【課題】視感度補正用の赤外線除去フィルタを不要とし、かつ色再現性を人間の視感度に合わせたカラー用固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された回路部３０と、回路部３０上に配置された下部電極層２５と、下部電極層２５上に配置されたカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜２４と、化合物半導体薄膜２４上に配置された透明電極層２６と、透明電極層２６上に配置された可視光フィルタ４４Ｒ、４４Ｇ、４４Ｂとを備え、下部電極層２５、化合物半導体薄膜２４、および透明電極層２６は、回路部３０上に順次積層されると共に、可視光フィルタ４４Ｒ、４４Ｇ、４４Ｂの下方の化合物半導体薄膜２４の膜厚を薄層化して、可視光のみを吸収するカラー用固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】ノイズの混入に起因する精度の低下を抑制することが可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】このサーモセンサ１００（センサ装置）は、ｎ型シリコン基板１１の上方に配置され、熱（赤外線）を測定することにより電子を供給する電荷供給部４８と、ｎ型シリコン基板１１の表面に形成され、電子が電荷供給部４８から供給されるｎ型ウェル領域１５と、ｎ型ウェル領域１５の電子が供給される領域の周辺近傍の表面に形成されるｐ^＋拡散層１７とを備え、ｐ^＋拡散層１７の下方に電子を転送するための埋込みチャネル領域が設けられている。 （もっと読む）

【課題】「積層型」の固体撮像装置において、撮像画像の画像品質を向上する。
【解決手段】緑色用光電変換部２０１Ｇの透過窓ＴＭを、青色の波長領域の光が透過窓ＴＭ以外の部分よりも多く青色用光電変換部２０１Ｂへ透過するように形成する。この透過窓ＴＭは、基板１０１の撮像面（ｘｙ面）の方向で規定される幅Ｄが、λｃ／ｎ≦２Ｄ（式（１））を満たすように形成されている。このため、緑色用光電変換部２０１Ｇにおいては、「導波管の原理」によって、青色の光が多く透過することになる。 （もっと読む）

【課題】信号電荷を効率的に読み出すことができ、残像の発生を抑制することができる有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】射光を光電変換し、信号電荷を生成する有機光電変換膜を備えた有機光電変換素子１０であって、有機光電変換膜１０１の一方の面に設けられた第１電極と、有機光電変換膜１０１の他方の面に配列された複数の第２電極とを備え、隣り合う第２電極同士の間の隙間が３μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】カルコパイライト型半導体を用いるとともに、より広範囲の光波長域の光も光電変換でき、より多くの撮像データが得られる光電変換装置およびその製造方法、および固体撮像装置を提供する。
【解決手段】下部電極層２５と、下部電極層２５上に配置され、表面に高抵抗層２４２を有するカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜２４と、化合物半導体薄膜２４上に配置された透明電極層２６と、層間絶縁層４１、酸化亜鉛系化合物半導体薄膜４２、電極４３、４４を備え、透明電極層２６と下部電極層２５間に逆バイアス電圧を印加して、前記透明電極層２６と前記下部電極層２５間及び前記電極４２、４３間に逆バイアス電圧を印加することにより、紫外領域光を光電変換して広帯域化する光電変換装置およびその製造方法、および光電変換装置を適用した固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】屋外でも火災や電気火花等を迅速に検知することができ、安くて、小型で、耐衝撃性の高い撮像装置を提供する。
【解決手段】支持部材６上に回路部２が、回路部２上に固体撮像素子１が形成されている。また、固体撮像素子１の前面には、レンズ機構５が設けられている。固体撮像素子１、回路部２、レンズ機構５は枠体７の中に組み込まれている。一方、枠体７の外側に光電変換素子３が取り付けられている。光電変換素子３の構成は、３００ｎｍを超える光波長域では受光感度が略０であり、３００ｎｍ以下の光波長域で受光感度を有するように構成されている。これにより、紫外光の中でも特に火炎や電気火花等を感知することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶性が良く光吸収係数の高い光電変換膜を有することで、暗電流の発生を抑えて、感度を高めた固体撮像装置を可能にする。
【解決手段】シリコン基板１１上に格子整合された銅−アルミニウム−ガリウム−インジウム−イオウ−セレン（ＣｕＡｌＧａＩｎＳＳｅ）系混晶または銅−アルミニウム−ガリウム−インジウム−亜鉛−イオウ−セレン（ＣｕＡｌＧａＩｎＺｎＳＳｅ）系混晶からなるカルコパイライト系化合物半導体からなる光電変換膜１３を有する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率及び高速応答性に優れた光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】導電性膜と、光電変換膜と、透明導電性膜とを含む光電変換素子であって、光電変換膜が、フラーレン又はフラーレン誘導体と、吸収スペクトルが下記（Ａ）及び（Ｂ）の少なくともいずれかの条件を満たす光電変換材料とを含む。（Ａ）：λ_Ｍ１＜λ_Ｌ１、かつλ_Ｍ２＜λ_Ｌ２（Ｂ）：λ_Ｍ１＜λ_Ｌ１、かつΔ｜λ_Ｍ１−λ_Ｌ１｜＞Δ｜λ_Ｍ２−λ_Ｌ２｜（Ａ）及び（Ｂ）において、λ_Ｌ１、λ_Ｌ２、λ_Ｍ１、及びλ_Ｍ２は、波長４００〜８００ｎｍの範囲における最大吸収強度の１／２の吸収強度を示す波長であって、λ_Ｌ１及びλ_Ｌ２は、前記光電変換材料をクロロホルムに溶解させたときのクロロホルム溶液スペクトルにおける波長を表し、λ_Ｍ１及びλ_Ｍ２は、前記光電変換材料単独の薄膜吸収スペクトルにおける波長を表す。ただし、λ_Ｌ１＜λ_Ｌ２、λ_Ｍ１＜λ_Ｍ２。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の受光面側に形成された光電変換部を有する固体撮像装置において、画素の微細化を損なうことなく転送効率が向上された固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板内に、縦方向に積層された接続部２１、電位障壁層２２、電荷蓄積層２３からなる縦型転送路５０を形成する。半導体基板１７の裏面側には、下部電極３１及び上部電極３３に挟持された光電変換部３２が形成されており、下部電極３１と接続部２１は、コンタクトプラグ２９により電気的に接続されている。これにより、光電変換部で生成された信号電荷は、コンタクトプラグ２９を介して接続部２１に読み出され、電荷蓄積層２３に縦方向にオーバーフローされる。 （もっと読む）

【課題】画素化された撮像装置を提供する。
【解決手段】数個の画素を含む撮像装置であって、各々の画素は少なくとも、
−第１の電極（１２２）及び第２電極（１０２）の間に配置され、及び光子及び／または高エネルギー粒子放射の電気信号への変換を達成することができるダイアモンド層（１０４）の一部と、
−前記電気信号を増幅及び／または読出すための電子回路（１１０）であって、少なくとも前記第１の電極に電気接続され、及び前記ダイアモンド層及び該ダイアモンド層と前記電子回路との間に位置された誘電層（１０６）を含むＳＯＤ型基板の表面層を形成し、おおよそ１μｍに等しいかそれより薄い厚さを有している半導体材料層（１０８）の一部で作られた電子回路と、
を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】活性化熱処理により半導体検出素子上に不純物半導体層を形成することが可能な裏面照射型撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１上に、半導体検出素子及び周辺回路素子１１１，１１２を形成し、半導体基板を、半導体検出素子及び周辺回路素子を介して、保持基板１２１上に接着し、保持基板から半導体基板を剥離して、保持基板上に半導体検出素子及び周辺回路素子を転写し、保持基板上に転写された半導体検出素子上に、不純物が導入されたアモルファス半導体層を形成し、アモルファス半導体層に対し、マイクロ波を用いてアニール処理を行う。 （もっと読む）

【課題】グローバルシャッタ動作させた場合の、信号の線形性を改善することが可能な固体撮像装置およびその駆動方法、カメラを提供する。
【解決手段】光を電気信号に変換する画素が行列状に配置された画素部１１０と、画素部を駆動する駆動部１２０と、を有し、画素２００は、光電変換を行う光電変換膜２０１と、光電変換膜で発生した電荷を半導体基板に注入するコンタクト部（注入部）２０２と、半導体基板にあって光電変換膜で発生した電荷を蓄積する蓄積部２０４と、光電変換膜２０１と蓄積部２０４の間で電位障壁をなす障壁部２０３と、を含み、画素部１１０は、画素のコンタクト部（注入部）２０２に選択的に電荷を注入する。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質を向上する。
【解決手段】接地されているグラウンド電極２３０Ｇを、撮像面において、読出し回路２０（リセットトランジスタ２２など）と画素電極２１１Ｇとの間に介在させる。これにより、各読出し回路部２０２Ｒ，２０２Ｇ，２０２Ｂを構成するＴＦＴのチャネル形成領域に、ゲート電圧以外の不要な電圧が印加された状態になることを防止する。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示す光電変換素子を提供する。
【解決手段】導電性薄膜、少なくとも１つの材料からなる有機光電変換膜、透明導電性薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、該有機光電変換膜が下記の一般式（Ｉ）で示される化合物及びフラーレン若しくはフラーレン誘導体を含んでなる光電変換素子。
一般式（Ｉ）


式中、Ｚ_１は５又は６員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｌ_１、Ｌ_２、Ｌ_３はそれぞれ無置換メチン基、又は置換メチン基を表す。Ｄ_１は特定の縮環構造を表す。ｎは０以上の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】基板上に設けられた光電変換膜に均一な電圧を印加することができる固体撮像素子及び撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像素子３０は、上部電極１６と下部電極１４との間に電界を生じさせるための電圧を上部電極１６に供給する配線部２４と、を備え、下部電極１４と光電変換膜１５と上部電極１６とを含む光電変換素子Ｐが配列されている領域をセンサ領域Ｓとしたとき、センサ領域１以外の領域を周辺領域とし、周辺領域には、配線部２４と上部電極１６とを接続する接続部２２を複数有し、接続部２２がそれぞれセンサ領域Ｓに対称に設けられ、センサ領域Ｓが光電変換膜１５の中央に位置する。 （もっと読む）

【課題】記録画像の撮像と位相差の検出を同時に行うことができ、記録画像の全体に対してＡＦを行うことができ、記録画像の劣化を防止できる撮像素子及び撮像装置を提供する。
【解決手段】２次元状に配置された複数の画素を有し、各画素が入射光を光電変換して信号電荷を生成する撮像素子であって、画素が、入射光を集光するマイクロレンズと、マイクロレンズと該マイクロレンズの焦点との間に設けられた第１の光電変換部と、マイクロレンズの焦点と重なる位置に設けられ、かつ、マイクロレンズの光軸に対して偏った方向に光電変換領域を有する第２の光電変換部と、信号電荷を読み出す信号読出部と、を有し、複数の画素は、第２の光電変換部の光電変換領域が光軸に対して所定の方向に偏る第１画素群と、第２の光電変換部の光電変換領域が光軸に対して第１画素群の反対側に偏る第２画素群とを含む。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率及び応答速度に優れ、かつ暗電流が低減された有機光電変換素子を提供すること。
【解決手段】導電性電極と、前記導電性電極と接する有機半導体層とを含む有機半導体素子であって、前記導電性電極と前記有機半導体層との接合界面における真空準位シフトが、前記接合界面への光照射により調整された、有機半導体素子。 （もっと読む）

【課題】ＳＮ比を向上させることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素部を有する固体撮像装置１００であって、画素部が、画素電極１０３と、画素電極の上方に設けられ、受光した光に応じて電荷を生成する光電変換層を含む有機層１０７と、有機層の上方に複数の画素部で共有に設けられた対向電極１０８と、対向電極を覆う封止層１１０と、封止層の上方に設けられたカラーフィルタＣＦと、画素電極に捕集された電荷に応じた信号を読出す読出し回路１１６と、カラーフィルタを透過する光を、該カラーフィルタが配置された画素部に対応する光電変換層へ導く集光手段１１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】画素電極と有機層との密着性を向上させ、暗電流の増加を抑えることができる光電変換素子及び撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子は、基板上に、下部電極と、光電変換層を含む有機層と、透明電極材料を含む上部電極とをこの順に積層させ、下部電極が窒化チタンを含有する。 （もっと読む）

【課題】ＳＮ比を向上させることができる固体撮像装置，固体撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素部を有し、各画素部が、画素電極と、画素電極の上方に設けらた光電変換層を含む有機層と、有機層の上方に複数の画素部で共有に設けられた対向電極と、封止層と、カラーフィルタと、画素電極に捕集された電荷に応じた信号を読出す読出し回路と、を備え、光電変換層がｐ型有機半導体とｎ型有機半導体を含み、有機層が、光電変換層と画素電極及び／又は対向電極との間に、画素電極及び／又は対向電極から光電変換層への電荷の注入を抑制する電荷ブロッキング層を含み、電荷ブロッキング層のイオン化ポテンシャルと、光電変換層に含まれるｎ型有機半導体の電子親和力との差を１ｅＶ以上であり、複数の画素部のうち隣り合うカラーフィルタの間に隔壁が設けられ、隔壁の材料が、カラーフィルタの材料より低屈折率で、かつ透明であるとした固体撮像装置である。 （もっと読む）