【課題】裏面照射型固体撮像素子におけるクロストーク，混色を防止する。
【解決手段】 半導体基板１と、半導体基板１の表面側に二次元アレイ状に形成され半導体基板１の裏面側から入射した光によって光電変換された信号電荷を蓄積する複数のフォトダイオード２２と、裏面側の半導体基板自体に埋設され各フォトダイオード２２への入射光を隣接するフォトダイオード２２から区画する遮光部材２８とを備える。遮光部材２８を半導体基板１自体に埋設する構造を採用するため、遮光部材２８の光入射方向の長さを長くでき、遮光性能の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】画素アレイ領域内での遮光膜下絶縁膜への、製造工程中に受けるダメージを低減し、特性の安定した固体撮像装置を安定した歩留で製造することを目的とする。
【解決手段】シリコン基板１０１と遮光膜１０９間に存在する絶縁膜の膜厚を、画素アレイ領域内での膜厚に対して薄く形成した薄膜領域を、画素アレイ領域外に設け、あるいは、遮光膜１０９上へのコンタクト深さを、素子内で最も深く形成することにより、チャージアップ等によるダメージが画素アレイ外領域の絶縁膜に集中することになるため、製造工程で遮光膜１０９を通して受ける遮光膜１０９下絶縁膜へのチャージアップ等の製造工程でのダメージに関して、画素アレイ領域内の遮光膜１０９下絶縁膜が受けるダメージを低減すると共に、遮光膜１０９下絶縁膜の破壊を防止することができる。このため、白キズ等の特性が安定した固体撮像装置を、安定した歩留で製造できる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子の周辺回路におけるＬＤＤ構造のトランジスタ形成のためのサイドウォールの形成にあたり、マスク数あるいは工程数の増大を招くことなく位置ずれを防止し、セルフアラインでＬＤＤ構造のトランジスタを形成する。
【解決手段】周辺回路部にＬＤＤ構造のトランジスタを有する固体撮像素子の製造方法であって、前記トランジスタのゲート電極の側壁にＬＤＤ構造の低濃度不純物領域を形成するためのサイドウォールを形成する工程が、高屈折材料で構成された絶縁膜を形成する工程と、光電変換部を覆う前記絶縁膜を被覆するようにレジストパターンで被覆する工程と、前記レジストパターンから露呈する絶縁膜を異方性エッチングにより、前記ゲート電極の側壁に前記絶縁膜を残留させるようにパターニングし、光電変換部を覆う反射防止膜と、前記ゲート電極の側壁を覆うサイドウォールとを同時に形成するパターニング工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 出力飽和を抑制しつつ、正確な測距が可能な測距装置を提供する。
【解決手段】 複数のキャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂは、それぞれ半導体領域ＦＤ１、ＦＤ２に振り分けられたキャリアをそれぞれ蓄積している。また、判定手段としての比較器ＣＯＭＰ１，ＣＯＭＰ２及び論理積回路ＡＮＤは、キャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂに蓄積されたキャリアの電荷量に対応する値（出力電圧Ｖ_ＯＵＴ１，Ｖ_ＯＵＴ２）が、全て閾値Ｖｔｈを超えたかどうかを判定している。キャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂに蓄積されたキャリアの電荷量に対応する値（出力電圧Ｖ_ＯＵＴ１，Ｖ_ＯＵＴ２）が、全て閾値Ｖｔｈを超えた旨を、判定手段が示す場合には、減算手段としてのスイッチＳＷ１ａ，ＳＷ２ａ及び電荷引き抜き用キャパシタＣ１ａ，Ｃ２ａは、それぞれのキャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂに蓄積されたキャリアの電荷量から、一定の電荷量を減じている。 （もっと読む）

【課題】 出力飽和を抑制しつつ、正確な測距が可能な測距装置を提供する。
【解決手段】 測距装置は、変調した光を対象物Ｈに照射し、対象物Ｈで反射された光の入射に応答して発生したキャリアを時分割で振り分け、振り分けられたキャリアの電荷量に基づいて、対象物Ｈまでの距離ｄを求める測距装置において、振り分けられたキャリアをそれぞれ蓄積する複数のキャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂと、キャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂに蓄積されたキャリアの電荷量に対応する出力電圧Ｖ_ＯＵＴ１，Ｖ_ＯＵＴ２のいずれかが、閾値Ｖｔｈを超えたかどうかを判定する比較器ＣＯＭＰ１，ＣＯＭＰ２と、出力電圧Ｖ_ＯＵＴ１，Ｖ_ＯＵＴ２のいずれかが、閾値Ｖｔｈを超えた旨を、比較器ＣＯＭＰ１，ＣＯＭＰ２が示す場合には、それぞれのキャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂの入力側端子Ｐ１，Ｐ３を、それぞれのキャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂの蓄積電荷量が減少するよう、一定電位Ｖ_Ａに接続するスイッチＱａ，Ｑｂを備えている。 （もっと読む）

【課題】 既存の赤外線カメラでは、その構成を簡易化することには限界があった。
【解決手段】 赤外線カメラ５０は、外部から入力される赤外線の強度分布を表す画像を取得する。赤外線カメラ５０は、導電性の金属膜５と、金属膜５上に形成された誘電体層７と、金属膜５及び誘電体層７をこの順で主面上に支持するプリズム体４と、金属膜５とプリズム体４間の界面に対して光を出力するＬＥＤ１と、金属膜５とプリズム体４間の界面において反射される反射光を受光する撮像素子９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】極性溶媒を有する保護層を用いた場合でも画像ムラを低減させることが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】変換素子１０、変換素子１０に接続されたＴＦＴ１４とを有する複数の画素、複数の画素上に配置された保護層２７、変換素子に電気的に接続された複数のバイアス線１１、ＴＦＴ１４に電気的に接続された複数の信号線１２を具備する。複数のバイアス線１１と複数の信号線１２は保護層２７の領域内で所定間隔で交互に配置する。複数のバイアス線１１は保護層２７の領域外で接続配線１７によって共通化し、接続配線１７は複数の信号線１２と交差して配置する。 （もっと読む）

【課題】簡単な機構によって、複数の波長域を区別して受光することができる受光素子アレイを提供する。
【解決手段】光を入射面側から入射されて検出する受光素子アレイであって、この受光素子アレイ１０は、化合物半導体の受光層と、受光層の入射面側に配置され、透過波長帯が異なる複数の透過膜７と、複数の透過膜に対応して受光層内の複数の受光部で発生する電流を、それぞれ別に捕捉する複数個の電極１２とを備える。前記透過膜７は、単層または複数層からなる。 （もっと読む）

【課題】一般的なＣＭＯＳ製造プロセスを適用した場合においても、イメージセンサ特性の劣化を生じさせず、また、製造プロセス上の制約を受けることなく、フォトダイオード上に形成された反射防止膜の膜厚を最適化できる構造を有する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、シリコン基板１０における上部に形成された光電変換を行うフォトダイオード１１と、シリコン基板１０上に、フォトダイオード１１を覆うように形成されたシリコン酸化膜１７と、シリコン酸化膜１７の上に形成されたシリコン窒化膜１８とを備える。シリコン窒化膜１８は、フォトダイオード１１の全部又は一部の上において、該シリコン窒化膜１８における少なくとも端部の膜厚よりも薄い膜厚部分を有している。 （もっと読む）

【課題】複雑な化学合成を用いることなく簡単に構成することができ、超高速動作が可能でかつ超高密度の集積化が可能な分子素子、単分子光スイッチ素子および機能素子を提供する。
【解決手段】分子素子は、少なくとも一分子の亜鉛チトクロムｃを有し、この亜鉛チトクロムｃの分子軌道間の電子の遷移を利用してこの亜鉛チトクロムｃ内で電子またはホールを移動させる。この分子軌道は、例えば、亜鉛チトクロムｃの第１のアミノ酸残基に局在化する第１の分子軌道および亜鉛チトクロムｃの第２のアミノ酸残基に局在化し、かつ第１の分子軌道に対して単位時間当たりの遷移確率が最大の第２の分子軌道である。この場合、第１のアミノ酸残基と第２のアミノ酸残基との間を電子またはホールが移動する。 （もっと読む）

【課題】裏面照射構造を有しながらも、別途にメタル反射層を備えなくてもよく、フォトダイオードの空乏領域をコントロールして、短波長に対する光感度及びクロストルクを改善することができるイメージセンサを提供すること。
【解決手段】半導体基板の表面の下に形成され、前記半導体基板の裏面から光が照射されて光電荷を生成するフォトダイオードと、前記半導体基板の表面の上部において前記フォトダイオードの上に形成され、裏面照射される光を反射させ、かつ、前記フォトダイオードの空乏領域をコントロールするバイアスが印加される反射ゲートと、前記フォトダイオードからピクセルのセンスノードに光電荷を伝達するトランスファゲートとを備える。 （もっと読む）

【課題】 高精度の距離検出を行うことが可能な裏面入射型測距センサ及び測距装置を提供する。
【解決手段】 裏面入射型測距センサ１は、二次元状に配列した複数の画素Ｐ（ｍ，ｎ）からなる撮像領域１Ｂを有する半導体基板１Ａを備えている。各画素Ｐ（ｍ，ｎ）からは、上述の距離情報を有する信号ｄ’（ｍ，ｎ）として２つの電荷量（Ｑ１，Ｑ２）が出力される。各画素Ｐ（ｍ，ｎ）は微小測距センサとして対象物Ｈまでの距離に応じた信号ｄ’（ｍ，ｎ）を出力するので、対象物Ｈからの反射光を、撮像領域１Ｂに結像すれば、対象物Ｈ上の各点までの距離情報の集合体としての対象物の距離画像を得ることができる。フォトゲート電極ＰＧ直下の領域は、電界集中領域１Ｇからなる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子において、特に垂直型シーモスイメージセンサー（ＣＭＯＳ Ｉｍａｇｅ Ｓｅｎｓｏｒ）を製造する方法を提供する。
【解決手段】暗漏れ特性（ｄａｒｋ ｌｅａｋａｇｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ）の他、誘電物質にひびが入るサーキュラ欠陥（ｃｉｒｃｕｌａｒ ｄｅｆｅｃｔ）も改善するために、高温ダブルアニール（ｄｏｕｂｌｅ−ａｎｎｅａｌ）工程と追加的な他の保護窒化膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｎｉｔｒｉｄｅ）を選択的に適用し、垂直型ＣＭＯＳイメージセンサーの品質と信頼性を保障する。 （もっと読む）

【課題】ノイズ電荷の影響が抑えられ、高感度で、残像を生じない固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板に形成された光電変換素子２を含む画素を備えている。光電変換素子２は、第１導電型の第１の半導体層６と、第１の半導体層６上に接合された第２導電型の第２の半導体層４と、第２の半導体層４上に設けられ、第２の半導体層４よりもバンドギャップエネルギーが小さく、単結晶の半導体からなり、不純物を含む第３の半導体層１５と、第３の半導体層１５の側面および上面を覆う第１導電型の第４の半導体層１１とを有している。第４の半導体層１１が設けられていることで、暗時に流れる電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】注入ダメージや結晶格子の歪みなどを生じることなく、基板表面から浅い領域に活性化率が高い不純物領域を形成し、固体撮像装置の白傷欠陥不良を抑制する。
【解決手段】ＰＤの高濃度Ｐ型不純物拡散領域４、読み出しゲート部のＰ型半導体領域５、ゲート部のＰ型半導体活性領域６、チャネルストップ領域８を、ボロンを少なくともその一部が６個のボロンからなる８面体構造のクラスタの形態で含有する不純物領域によって形成する。この不純物層は、ボロンの高濃度イオン注入、クラスタによるイオン注入、ボロンとシリコンを含む化合物の分解によって形成することができ、低温プロセスにより浅い接合深さで高濃度不純物領域を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤイメージセンサの長所とＣＭＯＳイメージセンサの長所を併せ持つ固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第１半導体基板２０の裏面側から入射してきた光を受光する光電変換素子２２であって第１半導体基板２０の表面側に二次元アレイ状に形成された複数の光電変換素子２２と、第１半導体基板２０の前記表面側に形成され光電変換素子２２の検出信号を読み出すＣＣＤ型信号読出手段２１と、前記表面側に形成され光電変換素子２２の検出信号を読み出すＭＯＳ型信号読出手段５１，５２，５４，５６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 配線材料の層間絶縁膜への拡散を抑制する拡散抑制膜による多層配線構造を設けた光電変換装置において、工程を増加させることなく、受光効率を高める。
【解決手段】 本発明は、半導体基板に配された光電変換素子と、前記半導体基板上に層間絶縁膜を介して複数の配線層が配された多層配線構造を有する光電変換装置であって、最上配線層の上部に、前記最上配線層を構成する材料の拡散を抑制する拡散抑制膜が配され、前記拡散抑制膜は、前記最上配線層及び前記層間絶縁膜の前記光電変換素子に対応する領域を覆って配されており、前記拡散抑制膜の前記光電変換素子に対応する領域にレンズが配されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置内で水素の供給を有効に行い、ノイズの発生を有効に抑制し、画質の向上を図る。
【解決手段】フォトダイオード１１０や画素トランジスタ１２０等が形成されたシリコン基板１００の上にフォトダイオード１１０やトランジスタ１２０に水素を供給する水素放出膜１６０を形成し、その上に水素の拡散防止を行う水素遮断膜１７０を形成している。シリコン基板１００の上面近傍に水素放出膜１６０を配置し、その上に水素遮断膜１７０を配置したことから、水素放出膜１６０の水素が上層方向に拡散するのを遮断でき、フォトダイオード１１０やトランジスタ１２０に対する水素の供給効率を改善でき有効にノイズ抑制を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】極微量のアルカリ金属がドーピングされたアモルファスセレンを歩留まりよく、かつ均質に製造する。
【解決手段】密閉系で所定濃度よりも高い濃度のアルカリ金属をドープした母セレン合金を作製した後、前記母セレン合金と純セレン合金を混合してアルカリ金属が所定濃度ドーピングされたアモルファスセレンを製造する。 （もっと読む）

【課題】シャロー化しても不純物濃度のバラツキを生じさせない固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】n型の半導体基板上に第一のp型不純物領域を形成し、前記p型不純物領域内に形成された第一のn型不純物領域及び前記第一のn型不純物領域表面に形成された第二のp+型不純物領域からなる埋め込みフォトダイオードを有する固体撮像装置であって、併せてフォトダイオード上にカラーフィルタ(例えばＲＧＢ)及びマイクロレンズを備えており、カラーフィルタの各色によって前記第二のp+型不純物領域の形成されている深さ(ジャンクション位置:Ｌ)が異なり、ＲＧＢであった場合、ＬＢ＜ＬＧ≦ＬＲとなることを特徴とし、さらに、最も吸収長の短い青色画素に関しては、前記第二のp+型不純物領域にボロン(B)と同族でボロン(B)よりも質量の大きい元素を用いて、青色の吸収長(0.32μm)よりも浅い位置にジャンクションを形成し、高感度化を実現する。 （もっと読む）