【課題】少なくとも暗電流の抑制を図ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】基板の第１面側に配線層を有し、基板の第２面側から光を受光する固体撮像装置であって、基板の第２面上に形成された膜厚１ｎｍ以上５０ｎｍ以下の第１絶縁膜７１と、第１絶縁膜７１上において、周辺回路領域を除く撮像領域の受光部の受光面上に形成された酸化インジウム錫、又は、酸化亜鉛からなる透明導電膜７４とを備える。 （もっと読む）

【課題】スミアを抑制する構成を実現しつつ、反射防止と絶縁膜の膜減り防止とを両立させた固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
第一の屈折率の半導体基板１１０上にゲート絶縁膜１２０を形成した後、各電荷転送領域１１０ｂの上方に当たる部分に複数の転送電極１３０を形成する。各転送電極の上面および側面と、ゲート絶縁膜における、隣り合う転送電極の間の部分の上面とに沿って、第一の屈折率より低い第二屈折率膜１５０ａを形成し、少なくとも隣り合う転送電極の間の部分に第二の屈折率より低い第三屈折率膜１６０ａを形成する。第三屈折率膜のうち、第二屈折率膜における、各転送電極の側面に沿った部分に隣接する部分を除去した後、半導体基板上の全体に亘って遮光性材料膜を形成する。遮光性材料膜における、隣り合う転送電極の間に残存した第三屈折率膜の残存部分の上方に当たる部分をエッチングすることで、残存部分の一部を露出させる。 （もっと読む）

【課題】 配線材料の層間絶縁膜への拡散を抑制する拡散抑制膜による多層配線構造を設けた光電変換装置において、工程を増加させることなく、受光効率を高める。
【解決手段】 本発明は、半導体基板に配された光電変換素子と、前記半導体基板上に層間絶縁膜を介して複数の配線層が配された多層配線構造を有する光電変換装置であって、最上配線層の上部に、前記最上配線層を構成する材料の拡散を抑制する拡散抑制膜が配され、前記拡散抑制膜は、前記最上配線層及び前記層間絶縁膜の前記光電変換素子に対応する領域を覆って配されており、前記拡散抑制膜の前記光電変換素子に対応する領域にレンズが配されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 三次元積層構造を持つ半導体装置において、積層された半導体回路層間の積層方向の電気的接続を、埋込配線を使用して容易に実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１半導体回路層１ａの半導体基板１１の表面に、絶縁膜１４で内壁面が覆われたトレンチ１３を形成し、トレンチ１３の内部に導電性材料を充填して導電性プラグ１５を形成する。次に、トレンチ１３とは重ならないように所望の半導体素子を基板１１の表面または内部に形成し、その上に層間絶縁膜１９を介して多層配線構造３０を形成してから、多層配線構造３０の表面にプラグ１５に電気的に接続されたバンプ電極３７を形成する。そして、電極３７を用いて基板１１を支持基板４０に固定してから基板１１をその裏面側から選択的に除去し、絶縁膜１４を基板１１の裏面側に露出させる。基板１１の裏面側に露出せしめられた絶縁膜１４を選択的に除去してプラグ１５を露出させ、その端に電極４２を形成する。 （もっと読む）

【課題】出力される画像が暗くなるのを低減することのできる固体撮像素子およびその製造方法、並びにその固体撮像素子を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像素子は、有効画素領域Ａと、オプティカルブラック領域Ｂとが形成された撮像部１０を備えている。有効画素領域Ａのセンサ部１１ａ上に反射防止膜３６が形成されている一方、オプティカルブラック領域Ｂのセンサ部１１ｂ上に反射防止膜は形成されていない。 （もっと読む）

【課題】 微細化と、高速読み出し動作を実現した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子と該光電変換素子の電荷に応じた信号を列信号線に出力する増幅ＭＯＳトランジスタを含む画素が配された画素領域と、前記画素の駆動もしくは前記列信号線に出力された信号を処理する回路を含む周辺回路領域とが、半導体基板に配された固体撮像素子であって、前記増幅ＭＯＳトランジスタのソース領域の抵抗は、前記増幅ＭＯＳトランジスタのドレイン領域の抵抗よりも低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素サイズの微細化を実現するとともに、高感度及び低混色の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素部１００が行列状に配置された固体撮像素子１０であって、画素部１００は、ナノメートルオーダーの直径を有する半導体または金属からなる複数の微粒子１１４ａ、１１４ｂが分散され入射光量に応じた信号電荷を生成する光電変換膜１１５と、信号電荷を光電変換膜１１５から読み出す読み出しトランジスタ１０３を有する半導体層１０１とを備える。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置における感度特性の向上及びシェーディング特性の改善を図り、オプティカルブラック領域での密着性のよいフレア防止用膜の形成を可能にする。
【解決手段】光入射側の画素領域２３の有効画素領域２４では、光電変換部を囲む画素間の遮光膜３９と、第１屈折率層４２と、第１屈折率層４２上に遮光膜による凹状部4１内を埋め込むように形成した第2屈折率層４３とにより、内部趣向体を構成する。オプティカルブラック領域２５では、全面遮光膜３９上に第1屈折率層４２を介してフレア防止用膜４４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子の原料素材となる、エピタキシャルウエハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル積層構造を有するウエハであって、ＩｎＰ基板１と、多重量子井戸構造３と、表面層を構成するＩｎＰ層５とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜厚精度良好な層間絶縁膜で撮像領域を覆うとともに、周辺回路領域においては層間絶縁膜上の配線と下層との間の寄生容量を十分に抑えることができ、これにより撮像特性の向上が図られた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の表面層に配列された複数の光電変換部１３と、半導体基板１１上を覆う層間絶縁膜３１と、光電変換部１３が配列された周囲における層間絶縁膜３１上に設けられた配線３５とを備え、配線３５と層間絶縁膜３１との間に、層間絶縁膜３１とは別層からなると共に配線３５と同一のパターン形状を有する絶縁性パターン３３が挟持された構成の固体撮像素子１ａ。 （もっと読む）

【課題】レンズ形成の工程数を低減して製造プロセスを簡略化することができると共に、所望の高屈折率レンズ形状を容易に形成しかつ高屈折率レンズ間のレンズ形状のバラツキをも抑えて安定したレンズ形状にする。
【解決手段】下地膜としての層間絶縁膜１１上に高屈折率膜のＳｉＮ膜１２ａを形成する高屈折率膜形成工程と、ＳｉＮ膜１２ａ上に感光性レジスト膜を成膜し、透過率階調マスクを用いて照射光量を平面的に制御して、感光性レジスト膜１７のレンズ形状に形成するレジストレンズ形状形成工程と、レンズ形状の感光性レジスト膜１７とＳｉＮ膜１２ａとを同時にエッチングすることにより、感光性レジスト膜１７のレンズ形状を反映した同じ高屈折率レンズ形状の層内レンズ１２に形成する高屈折率膜レンズ形状形成工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】カメラの光学レンズからの入射光がより広い入射角度範囲であっても撮像領域にわたり高感度が維持され、感度ムラが低減された固体撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像領域に行列状に配置された複数の単位画素１１を有する固体撮像装置であって、単位画素１１は、撮像領域の面方向に互いに異なる実効屈折率分布を有する、単位画素１１内の境界線５０において互いに接する集光素子１０１Ａと集光素子１０１Ｂとを有する集光部１０１と、集光部１０１で集光された入射光を受光する受光部１０４とを備え、集光部１０１は、受光部１０４に対して、撮像領域の中心方向へシフトして配置される。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、遮光膜下のオプティカルブラック領域への光の回り込み、及び有効画素部での混色発生などの抑制を図る。
【解決手段】半導体基板２２に形成され、光電変換部ＰＤを有する複数の画素２３が配列された画素領域２４と、画素領域２４における有効画素領域３３及び遮光されたオプティカルブラック領域３４を有する。さらに、半導体基板２２の光入射側とは反対側の面上に形成された多層配線層２８と、多層配線層側の面に接合された半導体による支持基板４１と、支持基板４１の接合面側に形成された光の反射防止構造５１を有する。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサにおけるノイズの発生を抑える。
【解決手段】裏面照射型イメージセンサは、基板と、上記基板の裏面上に配置された裏面保護層と、上記裏面保護層上に配置された透明導電層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高感度化を図ることが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】電荷発生領域は、矩形形状を呈し且つ第１の方向Ｄ１に伸びる第１の領域Ｒ１内に配置される。信号電荷収集領域は、第１の領域Ｒ１の辺Ｒ１ａ，Ｒ１ｂ側に設けられ且つ第１の方向Ｄ１での位置が互いにずれている複数の第２の領域Ｒ２内に配置される。第２の領域Ｒ２は、第１の領域Ｒ１と重複する部分の縁が第１の方向Ｒ１と交差する方向に伸びる２辺Ｒ２ａ，Ｒ２ｂを含む。信号電荷収集領域は、その縁が辺Ｒ２ａ，Ｒ２ｂに沿って伸びる辺ＦＤ１ａ，ＦＤ１ｂ，ＦＤ２ａ，ＦＤ２ｂを含む。転送電極は、信号電荷収集領域の辺ＦＤ１ａ，ＦＤ１ｂ，ＦＤ２ａ，ＦＤ２ｂに沿って伸びる部分を有する。電荷発生領域は、その縁が第２の領域Ｒ２の２辺Ｒ２ａ，Ｒ２ｂに沿って伸びる２辺を含む。 （もっと読む）

【課題】基板に支持される光電変換ユニットと、前記基板に隣接した絶縁体とを含むイメージセンサー画素を提供する。
【解決手段】前記画素は、一部が空気界面を有するように、前記絶縁体の開口内にあるとともに前記絶縁体の上に延びている縦列接続式光導波路１３０，１１６を含む。前記空気界面は、前記縦列接続式光導波路の内部反射を改善する。前記縦列接続式光導波路は、隣り合ったカラーフィルター同士の間に空隙を有する自己整合カラーフィルター４３０を含んでもよい。空隙が透明な封止膜によって上方から封止されもよい。前記透明な封止膜は、前記凹面を渡って前記空隙に入る光を前記空隙から離れ隣接するカラーフィルターに発散させるように、前記空隙の真上に凹面を備えもよい。さらに、一対のカラーフィルターの間にある支持壁の一部は、カラーフィルターを保持するために、首の形が形成されるように上方が下方よりも大きい幅を有してもよい。 （もっと読む）

【課題】混色及び白傷の少ない画像取得可能な固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の基板１０１と、前記基板内に格子状に形成された素子分離絶縁膜１２１とを備える。更に、前記装置は前記素子分離絶縁膜により互いに分離された第１導電型の複数の第１半導体領域１１１，１１２，１１３と、前記基板内において前記素子分離絶縁膜上に格子状に形成され、画素分離領域として機能する第１導電型の第２半導体領域１１５とを備える。更に、前記装置は前記基板内において前記第２半導体領域の側方に形成され、前記第２半導体領域により互いに分離され、電荷蓄積領域として機能する第２導電型の複数の第３半導体領域１１４と、前記基板内において前記第２及び第３半導体領域上に形成された第１導電型の第４半導体領域１１６とを備える。更に、前記装置では前記素子分離絶縁膜は、前記第１及び第２半導体領域により側壁面が覆われている。 （もっと読む）

【課題】分光特性に優れた赤色の薄膜を形成しうる赤色着色組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）黄色顔料、（Ｂ）赤色顔料、及び（Ｃ）分散剤を含む赤色着色組成物であり、該赤色着色組成物を用いて膜厚が０．６μｍの着色透過膜を形成したときに、該着色透過膜が下記（１）〜（５）に示す特性を満たす赤色着色組成物。
（１）透過率５０％が得られる光の波長が５８３ｎｍ以上５８７ｎｍ未満の範囲
（２）波長４００ｎｍの光の透過率が１５％以下
（３）波長５２５ｎｍの光の透過率が５％以下
（４）波長６００ｎｍの光の透過率が７５％以上、
（５）波長７００ｎｍの光の透過率が９５％以上 （もっと読む）

【課題】感度および色分離特性の双方に関して有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の画素を含む固体撮像素子に係り、前記固体撮像素子は、前記複数の画素は、第１種類の画素および第２種類の画素を含み、前記第１種類の画素は、第１反射防止膜と、第１カラーフィルタとを含み、前記第２種類の画素は、第２反射防止膜と、第２カラーフィルタとを含み、前記第１カラーフィルタ、前記第２カラーフィルタの透過率が最大となる波長をそれぞれλ１、λ２とし、λ１とλ２との中心波長をλ１２とし、波長をλとしたときの前記第１反射防止膜、前記第２反射防止膜の透過率をそれぞれＴ１（λ）、Ｔ２（λ）とし、Ｔ１（λ）、Ｔ２（λ）における最大値をそれぞれＴｍａｘ１、Ｔｍａｘ２としたときに、Ｔ１（λ１２）≦０．９５・Ｔｍａｘ１、および、Ｔ２（λ１２）≦０．９５・Ｔｍａｘ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】ゲートＩＣに走査線が未接続の端子が存在する場合であってもフレームごとに間隔を空けずに放射線画像撮影前の各放射線検出素子のリセット処理や画像データの読み出し処理を行うことが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１の走査駆動手段１５は、少なくとも放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理または各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理において、ゲートドライバ１５ｂから各走査線５にオン電圧を順次印加する際に、ゲートドライバ１５ｂの走査線５が接続されていない端子ｐにオン電圧を印加するタイミングで、同時に走査線５が接続されている端子にオン電圧を印加して、各タイミングでいずれかの走査線５にオン電圧が印加される状態でゲートドライバ１５ｂから各走査線５にオン電圧を順次印加する。 （もっと読む）