【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、基板の光入射面側の透明絶縁膜における光の透過率を向上させることができ、かつ、暗電流抑制機能と量子効率ロスの防止機能を備えた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】受光部４が形成された半導体基板１の裏面には、酸化シリコン膜８と、窒化シリコン膜９が積層されている。酸化シリコン膜８と窒化シリコン膜９の界面あるいは窒化シリコン膜９の膜中には、負電荷（電子）が蓄積されている。この負電荷により、半導体基板１において、裏面付近に正孔蓄積層１０が誘起される。酸化シリコン膜８は１５ｎｍ〜４０ｎｍの厚さであり、窒化シリコン膜９は２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さである。酸化シリコン膜８と窒化シリコン膜９の積層膜を用いた光の多重干渉効果により、酸化シリコン膜８を単独で用いた場合に比べて、入射光に対する透過率が向上する。 （もっと読む）

【課題】感度が低い画素に対して必要な感度を確保しつつ、感度が低い画素よりも感度が高い画素を確実に形成できるようにする。
【解決手段】固体撮像装置は、輝度に対して感度が高い高感度画素（緑色の画素１１）と、該緑色の画素１１よりも感度が低い低感度画素（青色の画素１４）等とが所定の配列に従って周期的且つ２次元的に配置され、被写体光によって各高感度画素及び各低感度画素に蓄積された信号電荷のそれぞれを画像信号として出力する。複数の高感度画素における各受光部の上には、屈折率が高い材料からなる第１の平坦化膜３１（埋め込み部３１ａ）が形成されており、複数の低感度画素における各受光部の上には、屈折率が第１の平坦化膜よりも低い材料からなる層間絶縁膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの光子変換効率を高めたイメージセンサを提供する。
【解決手段】
イメージセンサ(100)であって、少なくとも、
−約1μmから1.5μmの間の厚さを有する半導体層(110)内に形成される、CMOSタイプのフォトダイオード(112)及びトランジスタ(114)と、
−互いに及び/又は前記CMOSのフォトダイオード及び/又はトランジスタに電気的に接続する、電気的相互接続層(122a、122b)が内部に形成される誘電層(116)であって、当該誘電層は、外部からセンサによって受光される光を入れることを目的とする半導体層の第2の面とは反対側の半導体層の第1の面に接触して配置される誘電層(116)と、
−誘電層内で、フォトダイオードに対向して配置され、センサによって受光される光の少なくとも一部をフォトダイオードの方へ反射させることができる、光反射手段(122b)と、
を備えている、イメージセンサ(100)。 （もっと読む）

【課題】イメージ・センサを提供する。
【解決手段】イメージ・センサ１０は、Ｎ型導通領域２６と、Ｐ型ピン型層３７とを含むイメージ検出素子を有する。これら２つの領域は、異なる深さで２つのＰＮ接合部を形成し、これが異なる光の周波数における電荷キャリア捕集の効率を向上させる。導通領域２６は、導通領域２６の一部がＭＯＳトランジスタ３２のソースとして機能できるようにする角度付き注入によって形成される。 （もっと読む）

画素アレイを構成する複数個の感光素子（１１００）が形成されるセンサ層、そのセンサ層の裏面に隣接する酸化物層（８００）、並びにそのセンサ層の表面に隣接する少なくとも一層の誘電体層（１２００）を有する裏面照射型イメージセンサを提供する。そのセンサ層は、対をなす感光素子間が絶縁されるよう当該センサ層の裏面に形成された複数個の裏面トレンチ、並びにその裏面トレンチに対応するよう当該センサ層の内部に形成された裏面フィールド分離材インプラント領域を有する。これらにより、隣接する感光素子間のクロストーク及びキャリア再結合が減少する。このイメージセンサはディジタルカメラ等のディジタル撮像装置に組み込める。
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【課題】各画素へ入射した光量に対する光電変換部に到達した光量の比を向上するとともに、導波構造における機械的強度の低下を抑制する。
【解決手段】撮像センサは、複数の画素が配列された画素配列を備え、前記複数の画素のそれぞれは、光電変換部と、前記光を前記光電変換部へ導くように、複数の絶縁膜より屈折率の高い物質が前記複数の絶縁膜で側面を囲まれた導波構造とを含み、前記複数の絶縁膜のうち、前記物質の側面における前記光が集中する領域を囲む絶縁膜の屈折率は、他の絶縁膜の屈折率より小さい。 （もっと読む）

【課題】 保護膜に欠陥のあるデバイスと保護膜に欠陥のないデバイスを選別することができるデバイス検査方法を提供すること。
【解決手段】 固体撮像デバイス１は、透明基板２と、透明基板２上にマトリクス状に配列された複数のＤＧ−Ｔｒ３と、全てのＤＧ−Ｔｒ３を被覆する保護絶縁膜４とを備える。ＤＧ−Ｔｒ３は、ボトムゲート電極２１、半導体膜２３、ドレイン電極２７、ソース電極２８及びトップゲート電極３０等から構成されている。ライン４１，４２，４３，４４を介してボトムゲート電極２１、ドレイン電極２７、ソース電極２８及びトップゲート電極３０を導電配線５０に接続し、導電配線５０を電源１０１の陰極に接続し、固体撮像デバイス１を電解液１０２に浸漬し、電源１０１の陽極を電解液に浸漬する。そして、トップゲート電極３０の透明性の変化を観察する。 （もっと読む）

イメージセンサは、第一の画素アレイを有する第一のセンサ層（１０１）及び第二の画素アレイを有する第二のセンサ層を含む。前記第一の画素アレイ及び前記第二の画素アレイの各々は、入射光に応答して電荷を収集するフォトディテクタ（１４０）、電荷−電圧変換機構（１４４）及び前記フォトディテクタから前記電荷−電圧変換機構まで電荷を選択的に輸送するトランスファゲート（１４２）を有する。前記第一のセンサ層及び前記第二のセンサ層の各々は、個々に前記第一の予め選択された領域の波長及び前記第二の予め選択された領域の波長を有する光を集光する厚みを有する。回路層（１２０）は、前記第一のセンサ層の下に位置し、前記第一のセンサ層及び前記第二のセンサ層の画素に対するサポート回路（１２２）を有し、層間接続体（１３０）は、前記第一の層及び前記第二の層の画素と、前記サポート回路との間にある。
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【課題】２つの波長帯の赤外線を検出でき、高い歩留まりで製造できる画素構造を有する熱型赤外線アレイセンサの提供。
【解決手段】検出する赤外線の波長帯が異なる第１種類の画素及び第２種類の画素を含み、双方の画素は、基板から伸長する梁によって空間に支持されるダイアフラムを備え、ダイアフラムは、熱電変換材料薄膜と電極と保護膜と庇とを含み、ダイアフラムの直下の基板上に反射膜を備え、保護膜及び庇は、第１の波長帯の赤外線の吸収係数が大きく、第２の波長帯の赤外線の吸収係数が小さい材料で構成され、第１種類の画素には、更に、ダイアフラム上面及び庇上面に金属薄膜が形成され、第１種類の画素は、第１の波長帯の赤外線と、金属薄膜と反射膜との間で起こる光学的な干渉で定められる第２の波長帯の赤外線と、に感度を有し、第２種類の画素は、第１の波長帯の赤外線に感度を有する。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像装置に於いて、受光画素領域とＯＢ領域の暗電流レベルを十分に抑制し、且つ、両領域の暗電流の差を削減すること。
【解決手段】 受光画素領域（１５）と、遮光部材（１３）により遮光されたＯＢ領域（１４）とを有する撮像部を含む固体撮像装置であって、前記受光画素領域及び前記ＯＢ領域において、各画素の光電変換素子の上部に配された、水素を供給するための水素供給膜（７、１８）と、前記ＯＢ領域において、前記水素供給膜と前記遮光部材との間に構成された、水素の拡散を抑制するための拡散防止膜（９）とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、接着用樹脂と絶縁層との界面が剥離し、その剥離に起因して接着用樹脂へクラックが発生するという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、３層目の配線層３１には、フォトダイオード７の形成領域よりも広い領域に渡り開口領域３２が形成される。３層目の配線層３１上を被覆する第４の絶縁層３３及びパッシベーション膜３５にも、第３の絶縁層３０及び配線層３１に対応する段差が形成される。この構造により、シリコーン樹脂３７の膜厚の厚い領域は、開口領域３２の形成領域と同様に広く形成され、熱応力がシリコーン樹脂３７の一部に集中することを緩和する。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、接着用樹脂と絶縁層との界面が剥離し、その剥離に起因するクラックによる外観異常が発生するという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、フォトダイオード７の形成領域上の段差幅ｔ１を小さくするために、第４の絶縁層３３により突出部３４が形成される。基板１上全面におけるパッシベーション膜３６の段差幅を小さくし、シリコーン樹脂３８の膜厚のばらつきを小さくする。この構造により、熱応力がシリコーン樹脂３８の一部に集中することを緩和し、シリコーン樹脂３８において、剥離に起因するクラックの発生が防止され、クラックによる外観異常が発生する問題が解消される。 （もっと読む）

【課題】有効画素領域およびＯＢ領域の暗電流を低減でき、ＯＢ段差をも低減できる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】フォトダイオード１０２の上方に配置された、水素を含有する反射防止膜１０６と、反射防止膜１０６の上方に配置された水素拡散防止膜１０７とを備える。本構成によれば、水素供給源である反射防止膜１０６から半導体基板１０１表面へ、効率よく水素を供給することができ、暗電流の絶対量を低減することができる。また、水素供給膜である反射防止膜１０６を遮光膜１０９より下方に形成することで、水素供給量の違いにより生じるオプティカルブラック領域と有効画素領域との間の暗出力オフセットを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオード形状に依存せず、加算出力を維持したまま、周波数特性を向上させることの可能な受光素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１０および半導体層１１によってＰＮ接合型のフォトダイオードが構成されている。半導体層１１の上面には反射防止膜１２が形成され、反射防止膜の上には受光面１Ａに対応して開口部１３Ａを有する層間膜１３が形成されている。反射防止膜１２は、第１絶縁膜１２Ａおよび第２絶縁膜１２Ｂを積層してなる積層構造を有しており、第１絶縁膜１２Ａには開口部１３Ａの端縁１３Ｂに沿って延在する溝部１２Ｃが設けられている。溝部１２Ｃの底面には半導体層１１が露出しており、溝部１２Ｃにはシリサイドを含んで構成されたカソード電極１４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】反射防止効果の最適化と、ＬＤＤ構造を有するトランジスタの微細化とを両立する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、転送トランジスタ５０２のゲート電極１０２ａ、フォトダイオード５０１、及び転送トランジスタ５０２のドレインとなるｎ型低濃度領域１３０を形成する工程と、フォトダイオード５０１上に、及び、ゲート電極１０２ａの側面に第１シリコン酸化膜１１３ｂ及び第１サイドスペーサー１５０ａを形成する工程と、第１シリコン酸化膜１１３ｂ及び第１サイドスペーサー１５０ａ上に第１シリコン窒化膜１２０ａ及び第２サイドスペーサー１５０ｂを積層する工程と、第１サイドスペーサー１５０ａ及び第２サイドスペーサー１５０ｂをマスクとして用いて不純物を注入することにより、ｎ型高濃度領域１０３を形成する工程と、第１シリコン窒化膜１２０ａ上に、第２シリコン窒化膜１２０ｂを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】各光電変換素子に隣接するＭＯＳトランジスタのゲートのレイアウトが非対称となった場合の各光電変換素子での暗電流の差を低減する、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、複写機及びファクシミリ等に用いられる固体撮像装置及びそれを用いたカメラを提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、第１の光電変換素子の受光面上に配された第１の反射防止膜１３０ａと、前記第２の光電変換素子の受光面上に配された第２の反射防止膜１３０ｂとを有し、前記第１の光電変換素子に隣接するゲート配線のうち、前記第１の光電変換素子に面している部分の長さの和が、前記第２の光電変換素子に隣接するゲート配線のうち前記第２の光電変換素子に面している部分の長さの和よりも短く、前記第１の反射防止膜１３０ａの面積が、前記第２の反射防止膜１３０ｂの面積よりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素の微細化に際しても、受光部上方の表面傾斜を均等にして更なる集光効率の向上を図ることができて、小型で受光感度を高くする。
【解決手段】層間絶縁膜１３の凹形状（水平方向距離ａ’；ダミー絶縁膜１２間距離と、垂直方向距離ｂ’；第２ゲート電極９上の遮光膜１１の上側差間距離）が、各受光部３をそれぞれ中心として平面視水平方向と垂直方向の断面で略同じ傾斜角に形成されている。層間絶縁膜１３の下地段差形状は、受光部３の表面に対する電荷転送電極としての第１ゲート電極７および第２ゲート電極９の上方の表面高さと、受光部３の上方の層間絶縁膜１３の凹形状の平面視距離とがそれぞれ、受光部５を中心とした平面視水平方向と垂直方向で略同等にそれそれ形成されている。 （もっと読む）

【課題】暗電流を効率的に抑制できる固体撮像装置とその製造方法、及びこの固体撮像装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、光電変換素子２４を有する複数の画素と、各画素の光電変換素子２４上に、絶縁膜２５を介して形成された分極処理された強誘電体膜２８と、強誘電体膜２８上に形成された透明電極膜２９とを有する。 （もっと読む）

【課題】水分遮断を確保しつつ、画素部周辺の周辺回路部における微細トランジスタの閾値経時変動に関する信頼性を損なうことなく、画素部表面の暗電圧を良好に低減する。
【解決手段】水素供給源となるパッシベーション膜８が、画素部１１Ａ上と周辺回路部１１Ｂ上とで異なる残留水素量に設定（膜厚および／または膜質、膜質は成膜してからエッチング除去するので画素部１１Ａ上と周辺回路部１１Ｂ上とで一定）されている。これによって、熱をかけるシンター処理で画素部１１Ａと周辺回路部１１Ｂでパッシベーション膜８から半導体表面部への水素供給量を別々に制御できる。 （もっと読む）

【課題】隣接する受光部７の間で光学的クロストークを生じることなく、また、受光部７を構成する材料の光の吸収係数および受光部７の長さに関わらず高感度な受光部７を備えた受光素子を提供する。
【解決手段】受光部７の底面に第１の反射膜３を配置し、表面に第２の反射膜８を配置し、側面に第３の反射膜１１を配置する。そして、第２の反射膜８に受光部７の表面を露出させる貫通孔１０を形成し、受光部７の表面側に受光部７の表面のうち露出されている部分に光を集めるように構成されたマイクロレンズ１３を配置する。このような受光素子によれば、マイクロレンズ１３により集められた光が受光部７の内部に入射されると第１の反射膜３、第２の反射膜８および第３の反射膜１１により反射されることで光を受光部７の内部に閉じ込めることができるので、受光部７を構成する材料や受光部７の長さに関わらず高感度な受光部７を備えた受光素子とすることができる。 （もっと読む）