該底壁部分の両端縁部から隔壁１０９の側面に沿った状態で着設された側壁部分とが、一体に形成されてなり、全体として凹断面形状を有する。下部電極１１０は、ＷやＰｔ、あるいはＡｌなどの金属材料から形成され、遮光性を有する。また、隔壁１０９は、ＷやＡｌ、あるいはＣｕやＣｒなどからなる金属芯体部と、その外周に形成されたこれらの酸化皮膜部とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】不所望の領域への光の入射を効果的に抑制し、高画質な固体撮像装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置の各画素部１００では、半導体基板１０１内に形成された接続部１０２と、絶縁膜１１０を介して形成された遮光膜１１２と、遮光膜１１２上に形成された下部電極１１３と、絶縁膜１１０を挿通し、接続部１０２と下部電極１１３とを接続するコンタクト配線１１１と、下部電極１１３上に形成された光電変換膜１１４と、光電変換膜１１４上に形成された上部電極１１５とを備える。そして、固体撮像装置は、下部電極の１１３とコンタクト配線１１１とが、遮光膜１１２にそれぞれ対応して設けられた開口を介して接続されており、遮光膜１１２が、絶縁膜１１０上において、開口された箇所を除き、隣接する下部電極１１３間の隙間の全域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】放射線画像撮影装置内の劣化を検知する。
【解決手段】放射線画像撮影装置（２０、２０Ａ〜２０Ｃ）は、放射線を可視光に変換するシンチレータ（７４）と、可視光を電気信号に変換する光検出基板（７２）と、ピーク波長が互いに異なる少なくとも２つの光を光検出基板（７２）に選択的に照射可能な光源（７８）とを有する。この場合、光源（７８）は、少なくとも２つの光のうち、一方の光をリセット光として光検出基板（７２）に照射し、他方の光を放射線画像撮影装置（２０、２０Ａ〜２０Ｃ）内の劣化を検知するための劣化検知用光として光検出基板（７２）に照射することが可能である。 （もっと読む）

【課題】
光導電膜の厚膜化や光導電膜への印加電圧の過度な増大を伴わず、大幅に感度を向上させるとともに、高い光電変換効率と安定したアバランシェ増倍を両立できるアバランシェ増倍方式の撮像デバイスを提供する。
【解決手段】
光入射側に配設される第１透光性電極と、第１透光性電極に積層され、第１透光性電極を介して入射する入射光を光電変換する第１光電変換部と、第１光電変換部に積層され、第１光電変換部で生成される電荷が注入されて発光する第１電界発光薄膜部と、第１電界発光薄膜部に積層される第２透光性電極と、第２透光性電極に積層され、第１電界発光薄膜部で発光され第２透光性電極を透過した光を光電変換する第２光電変換部と、第２光電変換部で生成される信号電荷を２次元の画像信号として読み出す信号読み出し部とを含み、第１光電変換部又は第２光電変換部は光電変換部内で電荷のアバランシェ増倍を行う。 （もっと読む）

【課題】赤外線撮像装置の分解能を向上することができる赤外線イメージセンサ及び赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】赤外線イメージセンサ１１には、複数個の第１の画素１ａが配列した第１の赤外線検知層１と、第１の赤外線検知層１上方に形成され、複数個の第２の画素２ａが配列した第２の赤外線検知層２と、複数個の第１の画素１ａの各々から信号を出力する第１の出力部３と、複数個の第２の画素２ａの各々から信号を出力する第２の出力部４と、が設けられている。平面視で、複数個の第２の画素２ａの配列が、複数個の第１の画素１ａの配列からずれている。 （もっと読む）

【課題】十分な感度と耐熱性が得られ、高速応答性を示す光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極に挟持された光電変換層を有する光電変換素子であって、該光電変換層が少なくとも１つの有機材料を含み、
該一対の電極の一方の電極と、該光電変換層との間に少なくとも１層の電子ブロッキング層を備え、該電子ブロッキング層の少なくとも１層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を含む混合層である光電変換素子。 （もっと読む）