【課題】十分なフォトダイオードの面積を確保しつつ、画素信号を高速に読み出せるようにする。
【解決手段】複数の画素が水平方向である行方向と垂直方向である列方向に２次元的に配列されたＣＭＯＳ型の撮像素子であって、垂直方向に隣り合う２つの画素の間で画素アンプを共有する複数の画素セットと、垂直方向に並ぶ画素セットが交互に接続され、それぞれの列について２本ずつ配置された垂直出力線と、それぞれの列の２本の垂直出力線の一方に電気的に接続される少なくとも１本の水平出力線と、それぞれの列の２本の垂直出力線の他方に電気的に接続される少なくとも１本の水平出力線とを備える。 （もっと読む）

【課題】画素からの信号又はこれに応じた信号を増幅する増幅部の占有面積を抑えつつ、前記増幅部のゲインの絶対値を小さくする。
【解決手段】固体撮像素子１は、入射光を光電変換する画素と、前記画素からの信号又はこれに応じた信号が入力され、制御信号に応じてスイッチトキャパシタアンプ動作及びボルテージフォロワ動作を選択的に行い、両動作に共用される演算増幅器ＯＰ１を有する増幅回路ＡＰと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 光電変換装置において、保護絶縁膜の構造を変えることなく、入射光の波長に対しての出力の波（リップル）を低減する。
【解決手段】 本発明は上記課題に鑑み、複数の光電変換領域と、前記複数の光電変換領域上に配された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に接して配された、該層間絶縁膜とは異なる屈折率を有する保護絶縁膜と、を有する光電変換装置において、各光電変換領域の受光面に配された凹部と、該凹部を埋め込む埋込領域とを有し、前記凹部の深さｄは各第一半導体領域への入射光の波長をλとし、前記埋込領域の屈折率をｎとしたとき、ｄ≧λ／４ｎであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子ズーム倍率を変更する場合に、滑らかな電子ズーム倍率の変更を実現する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】フレーム毎にリセット走査を行って画素部に２次元配置された複数の光電変換素子を行単位で選択して蓄積された電気信号をリセットし、フレーム毎に読み出し走査を行って画素部の複数の光電変換素子を行単位で選択して蓄積された電気信号を画素信号として読み出す固体撮像装置にて、フレームＮ−１の読み出し走査が直後のフレームＮのリセット走査を追い越すか否かを判定し、追い越すと判定されたときにはフレームＮ−１の読み出し走査とフレームＮのリセット走査が重ならなくなるようにフレームＮのリセット走査に係る制御を行うようにして、電子ズーム倍率を変更する場合に、常に均一な画像が得られ滑らかな電子ズーム倍率の変更を実現できるようにする。 （もっと読む）

【課題】保持部の電極を駆動する際に、垂直制御回路の電源に流れる電流を低減することができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】全行の開始時刻と終了時刻をそれぞれそろえて露光を行うグローバル露光動作を行う固体撮像装置であって、２次元行列状に配列される複数の単位画素（１０１）を有し、前記単位画素は、光電変換により画素信号を生成する光電変換部（１３１）と、前記光電変換部により生成された画素信号を保持するための保持部（１３５）と、前記光電変換部により生成された画素信号を前記保持部に転送するための保持部ゲート電極（１３４）とを有し、さらに、同一行の前記単位画素内の前記保持部ゲート電極に共通に接続される第１の制御線と、前記単位画素をリセットするための垂直制御回路（１０８）と、前記第１の制御線に接続され、前記垂直制御回路には接続されずに独立した第１の駆動線とを有する。 （もっと読む）

【課題】 転送トランジスタからの暗電流を抑制しつつ、第２の半導体基板の低電源圧化を両立する。
【解決手段】 本発明は、画素配列と複数の画素からの信号が読み出される複数の共通出力線と、複数の転送トランジスタを順次駆動するための転送用走査部と、前記共通出力線へ出力された信号を処理する信号処理部と、を有し、前記画素配列が第１の半導体基板に配され、前記複数の共通出力線及び前記信号処理部が第２の半導体基板に配された固体撮像装置であって、前記転送トランジスタのゲートに供給されるパルスの振幅を、前記第２の半導体基板に配された前記信号処理部を構成するトランジスタのゲートに供給される振幅よりも大きくするためのレベルシフト部を有し、該レベルシフト部が前記第１の半導体基板に配されている。 （もっと読む）

ＣＭＯＳ製造プロセスとナノワイヤ製造プロセスとを結合してアクティブピクセル配列としてイメージングデバイスを形成する。配列内のピクセルはナノワイヤを囲む単一または複数のフォトゲートを含む。フォトゲートは、ナノワイヤのポテンシャルプロファイルを制御し、光生成電荷のナノワイヤ内の蓄積と、信号読み出しのための電荷の転送を可能とする。各ピクセルは、リセットトランジスタ、電荷転送スイッチトランジスタ、ソースフォロワー増幅器、およびピクセルセレクトトランジスタを含む読み出し回路を備えても良い。ナノワイヤは一般に、ナノワイヤの先端に衝突する光エネルギーを受けるためにバルク半導体基板上で垂直ロッドとして構成される。ナノワイヤは、光検出器、または光線をバルク基板に導くように設定された導波管、のいずれかとして機能するよう設定しても良い。ここでの実施形態では、ナノワイヤフォトゲートおよび基板フォトゲートの存在によって波長の異なる光を検出することができる。

（もっと読む）

【課題】アンプトランジスタの実効的なゲート容量を、そのゲート面積を変えることなく抜本的に削減することが可能で、総合的な寄生容量を大幅に削減することが可能な撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】画素２００は、埋め込み型フォトダイオード１１１と、アンプトランジスタ１１４と、フォトダイオード１１１で光電変換された電荷をアンプトランジスタ１１４のゲートに転送する転送トランジスタ１１２と、を含み、アンプトランジスタ１１４は、ゲートを入力とし、ソースを出力とするソースフォロワ回路を形成し、少なくとも埋め込み型フォトダイオードおよび転送トランジスタが形成されている第１の半導体基板２０２から電気的に分離された第２の半導体基板２０６内に形成され、アンプトランジスタの基板は、アンプトランジスタのソースに接続されている。 （もっと読む）

【課題】画素領域を分割することなく、画素信号を複数行から同時に読み出せるようする。
【解決手段】垂直信号線Ｖｓｉｇ１ａ〜Ｖｓｉｇ４ａ、Ｖｓｉｇ１ｂ〜Ｖｓｉｇ４ｂをカラム方向に画素ＰＸごとに互いに交差させてそれぞれ配置し、垂直走査回路１１は、互いに隣接する２個の画素ＰＸから各列の２本の垂直信号線Ｖｓｉｇ１ａ〜Ｖｓｉｇ４ａ、Ｖｓｉｇ１ｂ〜Ｖｓｉｇ４ｂに同時に画素信号がそれぞれ読み出されるように水平制御線Ｌ１〜Ｌ４を選択する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の光電変換効率を向上する。
【解決手段】固体撮像装置１は、受光面４１に複数の光電変換部６１が形成された半導体基板１１と、光電変換部６１についての半導体基板１１の他面側に形成された反射部３１とを有する。複数の光電変換部６１は、受光面４１に入射する光についての複数の色成分毎に設けられる。反射部３１は、複数の色成分のうちで光電変換領域が他の色成分より深い光電変換部６１Ｒに対して、他の色成分の光電変換部６１Ｂ，６１Ｇよりも多くの光を反射するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素サイズの微細化に伴う飽和信号量のばらつきを抑制できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】画素共有単位がアレイ状に配列された画素部と、画素共有単位の各転送トランジスタの転送ゲート電極に接続されて、上面から見て水平方向に延長しかつ垂直方向に並行して配列された転送配線３５〜３８を有する。さらに、上面から見て画素共有単位内の所要の転送配線に隣接して、転送配線と並行して配列された並行配線５７〜６０を有する。そして、並行配線に、転送ゲート電極の電位変動を抑制する電圧が供給される。 （もっと読む）

【課題】基板上に設けられた光電変換膜に均一な電圧を印加することができる固体撮像素子及び撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像素子３０は、上部電極１６と下部電極１４との間に電界を生じさせるための電圧を上部電極１６に供給する配線部２４と、を備え、下部電極１４と光電変換膜１５と上部電極１６とを含む光電変換素子Ｐが配列されている領域をセンサ領域Ｓとしたとき、センサ領域１以外の領域を周辺領域とし、周辺領域には、配線部２４と上部電極１６とを接続する接続部２２を複数有し、接続部２２がそれぞれセンサ領域Ｓに対称に設けられ、センサ領域Ｓが光電変換膜１５の中央に位置する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、固体撮像素子の実装面積を縮小可能な固体撮像素子を提供することを目的とする。
【解決手段】光が照射される基板上の受光領域１０ａにおいて、行列状に配置された複数の光電変換部１１と、行方向に並設され、各光電変換部１１の信号電荷を列単位で垂直転送し、また、基板上の遮光膜に覆われたＯＢ領域１０ｂにおいて、行方向に並設され、暗電流に相当する基準電荷を、垂直転送部１２に同期して垂直転送する複数の垂直転送部１２と、各垂直転送部１２から読み出される信号電荷と基準電荷とを水平転送する水平転送部とを備え、ＯＢ領域１０ｂの全部または一部において、隣り合う垂直転送部１２同士の間隔が、受光領域１０ａの隣り合う垂直転送部１２同士の間隔よりも狭い。 （もっと読む）

【課題】露光領域から遮光領域へのブルーミングを抑制する。
【解決手段】画素が垂直方向と水平方向に２次元配列され、露光領域と遮光領域とを備える画素アレイ部１１を有する、ローリングシャッタ方式のイメージセンサにおいて、制御部１４は、画素アレイ部１１において、露光領域と遮光領域との境界と平行に並ぶ画素列であって、境界を含む複数の画素列である境界画素列のアドレスを設定し、アドレスが設定された境界画素列に、所定の時間間隔でシャッタを行わせる。本発明は、例えば、CMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を抑えたグローバル動作が可能な固体撮像素子を得られるようにする。
【解決手段】固体撮像素子は、行列状に配置され、それぞれが受光量に応じた電気信号を出力する複数の画素を有する画素回路１と、列ごとに設けられ、対応する列の複数の画素から出力される電気信号を順次転送する複数の列信号線と、列ごとに設けられ、対応する列の列信号線を通して画素から転送された電気信号を保持する第１の保持回路２と、第１の保持回路２からの出力信号を保持する第２の保持回路５とを有している。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサー及びその動作方法を提供する。
【解決手段】複数のピクセルを含むピクセルアレイを備え、複数のピクセルのそれぞれは、入射光のエネルギーによって電圧−電流特性が変化し、入射光のエネルギーにより決定される感知電流を生成する光感知部、複数のピクセルのうち少なくとも一つのピクセルをリセットするリセット信号によって活性化して基準電流を生成するリセット部、及び感知電流及び基準電流を電圧に変換して感知電圧及び基準電圧を生成する変換部を備えるイメージセンサー。 （もっと読む）

【課題】高解像度でかつ高Ｓ／Ｎ比の画像を取得すること。
【解決手段】本発明の赤外線撮像装置は、被写体の撮影時に、被写体からの赤外光を集光する赤外線レンズと、画素ごとに設けられたボロメータを具備し、前記赤外線レンズにて集光された赤外光を画像信号としてボロメータにより１画素ずつ検知する赤外線センサと、Ｎ（Ｎは２以上の自然数）直列Ｎ並列にＮ×Ｎ個のボロメータを接続し、Ｎ×Ｎ個のボロメータで検知されたＮ×Ｎ画素分の画像信号を連結画像信号として読出し、当該読出し動作を所定の時間間隔で１画素ずつシフトさせながら繰り返す読出し処理部と、前記連結画像信号による連結画像ごとに、当該連結画像の連結画像信号と当該連結画像に重なり合う周辺の連結画像の連結画像信号とを用いて超解像処理を行う超解像処理部と、を有する。 （もっと読む）

本発明の例示の実施形態によれば、電磁放射線を検出する検出器ユニット３０１が提供されることができる。検出器ユニット３０１は、衝突する電磁放射線を電荷キャリアに変換するように適応される変換材料３３２を有しうる。更に、検出器ユニット３０１は、変換された電荷キャリアを収集するように適応される電荷収集電極３３１と、収集された電荷キャリアに基づいて電磁放射線を評価するように適応される評価回路３１２、３１３、３１４と、を有する。更に、検出器ユニット３０１は、電荷収集電極３３１と評価回路３１２、３１３、３１４との間に電気的に結合されることができる半導体３７１を有しうる。
（もっと読む）

【課題】 本発明は、画素内に電荷保持部を有する固体撮像装置において、電荷保持部への電荷混入を抑制するとともに、画素間の混色を低減することを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部１０１、電荷保持部１０２と、フローティングディフージョン１１４と、転送部１０３を含んで構成される転送部と、を有する画素を複数備え、保持部下分離層１１１と、画素分離層１１７とを有している。画素分離層１１７の光電変換部側の端部が、保持部下分離層１１１の光電変換部側の端部に比べて、光電変換部から離れた位置にあり、保持部下分離層１１１の少なくとも一部の下部に前記光電変換部の一部を構成するＮ型の半導体領域が配されている。 （もっと読む）

【課題】感度比を一定にし、Ｓ／Ｎ比を向上させる。
【解決手段】基準となる緑色フィルタ付き画素（Ｇ画素）の蓄積時間が、所定の閾値以下である場合、色毎のゲインによる感度比の調整が行われる。Ｇ画素の緑色フィルタ付き画素の蓄積時間が所定の閾値より大きかった場合、設定された感度比から赤色フィルタ付き画素（Ｒ画素）と青色フィルタ付き画素（Ｂ画素）の蓄積時間が算出され、その算出値が最大設定値以下である場合、色毎の蓄積時間で感度比の調整が行われる。一方、算出された蓄積時間が最大設定値より大きい場合、色毎の蓄積時間と色毎のゲインを組み合わせて感度比が調整される。本発明は、固体撮像素子を含むカメラに適用できる。 （もっと読む）