【課題】本発明は、受光センサー部内のＰ型領域のホウ素がＮ型領域中へ拡散することを抑制して飽和電荷量の低下を抑えることを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１に形成されたＮ型領域１３と、前記Ｎ型領域１３上に形成された第１炭化シリコン層２１と、前記炭化シリコン層２１上に形成されたシリコン層２２からなるＰ型領域１４とで構成されたフォトダイオード１５を有する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の高い緑色硬化塗膜を形成できる緑色硬化性組成物を提供すること。
【解決手段】化合物（Ｉ）、化合物（ＩＩ）、硬化剤及び溶剤を含む緑色硬化性組成物から、耐熱性の高い緑色硬化塗膜を形成できる。


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【課題】本発明は反射防止膜を有するイメージセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】反射防止イメージセンサは、基板と、前記基板内に配置された第１カラーセンシングピクセルと、前記基板内に配置された第２カラーセンシングピクセルと、前記基板内に配置された第３カラーセンシングピクセルと、前記第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に直接配置された第１層と、前記第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に置かれ、前記第１層上に直接配置された第２層と、前記第１カラーセンシングピクセルまたは第２カラーセンシングピクセルの少なくとも一つの上に置かれ、前記第２層の一部上に直接配置された第３層とを含み、前記第１層は第１屈折率を有し、前記第２層は前記第１屈折率より大きい第２屈折率を有し、前記第３層は前記第２屈折率より大きい第３屈折率を有する。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換膜を用いた固体撮像装置において、電気的および光学的な要因による空間分解能の低下および混色を抑制することを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１上に複数の光電変換部２２と該光電変換部２２から選択的に読み出すＭＯＳトランジスタとを含む複数の画素２１が形成されていて、前記光電変換部２２上に絶縁膜４３を介して形成された有機光電変換膜４４を有し、前記画素２１間に対応する前記有機光電変換膜４４の位置に光学的かつ電気的に分離する分離領域４５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素が微細化した場合にも光の回折の影響を抑えることが可能な導波路を備えた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、上部に第１の受光部と第２の受光部とが形成された半導体基板１５０と、第１の受光部の上方に位置する部分に第１の凹部Ｈ１が形成され、前記第２の受光部の上方に位置する部分に第２の凹部が形成された絶縁膜と、第１の凹部Ｈ１及び前記第２の凹部Ｈ２に埋め込まれ、絶縁膜よりも高い屈折率を有する高屈折率材料膜と、第１の凹部Ｈ１の上方に形成され、第１の波長の光を選択的に透過する第１のカラーフィルタ１１３ｒと、第２の凹部Ｈ２の上方に形成され、第１の波長よりも短い第２の波長の光を選択的に透過する第２のカラーフィルタ１１３ｇとを備える。第１の凹部Ｈ１の底面積は、第２の凹部Ｈ２の底面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】暗電流を抑制すると共に、負の固定電荷を有する層の特性の制約を緩和することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換が行われるフォトダイオードが形成された半導体層２と、少なくともフォトダイオードが形成された領域の半導体層２上に形成された負の固定電荷を有する第１の膜２１と、この負の固定電荷を有する第１の膜２１上に形成された、負の固定電荷を有する第１の膜２１とは異なる材料から成る、負の固定電荷を有する第２の膜２２とを含む固体撮像素子１を構成する。 （もっと読む）

【課題】十分なホール蓄積層の実現と暗電流の低減とを両立させることを可能とする。
【解決手段】入射光を光電変換する受光部を有する固体撮像装置において、受光部の受光面に形成した界面準位を下げる膜と、界面準位を下げる膜上に形成した負の固定電荷を有する膜とを有し、受光部の受光面側にホール蓄積層が形成され、入射光量を電気信号に変換する受光部を有する複数の画素部と、画素部が形成された半導体基板の一面側に配線層を備え、配線層が形成されている面とは反対側より入射される光を受光部で受光する裏面照射型固体撮像装置であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ブルーミングを抑制できる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像素子１００は、行列状に配置された複数の画素を有するＭＯＳ型の固体撮像素子であって、半導体基板１３０と、半導体基板１３０に形成され、半導体基板１３０の第１主表面から入射した光を信号電荷に変換するフォトダイオード１２１と、半導体基板１３０の第２主表面に形成され、フォトダイオード１２１により変換された信号電荷を転送する転送トランジスタ１３１と、半導体基板１３０の第１主表面上の複数の画素の境界上に形成される導電性の遮光膜１６２と、遮光膜１６２と電気的に接続され、半導体基板１３０の第１主表面に形成されるオーバーフロードレイン領域１３４と、オーバーフロードレイン領域１３４とフォトダイオード１２１との間に形成されるオーバーフローバリア領域１３６とを備える。 （もっと読む）

【課題】十分なホール蓄積層の実現と暗電流の低減とを両立させることを可能とする。
【解決手段】入射光を光電変換する受光部１２を有する固体撮像装置１において、受光部１２の受光面１２ｓに形成した界面準位を下げる膜２１と、界面準位を下げる膜２１上に形成した負の固定電荷を有する膜２２とを有し、受光部１２の受光面１２ｓ側にホール蓄積層２３が形成され、受光部１２の側部に周辺回路が形成された周辺回路部１４を有し、負の固定電荷を有する膜２２の周辺回路部１４表面からの距離が受光部１２表面からの距離よりも長くなるように、周辺回路部１４表面と負の固定電荷を有する膜２２との間に絶縁膜２１，２４が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素サイズを縮小しても混色が発生しにくい固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】裏面照射型の固体撮像装置１において、支持基板１１上に多層配線層１３、半導体基板２０、複数のカラーフィルタ３２、複数のマイクロレンズ３３をこの順に設ける。そして、半導体基板２０の下層部分を複数の領域に区画するようにｐ型領域２１を形成し、ｐ型領域２１の直上域に例えばＢＳＧからなる絶縁部材２３を埋め込む。ｐ型領域２１及び絶縁部材２３により、ＰＤ領域２５が区画される。また、ＰＤ領域２５の下部には高濃度領域２６を形成し、上部を低濃度領域２７とする。 （もっと読む）

【課題】素子分離部に対するウエルコンタクトホールの位置合わせ精度を向上する。
【解決手段】半導体基板にウエル領域２を形成する第１の工程と、前記半導体基板に、第１のアライメントマークと、前記ウエル領域２にアクティブ領域を分離する素子分離部７とを形成する第２の工程と、前記半導体基板の上に、第２のアライメントマークと、ＭＯＳトランジスタのゲート電極９とを形成する第３の工程と、前記ゲート電極９とともにソース電極又はドレイン電極となるべき半導体領域を形成する第４の工程と、前記半導体基板及び前記ゲート電極９の上に絶縁膜１４を形成する第５の工程と、前記第１のアライメントマークを基準として決められた位置に、ウエルコンタクトホールを形成する第６の工程と、前記第２のアライメントマークを基準として決められた位置に、前記絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールを形成する第７の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】例えば、感度が高められた光電変換素子、及び光電変換装置、並びにイメージセンサを提供する。
【解決手段】下電極（１５１ｅ）は、基板（１０）上に形成されたゲート絶縁膜（４１）、絶縁膜（４２）、（４３）及び（４４）のうちアクリル樹脂の有機樹脂から構成された絶縁膜（４３）上に形成されている。下電極（１５１ｅ）は、基板（１０）上における断面形状が凹凸形状であり、且つ入射光に対して斜めに交差する光反射面を有している。したがって、下電極（１５１ｅ）によれば、フォトセンサ（１５１）の上側からフォトセンサ（１５１）に入射した入射光のうちｎ型半導体層（１５１ｂ）、受光層（１５１ｃ）及びｐ型半導体層（１５１ｄ）を透過した光を、入射光の入射方向とは別の方向に散乱させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】低温増速拡散を抑制して低電圧で充分な飽和電荷を得る急速熱加熱技術の提供。
【解決手段】光電変換部を配すべき領域を露出する第１のレジストパターンＲＰ２をマスクとして前記半導体基板にＮ型の不純物のイオン注入を行うことにより、前記光電変換部における電荷蓄積領域５１１ｉを形成する第１の工程と、前記光電変換部を配すべき領域を露出する第２のレジストパターンＲＰ３をマスクとして前記半導体基板にＰ型の不純物のイオン注入を行うことにより、前記光電変換部における前記電荷蓄積領域５１１ｉの上に配されるべき表面領域を形成する第２の工程と、前記第１の工程及び前記第２の工程の後に、ＲＴＡ法による８００℃以上１２００℃以下での前記半導体基板の加熱を行う第３の工程と、８００℃未満での前記半導体基板の加熱を伴う方法により、前記半導体基板を覆うように反射防止膜６０を形成する第４の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、オフセットスペーサを形成するときのシリコン基板へのエッチングダメージを防止して、画素トランジスタのノイズ発生、光電変換部の白点の発生を抑制することを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１に、光電変換部２１と画素トランジスタを有する画素部１２と、周辺回路部と、ロジック回路部１４を有する固体撮像装置の製造方法は、半導体基板１１上に、第１ゲート絶縁膜３１Ｎ，３１Ｐを介して形成したロジック回路部１４のトランジスタの第１ゲート電極３２Ｎ，３２Ｐと、第２ゲート絶縁膜５１を介して形成した画素部１２および周辺回路部のトランジスタの第２ゲート電極５２を被覆し、さらに光電変換部２１を被覆する第１絶縁膜７１を形成した後、光電変換部２１、画素部１２および周辺回路部をマスク８３で被覆した状態で第１絶縁膜７１をエッチバックして第１ゲート電極３２Ｎ，３２Ｐの側壁にオフセットスペーサ３３を形成する。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの直下の膜パターンを、寸法精度を高精度にレジストパターンと同形状の膜パターンとして形成する。
【解決手段】シリコン基板１の全面に、可視光を反射防止する第１反射防止膜としての窒化膜１１を成膜する窒化膜成膜工程と、窒化膜１１上に、露光を反射防止すると共に現像液に溶ける紫外線反射防止膜１２を成膜する紫外線反射防止膜成膜工程と、半導体装置を構成するゲート電極に隣接するシリコン基板１の所定表面領域の中央領域上に、紫外線反射防止膜１２の形状加工用のフォトレジストパターン１３を形成するフォトレジストパターン形成工程とを有している。このとき、紫外線反射防止膜１２によって露光が吸収されて露光の反射光が抑制され、反射光によるフォトレジスト膜側面のくびれを防止する。 （もっと読む）

【課題】集積度が高く低ノイズで高速な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１導電型領域と第２導電型領域とに対して共通のコンタクトホールを形成するホール形成工程と、前記第１導電型領域および前記第２導電型領域の少なくとも一方に対して不純物を注入する注入工程と、前記コンタクトホールに導電材料を充填してシェアードコンタクトプラグを形成するプラグ形成工程とを含む。前記注入工程では、前記第１導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触し、かつ前記第２導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触するように、前記第１導電型領域および前記第２導電型領域の少なくとも一方に対して不純物を注入する。 （もっと読む）

【課題】素子基板の剛性を確保することと、ゲート絶縁膜に効率良く水素を供給することを、両立させることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、素子基板２の第１面側にトランジスタ３とこれに電気的につながる配線層１２，１６を形成する工程と、素子基板２の第１面と反対側の第２面に複数の孔２１を形成する工程と、それらの孔２１を通して素子基板２の第２面からトランジスタ３のゲート絶縁膜５に水素を供給する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】改質領域を形成することによる半導体基板の機械強度の低下を抑制すると共に、クロストークの抑制効果を向上させることが可能なフォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１は、半導体基板３と、半導体基板３の裏面３ｂ側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板３とのｐｎ接合１１によりフォトダイオード１３を構成する複数のｐ型半導体領域５と、を備え、半導体基板３の隣接するｐ型半導体領域５間の領域には、該領域の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、ｐ型半導体領域５の配置方向に離隔し且つｐ型半導体領域５の配置方向に交差する方向に延びる２つの改質領域５０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】暗電圧抑制に必要なフォトダイオードの表面Ｐ＋層を高濃度化した場合の読出し電圧上昇による残像不良を抑えることができ、その結果、残像不良が無く、暗時ノイズ（暗電流）の低減可能な固体撮像装置を得る。
【解決手段】固体撮像装置１００の製造方法において、ゲート電極１１０、および窒化膜１１１の、ゲート電極１１０の側面上の部分（サイドウォール部）１１１ａをイオン注入マスクとしてボロン（Ｂ）をイオン注入して、フォトダイオードを構成するＰ^＋導電型の表面ＰＤ拡散層１０６を、該ゲート電極１１０に対して自己整合的に、該窒化膜１１１の膜厚に相当する一定距離Ｘだけ離して形成する。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜として作用する窒化膜を容易かつゲート側壁に残膜なく生産性よく正確に加工する。
【解決手段】ゲート膜のうちのゲート酸化膜１ａおよびゲート窒化膜２を反射防止膜としてフォトダイオードの中央部上に形成する反射防止膜形成工程を有しており、反射防止用のゲート窒化膜２を従来のようにゲート電極６１上に成膜しないため、ゲート電極の側壁に窒化膜の形成はなく、これによって、窒化膜の加工に等方性のドライエッチングによる必要がなくなり、異方性のドライエッチングとなって、エッチングシフトを抑えて、線幅の制御性を向上させている。 （もっと読む）