【課題】放射線の照射を受けて電荷を発生する記録用光導電層と、その発生した電荷を蓄積する電荷輸送層と、読取光の照射により電荷を発生する読取用光導電層と、読取光の照射に対して電荷対発生用の線状の電荷対発生電極と読取光の照射に対して電荷対非発生用の線状の電荷対非発生電極とが交互に多数配置された電極層とがこの順に積層された放射線画像検出器において、電荷対発生用電極から電荷対非発生電極へオフセット電流や残像電流が流れるのを抑制し、放射線画像の画質の向上を図る。
【解決手段】電荷対発生電極５および電荷対非発生電極６の長さ方向に延びる側端面および上面を被覆することなく、隣接する電荷対発生電極５と電荷対非発生電極６との間の電荷の移動を妨げる絶縁性部材からなる隔壁部材９を設ける。 （もっと読む）

【課題】受光部の上に下凸形状の高屈折材料層を形成するための開口部を有する半導体素子において、開口部を形成する際にフォトリソグラフィ工程を必要としない半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体基板１１の表面に形成された受光部１３と、受光部１３の上方に開口部２４ａを有する反射層２４と、開口部２４ａに下凸形状で形成され、反射層２４より高屈折の材料からなる高屈折材料層２６とを有する半導体素子の製造方法であって、半導体基板１１上に、開口部２４ａの上方に凹部を有する絶縁膜２２をリフローによって形成する工程と、絶縁膜２２上に反射層２４を形成する工程と、反射層２４をセルフアラインによるエッチングを行い、開口部２４ａ上の該反射層２４を除去する工程と、反射層２４上に高屈折材料層２６を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサの製造方法は、半導体基板のアクティブ領域にフォトダイオード構造物及び絶縁膜構造物を含むピクセルアレイを形成する段階と、ピクセルアレイ上に金属パッドを形成する段階と、金属パッド上に絶縁膜を形成する段階と、絶縁膜上に保護膜を形成する段階と、保護膜を蝕刻してパッドオープン部とピクセルオープン部を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ノイズの増加を抑制することで、画素サイズの微細化に対する出力感度の低下を抑制する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１に形成され、光を信号電荷に変換する光電変換部１０２と、光電変換部１０２の上方に形成される第１の絶縁膜１１５と、第１の絶縁膜１１５上に形成され、第１の絶縁膜１１５を構成する材料と異なる屈折率の材料で構成され、下方向に凸型の第１の絶縁膜１１５に接するマイクロレンズ形状を有する第２の絶縁膜１１６とを備え、前記マイクロレンズ形状の頂部は平面形状であり、前記マイクロレンズ形状の頂部以外は曲面形状である。 （もっと読む）

【課題】従来よりも受光部に近い位置にカラーフィルタ等の光学的フィルタ層を設けることを可能にする、新しい構成の光学的フィルタ層を備えた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】受光部が形成された半導体基体の表面上に、直接又は他の層を介して、光学的フィルタ層１１が設けられ、この光学的フィルタ層１１は、層内に径のほぼ揃った量子ドット１３が形成されて成り、量子ドット１３は、この量子ドット１３が埋め込まれた層１２よりも屈折率が高い、固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素から漏れ込む光によって発生する混色を抑制することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換がなされるセンサ部１１と、センサ部１１に対応するカラーフィルタ１５との間に設けられた遮光層１７とからなり、遮光層１７が、画素分離部に沿ってセンサ部１１に対して垂直、又は、略垂直に形成されている固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】光導波路から光電変換部への金属拡散による白点増加を抑制し、画質の向上を図る。
【解決手段】フォトダイオード１の受光領域上にプラズマ窒化シリコンよりなる第１光導波部９Ａとポリイミドよりなる第２光導波部９Ｂで構成した光導波路を設ける。そして、水素を含有したプラズマ窒化シリコンの形成後に水素雰囲気中でアニール処理を施すことにより、フォトダイオード１内への水素供給を促進する。これにより、ポリイミド等からフォトダイオード１内に拡散される金属によって生じる結晶欠陥を抑制し、白点低減効果を得る。また、光導波路を形成する際に用いるエッチングストッパ膜５Ａを構成するＬＰ−窒化シリコンを受光領域以外の領域、例えばトランジスタの上層に設けることにより、水素の浸入を防止し、特性劣化を防止する。 （もっと読む）

【課題】充分な感度を確保しつつ多画素化を図る。
【解決手段】半導体基板６の表面部にマトリクス状に配列した多数の光センサー４を含む。光センサー４が生成した電荷は光センサー４の下方に埋め込まれた第１および第２の転送電極１２、１４により転送される。半導体基板６はシリコンによる支持基板１６、バッファー層１８、単結晶シリコンによる薄膜シリコン層２０を積層して構成されている。光センサー４はｐ＋領域２２およびｎ型領域２４から成り、その下にｐ−領域２６（オーバーフローバリア）と、転送路としてのｎ型領域２８が形成されている。第１および第２の転送電極１２、１４は、ｎ型領域２８とバッファー層１８との間に埋め込まれ、ｎ型領域２８との間には絶縁膜３０が介在している。この構造では表面部に転送電極が存在せず受光面積が拡大するので多画素化のために光センサー４を小型化しても感度を確保できる。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリング能力を安定させかつ暗電流の増大を防ぐことのできる裏面照射型撮像素子の製造方法および裏面照射型撮像素子、並びにこれを備えた撮像装置を提供する。
【解決手段】第１半導体支持基板とその上に絶縁層を介して形成された導電型半導体層とから成るＳＯＩ基板に対して、光電変換領域および電荷転送部を形成する第１ステップＳ１１と、第２半導体支持基板に固定する第２ステップＳ１２と、ＳＯＩ基板から第１半導体支持基板及び絶縁層を除去する第３ステップＳ１３、Ｓ１４と、半導体層表面にゲッタリング領域を露出させて低温酸化膜を形成する第４ステップＳ１５と、ＳＯＩ基板の露出面にＣＶＤ処理により薄膜を堆積させる第５ステップＳ１８と、を含む工程で構成する。 （もっと読む）

【課題】放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層と、電荷発生層において発生した電荷を収集する収集電極、収集電極によって収集された電荷を蓄積する蓄積容量および蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴスイッチを有する多数の画素とＴＦＴスイッチをＯＮ／ＯＦＦするための多数の走査線と蓄積容量に蓄積された電荷が読み出される多数のデータ線とを備えた検出層とが積層された放射線画像検出器において、大きな歩留まりの低下を招くことなく５０μｍ前後の高精細な画素ピッチを実現する。
【解決手段】蓄積容量４を、ＴＦＴスイッチ３のドレイン電極７に接続される蓄積容量電極９とそのドレイン電極７が属するＴＦＴスイッチ３に隣接するＴＦＴスイッチ３に接続される走査線１との間で構成する。 （もっと読む）

【課題】放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層と、上記電荷を収集する収集電極、収集電極によって収集された電荷を蓄積する蓄積容量および蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴスイッチを有する多数の画素と多数の走査線と多数のデータ線とを備えた検出層とが積層され、蓄積容量が、ＴＦＴスイッチのドレイン電極に接続される蓄積容量電極とそのドレイン電極が属するＴＦＴスイッチに隣接するＴＦＴスイッチに接続される走査線との間で構成されるとともに、ＴＦＴスイッチのアレイが上下に２分割されて駆動されデータ線が上下に２分割された放射線画像検出器において、分割境界部の画素についても蓄積容量を構成し、分割境界部の画像段差を目立たなくする。
【解決手段】ＴＦＴスイッチ３のアレイの上下の分割境界部に、分割境界部に配置された画素の蓄積容量４を構成するダミー配線３０を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ方式の放射線画像検出器において、点欠陥抑制と残像抑制との両立を可能にする具体的な構成を明確化する。
【解決手段】放射線画像検出器は、放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層２０と、電荷発生層２０において発生した電荷を収集する収集電極８、および収集電極８によって収集された電荷を読み出すためのスイッチ素子３を有する画素部１１が２次元状に多数配列された検出層１０とが積層された構造を有する。収集電極８の周縁部全周に保護膜１８を設け、収集電極８の全面積に対する収集電極８の保護膜１８で覆われていない部分の面積の比率（フィルファクター）を４０％以上、９９．８％以下にする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ方式の放射線画像検出器において、暗電流抑制と残像抑制とを両立させる。
【解決手段】放射線画像検出器は、放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層２０と、電荷発生層２０において発生した電荷を収集する収集電極８、および収集電極８によって収集された電荷を読み出すためのスイッチ素子３を有する画素部１１が２次元状に多数配列された検出層１０とが積層された構造を有する。収集電極８の周縁部に、収集電極８の中央部の電界強度に対する収集電極８の端部の電界強度の比を小さくする電界比低減部品として保護膜１８を設ける。 （もっと読む）

【課題】光電変換部への集光効率が高く、信頼性の高い光導波路を備える固体撮像素子および撮像装置を提供する。
【解決手段】基体１３と、基体の表面に形成された複数の光電変換部１１と、基体１３の上方に形成された絶縁膜１８とを備える。絶縁膜１８のうち光電変換部１１の上方に位置する部分には孔１８ｈが形成されており、孔１８ｈには、絶縁膜１８よりも屈折率が大きい材料からなる光導波路１９が形成されており、光導波路１９が、樹脂と無機粒子とのコンポジット材料からなる。この光導波路１９の上層部に紫外線遮蔽層３０を設ける。 （もっと読む）

【課題】撮像レンズの補助機能、赤外線カットフィルタ機能、反射防止機能、パッケージングの小型化のためのダスト防止機能や、夜を撮影するための赤外線撮像機能などを有しながら、小型化及び薄型化を実現し得る固体撮像素子等を提供する。
【解決手段】入射光を集光する集光素子と、前記集光素子上に透明な薄膜とを備えた固体撮像素子であって、前記集光素子の上位かつ前記透明な薄膜の下位に形成される空隙を有する。前記透明な薄膜の上位に、撮像レンズの補助機能、赤外線カットフィルタ機能、反射防止機能、パッケージングの小型化のためのダスト防止機能や、夜を撮影するための赤外線撮像機能などを集積する。 （もっと読む）

【課題】光電変換部へのエッチングによるダメージや金属汚染による光電変換特性の低下、トランジスタ特性のばらつき、変動、信頼性低下等を低減する。
【解決手段】複数の光電変換素子と該光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すための第１のＭＯＳトランジスタとが配された光電変換領域と、前記第１のＭＯＳトランジスタの駆動を行なう第２のＭＯＳトランジスタが配された周辺回路領域とが、同一の半導体基板に配され、前記光電変換素子の受光面に反射防止膜が配された光電変換装置であって、前記第１のＭＯＳトランジスタのドレインの不純物濃度は、前記第２のＭＯＳトランジスタのドレインの不純物濃度よりも低く、前記第２のＭＯＳトランジスタは、ゲート電極に絶縁膜のサイドスペーサが配されたＬＤＤ構造を有しており、前記サイドスペーサの膜厚は前記反射防止膜と前記光電変換素子の受光面との間に配されたシリコン酸化膜より厚いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を増加させることなく、ホットキャリア特性が向上した光電変換装置を提供する。
【解決手段】 複数の光電変換素子と該光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すための第１のＭＯＳトランジスタとが配された光電変換領域と、前記第１のＭＯＳトランジスタの駆動もしくは前記光電変換領域から読み出される信号の増幅の少なくとも一方を行なう第２のＭＯＳトランジスタが配された周辺回路領域とが、同一の半導体基板に配された光電変換装置であって、前記第１のＭＯＳトランジスタのドレインの不純物濃度は、前記第２のＭＯＳトランジスタのドレインの不純物濃度よりも低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】解像度特性を向上させた放射線検出器11を提供する。
【解決手段】支持基板16上に光反射材粒子18が分散されている保護膜17を平面状に形成し、保護膜17上にシンチレータ層19を形成し、シンチレータパネル12を形成する。シンチレータパネル12の支持基板16と反対側の表面に、シンチレータ層19により変換された可視光を電気信号に変換する光電変換素子13を設ける。放射線が支持基板16および保護膜17を透過してシンチレータ層19に入射し、シンチレータ層19で放射線を可視光に変換する。平面状の保護膜17に入射する可視光は、散乱せず、光電変換素子13へ向けて反射させる。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜としてシリコン窒化膜を用いた場合と比べて、さらに反射ロスを低減した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置の１画素分の受光セル１００は、入射光に応じて電荷を蓄積するフォトダイオード１２と、フォトダイオード１２が形成されている半導体基板１１と、半導体基板１１の面のうち、入射光が入射する面に形成されている絶縁膜１３と、フォトダイオード１２の上方かつ絶縁膜１３の上層に反射防止膜として形成されているポリシリコン膜１２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】電圧印加電極と光導電層の界面に整流特性を持たせ、感度を損なうことなく暗電流を低減することが可能であって、界面での剥離の問題を解消することが可能な放射線検出器を提供する。
【解決手段】バイアス電圧が印加される電圧印加電極13と、放射線の照射を受けて電荷を発生する、ａ−Ｓｅからなる記録用光導電層14と、キャリア収集電極17と、記録用光導電層14において発生した電荷を蓄積する蓄電部および該蓄電部に蓄積された電荷信号を読み出すスイッチ素子20とをこの順に積層してなる放射線検出装置において、記録用光導電層14と電圧印加電極13との間に、膜厚が０．０１μｍ以上１μｍ未満、比抵抗が１０^１２Ωｃｍ以上、熱膨張係数が６×１０^−６〜１．５×１０^―４／℃の有機樹脂誘電体層16を設ける。 （もっと読む）