【課題】受光素子面内の感度が均一に得られる固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】撮像用照射光１０を受ける側の半導体基板１の表面近傍に設けた光電変換素子からなる複数の受光素子２上の撮像用照射光側に、平面視で受光素子を囲むように配線層３を有し、受光素子と配線層とを被覆する絶縁層４１が凹部を構成し、前記凹部を被覆および充填して平坦面を形成した平坦化層５１を有する固体撮像素子において、絶縁層と平坦化層との屈折率を近似させたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】屈折率が低く、更には、露光後における表面状態が良好であり、現像欠陥が少なく、かつ、基板に対する密着性に優れたパターンを高解像度で形成可能な感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、低屈折率膜、反射防止膜、光学デバイス、及び、固体撮像素子を提供する。
【解決手段】（Ａ）中空又は多孔質粒子、（Ｂ）光重合開始剤、及び（Ｃ）アルカリ可溶性を有する重合性化合物を含有する感光性組成物。 （もっと読む）

【課題】 複数の配線層を有する固体撮像装置における、配線上に形成されたパッシベー
ション膜と層間絶縁膜の界面による反射光と、受光面上での反射光とのリップルを低減さ
せて、色ムラを低減させることを目的とする。
【解決手段】 本発明は、基板に受光部１０２が配置され、前記基板上に複数の配線層（
１０４〜１０８）を有し、該配線層の少なくとも一つは略平坦な第１の絶縁膜（１０７）
上に配置されている固体撮像装置であって、前記第１の絶縁膜上に配置された配線層（１
０８）上に、前記第１の絶縁膜と接する部分を有し、且つ該第１の絶縁膜と屈折率の異な
る第２の絶縁膜（１０９）を有し、前記受光部上の少なくとも一部に、膜厚方向に２種類
以上の異なる屈折率（１１２，１１３）を有する部分を含む第３の絶縁膜を有することを
特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】画素セルの微細化に伴う感度低下を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体層１と、半導体層１に設けられた、第２導電型の不純物領域からなる電荷蓄積領域７とを備える。電荷蓄積領域７に蓄積された信号電荷が転送される、第２導電型の不純物領域からなる検出部８が、電荷蓄積領域７に対応して、電荷蓄積領域７と間隔をおいて半導体層１に設けられている。さらに、半導体層１の表面には、電荷蓄積領域７と重なる状態で絶縁膜４を介して設けられ、当該重なり部分の少なくとも一部が、可視光に対して透過性を有する透明導電体からなる転送ゲート電極５を備える。 （もっと読む）

【課題】広い波長帯域の光に対して反射防止機能を有する反射防止膜を備える固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板に形成された第１のフォトダイオード１２Ｒと第２のフォトダイオード１２Ｇと第３のフォトダイオード１２Ｂと、第１〜第３のフォトダイオードの上方に形成された、第１の絶縁膜１３Ｒ、第２の絶縁膜１３Ｇ及び第３の絶縁膜１３Ｂと、第１〜第３のフォトダイオードの上方に形成され、主に第１の波長の光を透過する第１のカラーフィルタ１４Ｒ、主に第２の波長の光を透過する第２のカラーフィルタ１４Ｇ及び主に第３の波長の光を透過する第３のカラーフィルタ１４Ｂとを備える。第２の波長は、第１の波長よりも短くかつ第３の波長よりも長く、第２の絶縁膜１３Ｇの体積は、第１の絶縁膜１３Ｒの体積よりも小さくかつ第３の絶縁膜１３Ｂの体積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】従来よりも回折光による画質の劣化を抑制することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】フォトダイオード２および垂直転送チャネル３が設けられたシリコン基板１と、シリコン基板１の上面１ｃを覆いかつフォトダイオード２に相当する領域に開口部５ａが設けられた遮光膜５と、開口部５ａ内に設けられた屈折率の異なるクラッド部６ａおよびコア部７ａからなり、上方から入射された光を下方に導き、光出射面２０ａから出射させる光導波路部２０とを備えている。シリコン基板１の上面１ｃの垂直転送チャネル３に相当する領域を基準面Ｓとして、上面１ｃのフォトダイオード２に相当する領域に、基準面Ｓよりも低い段差を形成する凹部２１を設け、光導波路部２０の光出射面２０ａをシリコン基板１の凹部２１内に配置することにより、光出射面２０ａをシリコン基板１の基準面Ｓよりも低くした。 （もっと読む）

【課題】複数の画素でトランジスタ等を共有しても、画素自体の特性を落とすことなく、画素毎のばらつきを抑制することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】各画素に設けられた光電変換領域１７と、各画素の光電変換領域１７に対して設けられた転送トランジスタ１１と、複数の画素の光電変換領域に対して共通に形成されたトランジスタ（リセットトランジスタ１２、増幅トランジスタ１３、選択トランジスタ１４）と、光電変換領域１７の、転送トランジスタ１１の転送ゲートＴＧとは反対側の部分上に形成された、絶縁材から成るダミー２１を含む、固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】非常に簡便かつ低コストな方法で、電荷検出部の変換率を低下させることなく、メタル層の腐食を防いで高い信頼性を実現する。
【解決手段】電荷検出部８およびその近傍部分上方のメタル層１３〜１５のパターンニングまでを形成行った後に、メタル層１３〜１４（ＴｉＮ/ＡｌＣｕ/ＴｉＮ）のうちの中間層のＡｌＣｕのみをエッチング除去する薬液（例えば酢酸が主成分のアルミエッチャント）を使用して中間層のアルミニュウム・銅層の部分のみをウェットエッチングすることにより、中間層のアルミニュウム・銅層のサイドシフトが入った形状とし、この形状の上から保護絶縁膜１６の形成を行うことにより、メタル層１４の中間層側壁と保護絶縁膜１６との間に中空の空間層１４ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】スミア特性の低下を抑制しつつ、高感度を実現した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像装置１００は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１に行列状に形成され、入射光を信号電荷に変換する複数の受光部１０３とを備え、半導体基板１０１は、表面から突出し滑らかな曲面で構成される複数の凸部１０２を備え、複数の凸部１０２のそれぞれは、複数の受光部１０３のそれぞれに対応して配置され、半導体基板１０１と一体形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線やコンタクトホールの寸法の微細化に際しても、コンタクト抵抗の低減を図ることが可能であり、且つ、暗電流の発生が少ない固体撮像素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１では、配線２４と転送電極膜１０２とが、２層のコンタクトホールにより接続されている。下側のコンタクトホールＡは、その底部にチタンシリサイド膜１０５が形成されている。そして、上側のコンタクトホールＢは、チタンシリサイドを構成中に含まず、下側のコンタクトホールとの間が中間配線層としてのタングステン膜１０７により接続されている。ここで、上下の両コンタクトホールＡ，Ｂには、純粋なチタンは残っていない。また、撮像画素領域におけるフォトダイオード１２１の上方の層内レンズ膜１２７は、下方のコンタクトホールＡに対して積層上方に選択的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】低屈折率であって暗電流を消滅させる層を比較的低温で形成が可能な固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１は、入射光を光電変換する受光部２０が形成された半導体基板２と、受光部２０の入射光が入射する面上に２００℃以下で形成された有機化合物として、例えばフッ化ビニリデン系化合物からなる強誘電体層６と、強誘電体層６上に形成された透明電極７とを備え、透明電極７側に負、半導体基板２側に正となる電圧を印加することにより、強誘電体層６が強誘電体を発現する。 （もっと読む）

【課題】複雑化することなく、暗電流を抑制することを可能にする。
【解決手段】第１導電型の半導体基板１０に設けられた第２導電型の半導体層２４を有し、半導体基板の第１面側に入射した入射光を信号電荷に変換して蓄積する光電変換部２４と、光電変換部によって蓄積された信号電荷を読み出す読み出し回路と、半導体基板の第１面側に光電変換部の半導体層２４を覆うように設けられ、固定電荷を保持する固定電荷膜を含み、入射光の反射を防止する反射防止構造２８と、光電変換部と、反射防止構造との間に設けられ、正孔を蓄積する正孔蓄積領域２５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を低減し、高性能化を図った固体撮像装置等の半導体装置とその製造方法、前記固体撮像装置を備えたカメラ等の電子機器を提供するものである。
【解決手段】本発明の半導体装置は、２つ以上の半導体チプ部２２，２６が貼り合わされた積層半導体チップ２７を有する。積層半導体チップ２７では、少なくとも第１の半導体チップ部２２に画素アレイ２３と多層配線層４１が形成され、第２の半導体チップ部２６にロジック回路２５と多層配線層５５が形成される。第１の半導体チップ部２２には、一部の半導体部分が全て除去された半導体除去領域５２が形成され、半導体除去領域５２内に第１の半導体チップ部２２と第２の半導体チップ部２６との間を接続する複数の接続配線６７が形成される。この半導体装置は、裏面照射型の固体撮像装置として構成される。 （もっと読む）

【課題】画素化された撮像装置を提供する。
【解決手段】数個の画素を含む撮像装置であって、各々の画素は少なくとも、
−第１の電極（１２２）及び第２電極（１０２）の間に配置され、及び光子及び／または高エネルギー粒子放射の電気信号への変換を達成することができるダイアモンド層（１０４）の一部と、
−前記電気信号を増幅及び／または読出すための電子回路（１１０）であって、少なくとも前記第１の電極に電気接続され、及び前記ダイアモンド層及び該ダイアモンド層と前記電子回路との間に位置された誘電層（１０６）を含むＳＯＤ型基板の表面層を形成し、おおよそ１μｍに等しいかそれより薄い厚さを有している半導体材料層（１０８）の一部で作られた電子回路と、
を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、接合強度を高くすることができ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】近赤外域の受光素子アレイ５０と、読み出し回路を構成するＣＭＯＳ７０とを備え、１つまたは２つの接合バンプ７９，９を挟んで、受光素子アレイの電極１１と読み出し回路の電極７１とが接合され、読み出し回路において、電極の対応部に開口部７８をあけられて、該電極が設けられた側の面７４を覆う樹脂層７５を備え、樹脂層の開口部の壁面等被覆するカップ状金属Ｋと、電解めっきで形成された接合バンプ７９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】副画素（受光素子部）の大きさが縮小されても感度低下や混色発生を確実に防止し得る固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、受光素子部２１、層間絶縁層３２、カラーフィルター３３、マイクロ・レンズ３４、及び、マイクロ・レンズ３４に入射し、カラーフィルター３３及び層間絶縁層３２を通過した光のエネルギーを受光素子部２１へと集めるアンテナ構造体４１を備えており、アンテナ構造体４１を構成する材料の屈折率は、層間絶縁層３２を構成する材料の屈折率よりも高く、アンテナ構造体４１は、受光素子部２１が設けられた半導体層１１の部分と、その上方に位置する層間絶縁層３２の部分との間に設けられており、且つ、層間絶縁層３２によって囲まれている。 （もっと読む）

【課題】 光電変換装置において、保護絶縁膜の構造を変えることなく、入射光の波長に対しての出力の波（リップル）を低減する。
【解決手段】 本発明は上記課題に鑑み、複数の光電変換領域と、前記複数の光電変換領域上に配された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に接して配された、該層間絶縁膜とは異なる屈折率を有する保護絶縁膜と、を有する光電変換装置において、各光電変換領域の受光面に配された凹部と、該凹部を埋め込む埋込領域とを有し、前記凹部の深さｄは各第一半導体領域への入射光の波長をλとし、前記埋込領域の屈折率をｎとしたとき、ｄ≧λ／４ｎであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサー及びその動作方法を提供する。
【解決手段】複数のピクセルを含むピクセルアレイを備え、複数のピクセルのそれぞれは、入射光のエネルギーによって電圧−電流特性が変化し、入射光のエネルギーにより決定される感知電流を生成する光感知部、複数のピクセルのうち少なくとも一つのピクセルをリセットするリセット信号によって活性化して基準電流を生成するリセット部、及び感知電流及び基準電流を電圧に変換して感知電圧及び基準電圧を生成する変換部を備えるイメージセンサー。 （もっと読む）

【課題】受光部の受光面に、画素間のばらつきなく均一にホール蓄積層を形成して、界面準位に起因した暗電流を抑制することが可能な裏面照射型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２０１の第１面２０１ａ側に形成された配線層２０３と、第１面２０１ａ側とは反対側の第２面２０１ｂ側から入射される光を光電変換する受光部２０２とを有する裏面照射型の固体撮像装置であって、受光部２０２の受光面上に、自発分極を有する材料からなる自発分極膜２０４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】積層される半導体ウェハにより、量産性向上、コスト低減を図った、固体撮像装置等の半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半製品状態の回路を備えた半導体ウェハ３１，４５を複数積層して貼り合わせ、複数の半導体ウェハ３１，４５からなる積層体を形成し、積層体のうち、上層の半導体ウェハ３１の半導体層を薄肉化する。また、上層の半導体ウェハ３１側から最下層の半導体ウェハ４５に形成された配線に達する貫通開口部７７を形成し、最下層の半導体ウェハ４５に形成された配線を露出させることにより電極パッド部７８を形成する。これにより、貫通開口部７７は、半導体ウェハ３１，４５の脆弱な接合面を貫通して形成され、電極パッド部７８は、脆弱な接合面よりも下層の半導体ウェハ４５の配線において形成される。これにより、電極パッド部７８における外部配線との配線時に、脆弱な接合面に係る応力を低減することができる。 （もっと読む）