【課題】感光セルのマトリクスで形成されたイメージセンサで、各感光セルについて、従来の技術に記載されているイメージセンサよりも感光セルの感光領域上に多くの光を合焦できるイメージセンサを提供する。
【解決手段】感光領域と、感光領域をカバーする絶縁層の積重ねと、感光領域にピクセルの光を合焦するための装置とを有するイメージセンサのピクセル構造を提供する。合焦装置は、第１のマイクロレンズ２９および第２のマイクロレンズ２７を有し、第１のマイクロレンズ２９は積重ねの層の間に配置され、第２のマイクロレンズ２７と感光領域とを、実質的に結び付ける。 （もっと読む）

【課題】蛍光体下地層のピンホール欠陥や突起欠陥を抑制して蛍光体層の欠陥を少なくし、画像欠陥のない高品位な放射線検出装置を提供する。
【解決手段】放射線検出装置は、センサーパネル１００と、センサーパネル１００上に形成される蛍光体下地層１と、蛍光体下地層１上に形成され、放射線を光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体層２とを有する。センサーパネル１００は、ガラス基板１０１と、ガラス基板１０１上に２次元状に配置され、蛍光体層２で変換された光を電気信号に変換する光電変換素子部１０２及びその配線部１０３と、光電変換素子部１０２上に設けられるセンサー保護層１０５とを有する。蛍光体下地層１は、重付加反応により形成された有機膜からなる。有機膜は、２種の反応基から形成されるポリ尿素膜が好適である。 （もっと読む）

【課題】ＲＧＢまたはＹＭｇＣｙの各カラーの相対的な光感度差を減らし、単位画素間の均一性を高めることができるイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板４００に形成され、各々異なる単位画素の受光素子として動作する複数のフォトダイオードＰＤと、前記複数のフォトダイオード上に形成されたシリコン酸化膜４０１と、前記シリコン酸化膜上に形成され、Ｒカラーの単位画素とオーバーラップされる部分では厚さが互いに異なる２層（４０２Ｂ，４０２Ｃ）に、ＧとＢカラーの単位画素の部分では単独層４０２Ｃに形成されるシリコン窒化膜４０２と、前記シリコン窒化膜の上方で前記各フォトダイオードとオーバーラップされるように形成されたマイクロレンズ４０７とを備える。上記のＲＧＢカラーをそれぞれＹＭｇＣｙカラーに置き換えることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は３層４階構造の撮像センサ−において色再現、解像度、ダイナミックレンジを銀塩感光材料とカメラを用いた撮像システムと実用上同レベル以上に向上する方法を提供することである。
【解決手段】 少なくとも青光、緑光、赤光の電磁波を吸収／光電変換できる少なくとも３層の積層型構造を有しており、さらに紫外線吸収層、赤外線吸収層、黒色可視光吸収層、第４の電磁波吸収／光電変換層、黄色フィルタ−層の少なくとも一つを設けること、及び電磁波吸収／光電変換部位を高感度層と低感度層の２層に分離すること、から選ばれる少なくとも一つを備えた撮像センサー。 （もっと読む）

製造バラツキの影響が少なく集光率の高い集光素子を備えた、高感度な固体撮像装置を実現するため、入射光１３を光電変換するフォトダイオード８と、フォトダイオード８の上方に形成され、光を透過させる凸状の透過層１５と、透過層１５の上部および周辺に形成され、入射光１３を集光して透過層１５に出射する凹凸状のレンズ層１１とを備える。透過層１５の屈折率は、レンズ層１１の屈折率より大きい。透過層１５の厚さおよび幅は、所定の波長の光に対して所定の焦点距離になるように設定されている。レンズ層１１は、ＢＰＳＧ膜、ＴＥＯＳ膜、ベンゾシクロブテンおよびポリイミド系樹脂のいずれかから成る。 （もっと読む）

互いに直列に接続した２つのキャパシタを有するピクセルであって、これらの各キャパシタのキャパシタンスは周辺のキャパシタのキャパシタンスに近似しているが、直列キャパシタの実効キャパシタンスは、周辺のキャパシタの各々のキャパシタンスよりも小さくしたピクセルを提供する。直列接続されたキャパシタは浮動拡散領域に結合されて飽和状態中に浮動拡散領域からの“過剰”電荷を受けるようになっている。
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電離放射線を監視するためのアセンブリ（13）は、入射電離放射線に応答して電荷を生成すると共に、その中に形成された電離放射線検出ボリューム（12）のアレイを有する検出基板（2）を備える。検出ボリュームのアレイに対応する読出し回路（16）のアレイを支持するための回路基板（14）は、検出基板（14）に機械的かつ電気的に接続されている。各読出し回路（16）は、対応する検出ボリュームから電荷を受取るため、第一と第二の電荷集積モード間で切替え可能である。電荷集積回路（30）は、第一の電荷集積モードにおいて、対応する検出ボリュームにおける単一の電離放射線検出イベントの検出に対応して電荷を集積するとともに、第二の電荷集積モードにおいて、対応する検出ボリュームにおける複数の電離放射線検出イベントの検出に対応して電荷を集積するように、構成されている。別の実施例において、読出し回路構成は、光子計数回路構成（140）を含む。

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