【課題】 高Ｓ／ＮのＭＯＳ型固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板の内部に形成された受光部２の表面に、絶縁膜６を介して、受光部２の表面積よりも小さい面積の反射防止膜１０を設ける。この反射防止膜１０は、受光部２とその周辺領域との境界部分は覆わないように形成する。反射防止膜１０とゲート電極７との隙間Ｓ１および、反射防止膜１０と素子分離領域５との隙間は、いずれも０．２μｍ以上になっていることが望ましい。また、反射防止膜１０の面積が、受光部２の表面積の７０％以上になっていれば、レンズ交換型カメラに使用した場合にも、画素毎の感度バラツキを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 電極幅の微細化に際しても耐圧の劣化を防ぎ、安定で、信頼性の高い薄型の高耐圧固体撮像素子を提供する。製造が容易で信頼性の高い固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に形成された光電変換部と、前記光電変換部で形成された電荷を転送する電荷転送部とを具えた固体撮像素子であって、前記電荷転送部の電荷転送電極下のゲート酸化膜は、前記半導体基板表面に形成された酸化シリコン（ＳｉＯ）膜からなるボトム酸化膜２ａと、前記ボトム酸化膜２ａ上に形成される窒化シリコン（ＳｉＮ）膜２ｂと、前記窒化シリコン膜上に形成された酸化シリコン（ＳｉＯ）膜からなるトップ酸化膜２ｃとを含む積層構造（ＯＮＯ）膜で構成され、前記窒化シリコン膜２ｂのパターンエッジが前記半導体基板１表面に垂直になるように形成される。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の深さ方向に複数のフォトダイオードを設け半導体の光吸収係数の波長依存性を利用してカラー信号を分離して検出する撮像素子で、フォトダイオード間の分光感度特性の分離を良好にする。
【解決手段】 シリコン基板１０１の深さ方向にｎ型またはｐ型の半導体層１０３を挟んだ２つのｐｎ接合面１１３，１１４を設けシリコンの光吸収係数の波長依存性により入射光を青色と赤色に分離し青色光によって発生した電荷をｐｎ接合面１１３で検出し赤色光によって発生した電荷をｐｎ接合面１１４で検出する単板式カラー固体撮像素子で、入射光の入射によって半導体層１０３で発生する光電荷のうち少数キャリアが半導体層１０３内でｐｎ接合面１１３方向とｐｎ接合面１１４方向とに分流する境界面Ｙ_１の位置が、青色と赤色に分離する光の波長に対応するシリコン深さとなるような厚さに半導体層１０３を製造する。 （もっと読む）

【課題】 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層を、感度が高く、環境負荷の小さい光導電性材料からなるものとする。
【解決手段】 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層であって、この光導電層をＢｉ₂₄Ｂ₂Ｏ₃₉からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】 Ｂｉ_xＭＯ_y多結晶体からなる光導電層を高感度を実現可能なものとする。
【解決手段】 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層を、Ｂｉ_xＭＯ_y（ただし、ＭはＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である。）からなる多結晶体であって、Ｂｉ_xＭＯ_yのｘを１２．０５≦ｘ≦１３．１、ｙをＭおよびｘにより決まる化学量論的な酸素原子数とする。 （もっと読む）

【課題】
感度が高く、雑音の低い出力を供給できる半導体撮像装置を提供する。
【解決手段】
半導体撮像装置は、行列状に配列された多数のピクセルを有する半導体基板であって、ホトダイオードの電荷蓄積領域とフローティングディフュージョンとを含む第１領域と、ゲート電極、ソース／ドレインを備えたトランジスタを含む第２領域とを有する、半導体基板と、半導体基板上方に形成され、第１領域の電荷蓄積領域の表面を覆うと共に、第２領域の少なくとも一部のトランジスタのゲート電極側壁にサイドウォールとして形成された第１酸化シリコン膜と、第１酸化シリコン膜上方に形成され、第２領域の少なくとも一部のトランジスタのソース／ドレインを覆い、第１領域で電荷蓄積領域上方の少なくとも一部に開口を有する窒化シリコン膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 Ｂｉ_xＭＯ_y多結晶体からなる光導電層における光伝導の残留特性を向上させる。
【解決手段】 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層を、Ｂｉ_xＭＯ_y（ただし、ＭはＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である。）からなる多結晶体であって、Ｂｉ_xＭＯ_yのｘを１１．１≦ｘ≦１１．９５、ｙをＭおよびｘにより決まる化学量論的な酸素原子数とする。 （もっと読む）

【課題】 膜のエッジの直線性が良好で、耐候性に優れた反射防止膜の提供にあり、特に、固体撮像素子に適用した場合、パターンがカラーフィルタの画素の領域を侵す恐れがなく、反射防止効果の経時劣化が軽減された反射防止膜により、迷光による偽信号の発生が軽減され色欠陥のない固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 樹脂成分中に平均一次粒子径３０ｎｍ以下の黒色着色剤が分散されてなることを特徴とする反射防止膜用組成物、及びそれを用いて形成された固体撮像素子用反射防止膜、並びに該反射防止膜を有する固体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】 光学的に透明であって、製造時有機半導体を劣化させず加熱・プラズマ・溶媒等から有機半導体を保護し、また製造後に水分やガス等を遮断して有機半導体の劣化を防止するという、有機半導体を利用した光電変換膜積層型固体撮像素子の保護層に必要な条件を満足する材料とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 有機半導体を利用した光電変換膜積層型固体撮像素子の、透明対向電極上に無機材料から成る保護層を成膜すること。成膜材料としては、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素等。これらのうち２種を交互に積層した構造としても良い。保護層の成膜法としては、真空中で成膜する乾式薄膜作製法、特にＩＣＰＣＶＤ法、ＥＣＲＣＶＤ法等のプラズマＣＶＤが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 受光センサ部上の透過率を高くして感度の向上を図ることができると共に、製造中の水素アニールにより暗電流の発生を抑制することが可能な構造の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 受光センサ部のフォトダイオード３が形成された部分の半導体基体２上に低反射膜５Ａが形成され、転送電極７の上方に遮光膜１１が設けられ、この遮光膜１１が、低反射膜５Ａ及びその上の絶縁層１４と転送電極７との間にも埋め込まれ、この遮光膜１１の埋め込まれた部分１１Ａがゲート絶縁膜４に接しており、遮光膜１１の埋め込まれた部分１１Ａと低反射膜５Ａとの間に、水素を透過する膜１３が形成されている固体撮像素子１を構成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置において、高融点金属シリサイドを形成しない第１の領域における高融点金属拡散防止膜の信頼性を向上し、高融点金属拡散を確実に防止して信頼性の向上を図る。
【解決手段】 高融点金属シリサイドを形成しない領域上に、複数層構造の高融点金属拡散防止膜２００が形成され、この上に高融点金属膜２０６が形成される。 （もっと読む）

【課題】 銅配線を用いるＭＯＳ型等の固体撮像装置及びその製造方法において、暗電流及び白キズ数の低減と、感度の向上を実現する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、基板１０１と、基板１０１上に形成され、光電変換部１０３を有する光電変換セルがアレイ状に配置された撮像領域と、基板１０１上に形成され、撮像領域の制御及び撮像領域からの信号の出力を行なう周辺回路領域と、基板１０１上に形成され且つ銅を含む材料よりなる銅含有配線層１３２、１３４及び１３８とを備え、銅の拡散を防止するための拡散防止層として、光電変換部１０３上に第１の拡散防止層１２１が形成されていると共に、銅含有配線層１３２、１３４及び１３８上に第２の拡散防止層１２２、１２３及び１２４が順に形成されている （もっと読む）

【課題】 反射光を抑制することにより感度を向上できるとともに、反射防止膜としてシリコン窒化膜を採用した場合であっても、暗電流を十分に抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の固体撮像装置が備える反射防止膜１９は、アルコキシ系化合物を材料として成膜された水素透過性の高いシリコン酸化膜１９ａを下層膜として備え、その上層に、半導体基板１０の屈折率より小さく、かつゲート絶縁膜の屈折率より大きい屈折率を有する材料からなる中間屈折膜１９ｂを備える。ここで、シリコン酸化膜１９ａは、アルコキシ系化合物である有機ソースを用いて形成される。なお、上記シリコン酸化膜は、ＣＶＤ法において、一般に使用される有機ソースであるアルコキシ系化合物（テトラエトキシシラン）を用いたもので、ホットウォール減圧ＣＶＤ法にて６００℃〜７００℃までの温度にて成膜してされるものである。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＰ研磨を行うことによって残留するスラリー中に含まれるカリウム元素のシリコン基板側への拡散を抑制し、感度や画質の劣化を抑制することができるＣＭＯＳ型固体撮像素子及びこうしたＣＭＯＳ型固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配列された受光部７と、受光部の垂直列毎に設けられた各受光部から電荷を転送する転送部とを有する撮像部が形成されたＮ型シリコン基板１と、Ｎ型シリコン基板上に形成されたＣＭＰ処理が施され、その表面にカリウム元素が残留する第１の配線間絶縁膜１１を備えるＣＭＯＳ型固体撮像素子１００において、Ｎ型シリコン基板１と第１の配線間絶縁膜１１の間に第１の拡散防止膜３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 複数の配線層を有する固体撮像装置における、配線上に形成されたパッシベーション膜と層間絶縁膜の界面による反射光と、受光面上での反射光とのリップルを低減させて、色ムラを低減させることを目的とする。
【解決手段】 本発明は、基板に受光部１０２が配置され、前記基板上に複数の配線層（１０４〜１０８）を有し、該配線層の少なくとも一つは略平坦な第１の絶縁膜（１０７）上に配置されている固体撮像装置であって、前記第１の絶縁膜上に配置された配線層（１０８）上に、前記第１の絶縁膜と接する部分を有し、且つ該第１の絶縁膜と屈折率の異なる第２の絶縁膜（１０９）を有し、前記受光部上の少なくとも一部に、膜厚方向に２種類以上の異なる屈折率（１１２，１１３）を有する部分を含む第３の絶縁膜を有することを特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

Ｘ線検出器５は、被検体２を透過したＸ線が照射され、この入射Ｘ線を直接電荷に変換するＸ線電荷変換膜２１と、Ｘ線電荷変換膜２１で生じた電荷を画像信号として検出する電荷情報読み出し部１５とを具備する。Ｘ線電荷変換膜２１は、少なくとも１種の希土類元素と、酸素、硫黄、セレンおよびテルルから選ばれる少なくとも１種の元素とを含む希土類化合物から実質的になる。このようなＸ線電荷変換膜２１は、人体や環境に悪影響を及ぼすことがないと共に、感度や膜形成性等に優れる。従って、環境負荷等を軽減しつつ、Ｘ線の検出感度や検出精度等の向上を図ったＸ線検出器５を提供することが可能となる。
（もっと読む）

【課題】半導体ナノ粒子により構成される光電変換膜の利点を有しながら、クロストークやキャリアの輸送効率低下による光電変換効率の低下を抑制することが可能な光電変換膜積層型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換膜積層型固体撮像素子は、前記半導体基板上方に積層された３つの赤色検出用の光電変換膜１３と、青色検出用の光電変換膜１８と、緑色検出用の光電変換膜２３とを備え、赤色検出用の光電変換膜１３は有機材料により構成されたものであり、光電変換膜１３以外の光電変換膜は、表面をキャリアのトンネル伝導が可能な厚さの絶縁膜で覆われた半導体ナノ粒子により構成されたものである。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズを保護するための低温絶縁保護膜に起因する光感度の低下を防止できるＣＭＯＳイメージセンサを提供すること。
【解決方法】 受光素子３１と、受光素子３１の上に形成されたマイクロレンズ４１と、マイクロレンズ４１の上に形成され、マイクロレンズ４１を保護するための絶縁保護膜４５と、マイクロレンズ４１と絶縁保護膜４５との間に形成され、マイクロレンズ４１の屈折率よりも小さい屈折率を有する酸化膜４２Ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板中の複数の素子層間を有効に絶縁分離する。
【解決手段】 裏面照射型の固体撮像装置において、受光部側と回路側との素子分離層を所定のマスクパターンを介した酸素イオン注入と、その後の熱処理によって半導体基板中に酸化膜を形成することにより実現する。例えばＳＯＩ基板のような支持基板部（絶縁体層）の上にシリコン層を設けた半導体基板に対し、シリコン基板（表面）側から光電変換素子層、素子分離層としての酸素イオン注入層、画素トランジスタ等の回路層を順次形成し、その後、シリコン層上に配線層を形成する。そして、裏面側の絶縁体層を除去することにより、シリコン層の受光部を露出させ、薄型のシリコン基板よりなる固体撮像装置を形成できる。 （もっと読む）

【課題】電子シャッタリングおよび周波数フィルタリングが可能な光電イメージセンサを提供する。
【解決手段】１つの例示的な光電イメージセンサは、リセットＦＥＴによって接地される電子放出プレートに隣接して配置される、バイアスをかけられる導電性フレームを備える。メタライズドプレートが、電子放出プレートから絶縁され（に容量結合され）、電荷分離ＦＥＴによって接地される。光電イメージセンサにおける電子シャッタリングおよび周波数フィルタリングは次のように実施される。導電性フレームが所定の量だけバイアスされ、電子放出プレートの表面仕事関数を制御し、光電子が電子放出プレートから放出される入射光周波数を設定し、かくして、光電イメージセンサの電子シャッタリングおよび周波数フィルタリングを提供する。電子シャッタリングは、電荷分離ＦＥＴを用いて、メタライズドプレートをゲーティングすることによって提供される。 （もっと読む）