【課題】Ｓ／Ｎ比を向上させることができる赤外線センサ装置を提供する。
【解決手段】赤外線の吸収による温度変化に応じたアナログ量の出力値を発生する赤外線センサＩＳと、赤外線センサＩＳの出力を信号成分の周波数に対して十分に高い周波数の変調パルス（変調信号）で変調する変調器３と、変調器３の出力を増幅する増幅器４と、増幅器４の出力を上記変調パルスに同期した復調パルス（復調信号）で抽出する復調器６とを備え、増幅器４で発生したフリッカ雑音を復調器６の後段に設けられたアナログローパスフィルタ７により除去する。赤外線センサＩＳの信号成分の周波数に対して十分速いサンプリング周波数でアナログローパスフィルタ７の出力をアナログ−ディジタル変換するＡ／Ｄコンバータ８と、Ａ／Ｄコンバータ８の後段側に設けられたディジタルローパスフィルタ９とを備え、ディジタルローパスフィルタ９により白色雑音の一部を除去する。 （もっと読む）

【課題】反射光を抑制することにより感度を向上できるとともに、反射防止膜としてシリコン窒化膜を採用した場合であっても、暗出力、白キズを十分に抑制することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、受光部(13)上の反射防止膜(18a,19a)は、ゲート絶縁膜(11)と、シリコン酸化膜(18a)と、シリコン酸化膜(18a)の屈折率より大きくかつ半導体基板(10)の屈折率より小さい屈折率を有するキャップ膜(19a)との積層膜からなり、シリコン酸化膜(18a)及びキャップ膜(19a)の膜厚は、受光部(13)に入射するエネルギー線のうち所定の波長成分を有するエネルギー線に対する受光部(13)からの反射が最小になるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】有機材料からなる光電変換素子において、暗電流を防ぐこと。
【解決手段】一対の電極１００，１０２と、一対の電極１００，１０２の間に配置された光電変換層１０１とを含む光電変換部を含む光電変換素子であって、光電変換部が、電極１００と光電変換層１０１との間に設けられ、電極１００，１０２への電圧印加時、電極１００から光電変換層１０１に正孔が注入されるのを防止する正孔ブロッキング層１０３と、電極１０２と光電変換層１０１との間に設けられ、電極１００，１０２への電圧印加時、電極１０２から光電変換層１０１に電子が注入されるのを防止する電子ブロッキング層１０４とを備え、正孔ブロッキング層１０３と電子ブロッキング層１０４は、それぞれ、その比誘電率が光電変換層１０１の比誘電率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】検知回路の耐久性を高める必要がなく、簡易且つ安価な構成で変換素子の状態を検知することのできる撮像装置を提供する。
【解決手段】高電圧発生回路８２において発生された高電圧を放射線検出器５２を構成する第１電極層６０に印加した状態において、記録用光導電層６２に生じる電荷を検知回路７７のチャージアンプ９７で収集し、比較回路９８において、収集した電荷の量を所定の閾値ＴＨと比較し、その比較結果に基づき、放射線検出器５２で放電現象等が発生しているか否かの判断を行う。 （もっと読む）

【課題】画素サイズの微細化に伴う入射光の感度の低下を防止することができる固体撮像素子及びその製造方法の提供。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、半導体基板と、半導体基板上の光電変換素子と、光電変換素子に隣接した複数の電荷検出部と、光電変換素子上を開口する第１の開口部を備えた層間絶縁膜と、層間絶縁膜内に配置された転送トランジスタ及び配線と、光電変換素子上を開口する第２の開口部を備えた遮光膜と、第１の開口部及び第２の開口部を充填し、遮光膜上を含む光電変換素子上に設けられた透明材料層と、透明材料層を介して、光電変換素子上に設けられたマイクロレンズと、透明材料層とマイクロレンズとの間に設けられた光学緩衝層とを備え、光学緩衝層は、マイクロレンズとの界面から透明材料層との界面方向に屈折率が増加した構成を備えている。 （もっと読む）

【課題】高感度化および応答速度の高速化を図れ、且つ、支持部の応力に起因した支持部の変形を防止できる赤外線センサを提供する。
【解決手段】ベース基板１と、赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部３と、温度検知部３がベース基板１の一表面から離間して配置されるように温度検知部３を支持して温度検知部３とベース基板１とを熱絶縁する断熱部４とを備える。断熱部４は、ベース基板１の上記一表面から離間して配置されベース基板１側とは反対側に温度検知部３が形成される支持部４１と、支持部４１とベース基板１とを連結した脚部４２，４２とを有する。また、断熱部４は、支持部４１および脚部４２，４２が多孔質材料により形成されており、支持部４１に当該支持部４１の応力を緩和する応力緩和層４１ｂ，４１ｃが支持部４１を挟む形で積層されている。 （もっと読む）

【課題】少なくとも暗電流の抑制を図ることができる固体撮像装置およびその製造方法、並びに当該固体撮像装置を備えたカメラを提供する。
【解決手段】本実施形態に係る固体撮像装置は、基板３０の第１面側に配線層を有し、基板３０の第２面側から光を受光する。当該固体撮像装置は、基板３０に形成され、電荷蓄積領域４１を含む受光部３１と、基板３０の第１面上であって受光部３１に隣接して配置され、受光部３１に蓄積された信号電荷を転送する転送ゲート５１と、基板３０の第１面上であって受光部３１に重なって配置され、受光部３１の第１面近傍のポテンシャルを制御する制御ゲート５２とを有する。 （もっと読む）

【課題】二本支持脚の熱分離構造を有する熱型赤外線固体撮像素子に関し、トータルの支持脚断面積及び不感領域を縮小でき、それによって高感度となる構造の熱型赤外線固体撮像素子の提供。
【解決手段】二本の支持脚の内、導電性配線包含支持脚４にボロメータ薄膜１に接続される第１層導電性配線２及び第２層導電性配線３を配置し、導電性配線無支持脚５はダイアフラム１０を支持する役割のみとし、その断面積が変形を抑えるに足る最小値となるように脚幅を決める。また、対角に配置された二つのダイアフラム１０の互いに隣接した側の一本の導電性配線包含支持脚４と一本の導電性配線無支持脚５とを一つの支持脚固着領域６で読出回路付Ｓｉ基板１５及び接続電極１７に接続し、導電性配線包含支持脚４中の第１層導電性配線２及び第２層導電性配線３と接続電極１７との電気的コンタクトを一つの支持脚固着領域６内に設ける。 （もっと読む）

【課題】白キズの発生を抑制可能な固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
光電変換部３と信号電荷転送部４とが形成された半導体基板と、ゲート電極５との間に、半導体基板とゲート電極５とを絶縁する複数の絶縁膜１６，１７からなる絶縁層が介在する固体撮像装置１であって、ゲート電極５の部分を、信号電荷転送部４の電荷転送方向に対して垂直に切断する面のうち、光電変換部３を含む面を平面視したとき、複数の絶縁膜１６，１７のうち、ゲート電極５と接している絶縁膜１７の側端位置Ａは、ゲート電極の中心位置Ｏから見て、ゲート電極５の側端位置Ｂより外側に位置している。 （もっと読む）

【課題】感度低下及び分光感度のブロード化を防ぐことが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】第一電極膜１１と、第一電極膜１１に対向する第二電極膜１３と、第一電極膜１１と第二電極膜１３の間に配置される本発明のキナクリドン誘導体またはキナゾリン誘導体を含有する光電変換膜を含む光電変換層１２とからなる光電変換部を有する光電変換素子であって、第二電極膜１３上方から該光電変換膜に光が入射されるものであり、該光電変換膜は、第二電極膜１３上方からの入射光に応じて電子と正孔を発生し、且つ、正孔の移動度よりも電子の移動度が小さい特性を持ち、且つ、第一電極膜１１近傍よりも第二電極膜１３近傍の方が電子と正孔をより多く発生するものであり、第一電極膜１１を正孔の取り出し用の電極とした。 （もっと読む）

【課題】 Ｒ、Ｇ、Ｂ各々異なる波長の光であっても、発生するキャリアの数を増やして、高い光電効率を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 平面に整列配置され、入射された光の光電変換を行う複数の素子部１１_B、１１_G、１１_Rと、素子部１１_B、１１_G、１１_Rの表面を保護する保護膜１２とを有し、各々の素子部１１_B、１１_G、１１_Rへの光の入射強度が最大となるように、光電変換を行う光の波長に応じて、保護膜１２を各々異なる膜厚に形成した半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 寄生容量を低減させて、光電変換する際に出力電圧が大きくなる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型基板１の所定領域に、所定深さのｎ型ウェル２を形成して、ｐ型基板１とｎ型ウェル２との接合界面に生成される空乏層により、入射された光の光電変換を行う半導体装置において、ｎ型ウェル２の底部側に生成される空乏層Ｋ₁の深さより深く、かつ、ｎ型ウェル２の側方に生成される空乏層Ｋ₂、Ｋ₃の幅より大きいトレンチ２２を、ｎ型ウェル２の側方の接合界面Ｊ₂、Ｊ₃を削除するように設け、トレンチ２２に絶縁層２１を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】絶縁性を確保するとともに暗時白キズの発生を抑制でき、且つ、スミアを改善することができる固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像素子１０は、光電変換部３０と、電荷転送電極１３を備えた電荷転送部３０と、電荷転送部３０上に開口１４ａを有し、光電変換部３０を覆う反射防止膜１４と、光電変換部３０上に開口１６ａを有し、電荷転送部４０を覆う遮光膜１６，２６と、を備え、電荷転送電極１３と遮光膜１６との間に形成される絶縁膜２７の厚さが少なくとも光電変換部３０上において、５ｎｍから２０ｎｍの範囲とする、又は、遮光膜２６をスパッタリング法により形成されたタングステン膜で形成する。 （もっと読む）

【課題】 大型化せずにキャパシタの容量を増大させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 電極パッド（５１〜５４）と、キャパシタ（６０）と、電極パッド（５１〜５４）およびキャパシタ（６０）が所定の領域に配置された基板（１０）とを備え、キャパシタ（６０）および電極パッド（５１〜５４）は、キャパシタ（６０）および電極パッド（５１〜５４）の各々の少なくとも２辺が所定の間隔で隣接する、平面上の配置関係を有し、キャパシタ（６０）は、キャパシタ（６０）の当該２辺を連結して電極パッド（５１〜５４）と対向する接続辺をさらに備え、接続辺と２辺の各々とがなすキャパシタの外側の角度は、９０度よりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細化に際しても更なる集光効率の向上をはかり、高感度で、信頼性の高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備し、入射した光を光電変換部に向けて突出した下凸形状の層内レンズを介して前記光電変換部に導くように構成された固体撮像素子であって、前記層内レンズは、前記光電変換部上に形成され、前記光電変換部により近接して設けられ、前記光電変換部上にのみ選択的に形成されたボトム部と、前記ボトム部上に形成されたトップ部とで構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 反射防止膜及びエッチングストップ膜を設けるための工程を簡素化できる光電変換装置を提供する。
【解決手段】 光電変換装置は、シリコン基板１に、光電変換素子部５と、光電変換素子５の受光面での入射光の反射を防止する反射防止膜９と、光電変換素子５を素子分離するための絶縁体を有する素子分離領域２と、層間絶縁膜と、複数のトランジスタと、トランジスタの活性領域に電気的に接続される導電性部材と、を有する。反射防止膜９は、受光面と、素子分離領域２と、導電性部材と接続される活性領域との上部に配される。そして、反射防止膜９は、層間絶縁膜に導電性部材を埋め込む開口の形成における層間絶縁膜のエッチング時のエッチングストップ膜である。 （もっと読む）

【課題】安価な薄膜堆積技術を使用してイメージセンサのピクセルを形成すること
【解決手段】ピクセル(30/130/230)は、基板(32,132,232)と、基板上に、及び基板にほぼ平行に順次的に堆積されて、入射電磁放射線(70)を受け取るように構成された複数の光導電層(34/36/38,134/136/140/142/144,234/236/238)を含む。光導電層はそれぞれ、異なる波長範囲の入射電磁放射線を吸収するように構成され、層の伝導性の変化に基づいて、層により吸収された対応する波長範囲内の入射電磁放射線の量を示すように構成される。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスの難易度を上げることなく、低スミアを実現できる固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像素子１０は、基板１１上に、光電変換部３０と、光電変換部３０で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極１３を備えた電荷転送部４０と、電荷転送電極１３を被覆する反射防止膜１７と、電荷転送部３０を覆い、光電変換部３０上で開口した遮光膜１６とを備え、反射防止膜１７には、電荷転送電極１３上を除く部位で且つ光電変換部３０上で開口する開口部１７ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】電子走行性を改良し、経時による画像欠陥の増加を抑制することが可能な光導電層、およびこの光導電層を備えた放射線撮像パネルを提供する。
【解決手段】放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層であって、該光導電層が、一価金属を０．1〜１０００モルｐｐｍおよびＶ族元素を０．１〜４０００モルｐｐｍ含有するセレン合金を用いて形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子において、入射光の反射を防止するとともに、暗電流を低減する。
【解決手段】シリコン基板１と、シリコン基板１に形成された受光素子部５と少なくとも有する固体撮像素子は、受光素子部５の受光領域の表面に形成されたシリコン酸化膜からなる第１の絶縁膜３Ａと、第１の絶縁膜３Ａ上に形成され第１の絶縁膜３Ａとは異なる屈折率を有するシリコン窒化膜とを含む複数層からなり、受光領域の表面における入射光の反射を低減させる反射防止膜７を有する。シリコン窒化膜７は、枚葉式ＣＶＤ装置の使用により、膜中の水素濃度が１×１０²² ｃｍ^-3以上となっている。 （もっと読む）