【課題】信号書き込み時間が長くなることを防ぎながら、信号振幅値が大きく、かつ、入出力関係が線形で動作する範囲を大きくすることが出来る半導体装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】増幅用トランジスタ１０１及びバイアス用トランジスタ１０２を有する半導体装置において、放電用トランジスタ１０８を設けて、プリ放電を行う。または、増幅用トランジスタ１０１及びバイアス用トランジスタ１０２を有する半導体装置において、バイアス用トランジスタ１０２に接続されたバイアス側電源線１０４の電位を、増幅用トランジスタに接続された増幅側電源線１０３の電位に近づけることにより、プリ放電を行う。 （もっと読む）

【課題】走査線に断線が生じたとしても、読み出される画像データが異常な値になることを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、各放射線検出素子７から画像データＤを読み出す読み出し処理の際に、各走査線５にオン電圧を順次印加して、各走査線５に接続された各スイッチ手段８にオン電圧を順次印加する走査駆動手段１５を備え、走査駆動手段１５は、走査線５に断線がある場合には、放射線が照射されて行われた放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理において、放射線検出素子７が接続された各走査線５にオン電圧を順次印加して行う画像データＤの読み出し処理を開始するタイミングを、走査線５に断線がない場合よりも遅らせる。 （もっと読む）

【課題】 従来の構成では、光電変換装置の感度の向上とダイナミックレンジの拡大とを両立することが困難であった。
【解決手段】 複数の単位画素の各々が第１および第２の光電変換部と、第１および第２の光電変換部に共通の画素出力部と、を有し、第１の光電変換部は、リセットされた状態で空乏化し、第２の光電変換部は、リセットされた状態で空乏化しないようにする。 （もっと読む）

【課題】水平信号線に関する複数段の階層的な接続構造を採用しつつ、水平信号線上で水平方向の画素加算を行うことにより得られる画像の画質を向上させる。
【解決手段】固体撮像素子１は、複数の画素１０と、複数の垂直信号線１１と、複数のサンプルホールド部１５Ｓ，１５Ｎと、水平出力部と、水平走査回路１８とを備える。水平出力部は、少なくとも２つ以上の垂直信号線１１と接続される複数の第１の水平信号線３１Ｓ，３１Ｎと、複数の第１の水平信号線３１Ｓ，３１Ｎと選択スイッチＨＧＳ，ＨＧＮを介して接続される第２の水平信号線３２Ｎ，３２Ｓからなる。水平走査回路１８は、サンプルホールド部１５Ｓ，１５Ｎに保持された画素信号が第１の水平信号線３１Ｓ，３１Ｎに出力されたときに、複数の選択スイッチＨＧＳ，ＨＧＮのうち、少なくとも２つをオンに制御して第２の水平信号線３２Ｎ，３２Ｓに出力する。 （もっと読む）

【課題】画像を得るための一連の動作中に、ライブビュー用の画像の更新を行うことができる。
【解決手段】撮像素子上に配置された複数の画素を２以上のグループに分類し、さらに、露光開始から次の露光開始までの期間である撮影期間ごとに、前記画素から光信号またはリセット信号をグループ単位で読み出す読出し部と、前記リセット信号を読み出すグループを前記撮影期間ごとに変更するように前記リセット信号の読み出しを制御し、さらに、第１の撮影期間内において第１のグループの画素からの前記光信号の読み出しを終了してから、前記第１の撮影期間に続く第２の撮影期間内において前記第１のグループの画素から前記リセット信号を読み出すまでの所定期間内に、前記第１のグループの画素から前記光信号を動画用信号として読み出すように前記光信号および前記リセット信号の読み出しを制御する読出し制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】撮像装置において、動画撮影中でも高速に精度良く焦点調節を行うことを可能としつつ、画質の劣化を抑制できるようにする。
【解決手段】撮影レンズにより結像された被写体像を光電変換する撮像素子であって、第１の受光領域を有する第１の画素群と、第１の画素群の中に離散的に配置され、第１の受光領域と略同面積の受光領域を第２の受光領域Ｐα１と第２の受光領域とは面積が異なる第３の受光領域Ｐγ１_１とに分割して構成された第２の画素群とを備える撮像素子と、第２の画素群の第２の受光領域と第１の画素群の第１の受光領域とを一体的に制御する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】距離計、画像マッピング、三次元画像キャプチャ、及び人間の色感覚によって限定されない色感覚での画像のキャプチャを含み得る三次元応用例に適したCMOS実装可能な画像センサ、及び、そのような検出器の検出特性を改善する。
【解決手段】オンチップ測定情報を、順番にではなく、ランダムに出力することができ、三次元画像を必要とするオブジェクト追跡、及び他の情報のためのオンチップ信号処理を、すぐに遂行することができる。システム全体は小さく、強固で、かなり少ないオフチップの別個の構成要素を必要とし、かつ、検出信号特性の改善を示す。オンチップ回路は、そのようなTOFデータを使って、場面内の一つのオブジェクト、又は全てのオブジェクト上の全ての点の距離及び速度を、同時に、容易に測定することができる。オンチップ回路はまた、検出センサ内の各画素における検出画像の分光組成を特定することができる。 （もっと読む）

【課題】撮像された画像の品質を向上させる固体撮像装置、或いは半導体表示装置を提供する。
【解決手段】グローバルシャッタ方式で駆動を行うことで、電荷の蓄積動作を制御するための電位を全画素で共有することができる。さらに、出力信号が与えられる一の配線に接続されている複数のフォトセンサを第１のフォトセンサ群とし、出力信号が与えられる他の配線に接続されている複数のフォトセンサを第２のフォトセンサ群とすると、電荷の蓄積動作を制御するための電位または信号を第１のフォトセンサ群に与える配線と、上記電位または信号を第２のフォトセンサ群に与える配線とを、接続する。 （もっと読む）

【課題】ゲートＩＣに走査線が未接続の端子が存在する場合であってもフレームごとに間隔を空けずに放射線画像撮影前の各放射線検出素子のリセット処理や画像データの読み出し処理を行うことが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１の走査駆動手段１５は、少なくとも放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理または各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理において、ゲートドライバ１５ｂから各走査線５にオン電圧を順次印加する際に、ゲートドライバ１５ｂの走査線５が接続されていない端子ｐにオン電圧を印加するタイミングで、同時に走査線５が接続されている端子にオン電圧を印加して、各タイミングでいずれかの走査線５にオン電圧が印加される状態でゲートドライバ１５ｂから各走査線５にオン電圧を順次印加する。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤからの電荷パケットの読み出し時間を短縮することである。
【解決手段】並列に接続された第１の水平シフトレジスタと第２の水平シフトレジスタに、２つの色を表す一列の電荷パケットを読み出す方法である。（ａ）複数の垂直ＣＣＤから第１の水平シフトレジスタに、一列の電荷パケットのうちの全ての電荷パケットを転送する段階と、（ｂ）第１の水平シフトレジスタから第２の水平シフトレジスタに、１つの色の電荷パケットを転送することにより、第１のシフトレジスタ内の電荷パケット数を１／２に減らす段階と、（ｃ）読み出し時間を短縮するため、一列の電荷パケット中の同じ色の隣接する電荷パケットが、第１と第２の水平シフトレジスタ内で同時に２つずつ足し合わされるように、第１と第２の水平シフトレジスタ内の電荷パケットをシフトすることにより、第１と第２のシフトレジスタ内の電荷パケット数をさらに１／２に減らす段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】 装置構成が単純で、アスペクト比を維持したまま解像度の切り替えが可能で、低解像度画像の取込み時間が短い２次元撮像装置を得る。
【解決手段】 光電変換手段（１０５）を有する画素（１４）が行列状に配置し、その画素内に配置されたＴＦＴ（１０４、１１４）を走査配線（１０３、１１３）により供給される走査信号（Ｇ_ｙ、Ｇ_ｙ＋１）によってデータ配線（１０２）と光電変換手段とを導通制御するようにしたマトリクス基板と、走査配線にゲート選択信号を供給する垂直走査回路部（１１）と、データ配線を介して光電変換手段に初期化電圧を供給し、その後にデータ配線を介して光電変換手段の放電電位を読み込む水平走査回路部（１２）とを具備しており、さらに走査配線は行列状に配置された画素一行あたり２本配置され、データ配線は、一行あたり２つの画素がそれぞれＴＦＴを介して接続される。 （もっと読む）

【課題】多重サンプリングを適用した場合においても、小信号レベルでのＲＴＳノイズの増大を抑制する。
【解決手段】画素ＰＣとカラムＡＤＣ回路３とマルチランプ波発生回路６とが設けられている。画素ＰＣは、光電変換された信号を出力する。カラムＡＤＣ回路３は、画素ＰＣから出力された信号に応じて変化する信号レベルと基準電圧ＶＲＥＦとの比較結果に基づいて、画素ＰＣの信号成分をＣＤＳにて検出する。マルチランプ波発生回路６は、信号レベルと基準電圧との比較時にランプ波ＲＷ１の平均レベルを段階的に変化させながら、各段階Ｌ１〜Ｌ４において複数のランプ波ＲＷ１を生成し、信号レベルの小さい方に対応した段階Ｌ１〜Ｌ４から各段階Ｌ１〜Ｌ４ごとに複数のランプ波ＲＷを基準電圧ＶＲＥＦとしてカラムＡＤＣ回路３に順次出力する。 （もっと読む）

【課題】高画質化に有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の行および複数の列を構成するように複数の画素が配列されるとともに複数の列信号線が配置された画素アレイを有する固体撮像装置において、前記複数の画素の各々は、半導体基板に形成された第１導電型の第１ウェルと前記第１ウェルの中に配置された前記第１導電型とは異なる第２導電型の不純物領域とを含む光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を前記列信号線に出力する画素内読出回路とを含み、前記画素内読出回路は、前記第１導電型の第２ウェルに配置された回路素子を含み、前記第１ウェルと前記第２ウェルとが前記第２導電型の半導体領域によって分離されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の面積が異なる画素を含む固体撮像装置において、画素間の感度のばらつきを低減する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換素子をそれぞれ有する複数の画素と、光電変換素子を覆う遮光層とを備える固体撮像装置が提供される。遮光層は、複数の画素のそれぞれの光電変換素子に対して、当該光電変換素子への入射光の一部分を遮るための遮光部と、入射光の残り部分を通すための開口部とを有し、複数の画素は、光電変換素子の平面視における面積が異なる少なくとも２種類の画素を含み、光電変換素子の平面視における面積の大きい画素ほど遮光部の面積が大きい。 （もっと読む）

【課題】放射線の照射領域を狭く設定された場合でも、放射線を確実に検出できる放射線検出素子及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線を検出する検出領域に、放射線画像撮影用の画素２０Ａ及び放射線検出用の画素２０Ｂを含む複数の画素２０をマトリクス状に設け、画素２０Ｂに備えられたスイッチング素子に接続する信号配線３によって画素２０Ｂに発生した電荷を検出することで、放射線検出が可能となり、放射線の照射開始を検知することができる。 （もっと読む）

【課題】感度低下の抑制に加え、空乏化の抑制、暗時出力のバラつき抑制、及び画素信号の変動による素子変化の抑制が可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】第１半導体層２４内で生成された電子を蓄積する第１蓄積部２１と、電気的に浮遊状態の第２拡散層２３と、第１読出電極２２と、を含む第１受光層と、第２半導体層７１を備え、前記第２半導体層上に設けられ、回路を含む回路層７０と、前記第２半導体層を貫通しつつ、前記第１読出電極または前記第２拡散層と前記回路とを接続する第１電極ＣＰ２とを具備し、前記第１電極は、前記第２半導体層内において順に内部絶縁膜１００、外部導電膜１０１、及び外部絶縁膜１０２によって被膜され、且つこの外部導電膜の電位は一定である。 （もっと読む）

【課題】複数の電極に跨る領域に形成したポテンシャル井戸からそれより少数の電極に対応して形成したポテンシャル井戸に電荷を移動させるのに要する時間を短縮する。
【解決手段】駆動装置は、クロック信号を発生させるクロック生成部と、電極１０のうち隣接する電極１０に制御電圧を印加するタイミングを制御することにより素子形成層１３の表面に沿った面内でのポテンシャル井戸１１の面積を変化させる印加電圧制御部とを備える。印加電圧制御部は、電極１０への制御電圧の印加により素子形成層１３に形成されるポテンシャル井戸１１を制御して素子形成層１３の電荷１２の移動を制御する。また、印加電圧制御部は、基準タイミング信号を遅延させることにより隣接する電極１０に異なるタイミングで印加する制御電圧を生成し、各電極１０に印加する制御電圧を遅延させる時間はクロック信号の周期よりも短い時間とする。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、且つ焦点検出用の画素を撮像画素としても兼用可能な固体撮像素子、およびこれを用いた撮影装置を提供する。
【解決手段】撮影装置２のＣＣＤ１１は、素子構造が対称な第一画素３８ａ、第二画素３８ｂと、各画素３８ａ、３８ｂ同士を分離する素子分離層４８に独立した電圧印加を可能とするＬＣＳ端子３７とを有する。瞳分割位相差検出方式による焦点検出を行う場合は、各画素３８ａ、３８ｂの受光部３０が左右対称に変形するようＬＣＳ端子３７に所定電圧よりも正負いずれかの側にシフトした電圧（素子分離層４８がｐ型半導体の場合は所定電圧よりも負側にシフトした電圧、ｎ型半導体の場合は所定電圧よりも正側にシフトした電圧）が印加される。画像データを生成する場合は、各画素３８ａ、３８ｂの受光部３０に変形が生じず各画素３８ａ、３８ｂの受光特性が等しくなるようＬＣＳ端子３７に所定電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】信号を高速に読み出すことができる撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】複数の画素（１０１）と、画素から出力された信号を保持する複数のメモリ（Ｃ１０５）と、複数のメモリに保持された信号を伝達する共通信号線（１１０）と、複数のメモリと共通信号線とをそれぞれ接続する複数の第１のスイッチ（１０８）と、を有する撮像装置であって、複数のメモリの各々は、一方の端子には画素から出力された信号が与えられるとともに第１のスイッチと接続され、他方の端子に基準電位が与えられるメモリ容量を有し、撮像装置は、さらに基準電位を供給する基準電位供給部（１０６，１０７）を備え、基準電位供給部は、複数のメモリが信号を保持する期間に第１の参照電位を供給し、第１のスイッチがオンしている期間に、第１のスイッチがオンする前の共通信号線の電位に対する電位差が第１の参照電位よりも大きい第２の参照電位を供給する。 （もっと読む）

【課題】各画素間での光電変換特性のバラツキ低減が図れるとともに、搭載する半導体チップの小型化が図れる光電変換装置を得ること。
【解決手段】１ビット光電変換回路２のｎ個が、ＳＷ４を順に閉状態に切り替えることで順に出力回路３に接続される。画像の読み取りでは、１ビット光電変換回路２のｎ個において、ＳＷ１を閉状態にしＰＤに画像読み取りを行わせ、ＳＷ１を開状態にした後、ＰＤに画像信号が保持される一定期間後にＳＷ２，ＳＷ３を閉状態にし画像信号をＣ１に転送し保持させる。ＳＷ４を閉状態にして接続されている１つの１ビット光電変換回路２と出力回路３において、まず、ＳＷ３，ＳＷ５を同時に閉状態にしＣ１の画像信号をＣ２に転送保持させ、次いで、ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ６を同時に閉状態にしてＰＤへの印加電源電圧を基準電圧としてＣ３に転送保持させる。ＡＭＰから両信号の差分が出力される。 （もっと読む）