【課題】画像を得るための一連の動作中に、ライブビュー用の画像の更新を行うことができる。
【解決手段】撮像素子上に配置された各画素内に設けられた複数の電荷蓄積部のうちの第１の電荷蓄積部から静止画用信号を読み出す一方、前記複数の電荷蓄積部のうちの第２の電荷蓄積部から動画用信号を読み出す読出し部と、前記第１の電荷蓄積部から前記静止画用信号をｎ回（ｎは２以上の整数）に分けて読み出すにあたって、前記静止画用信号の読出し期間よりも前または後のタイミングにおいて、前記第２の電荷蓄積部から動画用信号を読み出すよう制御する読出し制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＤＳによるノイズの抑圧効果を増大させつつ、信号レベルの増幅率を切り替える。
【解決手段】サンプルホールド信号変換回路４−１は、増幅率Ａ１で増幅された各画素ＰＣの信号から第１の基準レベルおよび第１の信号レベルをサンプリングし、各画素ＰＣの信号成分を相関２重サンプリングにて検出し、サンプルホールド信号変換回路４−２は、増幅率Ａ２で増幅された各画素ＰＣの信号から第２の基準レベルおよび第２の信号レベルをサンプリングし、各画素ＰＣの信号成分を相関２重サンプリングにて検出する。 （もっと読む）

【課題】散乱光による画像のぼやけを抑制するイメージセンサ及び撮像装置を提供する。
【解決手段】結像面４２に垂直な光電界成分より前記結像面に並行な光電界成分に弱く応答する第１光検出器３８と、前記第１光検出器の一面に設けられ且つ応答の偏波依存性が前記第１光検出器より小さい第２光検出器４０とを有する画素と、前記第１光検出器の出力信号に基づく第１画素信号と、前記第２光検出器の出力信号に基づく第２画素信号とを前記画素から読み出す周辺回路部を備える。 （もっと読む）

【課題】高速転送駆動と高輝度被写体撮影時の画質不良抑制による高品質画像の実現を両立する固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１水平転送レジスタ２０４と第２水平転送レジスタ２０５と水平転送レジスタ間転送ゲートＨＨＧ２０６とを具備した固体撮像装置において、第１水平転送レジスタ２０４と第２水平転送レジスタ２０５と水平転送レジスタ間転送ゲートＨＨＧ２０６に囲まれた領域に、水平ＣＣＤ転送蓄積容量を超えた過剰電子を排出するようポテンシャルバリア２１０とオーバーフロードレイン領域２１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】開始直後から線形性のとれた参照信号を生成することが可能で、セトリング時間を大幅に改善することができ、ダイナミックレンジを拡大することが可能な信号処理回路、固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】時間とともに電圧値が変化するランプ波形の参照信号ＲＡＭＰを、電流を変化させて生成する参照信号生成回路１６１と、ランプ波である上記参照信号とカラム毎に供給されるアナログ信号電位とを比較する複数の比較器１５１−１を含む信号処理部１５１と、を有し、参照信号生成回路１６１は、参照信号を生成するための電流とは別の整定電流を参照信号の開始時から一定期間流し込む電流源Ｉ１６２を含む。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジを拡大することができる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】２次元行列状に配列され、光電変換部の光電変換により生成された信号を出力する複数の画素（１０１）と、前記複数の画素のうちの選択された行の各列の画素から出力される信号を増幅する演算増幅器（３０６）を有する複数の信号処理回路（１０２）とを有し、前記画素は、前記画素をリセットするためのリセットスイッチ（２０４）を有し、前記信号処理回路は、前記リセットスイッチによりリセットしたことに基づく前記画素の出力信号を前記演算増幅器で増幅する際のＤＣ電圧と、前記光電変換に基づく前記画素の出力信号を前記演算増幅器で増幅する際のＤＣ電圧とを異ならせることを特徴とする光電変換装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率（高感度）、低暗電流を示し、かつ、低い混色率を示すための高度なＢ光に対する光選択性（光電変換層の薄膜吸収スペクトルにおける吸収極大波長が４００〜５２０ｎｍの範囲内）を有する光電変換素子、撮像素子、及び光電変換素子の駆動方法を提供すること。
【解決手段】第一の電極、電子ブロッキング層、メロシアニン色素を含む光電変換層、正孔ブロッキング層、第二の電極である透明電極をこの順に含む光電変換素子であって、該メロシアニン色素を含む光電変換層の薄膜吸収スペクトルにおける吸収極大波長が４００〜５２０ｎｍの範囲内にあることを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】単位画素のサイズを微細化によるフォトダイオードの光感度低下およびノイズ信号が増大を抑制する固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】実施の形態の固体撮像装置は、フォトダイオードと、第２の拡散層と、基準電圧設定手段とを備える。フォトダイオードは、光電効果で発生したキャリアを蓄積する第１の拡散層を有し、基板に形成される。第２の拡散層は、前記第１の拡散層と接するとともに前記第１の拡散層とは逆の極性を有する。基準電圧設定手段は、前記第２の拡散層に配線を介して接続し、時間的に急激に値が変動する変動電圧を前記第２の拡散層を介して前記第１の拡散層に印加することによって、印加した前記変動電圧の振幅に基づく電圧を前記第１の拡散層の基準電圧として設定する。 （もっと読む）

【課題】信号線方向に対して２分割構造を有する平面検出器において、分割面の双方でオフセット値がずれにくく、画像劣化を生じにくくする。
【解決手段】放射線平面検出器１０は、信号線がそれぞれ、行方向に沿って仮想的に形成された信号線分割線により分割された構造の放射線センサ３１と、ゲート線毎に順次駆動電圧を印加するゲート駆動回路３と、駆動電圧が印加されゲートをＯＮにされた任意の１本のゲート線と接続された画素群に接続される信号線を介して画像信号情報を読み取るとともに、全てのゲート線に駆動電圧を印加せずにゲートをＯＦＦにされた状態で信号線毎に当該信号線に接続された全ての画素からリーク信号情報を読み取る信号読取回路４と、画像信号情報をリーク信号情報に基づいて補正処理する画像処理回路８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＤＳＮＵ（Ｄａｒｋ Ｓｉｇｎａｌ Ｎｏｎ⁻ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ：暗時出力不均一性）を改善する。
【解決手段】光電変換部（１）と、電荷蓄積部（３）と、電荷転送部（５）と、第１電荷転送ゲート部（２）と、第２電荷転送ゲート部（４）とを具備する固体撮像装置を構成する。電荷蓄積部（３）は、絶縁膜（２１）を介して電荷蓄積ゲート電極（７）の下の基板に設けられた電荷蓄積領域を備えているものとする。そして、電荷蓄積領域は、基板と絶縁膜（２１）との界面に接するように設けられ、第１導電型（Ｐ型）半導体で形成された第１導電型（Ｐ型）領域（１７）と、その下に設けられ第２導電型（Ｎ型）領域（１１、１２）とを含むものである。そして、電荷蓄積部（３）は、電荷蓄積ゲート電極（７）に印加されるピンニング電圧に応答して、電荷蓄積領域の界面をピンニング状態にし、その状態で電荷を保持する。 （もっと読む）

【課題】複数の水平転送部を備え、水平転送部間での振り分け転送を確実に行うことができ、かつ水平転送のための消費電力を低減し、かつ駆動信号を供給するためのピン数の増加をできる限り抑えた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】水平ＣＣＤ３１の電極８を電気的に分離された電極要素８Ａ、８Ｂで構成し、振り分け転送の際にはそれぞれに異なる駆動信号を印加することによって、チャネル中央部付近の電極下に電位勾配を形成する。また、電極要素８Ａの形状を、垂直ＣＣＤ６側の辺を短く、振り分け転送部の電極５側の辺を長く形成することによって狭チャネル効果を発生させ、電極要素８Ａ下全体に所望の電位勾配を形成する。これにより、ＣＣＤのゲート幅が大きくなった場合でも、電極要素８Ａをさらに分割することなく、振り分け転送の良好な転送効率が得られるので、ピン数の増加が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】オプティカルブラック領域の信号レベルが変化する場合でも、適切な信号レベルを算出でき、横引きノイズのない映像信号を得ることを目的とする。
【解決手段】映像信号処理装置は、ライン毎にオプティカルブラック領域の出力信号のＯＢライン平均値を求める１ラインＯＢ平均算出部１０３と、ＯＢライン平均値を求めたラインを含むフレームの１フレーム前におけるフレームのオプティカルブラック領域の出力信号のＯＢフレーム平均値を求める１フレームＯＢ平均算出部１０４と、１ラインＯＢ平均算出部１０３で求めたＯＢライン平均値と、１フレームＯＢ平均算出部１０４で求めたＯＢフレーム平均値とを比較し、比較結果に基づき、ＯＢライン平均値を求めたラインを含むフレームの映像信号を、ライン平均値またはフレーム平均値を用いて補正する黒レベル補正部１０８映像補正部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低い電圧でリング状ゲート電極下に蓄積された電荷を基板に排出し得、かつ、一括シャッタも実現し得る固体撮像素子を高精度に製造する。
【解決手段】ｎウェル３３中のソース近傍ｐ型領域８３内にｐ⁺領域８９を形成した後、リング状ゲート電極３５をマスクとしたイオン注入法を適用して、ｐ⁺領域８９中の浅い基板表面にひ素を注入して、表面ｎ⁺層９０を形成する。続いて、リング状ゲート電極３５の開口部の内壁にＬＤＤサイドスペーサ９１を形成する。そして、リング状ゲート電極３５をマスクとしたイオン注入法を適用して、ＬＤＤサイドスペーサ９１を通して表面ｎ⁺層９０及びｐ⁺型領域８９内にひ素を高濃度で注入し、ｎ⁺型のソース領域３６を形成する。ソース領域３６の形成に伴いリング状のｐ⁺型領域８４が残る。ゲート電極３５とＬＤＤサイドスペーサ９１のセルフアラインでｎ⁺型のソース領域３６とｐ⁺型領域８４を形成できる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の垂直転送部における暗電流ノイズによる影響を低減する。
【解決手段】例えば３つの垂直転送部２を１つのグループとし、各垂直転送部２は第１転送部２１と第２転送部２２とを有し、駆動制御部７は、第１転送部２１がパケットを転送した後、水平方向へのパケットの転送が行われる期間でパケットの転送を停止し、第２転送部２２が同一のグループ内の異なる第１転送部２１により転送されたパケットを異なるタイミングで水平転送部４に転送し、水平転送部４が異なるタイミングで転送されたパケットを異なる期間で水平方向に転送し、前記異なる期間で、第１転送部２１のパケットを形成するウェル領域として動作する電荷転送段を、全転送電極下の界面準位をホールで充満させるために、ホールを蓄積できる時間、各転送電極にホールが蓄積できる電圧を印加しながらパケットを移動させ、前記異なる期間で移動させる前の位置に戻す。 （もっと読む）

【課題】従来よりも撮像速度を向上させることができる画素周辺記録型撮像素子および撮像装置を提供する。
【解決手段】画素周辺記録型撮像素子は、ドライバの出力電極７１および７２からそれぞれ露光パルスφＰＤ１およびφＰＤ２を入力する入力電極５１および５２と、ドライバの出力電極７３〜７６からそれぞれ蓄積転送パルスφＭ１〜φＭ４を入力する入力電極５３〜５６と、ドライバの出力電極７７および７８からそれぞれ垂直転送パルスφＶ１およびφＶ２を入力する入力電極５７および５８と、画素の垂直方向列ごとに入力電極５３〜５６と所定電極とを電気的に接続するタングステン配線８０とを含み、蓄積転送パルスφＭ１〜φＭ４がそれぞれ供給されるＣＣＤメモリの転送電極ごとに複数本のタングステン配線８０が接続され、入力電極５１〜５８は隣接する入力電極と電気的に切断された構成を有する。 （もっと読む）

【課題】電子シャッタ傷の位置を簡単に特定して補正を行うことが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】電荷転送部を有する撮像素子５と、撮像素子５に電子シャッタ信号を供給する駆動部１２とを有する撮像装置であって、撮像素子５から動画の１フレームを読み出す期間であるフレーム期間における、電子シャッタ信号の供給を停止するシャッタ停止タイミング、電荷転送部による電荷の転送を開始する転送開始タイミング、及び電荷転送部による転送パターンの情報を取得し、この情報に基づいて、１フレームに含まれる電子シャッタ信号によって発生する電子シャッタ傷の座標を算出する電子シャッタ傷座標算出部１６と、算出された電子シャッタ傷の座標の情報にしたがって、当該電子シャッタ傷を補正する電子シャッタ傷補正部２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】ローリングシャッタ動作のＣＭＯＳ撮像装置でダイナミックレンジを拡大する。
【解決手段】画像化システムは、選択されたゲート周波数でオン／オフするように構成され、被写体からの光を電子に変換し、画像化センサに向けて電子を選択的に伝送する光電陰極を具備する画像化システムを含む。画像化センサは、電子を受け取り、画素の行のローリングシャッタ読み出しを行う。画像化センサは、第１の積分期間の間に第１の強度レベルに画素の行を電荷蓄積し、かつ第２の積分期間の間に第２の強度レベルに電荷蓄積するように構成される可変ウェルを含む。第２の積分期間は、光電陰極のゲート周波数のオフ時間よりも長い。さらに、第１の積分期間、及び第２の積分期間は、１秒当たりのフレーム数を規定する画像化センサのフレーム時間に等しく、光電陰極の選択されたゲート周波数は、１秒当たりのフレーム数よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】単位画素列を構成する各列の画素で１つの読出部を共有した場合であっても、各列の画素に同一フレームの画素信号を出力させる。
【解決手段】画素列２１＿Ｂ，２１＿Ｇ，２１＿Ｒは、それぞれ、隣接する２列の画素ＧＥ毎に１個の単位画素列２２＿Ｂ，２２＿Ｇ，２２＿Ｒを構成している。読出部５３は、各単位画素列２２に対応して複数設けられ、奇数列の画素ＧＥ＿Ｏとそれに隣接する偶数列の画素ＧＥ＿Ｅとによって共有されている。偶数列の画素ＧＥ＿Ｅは、奇数列の画素ＧＥ＿Ｏに対して、垂直方向下向きにＯ＝（１／８）・Ｐ＝（１／６）・Ｗずらして配置されている。 （もっと読む）

【課題】 リセット動作を高速で行うことが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る固体撮像装置は、複数の画素が行列状に配される。複数の画素のうち、並列に読み出されない２つの画素を、便宜的に第１の画素及び第２の画素とする。第１のリセット電源線と第１の画素に含まれる増幅トランジスタの制御電極との間の電気的経路に第１のリセットトランジスタが配される。第１の画素に含まれる増幅トランジスタの制御電極と、第２の画素に含まれる増幅トランジスタの制御電極との間の電気的経路に第２のリセットトランジスタが配される。第２の画素に含まれる増幅トランジスタの制御電極と第２のリセット電源線との間の電気的経路に第３のリセットトランジスタが配される。 （もっと読む）

【課題】
画素毎に固定した増幅器が割り当てられる撮像素子において、MOSFETの特性バラつきによる各増幅器の特性差を測定する際に、光を均一に当てるテスタを用いずに測定する手段を提供する。
【解決手段】
フォトダイオード1に蓄積された電荷をキャパシタ3に蓄積する代わりに、電荷注入スイッチ8を用いてキャパシタ3に電荷を蓄積する。 （もっと読む）