【課題】光導波路を有する構成において、充分にホールの蓄積効果を得ることを可能にする固体撮像素子を提供する。
【解決手段】フォトダイオードＰＤの表面に正電荷蓄積領域１３が形成されたシリコン層２と、フォトダイオードＰＤの上方に形成され、入射光をフォトダイオードＰＤに導くための光導波路２１とを有し、この光導波路２１の内部に、比誘電率が５以上であり、負の固定電荷を有する絶縁層２２が形成されている固体撮像素子１を構成する。 （もっと読む）

【課題】より信頼性に優れた固体撮像装置とその製造方法、及びカメラを提供する。
【解決手段】光電変換部１１と画素トランジスタからなる複数の画素が形成された半導体層１０を有し、半導体層１０の一方の面側に多層配線層１４が形成され、半導体層１０の他方の面側から光が入射される固体撮像装置であって、半導体層１０の他方の面側にパッド部５が形成され、パッド部５に多層配線層１４中の導電層に達する開口１６が形成され、半導体層１０の他方の面上から開口１６内の側壁に延長して、半導体層１０を絶縁被覆する絶縁膜１７が形成される。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子の読み出し電圧を低くすることが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板内に形成された光電変換素子５１と、半導体基板内に形成され光電変換素子５１で発生した電荷を転送する電荷転送チャネル５２ａと、電荷転送チャネル５２ａ上方に絶縁膜６２を介して形成された電荷転送電極Ｖ１〜Ｖ６とを含む固体撮像素子５を有するデジタルカメラであって、電荷転送電極Ｖ２が光電変換素子５１から電荷転送チャネル５２ａに電荷を読み出すための読み出し電極であり、半導体基板及び電荷転送電極Ｖ１〜Ｖ６の上方には、光電変換素子５１上方に開口を有する導電性の遮光膜５９が形成され、撮像期間のうち読み出し電極に読み出しパルスを印加する期間に、該読み出しパルスとは逆極性の電圧を遮光膜５９に印加する撮像素子駆動部１０を備える。 （もっと読む）

【課題】第１転送電極と第２転送電極の両方にシリサイド層を同時に形成して、かつ、受光部の面積が小さくすることなくセル面積の縮小化を可能にする。
【解決手段】固体撮像装置１の垂直電荷転送部１４は、受光部１２間で水平転送方向に配設された第１転送電極２２と、第１転送電極２２間で受光部１２の水平転送方向側に配設された第２転送電極２３を有し、各転送電極を覆う絶縁膜２４と、第１転送電極２２上の絶縁膜２４に水平転送方向にそって形成された第１開口部２７と、第２転送電極２３上の絶縁膜２４に形成された第２開口部２８と、第１開口部２７内の第１転送電極２２に形成された第１金属シリサイド層３１と、絶縁膜２４上に第２開口部２８を通して第２転送電極２３に接続しかつ第１転送電極２２の一部上に絶縁膜２４を介してオーバラップするように形成された第２金属シリサイド層３２とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クロストークの発生を抑制することができるとともに、信号電荷の読み出しの効率を向上することができる裏面照射型撮像素子及び裏面照射型撮像素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体基板１の裏面側から光を照射し、入射光に応じて半導体基板１内で発生した電荷を、半導体基板１の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子１０であって、半導体基板１に設けられ、入射光を光電変換することで信号電荷を生成する不純物拡散層ＰＤと、半導体基板１の表面側に形成された回路基板２と、半導体基板１の表面側に設けられ、信号電荷を転送する電荷転送領域１８とを備え、回路基板２に、撮像時に電圧が印加されることで、不純物拡散層ＰＤで生成される信号電荷を半導体基板１の表面側に捕集する電荷捕集電極１２を備えている。 （もっと読む）

【課題】製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】受光部上に設けられた反射防止膜４２と、この受光部の周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜４１とが、同時に成膜された共通のシリコン窒化膜４で形成されているため、膜厚の厚いゲートサイドウォール膜４１の膜厚分のシリコン窒化膜を先に形成し、その後で、画素部上のみ開口したマスクを用いて、所望の反射防止膜４２の膜厚になるように形成する。これにより、シリコン窒化膜４の成膜が１回で済む。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出装置におけるリーク電流を軽減し、コンタクトホールのエッジで発生する結晶化を抑制するとともに、放射線画像検出装置の電界を安定化させることができるものとする。
【解決手段】放射線画像検出装置を、放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層６と、この電荷発生層６に電圧を印加するための電圧印加電極７と、電荷発生層６において発生した電荷を収集する電荷収集電極１１と、この電荷収集電極１１によって収集された電荷を読み出すためのスイッチング素子を有する画素部が２次元状に多数配列された検出層１０とが基板１上に積層された放射線画像検出装置において、電荷収集電極１１の面内のコンタクトホール１６およびコンタクトホール１６の周辺領域のみに電界緩和部材１７を設ける。 （もっと読む）

【課題】複数の受光部（ＰＤ拡散領域１０）と、該受光部上に配置された反射防止膜１１１とを有する固体撮像装置の製造方法において、該反射防止膜１１１上にはＨＴＯ膜１０６を、該反射防止膜１１１の端部で該ＨＴＯ膜の密度が薄くなったり空洞ができたりするのを回避しつつ堆積することができ、これにより、上記反射防止膜１１１による十分な反射防止効果を得る。
【解決手段】半導体基板１０１に受光部を構成するＰＤ拡散領域１０を形成した後、全面にシリコン酸化膜１０５およびシリコン窒化膜１１０を順次形成し、該シリコン窒化膜１１０の選択エッチングにより反射防止膜１１１を形成し、この際、該シリコン窒化膜１１０のエッチングマスクの断面形状を該反射防止膜１１１に転写して、該反射防止膜の断面形状をその側面が下側ほど外に広がるよう傾斜した形状に加工する。 （もっと読む）

【課題】長波長側の成分を使った感度向上や色再現向上ための補正演算処理の効果を高めることができるようにする。
【解決手段】固体撮像装置は、赤外光検知画素の有効領域を、可視光検知画素の有効領域よりも深い所まで形成する。Ｎ型半導体基板の表面からの深さ方向における画素の有効領域において、Ｎ型ドーパントの濃度が、半導体基板の表面側から深くなるほど低濃度となるように変調ドーピングを施す。Ｐ型ドーパントの濃度のピーク位置がＮ型ドーパントの濃度のピーク位置よりも深くなるようにＰ型ドーパントを施す。固体撮像装置は長波長側の受光感度が向上するようになるので、長波長側の成分を使った補正結果を十分な性能にでき、感度向上や色再現の向上を効果を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の上方からの光の受光感度の向上を図ることが可能な光センサー、およびこの光センサーを用いた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体薄膜に受光部が設けられた光センサーであって、順テーパ形状の傾斜側壁Ａを備えた凹部１aを有する基板１と、基板１の凹部１ａに沿って設けられた反射材料層３と、反射材料層３が設けられた基板１上を覆う絶縁膜５と、凹部１ａ上を横切る状態で絶縁膜５上に設けられた半導体薄膜７とを備え、半導体薄膜７の受光部（ｉ領域）７ｉが凹部１ａ上に配置されていることを特徴としている。
の受光部（ｉ領域）７ｉが凹部１ａの内壁面に沿って設けられている。 （もっと読む）

【課題】周辺のデジタル回路を高速化するとともに、画素部は反射光を抑制することにより感度特性を向上できることを目的とする。
【解決手段】デジタル部のサイドウォール膜１２１を少なくともオフセットサイドウォール膜１０７ｂを内側に含む多層構造とし、オフセットサイドウォール膜１０７ｂとゲート電極１０２をマスクとしてソース・ドレイン拡散領域１１１に隣接してエクステンション拡散層１１０を形成することにより、プロセス工程を抑制しながらデジタル部の高速化を図ることができ、かつ画素部に関しては、サイドウォール膜１２１の形成と同時に積層構造の反射防止膜１２２を一括形成することにより、プロセス工程を抑制しながら反射防止膜厚を最適化させて、高感度化を有するＭＯＳ型固体撮像装置を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】特性の低下を伴うことなく、しかも比較的簡単に、遮光金属膜と基板表面との隙間での光の多重反射及び遮光膜の開口部からの回折光を原因とするスミアを低減させることのできる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】受光電荷蓄積部２中央部での読み出しゲート１５及びチャネル分離領域１６の電位障壁を受光電荷蓄積部２周辺部での読み出しゲート１５及びチャネル分離領域１６の電位障壁より高くすることにより、感度や出力レベルが低下することなく、スミアを低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】改善された固有応答度を有する前面照射型アバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ）並びにそのような前面照射型ＡＰＤを製造する方法を提供する。
【解決手段】前面照射型ＡＰＤは、基板および基板の前面に配置された層スタックを含む半導体材料のＡＰＤ本体を備える。層スタックは、吸収層、増倍層、および電界制御層を含む。有利なことには、ＡＰＤ本体の背面は機械的および化学的に研磨され、吸収波長帯域で９０％を超える反射率を有する反射体がＡＰＤ本体の背面に配置されている。したがって、最初の吸収層通過で吸収されない入射光は、２回目の吸収層通過のために反射体で反射され、前面照射型ＡＰＤの固有応答度を高める。 （もっと読む）

【課題】開口部にカラーレジスト膜からなるカラーフィルタを形成し、さらにその上に保護膜を形成した後、ガラス等の上部支持基体を接着する光電変換装置において、開口部の段差近傍にて保護膜のしわやクラックが発生しやすい。
【解決手段】カラーレジスト膜５６を開口部９２の外縁部まで広げ、その上に保護膜５８を積層する。保護膜５８はカラーレジスト膜５６を覆う範囲に選択的に形成する。層間絶縁膜等を積層して構成され、開口部９２が形成される上部構造層５４には、その最上層の金属配線層を用いて、開口部を取り囲む平坦化フレーム９０が形成され、開口部９２の外縁部における上部構造層５４の表面を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】受光素子における感度低下が防止され、かつマイクロレンズ下方にパッシベーション膜を有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】受光素子１０１を有する半導体基板１００と、前記半導体基板上に形成されたシリコン酸化膜１０２と、前記シリコン酸化膜上に形成され、銅が埋め込まれて形成された配線層１０３を含む複数の配線層間膜１０２と、最上層の前記配線層間膜１０２ａ上に形成され、Ｓｉ−Ｈ結合の濃度がＮ−Ｈ結合の濃度より小さいシリコン窒化膜１０６、１１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換領域間での信号電荷の分離を確実に実現することができ、かつ高感度の裏面照射型撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板内に不純物を導入することより第１の画素分離領域を形成する工程と、前記半導体基板表面に、第１のエピタキシャル成長層を形成する工程と、前記第１のエピタキシャル成長層を貫通し前記第１の画素分離領域に当接するように第２の画素分離領域を形成する工程と、前記第１及び第２の画素分離領域で画定された半導体基板内に光電変換部および周辺回路部を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、反射防止膜を有する固体撮像装置において、従来例より少ない製造工程で光電変換部における量子効率の低下を防止する固体撮像装置およびその製造方法を提案することにある。
【解決手段】半導体基板上に２次元配列状に形成された複数の光電変換素子と、これらの光電変換素子が形成された半導体基板上に形成される酸化膜と、この酸化膜上に形成される反射防止膜と、この反射防止膜上において、前記各光電変換素子に対応して形成される透過波長が異なる第１乃至第３のカラーフィルタを具備し、これらのカラーフィルタのうち、第１、第２のカラーフィルタ下に形成される反射防止膜は膜厚が等しい第１の反射防止膜からなり、第３のカラーフィルタ下に形成される反射防止膜は前記第１の反射防止膜よりも厚く形成される第２の反射防止膜からなることを特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】 裏面照射型固体撮像素子の光利用効率の向上を図る。
【解決手段】 半導体基板１の表面部に複数の画素２２が二次元アレイ状に形成され半導体基板１の裏面側から入射する被写界光の入射光量に応じて発生する信号電荷を画素２２が蓄積する裏面照射型固体撮像素子１００において、半導体基板１の裏面側に反射防止膜２７を積層する。反射防止膜２７を設けることで、半導体基板１の光入射面における入射光の反射率を抑制でき、光利用効率を高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】受光素子の低い暗電流及びスイッチ素子の優れた特性の両方を高水準に達成可能なモノリシック型の光センサを提供すること。
【解決手段】本発明に係る光センサ１０は、フィールド酸化膜６ａによって区画された領域にそれぞれ形成される受光素子Ｄ１とスイッチ素子Ｑ１とが接続されたものであって、フィールド酸化膜６ａとともにシリコン基板２を覆うように設けられた酸化シリコン層６ｂ，６ｃと、受光素子Ｄ１が形成される領域の酸化シリコン層６ｂを覆うように設けられ、端部７ａがフィールド酸化膜６ａと離隔している窒化シリコン層７と、受光素子Ｄ１の受光部１２以外を覆うように設けられた層間絶縁層８と、この層間絶縁層８上に設けられたパッシベーション層９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電荷検出部での電荷から電圧への変換効率を高くした固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】信号電荷を蓄積する電荷検出部と、電荷検出部に蓄積された信号電荷を電圧として出力するＭＯＳトランジスタ２２とを有し、電荷検出部がＭＯＳトランジスタ２２のゲート電極１０７に接続された構成を備え、ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１０６の膜厚が、ゲート電極１０７の中央部に比べてソース及びドレインとの隣接部、もしくはドレインとの隣接部を厚く（ｔ１＜ｔ２）して構成される。 （もっと読む）