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Fターム[4M118DB09]の内容

固体撮像素子 (108,909) | 駆動・転送方法 (2,117) | 転送クロック (2,002) | クロック幅、タイミング (961)

Fターム[4M118DB09]に分類される特許

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【課題】製造効率の向上、コストダウン、信頼性の向上、小型化を容易に実現させる。
【解決手段】ガラス基板301においてセンサ素子100に対面する側の面のうち、画素領域PAに対応する部分と、画素領域PAの周辺に位置する周辺領域SAの一部とを被覆するように、赤外カットフィルタ層311を形成する。そして、センサ素子100と赤外カットフィルタ300とが対面する面の周辺部分において、ガラス基板301にて赤外カットフィルタ層311で被覆されていない部分と、その赤外カットフィルタ層311の周辺部分とに接するように、接着層501を設ける。 (もっと読む)


【課題】ローリングシャッタ的雑音を低減した高性能なグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】二次元状に配置された複数の単位画素セルを備え、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置であって、前記複数の単位画素セル23のそれぞれは、半導体基板の上方に形成され、入射光を信号電荷に変換する光電変換膜16と、前記光電変換膜の前記半導体基板側の面に形成された画素電極15と、前記半導体基板上に形成され、グローバルシャッタによって前記光電変換膜16から転送された信号電荷を蓄積するグローバル電荷蓄積拡散層7とを備え、前記グローバルシャッタは前記複数の単位セルにおいて同時に光電変換膜16からグ信号電荷を転送することであり、前記画素電極15は、遮光性を有する金属で形成される。 (もっと読む)


【課題】衝撃ノイズによる誤動作を防止しつつ、X線の照射開始を自己検出する。
【解決手段】画素37を制御するための走査線47が行毎に、信号電荷を読み出すための信号線48が列毎に配設された撮像領域51を有するFPD25と、蓄積動作と読み出し動作とを行わせるゲートドライバ52と、X線の照射開始を検出するとともに、X線の照射開始を検出したときに、蓄積動作が開始するようにゲートドライバ52を制御する制御部54と、信号線48のうち少なくとも1本の第1信号線に接続され、TFT43のオンオフの状態に関わらず、X線の入射量に応じた信号電荷を第1信号線に送出する短絡画素62を有し、制御部54は、蓄積動作が開始された後、第1信号線の出力値と第1信号線とは別の第2信号線の出力値に基づいて、照射開始の検出が、X線の照射による正当なものか、ノイズによる誤検出かを判定する。 (もっと読む)


【課題】光検出感度の低下を抑えながらクロストークを低減するために有利な技術を提供する。
【解決手段】位相差検出方式による焦点検出のための複数の画素を含む固体撮像装置において、前記画素は、互いに独立して信号の読み出しが可能な複数の光電変換部を含む半導体領域と、マイクロレンズと、前記マイクロレンズと前記半導体領域との間に配置されたレンズ面とを含み、前記レンズ面は、前記マイクロレンズを通過して前記半導体領域に向かう光に対して負のパワーを作用させる。 (もっと読む)


【課題】光電変換膜に印加される電圧が高い場合でも増幅トランジスタのゲート破壊を抑えることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素単位セル11と垂直信号線17とを備え、画素単位セル11は、光電変換膜13と、画素電極7と、正電圧が印加された透明電極9と、シリコン基板1内に形成されたトランジスタであって、画素電極7と結線されたゲート電極を有し、画素電極7の電位に応じた信号電圧を出力する増幅トランジスタ5と、シリコン基板1内に形成されたトランジスタであって、画素電極7と結線されたドレイン領域を有し、増幅トランジスタ5のゲート電極の電位をリセット電圧にリセットするリセットトランジスタ6とを有し、シリコン基板1内には、リセットトランジスタ6のドレイン領域により寄生ダイオードが形成され、寄生ダイオードのブレークダウン電圧は増幅トランジスタ5のゲート破壊電圧以下である。 (もっと読む)


【課題】高ダイナミックレンジイメージセンサを提供する。
【解決手段】第1の基板12上に、複数の画素18であって、各画素が光検出器を有する画素と、前記複数の光検出器に接続する複数の読み出し回路であって、各読み出し回路が、この読み出し回路に接続する少なくとも1つの光検出器の充放電装置を有し、各充放電装置は、充放電の作動信号によって制御して前記読み取り回路に接続する各画素の前記光検出器の積分時間を課す回路とを有する。第1の基板12とは異なる第2の基板14を有し、この第2の基盤上には充放電装置の制御電子回路30、32、34を配置し、この回路は、第1の基板12と第2の基板14との間の電気接続16を介して充放電装置に転送するための充放電の作動信号を生成するように設計し、各画素または画素群は作動信号に接続して固有かつ適切な積分時間をこの画素または画素群に課す。 (もっと読む)


【課題】回路規模の増大を抑えつつA/D変換時のカウンタ動作によるノイズの発生を低減する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像装置50は、複数の画素101が行列状に配置された画素アレイ100と、複数の画素101から出力されるアナログ信号を並列にデジタル信号に変換する複数のカラムA/D変換回路140と、クロック信号を生成するタイミング制御回路130とを備え、複数のカラムA/D変換回路140の各々は、前記アナログ信号と前記ランプ波との電位を比較し、比較した結果を示す比較結果信号を生成する比較器141と、前記クロック信号をカウントするとともに、比較結果信号が変化する時点での計数値を前記デジタル信号として保持するカラムカウンタ142とを有し、カラムカウンタ142は、直列に接続された複数のカウンタを含み、複数のカウンタの各々は、隣接する計数値を示す計数コードのハミング距離が1である。 (もっと読む)


【課題】小さな垂直シフトレジスタによって垂直ビニング動作を実現する。
【解決手段】垂直シフトレジスタ部40a,40bは、M本の行選択用配線LV,1〜LV,Mのそれぞれに行選択制御信号を出力するM個の論理回路LO〜LOと、2本の行選択用配線L毎に配置されたシフトレジスタ回路43とを有する。M個の論理回路LO〜LOは、ビニング制御信号Vbin又はVbinと、シフトレジスタ回路43の出力信号とが共に有意値であるときに、読出用スイッチSWを閉じるように行選択制御信号Vselを出力する。垂直シフトレジスタ部40a,40bは、ビニング制御信号Vbin及びVbinが有意値となるタイミングを制御することにより、上記2本の行選択用配線Lを逐次選択する通常動作モードと、上記2本の行選択用配線Lを同時に選択するビニング動作モードとを実現する。 (もっと読む)


【課題】高輝度な被写体を撮像してもストリーキングの発生を抑制することが可能な小型の固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、2次元状に配列され、受光量に応じた画素信号を出力する画素回路1と、画素回路1の列に対応して設けられ、対応する列の画素回路1と接続された垂直信号線3と、垂直信号線3に電流を供給する画素電流源回路4と、垂直信号線3に対応して設けられ、対応する垂直信号線3を介して出力される画素信号をデジタル信号にAD変換するカラムADC6と、複数のカラムADC6の出力と接続されたLVDS出力バッファ回路11と、LVDS出力バッファ回路11を制御する制御回路14とを備え、制御回路14は、カラムADC6によりAD変換が行われている期間中に、LVDS出力バッファ回路11を停止する。 (もっと読む)


【課題】出力特性のばらつきを抑えつつ、遅延効果による課題を解決することができる固体撮像装置、および固体撮像装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】制御部6は、M行のうち或る行を構成する各画素Pm、nの読出用スイッチSWを接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を積分回路Sに入力させ、積分回路Sから出力された電圧値を第1の保持回路HO1、nに保持させたのち、転送用スイッチSW32を接続状態にして該電圧値を第2の保持回路HO2、nに転送し、その後、該電圧値を第2の保持回路HO2、nから順次に出力させる動作と、M行のうち他の行を構成する各画素Pm+1、nの読出用スイッチSWを接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を積分回路Sに入力させる動作とを並行して実施する。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置を大型化させることなく、A/D変換回路の動作に起因する入力およびGNDの電圧レベルの変動を低減し、出力するデジタル値の変動(誤差)を低減することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子のリセット信号と画素信号とを出力する画素が二次元の行列状に複数配置された画素部と、所定の1つの画素からのリセット信号および画素信号が順次入力される第1の容量と、画素信号とリセット信号との差を保持する第2の容量とを具備し、差分信号を出力するアナログ信号処理部と、差分信号の大きさに応じた遅延時間でパルス信号を遅延させる遅延素子がリング状に複数段接続された遅延回路と、パルス信号の遅延回路内の伝播を検出した結果に基づいたデジタル信号を生成するアナログ・デジタル変換器と、アナログ信号処理期間とサンプリング期間とで第1の容量の接続を切り替える切り替え回路と、を備える。 (もっと読む)


【課題】センサ部により検出される偽信号の原因となるチャネルストップと垂直転送レジスタとの間の降伏電流を抑制し、構造的に信号電荷の逆読み出しを防止する。
【解決手段】固体撮像素子は、半導体基板上の撮像領域2にて行列状に配列され、光電変換により信号電荷を生成する複数のセンサ部3と、複数のセンサ部3の配列における列方向に沿って前記配列の2列毎にセンサ部3の列間に設けられ、センサ部3により生成された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送レジスタ4と、各垂直転送レジスタ4とこの垂直転送レジスタ4の前記配列における行方向の両側に位置する各センサ部3との間に設けられ、センサ部3により生成された信号電荷を垂直転送レジスタ4に読み出す読み出しゲート7と、隣り合う垂直転送レジスタ4の間にて前記行方向に隣接するセンサ部3の間に設けられるチャネルストップ8とを備える。 (もっと読む)


【課題】次の静止画が撮影可能になるまでの時間を短縮することができる撮像装置を提供する。
【解決手段】露光量に応じた信号電荷を発生させる複数の画素が2次元状に配列され、全画素の画像信号を記憶するメモリを備えた撮像素子と、撮像素子に第1の露光を行わせ、露光された全画素の画像信号をメモリに記憶させてフィールド毎に順次読み出させる第1の読出制御と、撮像素子に第2の露光を行わせ、順序が連続する2つのフィールド読出期間の間に、第1の読出制御が終了したフィールドに含まれる画素の少なくとも一部から第2の露光に係る画像信号を読み出させる第2の読出制御と、を行う撮像制御部と、第2の読出制御により読み出された画像信号に基づいて次回以降の第1の露光制御に係る撮影条件を決定する撮影条件決定部と、を備えた撮像装置。 (もっと読む)


【課題】少なくとも暗電流の抑制を図ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】基板の第1面側に配線層を有し、基板の第2面側から光を受光する固体撮像装置であって、基板の第2面上に形成された膜厚1nm以上50nm以下の第1絶縁膜71と、第1絶縁膜71上において、周辺回路領域を除く撮像領域の受光部の受光面上に形成された酸化インジウム錫、又は、酸化亜鉛からなる透明導電膜74とを備える。 (もっと読む)


【課題】一般的なデジタルカメラやビデオカメラに搭載されている撮像素子には、温度の変化に伴って増減するキズが存在しており、画質劣化の原因となる。
【解決手段】被写体からの入射光を光電変換し画像信号として出力する撮像素子を含む撮像手段と、撮像素子の欠陥画素を検出する欠陥画素検出手段と、欠陥画素検出手段で検出した欠陥画素を補正する欠陥画素補正手段と、欠陥画素補正手段からの信号に対して任意の領域ごとに画像信号補正を行う画像信号補正手段と、撮像素子付近の温度を計測する温度計測手段と、画像信号処理システムを統括して制御するシステム制御手段と、を具備し、システム制御手段は、温度計測手段から得た温度情報を用いて欠陥画素検出手段が欠陥画素を検出する際の検出条件、すなわち、露光時間、欠陥画素検出閾値、ゲインのうちのいずれか1つまたは複数を制御する。 (もっと読む)


【課題】画像診断時間を短縮することのできる画像診断方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子2は、固体撮像素子2の複数行および/または複数列を一括して選択して読出す読出回路5を備え、画像診断装置1は、読出された画素の値を行および/または列単位で平均した値を格納するメモリ4と、メモリ4内のデータに基づいて、固体撮像素子2の欠陥検出を行なう画像処理部6とを備える。 (もっと読む)


【課題】大型化するのを抑制しつつ、用途に応じた最適な解像度と、撮影スピードとを提供することができる、放射線検出素子及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】列方向に複数の画素20のTFT2が同一の信号配線Dに接続されるよう構成されている。動画撮影の場合には、制御配線Mにより制御信号を出力して画素20のTFT2をオン状態にして、センサ部13から電荷を読み出す。2画素×2画素を1つの画素のようにみなして電荷を取り出すため、静止画に比べて解像度が低くなるものの、フレームレートを向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】高輝度時の画像信号の出力低下を防止し、高輝度画素と同時に読み出される同一行画素の出力変動を防止することを課題とする。
【解決手段】2次元行列状に配置された開口された複数の有効画素及び遮光された複数の遮光画素を有し、各画素が光学像を電気信号に変換する画素アレイ部と、遮光画素の信号と目標値との差分に対応する補正値を有効画素の信号に加算するクランプ回路と、クランプ回路の出力信号を信号処理する画像信号処理回路とを有し、画像信号処理回路は、画素アレイ部の同一行の画素の信号の平均値を算出する平均化部(S104)と、平均値を複数行にわたって積算することにより積算値を算出する積算部(S109)と、平均化部により算出された所定の行における平均値と積算部により算出された積算値との差分が第1の閾値より大きいときには、クランプ回路の目標値が大きくなるように目標値を変更する目標値変更部(S106)とを有する。 (もっと読む)


【課題】CMOSセンサにおける電荷蓄積を行うフローティングディヒュージョン(以下、FD)の端子間電圧を昇圧させ、ダイナミックレンジを拡大するグローバルシャッタ方式の固体撮像装置、撮像方法及び固体撮像装置を搭載した2足歩行ロボットを提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、複数のCMOSセンサがマトリクス状に配置され、グローバルシャッタ機能を有し、CMOSセンサは入射光を光電変換して電荷を発生し、発生した電荷を蓄積するフォトダイオード(以下、PD)と、PDから転送される電荷を蓄積するFD部と、PDとFD部との間に介挿された、電荷を転送する転送トランジスタと、FD部の電荷に対応する信号電流を出力する増幅MOSトランジスタを有し、固体撮像装置全てのCMOSセンサで、増幅MOSトランジスタの電源が供給される端子が共通に接続され、転送トランジスタのゲートが共通に接続されている。 (もっと読む)


【課題】記憶部で発生するリーク電流を抑制した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の画素回路1aと、列信号線21と、複数の単位記憶回路2aとを備え、複数の単位記憶回路2aのそれぞれは、書き込みトランジスタ31と、記憶容量32と、n型の第1拡散領域143と、第1拡散領域143から所定距離離して形成され、書き込みトランジスタ31のソース又はドレイン領域に隣接する絶縁分離領域141と、絶縁分離領域141の周囲に、第1拡散領域143から所定距離離して形成された、p型の第2拡散領域142とを有し、少なくとも第2拡散領域142の表面には、金属シリサイド層が形成されていないことを特徴とする。 (もっと読む)


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