【課題】ＳＮ比を向上させることができる固体撮像装置内視鏡を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１００は、複数の画素部を有し、画素部が、画素電極１０４と、画素電極の上方に設けられ、受光した光に応じて電荷を生成する光電変換層を含む有機層１０７と、有機層の上方に複数の画素部で共有に設けられた対向電極１０８と、対向電極を覆う封止層１１０と、封止層の上方に設けられたカラーフィルタＣＦと、画素電極に捕集された電荷に応じた信号を読出す読出し回路１１６と、カラーフィルタを透過する光を、該カラーフィルタが配置された画素部に対応する光電変換層へ導く集光手段１１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】広いダイナミックレンジを有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、入射光により光電流を生成し、当該光電流に応じてオフ状態からオン状態になる複数の画素部１３０１を備え、前記複数の画素部１３０１は、光電流が第１のしきい値以上になるとオン状態になる第１の画素部と、光電流が第１のしきい値より大きい第２のしきい値以上になるとオン状態になる第２の画素部とを含み、前記複数の画素部におけるしきい値は、前記第１のしきい値から第２のしきい値までの範囲でばらついている。 （もっと読む）

【課題】不完全転送型イメージセンサであってもリセットノイズを正確に除去可能にする。
【解決手段】イメージセンサ１００は、半導体基板１内に形成された蓄積ダイオードＳＤと、ＳＤの電位をリセットするトランジスタＲＳＴｒと、ＳＤと電気的に接続されたゲート電極ＷＣＧ及びＷＣＧの電位に応じて基板１から注入される電荷を蓄積するフローティングゲートＦＧを含むトランジスタＷＴと、ＦＧに蓄積される電荷に応じて閾値電圧が変化するトランジスタＲＴとを含む画素部２１を有し、ＳＤの電位をリセットし、該リセット後のＳＤの電位に応じた電荷をＦＧに注入し、その後、ＲＴの閾値電圧に対応する第一の信号を読み出して保持し、続いてリセット後に開始した露光が終了した後のＳＤの電位に応じた電荷をＦＧに注入し、その後、ＲＴの閾値電圧に対応する第二の信号を読み出す駆動制御回路４と、第一の信号と第二の信号の差分を出力する差分回路８とを備える。 （もっと読む）

【課題】光受光素子の感度の改善を図ることができ、画素間の光クロストークの抑制が可能となる反射構造を備えた光受光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】反射構造を備えた光受光素子を、
前記反射構造が、光電変換層を構成するＳｉ結晶の一部をａ−Ｓｉ層に変質させて形成されたａ−Ｓｉ／ｃ−Ｓｉによる多層膜によって構成する。
また、反射構造を備えた光受光素子の製造方法を、
基板上にＳｉ結晶による光電変換層を形成する工程と、
前記光電変換層を形成するＳｉ結晶の一部を、短パルスレーザによるレーザ照射によってａ−Ｓｉ層に変質させ、ａ−Ｓｉ／ｃ−Ｓｉによる多層膜で形成された反射構造を形成する工程と、
を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】
簡易な設備で作製可能で、高効率な有機光電変換素子、及び、これを含むイメージセンサを提供することを課題とする。
【解決手段】
陰極、陽極、及び前記陰極及び前記陽極の間に形成される有機半導体層を含む有機光電変換素子であって、前記有機半導体層は、電子供与性の有機材料と電子受容性の有機材料との混合比が段階的に設定される４層以上の混合層を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、耐衝撃性に優れ、画像欠陥の発生を防止した高画質の放射線画像検出装置を提供することにある。
【解決手段】２次元的に配列された光電変換素子を含むセンサー基板と、前記センサー基板上に配置された保護層と、前記保護層上に配置され表面を平坦化する下引層と、前記下引層上に配置された蛍光体を含むシンチレータ層と、前記シンチレータ層上に配置された耐湿保護層を有し、前記下引層にガラス転移温度が−３０℃〜９０℃の樹脂を含有することを特徴とする放射線画像検出装置。 （もっと読む）

【課題】グローバルシャッタ機能を有する低ノイズ（高感度）かつ低消費電力のＭＯＳ型イメージセンサを提供する。
【解決手段】複数の画素部２１を有するＭＯＳ型イメージセンサ１００であって、画素部２１は、光電変換部ＰＤと光電変換部ＰＤで発生した電荷に応じた信号を読み出す信号読み出し部とを含み、信号読み出し部は、フローティングゲートＦＧを有し、光電変換部ＰＤで発生した電荷をフローティングゲートＦＧに蓄積する書き込みトランジスタＷＴと、書き込みトランジスタＷＴとフローティングゲートＦＧを共有し、当該フローティングゲートＦＧの電位に応じた信号を信号線ＢＬに読み出す読み出しトランジスタＲＴとを含み、信号線ＢＬに接続されて読み出しトランジスタＲＴと共にソースフォロア回路を構成する負荷トランジスタ２２を備える。 （もっと読む）

【課題】有機と無機のハイブリッド光電変換部を有する構成において、各色のＦ値依存を抑制して各色間の感度の変動を抑制できる、固体撮像装置とその製造方法を提供する。また、かかる固体撮像装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、受光面２５と、受光面２５とは反対側に形成された回路形成面２６を有する。さらに、同一の画素２０内で受光面側から深さ方向に積層されてカラーフルタを介さずに光が入射される、ｐｎ接合を有する無機光電変換部ＰＤ１、ＰＤ２及び有機光電変換膜３６を有する有機光電変換部３９を有する。そして、無機光電変換部３９及び有機光電変換部ＰＤ１、ＰＤ２の信号が回路形成面に読み出される。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率及び高速応答性に優れた光電変換素子及び固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】導電性膜と、光電変換膜と、透明導電性膜とを含む光電変換素子であって、
前記光電変換膜が、フラーレン又はフラーレン誘導体と、吸収スペクトルが下記（Ａ）及び（Ｂ）の少なくともいずれかの条件を満たす光電変換材料とを含む、光電変換素子。
（Ａ）：λ_Ｍ１＜λ_Ｌ１、かつλ_Ｍ２＜λ_Ｌ２
（Ｂ）：λ_Ｍ１＜λ_Ｌ１、かつΔ｜λ_Ｍ１−λ_Ｌ１｜＞Δ｜λ_Ｍ２−λ_Ｌ２｜
（Ａ）及び（Ｂ）において、λ_Ｌ１、λ_Ｌ２、λ_Ｍ１、及びλ_Ｍ２は、波長４００〜８００ｎｍの範囲における最大吸収強度の１／２の吸収強度を示す波長であって、λ_Ｌ１及びλ_Ｌ２は、前記光電変換材料をクロロホルムに溶解させたときのクロロホルム溶液スペクトルにおける波長を表し、λ_Ｍ１及びλ_Ｍ２は、前記光電変換材料単独の薄膜吸収スペクトルにおける波長を表す。ただし、λ_Ｌ１＜λ_Ｌ２、λ_Ｍ１＜λ_Ｍ２である。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生の少ない光電変換素子及び固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】 導電性膜と、光電変換膜と、透明導電性膜とを含む光電変換素子であって、前記光電変換膜が、結晶化したフラーレン又はフラーレン誘導体を含み、前記結晶化したフラーレン又はフラーレン誘導体が、前記導電性膜の膜面に対して垂直に（１１１）方向に配向している、電変換素子。 （もっと読む）

【課題】集積化が容易で検出感度の向上が可能な赤外線２次元イメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体膜から成る赤外線検出容量ＣＦのうち、容量部分１００は、引出配線１０２および１０４により支持されて、溝部３３０の両側のＳｉ基板に対して保持される。下部電極は、引出配線１０２と結合し、上部電極は、引出配線１０４と結合する。容量部分１００の平面形状は、長方形形状から、対角線方向に互いに対向する１０６の部分および１０８の部分を除いた形状となっている。 （もっと読む）

複数のピクセル（１０１ａ〜１０１ｂ）を備え、各ピクセルが、複数のフォトダイオードと導電性の複数の電極（１１２、１１８ａ〜１１８ｃ）との交互積層を備える、光検出デバイス（１００）であって、各フォトダイオードが、他のフォトダイオードの非晶質半導体層とは別個のドープ非晶質半導体層（１１６ａ〜１１６ｃ）と接触している真性非晶質半導体層（１１４ａ〜１１４ｃ）を備え、各フォトダイオードが２つの電極の間に配置され、フォトダイオードの各対がこれらフォトダイオードの間に配置された電極の１つを備え、各ピクセルにおいて、各電極が、ピクセルの他の電極上に重なり合わず、導電材料で充填された相互接続穴（１２４ａ〜１２４ｄ）に電気的に連結された導電部分を備え、各ピクセルにおいて、導電材料の部分（１２８ａ〜１２８ｄ）が、前記重なり合わない電極部分それぞれの上にほぼ重なり合う、デバイス（１００）。
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【課題】信号レベルの読み出し後にリセットレベルを読み出す駆動の際に、リセット時のランダムノイズや面内ムラを低減した上で、リセット動作時の画質劣化を低減する。
【解決手段】信号レベルの読み出し後にリセットレベルを読み出す動作を行うとともに、ＦＤ部２６のリセットトランジスタ２３側を空乏化すべく、少なくともＦＤ部２６のリセットトランジスタ２３側の一部の不純物濃度を薄くする画素構造を前提とする。そして、ＦＤ部２６をリセットするリセットトランジスタ２３がオンしている期間に、リセットトランジスタ２３のドレイン電圧ＶＲＤを、空乏化ポテンシャルよりも低い電圧Ｖｒｓｔｌから空乏化ポテンシャルよりも高い電圧Ｖｒｓｔｈに遷移させるようにする。 （もっと読む）

【課題】デジタルカメラ等に使用されるＭＯＳ型撮像チップとＤＳＰチップの撮像装置に関するもので、高性能でローコストの撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置は、第１の設計ルールで設計された積層型撮像チップ２１０と、第２の設計ルールで設計されたＤＳＰチップ２１１とを備え、積層型撮像チップ２１０は、複数の積層型画素と、複数の積層型画素を駆動する駆動部とを備え、複数の積層型画素のそれぞれは、半導体基板上に形成された蓄積ダイオードとリセットトランジスタと読み出しトランジスタとを含む画素回路と、前記画素回路の上部に積層された光電変換膜とを備え、ＤＳＰチップ２１１は、積層型撮像チップからの信号を受け画像処理を行い、前記第２の設計ルールは、前記第１の設計ルールに比べより微細化された設計ルールである。 （もっと読む）

【課題】十分な感度が得られ、高速応答を示す光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１１、１５と、前記一対の電極間に配置された光電変換層１２とを含む光電変換素子の製造方法であって、前記光電変換層を形成するための原料の少なくとも１種として、最小径が０．３ｍｍ以上である結晶粒子を含む有機材料を使用し、前記有機材料を所定の安定蒸着速度に到達するまで加熱する工程と、前記安定蒸着速度に到達した後、前記光電変換層の成膜を行わずに前記結晶粒子の全体積の少なくとも１／５を昇華させる工程と、前記有機材料の全体積の少なくとも１／５を昇華させた後、前記光電変換層の製膜を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】暗電流があっても高いＳＮ比の信号もしくは鮮明な画像を得ることができる、小型化された近赤外イメージセンサを提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１上に形成され、受光層３を有する１つまたは複数の受光素子と、近赤外光の入射側に位置する変調部５０と、後ろ側に位置する信号処理部７０とを備え、受光層３のバンドギャップ波長が、１．２μｍ以上３μｍ以下であり、変調部５０は、シリコンを主成分とするＭＥＭＳで形成されて、１つまたは複数の受光素子をカバーして、該受光素子と一体化しており、そして信号処理部７０は、受光素子の信号を読み出す信号読み出し回路、および当該受光素子からの信号を検出する信号検出部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極を構成する材料に起因して生じる内部応力を緩和することで、光電変換効率を向上できる光電変換素子及び撮像素子を提供する。
【解決手段】基板Ｓ上に、下部電極１１と、光電変換層１２と、透明電極材料を含む上部電極１５とをこの順に積層させた光電変換素子であって、上部電極１５と光電変換層１２との間に、透明電極材料の応力を緩和させる結晶層１６を備える。 （もっと読む）

【課題】高精細かつ高感度で長期安定利用可能な、タンパク質を用いたカラー撮像素子および光センサーならびにこれらに用いて好適な分子素子を提供する。
【解決手段】金電極１１上に自己組織化単分子膜１２を介してシトクロムｃ５５２ １３を固定化し、このシトクロムｃ５５２ １３に光電変換機能を有する電子伝達タンパク質１４を結合して光電変換素子を形成する。あるいは、金電極上に亜鉛置換シトクロムｃ５５２あるいは修飾亜鉛ポルフィリンシトクロムｃ５５２を固定化して赤色光、緑色光または青色光の光電変換素子を形成する。これらの光電変換素子を用いてカラー撮像素子または光センサーを構成する。 （もっと読む）

【課題】透過効率をより一層向上させることができるとともに、クロストークを低減させることができる撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の画素部と、複数の画素部のそれぞれの上方に形成されたカラーフィルタとを備える撮像素子であって、画素部が、入射光に応じて電荷を生成する光電変換部を含み、複数の画素部それぞれの上方に形成された隣り合うカラーフィルタ同士の間に該カラーフィルタを互いに分離するための分離壁が設けられ、かつ、光電変換部とカラーフィルタとの距離が３μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高電圧の供給が可能で、電源ノイズに起因する画質の劣化を抑制することができ、固体撮像素子を備えるＩＣチップの小型化を図ることが可能な固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法及び撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像素子３０は、基板１上に、下部電極１４と、下部電極１４の上に設けられた光電変換層１５と、該光電変換層１５上に設けられた上部電極１６とを備え、基板１内に形成され、上部電極１６と下部電極１４との間に電界を生じさせるための電源電圧を供給する昇圧手段と、昇圧手段の出力と上部電極１６とを電気接続させる配線部Ｍ４と、昇圧手段の出力に接続され、配線部Ｍ４の少なくとも一部によって形成された抵抗を含むローパスフィルタ４０とを備える。 （もっと読む）