【課題】選択的位置のレジスト膜とその下地との密着性を高め、非選択的位置のレジスト膜の残渣を減少させる。
【解決手段】下地１に第１レジスト材３を塗布し（工程１―１）、所望パターンとは逆パターンで第１レジスト材３をパターニングして前記下地の表面のうち前記所望パターンの表面を露出させ（工程１―２）、該下地の前記露出された表面を疎水化処理し（工程１―３）、該疎水化処理後に下地１から前記パターニングされた第１レジスト材３を除去（工程１―４）して下地１に第２レジスト材２を塗布し、（工程１―５）、第２レジスト材２を前記所望パターンでパターニングする（工程１―６）。 （もっと読む）

【課題】高い吸収係数を有する有機材料を用いた光電変換素子を提供する。
【解決手段】離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、及び、第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備えた光電変換素子において、光電変換材料層は、以下の構造式（１）から成る。
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【課題】ＳＮを向上させることが可能な有機光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電極２と電極２上方に形成された電極５と、電極２及び電極５間に形成された有機材料を含む光電変換層４と、電極２、電極５、及び光電変換層４を封止する封止層６とを含む有機光電変換素子１０の製造方法であって、光電変換層４は、フラーレン又はフラーレン誘導体とｐ型有機半導体との混合層で構成されており、基板１上方に電極２を形成する第一の工程と、電極２の上方に光電変換層４を形成する第二の工程と、光電変換層４の上方に電極５を形成する第三の工程と、電極５の上方に封止層６を形成する第四の工程とを備え、第二の工程と第四の工程との間の各工程間に、作成途中の有機光電変換素子の構造に何も追加しない期間を３０分以上設ける第五の工程を備える。 （もっと読む）

【課題】高品質の撮像画像信号を得ることができる光電変換膜積層型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】信号読出手段が表面部に形成された半導体基板１１０と、半導体基板１１０の表面上方に積層され第１電極膜１０４と画素毎に区分けされた複数の第２電極膜１１３との間に光電変換膜１０３が形成された光電変換層と、該光電変換層の光入射側の上方に積層され光を透過する材料で形成された第１光透過層１２０と、第１光透過層１２０と同層に形成され有効画素領域１０１の外側を覆う遮光膜１２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】暗電流を低減することが可能な有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】画素電極６、画素電極６に対向する対向電極１０、及び画素電極６と対向電極１０の間に設けられた有機材料を含む光電変換層９を有する有機光電変換素子Ｐであって、光電変換層９の電子スピン数が１．０×１０^１５／ｃｍ^３以下となっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】撮像素子前面に貼り付ける透明基板の下に空隙を必要とせず、また、接着材として屈折率に依存しない透明樹脂を選択できるようにした小型，薄型の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】回路基板１０３と、回路基板１０３の光入射側表面に貼り付けられた半導体基板及び、該半導体基板の光入射側上層に積層された光電変換膜及び、前記半導体基板の表面部に形成され前記光電変換膜が入射光量に応じて検出した信号電荷量に応じた信号を撮像画像信号として外部に読み出す信号読出手段を備える撮像素子チップ１０１と、前記光電変換膜の光入射側上層に透明樹脂を接着材として貼り付けられた透明基板１０２と、透明基板１０２で覆われていない前記半導体基板の周辺部に形成された接続パッドと回路基板１０３の接続端子とをワイヤーボンディングされた接続線１０４とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い感度を有し、撮像画像に滲みが発生するのを抑制することが可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の光電変換素子Ｐと、複数の光電変換素子Ｐの各々で発生した電荷に応じた信号を読み出す読み出し部３とを有する撮像素子であって、光電変換素子Ｐが、前記電荷を捕集する画素電極６と、画素電極６と対向する対向電極１０と、画素電極６及び対向電極１０の間に設けられ、入射光に応じて前記電荷を発生する光電変換層９と、画素電極６と光電変換層９との間に設けられた電子ブロッキング層７とを含み、画素電極６同士の間隔が２５０ｎｍ以下であり、電子ブロッキング層７の各々の画素電極６側の面から対向電極１０側の面までの表面電位の変化量が−１ｅＶ以上、３ｅＶ以下となっている撮像素子。 （もっと読む）

【課題】混色の発生等を防止し、撮像画像の画像品質が低下するなどの不具合の発生を抑制する。
【解決手段】複数の画素Ｐに対応して形成されたカルコパイライト光電変換膜１３の間においてポテンシャル障壁になるように、画素分離部ＰＢを、ドーピングの濃度制御または組成制御がされた化合物半導体によって形成する。 （もっと読む）

【課題】高品質の撮像画像信号を得ることができ、製造歩留まりを高めることができる光電変換膜積層型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】信号読出手段が表面部に形成された半導体基板１１０と、半導体基板１１０の表面上方に積層され第１電極膜１０４と画素毎に区分けされた複数の第２電極膜１１３との間に光電変換膜１０３が形成された光電変換層と、該光電変換層に対して光入射側且つ有効画素領域１０１の外側に形成され第１電極膜１０４と電気的に短絡状態（１１５）で積層された導電性の遮光膜１２１とを備える。遮光膜１２１が第１電極膜１０４と短絡されて実効的にインピーダンスが低下するため、遮光膜１２１が製造工程中に帯電してもこれによる膜破壊が回避される。 （もっと読む）

【課題】撮像素子前面に貼り付ける透明基板の下に空隙を必要とせず、また、接着材として屈折率に依存しない透明樹脂を選択できるようにした小型，薄型の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１２１と、半導体基板１２１の光入射側上層に積層された光電変換膜１３０と、半導体基板１２１の表面部に形成され光電変換膜１３０が入射光量に応じて検出した信号電荷量に応じた信号を撮像画像信号として外部に読み出す信号読出手段（図示省略）と、光電変換膜１３０の光入射側上層に透明樹脂を接着材として貼り付けられた透明基板（図示省略）と、前記信号読出手段に配線接続され半導体基板１２１に貫通して設けられると共に半導体基板１２１の光電変換膜１３０が設けられた面と反対側の面に露出して設けられた電気的接続端子１１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換層を備える光電変換素子の光電変換効率を動作初期から長期間高く維持できるようにする。
【解決手段】第１電極１１と第２電極１５との間に、有機光電変換色素と、フラーレン又はフラーレン誘導体と、フラーレン重合体とを混合して含む有機光電変換層１２を備える。好適には、有機光電変換層１２は、有機光電変換色素と、フラーレン又はフラーレン誘導体と、フラーレン重合体とをバルクヘテロ構造で備える。 （もっと読む）

【課題】高い感度及びＳ／Ｎ比を有する光電変換材料層を備えた新規の光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、（ａ−１）離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、及び、（ａ−２）第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備え、第１電極２１と第２電極２２との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層３０に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層３０にて生成する電流が、照射開始からの照射時間の経過に従って増加する光電変換素子１１、並びに、（ｂ）該電流を検出する電流検出回路４０を備えている。 （もっと読む）

【課題】高温熱処理後における性能劣化を防止し、かつ、高い性能を得ることのできる光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極（画素電極６、対向電極１０）と、画素電極６及び対向電極１０の間に設けられた有機化合物を含む光電変換層９と、光電変換層９と画素電極６との間に設けられた電荷ブロッキング層７とを有する有機光電変換素子Ｐであって、光電変換層９と電荷ブロッキング層７との間に設けられ、ガラス転移温度が２００℃以上の有機化合物で構成された中間層８を備える。 （もっと読む）

【課題】高い外部量子効率、低い暗電流、速い応答速度の有機光電変換層を備える光電変換素子，撮像素子を低コストで製造する。
【解決手段】第１の電極１０１と第２の電極１０４との間に有機光電変換層１０２を備える光電変換素子１００であって、有機光電変換層１０２の形成に用いる材料の液体クロマトグラフィを用いて測定した純度が、９６．５％以上とする。９９．９９…％という高純度の材料が要求される訳ではないため、低コストで製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】有機材料又は無機材料からなる光電変換膜を一対の電極で挟んで構成された光電変換素子を基板上部に備える固体撮像装置において、電荷蓄積時における暗電流の発生を抑制することができる固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置の製造方法、駆動方法、及びその固体撮像装置を用いた電気機器を提供する。
【解決手段】有機材料又は無機材料からなる光電変換膜１９を第１の電極１８及び第２の電極２０で挟んで構成された光電変換素子２１を基板１３上部に備える固体撮像装置において、第１の電極１８をアンプトランジスタＴｒ１のアンプゲート電極２４にのみ接続する。そして、画素信号の読み出しは、第１の電極１８側から行い、リセット動作は、第２の電極２０側から信号電荷を排出することで行う。 （もっと読む）

【課題】高い外部量子効率を示し、かつ、暗電流値が低く、素子を加熱処理した場合にも、外部量子効率の低下を抑え、暗電流の増加幅を小さくすることが可能な、耐熱性に優れた光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供すること。
【解決手段】導電性薄膜、有機光電変換膜、ブロッキング層及び透明導電性薄膜を含んでなる光電変換素子。有機光電変換膜が、ガラス転移点（Ｔｇ）が１００℃以上のｐ型有機光電変換材料であってアモルファス膜を形成するｐ型有機光電変換材料を含有し、ブロッキング層が、Ｔｇが１４０℃以上であるブロッキング材料を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】入射光の損失を低減させるとともに、人間の目の緑色に対する感受率に適応させつつ、検出波長帯が互いに異なる光電変換膜を半導体基板上に積層させる。
【解決手段】透明駆動電極２１上に赤色検出用光電変換膜２２を形成し、赤色検出用光電変換膜２２上に透明基準電極２３を介して緑色検出用光電変換膜２４を積層し、緑色検出用光電変換膜２４上に透明駆動電極２５を画素ごとに分離して配置し、赤色検出用光電変換膜２２と半導体基板１１との間に青色に感度を有する青色検出用光電変換膜を設ける。 （もっと読む）

【課題】画素電極パターンと半導体基板とを電気的に接続するコンタクトプラグを形成するための工程数を低減できる固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置を提供する。
【解決手段】製造方法は、光電変換膜を覆う共通電極膜を形成する工程と、前記共通電極膜を加工し、前記光電変換膜における第１の部分を覆う共通電極パターンと、前記光電変換膜における第２の部分を露出する開口パターンとを形成する工程と、前記共通電極パターンと前記光電変換膜における前記開口パターンにより露出された前記第２の部分とを覆う絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜、前記光電変換膜、及び金属膜を貫通し半導体基板の表面を露出する穴を形成する工程と、前記穴に導電物質を埋め込んでコンタクトプラグを形成する工程と、前記コンタクトプラグ及び前記絶縁膜を覆う画素電極膜を形成する工程とを備え、前記開口パターンの幅は、前記コンタクトプラグの幅より大きい。 （もっと読む）

【課題】光電変換膜中の異なる材料の界面において生じる湧き出し電荷を抑制し、暗電流を効果的に減少させることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供する。
【解決手段】透明導電性膜と、光電変換膜と、導電性膜とを有する光電変換素子であって、光電変換膜が、一般式（ｉ）で表される化合物を含む、光電変換素子。一般式（ｉ）


（式中、Ｒ_２〜Ｒ_９は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_７及びＲ_８のうち少なくとも２つが、それぞれ独立にアリール基、複素環基、又は−Ｎ（Ｒａ）（Ｒｂ）を表す。Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、Ｒａ及びＲｂの少なくともいずれかは、アリール基又は複素環基を表す。Ｒ_１は、アルキル基、アリール基、又は複素環基を表す。） （もっと読む）

【課題】フラーレンを含む光電変換層を備える光電変換素子の耐光性向上を図る。
【解決手段】第１電極１１と第２電極１５との間にフラーレンを含む光電変換層１２を備え該光電変換層１２内に前記フラーレンの励起状態を失活させる消光剤を含有させる。励起状態となったフラーレンを消光剤が失活させることで、フラーレンの重合が過度に進むのを阻止し、耐光性を高める。 （もっと読む）