【課題】記憶部で発生するリーク電流を抑制した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の画素回路１ａと、列信号線２１と、複数の単位記憶回路２ａとを備え、複数の単位記憶回路２ａのそれぞれは、書き込みトランジスタ３１と、記憶容量３２と、ｎ型の第１拡散領域１４３と、第１拡散領域１４３から所定距離離して形成され、書き込みトランジスタ３１のソース又はドレイン領域に隣接する絶縁分離領域１４１と、絶縁分離領域１４１の周囲に、第１拡散領域１４３から所定距離離して形成された、ｐ型の第２拡散領域１４２とを有し、少なくとも第２拡散領域１４２の表面には、金属シリサイド層が形成されていないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リニアログ特性を持つ固体撮像装置において、対数特性部のみの感度を制御する。
【解決手段】転送部を直列接続された２段の転送トランジスタＴＸＬ，ＴＸＨで構成する。転送トランジスタＴＸＨは転送トランジスタＴＸＬよりもオン抵抗が大きい。よって、転送トランジスタＴＸＨを中間電圧ＶＭで駆動させた場合、光電変換素子ＰＤから浮遊拡散層ＦＤに漏れ出る信号電荷は少なくなるため、対数特性部の感度が上がる。一方、転送トランジスタＴＸＬは転送トランジスタＴＸＨよりもオン抵抗が小さい。よって、転送トランジスタＴＸＬを中間電圧ＶＭで駆動させた場合、光電変換素子ＰＤから浮遊拡散層ＦＤに漏れ出る信号電荷は多くなるため、対数特性部の感度が下がる。 （もっと読む）

【課題】隣り合う垂直転送レジスタの信号電荷の転送方向が互いに逆向きの構成において、信号電荷の逆方向読み出しを防止し、センサ特性を維持したまま、多チャンネル出力化を実現する。
【解決手段】撮像領域２に配列される複数の受光素子３と、複数の垂直転送レジスタ４と、少なくとも２本の水平転送レジスタ５とを備え、複数の垂直転送レジスタ４は、撮像領域２の一側に設けられる水平転送レジスタ５Ａに信号電荷を転送する第１の垂直転送レジスタ４Ａと、同じく他側に設けられる水平転送レジスタ５Ｂに信号電荷を転送する第２の垂直転送レジスタ４Ｂとを交互に配置させ、各垂直転送レジスタ４は、読み出し電極Ｖ１，Ｖ３と、非読み出し電極Ｖ２と、非読み出し電極Ｖ４とを有し、第１の垂直転送レジスタ４Ａおよび第２の垂直転送レジスタ４Ｂは、非読み出し電極Ｖ２と非読み出し電極Ｖ４とを、垂直転送レジスタ４の列毎に交互に配置させる。 （もっと読む）

【課題】光検出装置の縮小、製造コストの低減を図る。
【解決手段】可視光センサ及び赤外光センサを配置する際の面積を縮小するために、可視光を検知する第１のフォトダイオードと赤外光を検知する第２のフォトダイオードとを重畳して配置し、可視光を第１のフォトダイオードで先に吸収する構成とすることで第２のフォトダイオードに入射される可視光を非常に少なくするものである。また、第２のフォトダイオードと重畳して配置する第１のフォトダイオードを第２のフォトダイオードの光学フィルタとして用いるものである。そのため第１のフォトダイオードを構成する半導体層は可視光を吸収し、且つ赤外光を透過する半導体層とし、第２のフォトダイオードの半導体層は赤外光を吸収する半導体層とするものである。 （もっと読む）

【課題】基板上に設ける放射線検出素子の数が増加しても、走査線や信号線の本数が増加することを防止して、ゲートＩＣや読み出しＩＣが増加することを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、走査線５と信号線６により区画された各領域ｒごとにｍ×ｎ個ずつ設けられた放射線検出素子７_１１〜７_２２を備え、制御手段２２は、画像データＤの読み出し処理の際には、ｍ×ｎ−１本の選択線１０のうちのいずれの選択線１０にもオン電圧を印加しない状態で、または、ｍ×ｎ−１本の選択線１０のうちオン電圧を印加する選択線１０を順次切り替えて、走査駆動手段１５から走査線５を介して１個の放射線検出素子７_１１のスイッチ手段８のゲート電極８ｇにオン電圧を順次印加させて、各領域ｒごとのｍ×ｎ個の放射線検出素子７_１１〜７_２２から画像データＤ_１１〜Ｄ_２２を順次読み出させる。 （もっと読む）

【課題】 参照信号Ｖｒｅｆの開始電圧と、画素からの輝度信号電圧に差がある場合においては、カウンタ動作時間Ｔｃが長くなり、消費電流が多くなってしまう。これが、選択行での全てのカウンタが、同様に動作時間が長くなると、さらにカウンタの個数分消費電流が積算されてしまうといった問題があった。
【解決手段】得られた画像データを元に、カウンタの参照信号Ｖｒｅｆの初期値を制御することで、輝度信号電圧と、参照信号Ｖｒｅｆの初期値Ｖｉとの電圧差が少なくして、カウンタ動作が早めに停止するカウンタを多くする事で、列毎にあるカウンタで消費する電流を減らす （もっと読む）

【課題】分光光度計において、スペクトルのＵＶ部分、可視部分およびＩＲ部分を検出するために自己走査形フォトダイオードアレイを用いて行われる測定の信号対雑音比を改善する。
【解決手段】自己走査フォトダイオードアレイは、読み出される前に低い信号ピクセルが所定の露光時間ｔ_０の倍数の間、電荷を蓄積することを可能にする。露光のパターン、すなわち整数Ｍ_ｉ（ｉはアレイ内の１からＮまでのピクセル数）は、当該のピクセルが飽和状態を超えずに可能な限り多くの電荷を蓄積するように選択される。 （もっと読む）

【課題】カウンタ動作の低速化を抑制しつつ、カウンタ回路の消費電流を低減する。
【解決手段】各カウンタ回路ＣＵ内において、Ｓ個のクロックＣＫ_１〜ＣＫ_ｓによるカウント動作の起動および停止を順次伝播させることで、クロックＣＫ_ｎによるカウント動作が行われている時は、クロックＣＫ_１〜ＣＫ_１−ｎ、ＣＫ_１＋ｎ〜ＣＫ_ｓによるカウント動作を停止させる。 （もっと読む）

【課題】光強度に対するダイナミックレンジの自由度を、より拡大する。
【解決手段】各画素２１は、受光した光の光量に応じて電荷を発生するフォトダイオード２２と、フォトダイオード２２から出力される電荷を蓄積するフローティングディフュージョン２４と、フローティングディフュージョン２４に蓄積されている電荷をリセットするリセットトランジスタ２７とを少なくとも有する。また、４つの画素２１が組み合わされて疑似画素２０が構成される。そして、疑似画素２０では、所定の露光順番で露光が行われ、露光順番に従って、先に露光する画素２１のフローティングディフュージョン２４の電荷蓄積容量まで電荷が蓄積されると、次に露光する画素２１のリセットトランジスタ２７によるリセット動作が解除される。本発明は、例えば、CMOSイメージセンサに適用できる。 （もっと読む）

【課題】高感度化を図ることが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】電荷発生領域は、矩形形状を呈し且つ第１の方向Ｄ１に伸びる第１の領域Ｒ１内に配置される。信号電荷収集領域は、第１の領域Ｒ１の辺Ｒ１ａ，Ｒ１ｂ側に設けられ且つ第１の方向Ｄ１での位置が互いにずれている複数の第２の領域Ｒ２内に配置される。第２の領域Ｒ２は、第１の領域Ｒ１と重複する部分の縁が第１の方向Ｒ１と交差する方向に伸びる２辺Ｒ２ａ，Ｒ２ｂを含む。信号電荷収集領域は、その縁が辺Ｒ２ａ，Ｒ２ｂに沿って伸びる辺ＦＤ１ａ，ＦＤ１ｂ，ＦＤ２ａ，ＦＤ２ｂを含む。転送電極は、信号電荷収集領域の辺ＦＤ１ａ，ＦＤ１ｂ，ＦＤ２ａ，ＦＤ２ｂに沿って伸びる部分を有する。電荷発生領域は、その縁が第２の領域Ｒ２の２辺Ｒ２ａ，Ｒ２ｂに沿って伸びる２辺を含む。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオード(ＰＤ)の感度の低下の軽減を可能としつつ画素の読み出し時間の短縮が可能な裏面照射固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】裏面照射型固体撮像装置は、半導体基板１にフォトダイオード３とＭＯＳトランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３を具備して、このＭＯＳトランジスタは半導体基板の表面に形成され、フォトダイオード３は半導体基板の表面と反対の裏面に照射される入射光ＬＧに応答する。フォトダイオード３の主要部とその近傍の上部には、同一列で複数行同時選択される複数のフォトダイオードＰＤからの複数の信号電圧を転送するための複数の垂直信号線ＶＳＬ１、２、３が形成される。裏面照射型固体撮像装置では、半導体基板の裏面からフォトダイオードへの照射光が入射されるので、画素の読み出し時間の短縮のための複数の垂直信号線ＶＳＬ１、２、３を形成しても、フォトダイオードの感度の低下が生じない。 （もっと読む）

【課題】異なるゲインで増幅した信号を得る場合のゲイン誤差やアナログデジタル変換誤差を低減することができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換により信号を生成する複数の画素（１０１）と、複数の画素の信号又は基準信号入力部（１０７）の基準信号を第１のゲインで増幅した第１の信号及び第２のゲインで増幅した第２の信号を出力する列増幅部（１０２−１，１０２−２）と、第１の信号及び第２の信号をアナログからデジタルに変換するアナログデジタル変換部と、列増幅部が基準信号を増幅した第１の信号及び第２の信号を出力した時、第１及び第２の信号を同じゲインレベルにレベルシフトした後の第１及び第２の信号の間のゲイン誤差を検出する比較部と、列増幅部が複数の画素の信号を増幅した第１の信号及び第２の信号を出力した時、ゲイン誤差を基に第１の信号又は第２の信号を補正する補正部とを有する。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質等を向上する。
【解決手段】半導体層１０１においてフォトダイオード２１が入射光Ｈを受光して信号電荷を生成する。そして、その半導体層１０１において入射光Ｈが入射する一方の面に対して反対側の他方の面の側において、その入射光Ｈのうち、そのフォトダイオード２１を透過した赤外の光を、赤外線吸収部３１が吸収する。 （もっと読む）

【課題】動作速度を向上させると共に、コストを低減することができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】行列状に配列され、光電変換により信号を生成する複数の画素（１０１）と、前記複数の画素の各列に設けられ、前記複数の画素の信号を第１のゲインで増幅した第１の信号及び前記第１のゲインより大きい第２のゲインで増幅した第２の信号を出力する列増幅部（１０２）と、前記第１の信号又は前記第２の信号のいずれか一方を選択してアナログからデジタルに変換するアナログデジタル変換部（１０８）とを有することを特徴とする固体撮像装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 光電変換領域の面積を減少させることなく、画素ごとに高度な信号処理が可能となる。また信号処理回路の遮光性能が向上する。
【解決手段】 本発明は、画素構成要素における光電変換部及び、転送トランジスタ、電荷保持部の少なくとも一部が第１の半導体基板に配され、増幅トランジスタ、リセットトランジスタ以外の信号処理回路及び、複数の画素からの信号が読み出される複数の共通出力線が第２の半導体基板に配されている。 （もっと読む）

【課題】ノイズ成分を低減し、ＦＰＮ補正を精度良く行う。
【解決手段】放射線信号を電荷信号に変換して蓄積する複数の光電変換素子が配置された放射線検出手段を有する放射線撮像装置であって、前記複数の光電変換素子に対する電荷信号の蓄積を制御する蓄積制御手段と、前記複数の光電変換素子に蓄積された電荷信号の読み出しを制御する読み出し制御手段と、前記蓄積制御手段による電荷信号の蓄積制御、及び、前記読み出し制御手段による電荷信号の読み出し制御のうちの少なくとも何れか一方が行われていない期間に、前記放射線検出手段で発生する不定電位の固定化を行う制御手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】共通信号ラインの電圧レベルの減衰を抑制する。
【解決手段】１つの実施形態によれば、イメージセンサモジュールは、光電変換部をそれぞれ有する複数のイメージセンサを有する。前記複数のイメージセンサに共通に接続され、前記複数のイメージセンサから順次に画像信号及びオフセット信号が出力される共通信号ラインを有する。前記複数のイメージセンサのうち最後に画像信号を出力すべきイメージセンサから、前記共通信号ラインへの画像信号及びオフセット信号の出力が完了したことをしめすタイミング信号を、前記複数のイメージセンサのうち前記共通信号ラインへオフセット信号を出力すべきイメージセンサへフィードバックするフィードバック部を有する。そして、前記オフセット信号を出力すべきイメージセンサは、前記フィードバック部によりフィードバックされた前記タイミング信号に応じて、前記共通信号ラインへ前記オフセット信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】軽量、薄型、小型であり、かつ読み込んだ画像に明るさのむらが生じないエリアセンサ及びエリアセンサを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】エリアセンサが有する画素は、光源としてのＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子と、光電変換素子としてのフォトダイオードと複数のＴＦＴをそれぞれ有しており、ＥＬ素子とフォトダイオードの動作をＴＦＴで制御していることを特徴とするエリアセンサ及びエリアセンサを備えた表示装置。 （もっと読む）

【課題】
従来、瞳分割方式に対応する焦点検出装置における検出精度に問題があった。
【解決部】
瞳分割された第１光束を入射して第１焦点検出信号を出力する第１焦点検出用画素と、前記第１光束と対を為す第２光束を入射して第２焦点検出信号を出力する第２焦点検出用画素とを有する焦点検出装置において、前記第１焦点検出用画素および前記第２焦点検出用画素は、入射光量に応じた電子および正孔を蓄積する光電変換部と、前記光電変換部で蓄積された電子量に応じた電気信号を読み出す電子読み出し部と、前記光電変換部で蓄積された正孔量に応じた電気信号を読み出す正孔読み出し部とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】静電気等に対する耐久性を向上するとともに、検査精度を向上し、かつ、検査時間を短縮した積分アンプを提供する。
【解決手段】演算増幅器OP、および、演算増幅器OPの反転入力端子と出力端子との間に接続したサンプリングキャパシタCfを備えた積分回路41を有する。入力端子部INと演算増幅器OPの反転入力端子との電気的接続の開閉を切り換え可能なモードスイッチSWtestを有する。移送キャパシタCT、および、移送キャパシタCTを充放電させるスイッチSW1〜SW4を備えた検査用回路42を有する。検査用回路42は、移送キャパシタCTの放電により、充電した電荷の一部をサンプリングキャパシタCfに送り込む。スイッチSW1〜SW4により移送キャパシタCTを充電させている状態でサンプリングキャパシタCfを放電させる放電スイッチSWinitを有する。 （もっと読む）