【課題】電源のオン／オフ時に過大な電圧が外部へ出力されることを防止することのできる固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】実施形態の固体撮像装置は、キャパシタ１が、ＣＣＤから出力された信号の交流成分を通過させて、アンプ２へ入力し、クランプパルスにより導通が制御されるクランプゲート３が、導通時に、アンプ２の動作基準点となる直流基準電圧ＶＲＥＦをアンプ２へ出力する。この固体撮像装置は、クランプゲート３へ、ＣＣＤの有効信号出力期間は、第１の直流基準電圧が入力され、電源電圧の立ち上り期間および／または立ち下り期間は、第２の直流基準電圧が入力される。 （もっと読む）

【課題】フィルファクターの低下なしで、ピクセル縮小が可能なイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサのピクセルは、ピクセル内に互いに電気的に接続が必要なポリシリコン４０２と活性領域４０１を有するイメージセンサにおいて、前記ポリシリコン膜が、前記活性領域の上部に一部が重なるように拡張され、前記ポリシリコン膜が、前記活性領域と埋没コンタクト４０３されるようにする。 （もっと読む）

【課題】感度を向上させることができる感知装置と感知方法とを提供する。
【解決手段】第１および第２走査線と読み出し線と第１および第２感知ユニットを含む感知装置が提供される。第１感知ユニットが第１走査線と第２走査線と読み出し線とに連結されるとともに、第１エネルギーを感知するよう配置される。第１感知ユニットが第１走査線上で第１走査信号に応答して第１エネルギーに対応する第１読み出し信号を読み出し線へ出力する。第２感知ユニットが第２走査線と読み出し線と連結されるとともに、第２エネルギーを感知するよう配置される。第２感知ユニットが第２走査線上で第２走査信号に応答して第２エネルギーに対応する第２読み出し信号を読み出し線へ出力する。第２走査信号が第１走査信号と協同して働き、第１感知ユニットをリセットする。 （もっと読む）

【課題】光の検出範囲が狭くなることを抑制する。
【解決手段】入射する光の照度に応じて値が設定される第１の光データ信号及び第２の光データ信号を出力する光検出回路と、第１の光データ信号及び第２の光データ信号が入力され、第１の光データ信号及び第２の光データ信号を用いて演算処理を行うアナログ演算回路と、アナログ演算回路における演算処理として、第１の光データ信号及び第２の光データ信号の加算処理を行うか、第１の光データ信号及び第２の光データ信号の減算処理を行うかを切り替える切替回路と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】高輝度被写体の撮像時に、リセットトランジスタ及び増幅トランジスタが損傷せず、かつ、黒焼付き現象が発生しない固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板と、複数存在し、各々が単位画素を構成する第１電極と複数の第１電極上に形成された光電変換膜と光電変換膜上に形成された第２電極とを有する光電変換部と、複数の第１電極と電気的に接続され、半導体基板上に設けられた電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域をドレイン領域とする、若しくは、電荷蓄積領域をドレイン領域と電気的に接続したリセットトランジスタとを備え、リセットトランジスタのソース領域６０６及びドレイン領域６０７の少なくともいずれかは、リセットトランジスタのゲート酸化膜６０５の下方に伸長しかつゲート酸化膜６０５に接しないパンチスルーパス６０８ａ、６０８ｂを有している。 （もっと読む）

【課題】微細化により垂直転送部の列間が狭くなっても電荷排出部を作りやすい固体撮像素子を提供する
【解決手段】半導体基板１１内に形成された第１導電型のドレイン領域１０と、半導体基板１１内のドレイン領域１０よりも主面側に形成された第２導電型のウェル領域２０と、ウェル領域２０内に形成された第１導電型の複数の受光部１２１と、ウェル領域２０内に形成され受光部１２１で発生した電荷を転送する第１導電型の垂直転送部１３１と、ウェル領域２０内に形成され垂直転送部１３１の電荷転送方向の最下流から電荷を受け取り転送する第１導電型の水平転送部１４１とを備え、半導体基板１１内のウェル領域２０内の垂直転送部１３１の最下流の箇所を、半導体基板１１の厚み方向に見たときに、垂直転送部１３１よりも深い領域に、第１導電型の電荷排出部２２が形成されることを特徴とする固体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジをより拡張することができるようにする。
【解決手段】
画素は、受光した光に応じた電荷を発生するフォトダイオードと、所定の容量を有し、フォトダイオードから転送されてくる電荷を蓄積するフローティングディフュージョンと、フローティングディフュージョンの容量に付加される付加容量と、フローティングディフュージョンと付加容量との接続を切り替える薄膜トランジスタとを備える。そして、付加容量および薄膜トランジスタは、フォトダイオードが形成されるシリコン基板から層間絶縁膜を介して配置される配線層中に形成される。本技術は、例えば、撮像装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】固体ＣＭＯＳイメージセンサに関し、更に具体的には、１つのピクセルに２つの
ロウラインのみを有し、光を感知するためのピンフォトダイオード、及び１つ又は２つの
カラムラインを有するＣＭＯＳイメージセンサピクセル並びにそのアレイに関する。
【解決手段】ピクセルは、アドレッシングトランジスタを有さず、感知トランジスタとリ
セットトランジスタは、何れもｐチャネル型ＭＯＳトランジスタである。結果的に、この
ような構造は、極めて低いノイズ動作をもたらす。そして、この新たなピクセル構造は、
標準ＣＤＳ信号処理動作を許容し、ピクセル−ピクセルの不均一性を減少させて、ｋＴＣ
リセットノイズを最小化する。ピクセルは、高感度、高い変換利得、高い応答均一性及び
低ノイズを有し、これは効率的な３Ｔピクセルレイアウトによって可能になる。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジの拡大を図り得る構成を、画素のサイズを抑制しつつ、且つ画素間での増倍のばらつきを抑えつつ、より簡易に実現する。
【解決手段】撮像装置１には、撮像部２における複数の画素１０からそれぞれ電荷を読み出し可能な電荷読み出し部１０と、撮像部２の各画素３から電荷を順次転送する電荷転送部２０とが設けられており、更に、電荷転送部２０によって順次転送される各画素の電荷を、共通の経路で増倍する電荷増倍部３０が設けられている。また、撮像部２の各画素の出力として、電荷読み出し部１０によって読み出される電荷、又は電荷転送部２０によって転送され且つ電荷増倍部２０によって増倍される電荷、のいずれかを選択する選択部と、選択部によって選択された各画素の出力に基づいて、各画素の画素値を算出する算出部とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】グローバル露光を用いて、ダイナミックレンジが広く、かつ、ノイズが少ない画像を得る。
【解決手段】画素アレイ部は、受光した光量に応じた光電荷を生成しかつ蓄積する光電変換部、埋め込み型ＭＯＳキャパシタからなる第１の電荷蓄積部、及び、第２の電荷蓄積部を有する単位画素が複数配置され、複数の単位画素の一括露光が可能である。垂直駆動部及びシステム制御部は、露光期間中に光電変換部により生成された光電荷を光電変換部、第１の電荷蓄積部及び第２の蓄積部に蓄積する第１の駆動、又は、露光期間中に光電変換部により生成された光電荷を光電変換部及び第１の電荷蓄積部に蓄積する第２の駆動を行う。本技術は、例えば、固体撮像素子に適用できる。 （もっと読む）

【課題】一画素から出力される電荷量が少ない場合でも、特定信号配線の断線を検出することができる、放射線検出器、放射線画像撮影システム、断線検出プログラム、及び断線検出方法を提供する。
【解決手段】画素２０にバイアス電圧を印加して画素２０のセンサ部（フォトダイオード）１０３のリーク電流によるオフセット電荷を蓄積させ、順次、画素２０のＴＦＴスイッチ４のゲートをオンさせて蓄積されているオフセット電荷に応じた電気信号を出力させる。当該電気信号に基づいて、オフセット電荷量の累積値を検出し、制御部１０６は、検出した累積値と断線検出用に予め定められた閾値とを比較し、累積値が閾値未満の場合は信号配線３が断線していることを検出する。 （もっと読む）

【課題】 例えばブルーミングや混色などの発生をさらに抑制することのできる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 本開示の固体撮像装置１００では、キャリア極性が第１の導電型である第１不純物層５を含む光電変換部１１上に、キャリア極性が第２の導電型である第２不純物層６、及び、キャリア極性が第１の導電型である第３不純物層７をこの順で形成する。さらに、第３不純物層７を不純物領域部１６と接続し、かつ、第３不純物層７を覆うようにゲート電極３を形成する。この構成により、光電変換期間中に、光電変換部１１から第２不純物層６を介して第３不純物層７に向かう方向に余剰電子のオーバーフロー経路を形成して光電変換部１１の余剰電子を排出する。 （もっと読む）

【課題】信号出力の飽和ばらつきを低減する固体撮像装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】垂直転送ゲートへＭ相（Ｍは３以上の自然数）のミドルレベルとローレベルの２値の垂直転送パルスを印加することにより、水平転送停止中に行う通常の垂直転送において、水平転送を行う期間に信号電荷を蓄積するゲートの最小数をＮ（Ｎは１以上の自然数）、Ｍ相の垂直転送パルスのうち、同時にミドルレベルからローレベルに変化させるパルスの最大数をＩ（Ｉは１以上の自然数）としたとき、受光素子から読み出した信号電荷や垂直ＣＣＤが発生する不要電荷を、全て水平転送部に転送し、信号電荷の垂直転送を行う期間が終了し、再度、受光素子に蓄積された信号電荷の読み出しを開始するまでの期間、Ｍ相の垂直転送パルスのうち同時にミドルレベルからローレベルに変化させるパルスの最大数Ｉを２以上で駆動する。 （もっと読む）

【課題】 小型化、薄型化を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、画素に表示部とセンサ部とを有し、表示部とセンサ部の各々の制御を、同一の走査線駆動回路で行う。第１の期間においては、前記走査線駆動回路は、表示部が有する第１の選択信号線の走査を行い、第２の期間においては、前記走査線駆動回路は、センサ部が有する第２の選択信号線の走査を行う。表示部にビデオ信号を入力するための第１の信号線と、センサ部から、対象物の画像情報を有する信号を出力するための第２の信号線とは、別々に設けられることで、相互の信号へのスイッチングノイズ等の影響を最小限とする。 （もっと読む）

【課題】信号遷移速度の低下防止と、クロストーク抑制が両立された固体撮像装置と、その駆動方法を提供する。
【解決手段】入射された光を光電変換して、信号電荷を蓄積させる複数の光電変換部と、前記各光電変換部に蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョン領域に読み出す為の転送信号が入力される複数の転送信号線と、複数の転送信号線にそれぞれ所望の信号を入力する駆動回路と、転送信号線の駆動回路が接続される側とは反対側に接続され、転送信号線のうち所望の転送信号線に転送信号が入力されるタイミングよりも前から、所望の転送信号に隣接する転送信号線を一定電圧に固定させるための制御信号が入力される終端回路とを備えた固体撮像装置である。 （もっと読む）

【課題】光センサ１のフォトダイオード１０の受光強度を精度良く検出する。
【解決手段】光センサ１では、フォトダイオード１０のカソード端子とグランドとの間の電圧が一定電圧Ｖｒｅｆ１に比べて小さいとコンパレータ１２が判定してからフォトダイオード１０のカソード端子とグランドとの間の電圧が一定電圧Ｖｒｅｆ２に比べて小さいとコンパレータ１３が判定するまでの時間差を示す信号として検出信号を出力するＡＮＤ回路１４とを備える。フォトダイオード１０の容量が原因で、フォトダイオード１０のカソード端子とグランドとの間のリセット電圧が変動しても、その変動の影響が上記時間差には加わらない。 （もっと読む）

【課題】垂直転送部における転送効率劣化による縦線などの画像不良を低減することが可能な固体撮像装置及び撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、垂直転送部２と水平転送部４と駆動制御部７とを備え、垂直転送部２は複数の垂直転送部２をグループとして有し、駆動制御部７は、出力によって、垂直転送部２、動画部２２、および水平転送部４のタイミングを変更して、垂直転送部内で発生した取り残し電荷を再転送する駆動、回収する駆動および通常の駆動を選択し、低照度から高照度までの領域で常に転送効率が最大になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】後の工程で形成される光電変換層を広く形成することができ、センサの受光面積（開口率）を上げることができる、インテリジェント化された新規な半導体装置を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】イメージセンサは、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有するトランジスタを有し、トランジスタの上方に絶縁膜を有し、絶縁膜の上方にフォトダイオードを有する。トランジスタはフォトダイオードと重なる位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】局所的な太陽光やスポット光などの強烈光を受光したときに起こるＯＢ画素領域の信号レベル（黒基準信号）のズレを防止する。
【解決手段】ＯＢ画素領域３，４に対応した水平転送部ＨＣＣＤのみを電荷転送することにより、太陽光などの強烈光を受光した際に起こる余剰電荷の溢れ出しによる信号レベルの変動がクリーニングされて無信号化されて電荷検出部５に検出される。即ち、強烈光に影響されない真のＯＢ画素領域信号（黒基準信号）を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を有する固体撮像装置の画素から複数の読み出し方式により信号を読み出すと共に、複数の読み出し方式のうち少なくとも１つの読み出し方式により１枚の基板のみを使用して信号を読み出す。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、複数の基板が接続部によって電気的に接続されている固体撮像装置であって、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の読み出し方式のそれぞれに対応して信号の読み出しを可能にする回路要素を含む第１〜第ｎの回路セットを有し、複数の基板のうちの１枚の基板のみに配置された回路要素を使用して、光電変換素子による信号の発生から、第１〜第ｎの読出し方式のうち少なくとも１つの読み出し方式による信号の読み出しまでの動作が完了するよう、光電変換素子、読み出し回路、および少なくとも１つの読み出し方式に対応した回路セットが１枚の基板に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）