【課題】画像を得るための一連の動作中に、ライブビュー用の画像の更新を行うことができる。
【解決手段】撮像素子上に配置された各画素内に設けられた複数の電荷蓄積部のうちの第１の電荷蓄積部から静止画用信号を読み出す一方、前記複数の電荷蓄積部のうちの第２の電荷蓄積部から動画用信号を読み出す読出し部と、前記第１の電荷蓄積部から前記静止画用信号をｎ回（ｎは２以上の整数）に分けて読み出すにあたって、前記静止画用信号の読出し期間よりも前または後のタイミングにおいて、前記第２の電荷蓄積部から動画用信号を読み出すよう制御する読出し制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＤＳによるノイズの抑圧効果を増大させつつ、信号レベルの増幅率を切り替える。
【解決手段】サンプルホールド信号変換回路４−１は、増幅率Ａ１で増幅された各画素ＰＣの信号から第１の基準レベルおよび第１の信号レベルをサンプリングし、各画素ＰＣの信号成分を相関２重サンプリングにて検出し、サンプルホールド信号変換回路４−２は、増幅率Ａ２で増幅された各画素ＰＣの信号から第２の基準レベルおよび第２の信号レベルをサンプリングし、各画素ＰＣの信号成分を相関２重サンプリングにて検出する。 （もっと読む）

【課題】散乱光による画像のぼやけを抑制するイメージセンサ及び撮像装置を提供する。
【解決手段】結像面４２に垂直な光電界成分より前記結像面に並行な光電界成分に弱く応答する第１光検出器３８と、前記第１光検出器の一面に設けられ且つ応答の偏波依存性が前記第１光検出器より小さい第２光検出器４０とを有する画素と、前記第１光検出器の出力信号に基づく第１画素信号と、前記第２光検出器の出力信号に基づく第２画素信号とを前記画素から読み出す周辺回路部を備える。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器の放射線検出素子が欠陥画素か否かを的確に判定することが可能な欠陥画素判定方法、欠陥画素判定プログラム、放射線画像検出器及び欠陥画素判定システムを提供する。
【解決手段】２次元状に配置された複数の放射線検出素子（ｘ，ｙ）を備える放射線画像検出器１における欠陥画素判定方法であって、キャリブレーション時に複数回行われたダーク読取及び／又は放射線画像撮影に際して１回以上行われたダーク読取において得られた一の放射線検出素子（ｘ，ｙ）から出力されたダーク読取値ｄ_ｍ（ｘ，ｙ）と、予め定められた閾値ｄ_ｍthとを比較し、当該放射線検出素子（ｘ，ｙ）から出力された少なくとも１つのダーク読取値ｄ_ｍ（ｘ，ｙ）が閾値ｄ_ｍthよりも大きい場合に、当該放射線検出素子（ｘ，ｙ）を欠陥画素と判定する。 （もっと読む）

【課題】信号線方向に対して２分割構造を有する平面検出器において、分割面の双方でオフセット値がずれにくく、画像劣化を生じにくくする。
【解決手段】放射線平面検出器１０は、信号線がそれぞれ、行方向に沿って仮想的に形成された信号線分割線により分割された構造の放射線センサ３１と、ゲート線毎に順次駆動電圧を印加するゲート駆動回路３と、駆動電圧が印加されゲートをＯＮにされた任意の１本のゲート線と接続された画素群に接続される信号線を介して画像信号情報を読み取るとともに、全てのゲート線に駆動電圧を印加せずにゲートをＯＦＦにされた状態で信号線毎に当該信号線に接続された全ての画素からリーク信号情報を読み取る信号読取回路４と、画像信号情報をリーク信号情報に基づいて補正処理する画像処理回路８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電磁放射検出デバイスを提供する。
【解決手段】電磁放射検出デバイスは、一つ以上のサブアセンブリ（３００）にまとめられた複数の基本検出器（３２、３２０）を含む。各サブアセンブリは複数の基本検出器（３２、３２０）を含む。各基本検出器（３２、３２０）は、相互接続部（３２．１、３２０．１）によってインピーダンス整合デバイス（３３）に接続されている。そして、インピーダンス整合デバイス（３３）が、単一のサブアセンブリ（３００）の全ての基本検出器（３２、３２０）に共通であり、各サブアセンブリ（３００）において、相互接続部（３２．１、３２０．１）が略同一の抵抗値を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の画素でトランジスタ等を共有しても、画素自体の特性を落とすことなく、画素毎のばらつきを抑制することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】各画素に設けられた光電変換領域１７と、各画素の光電変換領域１７に対して設けられた転送トランジスタ１１と、複数の画素の光電変換領域に対して共通に形成されたトランジスタ（リセットトランジスタ１２、増幅トランジスタ１３、選択トランジスタ１４）と、光電変換領域１７の、転送トランジスタ１１の転送ゲートＴＧとは反対側の部分上に形成された、絶縁材から成るダミー２１を含む、固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において画像としての不自然さを発生させずに、ダイナミックレンジを拡大する。
【解決手段】半導体基板にマトリクス状に配置された赤画素Ｒ１，Ｒ２、緑画素Ｇ１，Ｇ２、青画素Ｂ１，Ｂ２及び白画素Ｗ１，Ｗ２に区分してフォトダイオードが形成されており、赤画素、緑画素及び青画素の各形成領域に、赤色、緑色及び青色の波長領域の光をそれぞれ透過するカラーフィルタが形成されており、少なくとも一部の白画素Ｗ１の形成領域のフォトダイオードに対する光入射路において半導体基板上に、あらかじめ決められた波長領域での入射光強度に応じて光透過率が変動するフォトクロミック材料を含むフォトクロミック膜が形成されており、画素において得られる画素信号が全画素に対して読み出される期間である１フレームより、フォトクロミック膜の光透過率の半減期が短い構成とする。 （もっと読む）

【課題】 電子増倍率を正確に測定可能な電子増倍率の測定方法を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子１０を備える電子増倍型撮像装置１において、予め設定された所定の電子増倍率で、第１光量の入射光による第１増倍画像と、第２の光量の入射光による第２増倍画像と、を取得し、第１増倍画像に含まれる画素の輝度平均値及び輝度分散平均値と、第２増倍画像に含まれる画素の輝度平均値及び輝度分散平均値と、を算出する。そして、算出した輝度平均値及び輝度分散平均値を用いて、第１及び第２増倍画像の変換係数を算出し、算出した変換係数と、予め保持する基準電子増倍率における変換係数と、を用いて固体撮像素子１０の実際の電子増倍率を算出する。 （もっと読む）

【課題】単位画素列を構成する各列の画素で１つの読出部を共有した場合であっても、各列の画素に同一フレームの画素信号を出力させる。
【解決手段】画素列２１＿Ｂ，２１＿Ｇ，２１＿Ｒは、それぞれ、隣接する２列の画素ＧＥ毎に１個の単位画素列２２＿Ｂ，２２＿Ｇ，２２＿Ｒを構成している。読出部５３は、各単位画素列２２に対応して複数設けられ、奇数列の画素ＧＥ＿Ｏとそれに隣接する偶数列の画素ＧＥ＿Ｅとによって共有されている。偶数列の画素ＧＥ＿Ｅは、奇数列の画素ＧＥ＿Ｏに対して、垂直方向下向きにＯ＝（１／８）・Ｐ＝（１／６）・Ｗずらして配置されている。 （もっと読む）

【課題】 リセット動作を高速で行うことが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る固体撮像装置は、複数の画素が行列状に配される。複数の画素のうち、並列に読み出されない２つの画素を、便宜的に第１の画素及び第２の画素とする。第１のリセット電源線と第１の画素に含まれる増幅トランジスタの制御電極との間の電気的経路に第１のリセットトランジスタが配される。第１の画素に含まれる増幅トランジスタの制御電極と、第２の画素に含まれる増幅トランジスタの制御電極との間の電気的経路に第２のリセットトランジスタが配される。第２の画素に含まれる増幅トランジスタの制御電極と第２のリセット電源線との間の電気的経路に第３のリセットトランジスタが配される。 （もっと読む）

【課題】低い照射量、例えば、暗視や短いシャッタ時間などの微光条件でのイメージングでの使用に適した良好な方法および素子を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのトランジスタを含む画素が提供され、画素は、読み出し段階のとき、少なくとも１つのトランジスタを、２つ又はそれ以上のバイアス状態の間、例えば、反転と蓄積の間で循環させるように構成される。少なくとも２つのバイアス状態の間の循環に起因して、読み出した信号の１／ｆノイズの時間に関する相関が破壊される。多重サンプルを取って、ある演算子を該サンプルに適用すると、１／ｆノイズの影響を任意の低いレベルに低減できる。 （もっと読む）

【課題】
画素毎に固定した増幅器が割り当てられる撮像素子において、MOSFETの特性バラつきによる各増幅器の特性差を測定する際に、光を均一に当てるテスタを用いずに測定する手段を提供する。
【解決手段】
フォトダイオード1に蓄積された電荷をキャパシタ3に蓄積する代わりに、電荷注入スイッチ8を用いてキャパシタ3に電荷を蓄積する。 （もっと読む）

【課題】Ａ／Ｄ変換部の温度特性に関わらず、常に所定のダイナミックレンジで撮像することができる撮像装置および撮像装置の温度特性補正方法を提供することができる。
【解決手段】撮像光学系で結像された被写体像を撮像する撮像素子と、撮像された被写体像をデジタルの撮像データに変換するアナログデジタル（Ａ／Ｄ）変換部とを備えた撮像装置において、Ａ／Ｄ変換部のＡ／Ｄ変換特性を検出するＡ／Ｄ変換特性検出部と、Ａ／Ｄ変換特性検出部の検出結果に基づいて、Ａ／Ｄ変換部のＡ／Ｄ変換特性を基準Ａ／Ｄ変換特性に近づけるように補正するＡ／Ｄ変換特性補正部とを備えることで、Ａ／Ｄ変換部の温度特性に関わらず、常に所定のダイナミックレンジで撮像することができる撮像装置および撮像装置の温度特性補正方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】面内の大きな特性の揺らぎ（面内分布）の差異や、寄生容量の大きさに依存したオフセット成分を効果的に除去することを可能にする。
【解決手段】電荷検出部（ＦＤ部）に保持、もしくは、蓄積されている信号電荷を信号レベルＶ_sigとして読み出し、次いで、ＦＤ部４２を所定電位にリセットして当該所定電位をリセットレベルＶ_rstとして読み出すＤＤＳ駆動において、単位画素から先に読み出される信号レベルＶ_sigをＡＤ変換回路２３の変換可能な入力電圧範囲の基準電圧として用いる。そして、信号レベルＶ_sig及びリセットレベルＶ_rstが入力電圧範囲内に入るように基準電圧を調整した状態でＡＤ変換を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】 発熱や誤作動などの問題を低減しつつ、信号の読み出しを高速化できる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】 光電変換により生じた信号を出力する複数の画素と、基準信号を発生する基準信号発生部と、任意の画素に基づく信号と基準信号との比較結果に基づいて、任意の画素に基づく信号と、その画素と近接する同色の画素に基づく信号との差分信号に相当するパルス信号を演算する演算部とを備える。 （もっと読む）

【課題】温度測定手段を容易に配設して、ダーク信号量を正確に求めて撮像を行うことができる撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｘ線変換層２３などを保持するベース板４１に温度センサ１０を配設し、Ｘ線変換層２３周辺の温度を複数に測定して、Ｘ線変換層２３周辺の温度に関する面内分布情報を温度センサ１０は得る。したがって、温度センサ１０が設けられた箇所から離れた領域においても温度を正確に求めることができ、ダーク信号量とそのダーク信号量が得られたときのＸ線変換層２３周辺の温度に関する面内分布情報との相関関係、および温度センサ１０で測定されたＸ線変換層２３周辺の温度に関する面内分布情報に基づいて、ダーク信号量算出の機能はダーク信号量を正確に求めることができる。 （もっと読む）

【課題】偽信号を抑制することができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換により画素信号を生成する複数の画素（２０１ａ〜２０１ｃ）と、前記複数の画素により生成された画素信号が出力される複数の信号出力線（２０４ａ〜２０４ｃ）と、前記信号出力線毎に設けられ、前記複数の信号出力線の画素信号を増幅する複数の増幅器（２０６）とを有し、前記増幅器は、同一の電圧ノード（ＶＢＬ）にゲート電極が接続される第１及び第２の電界効果トランジスタと、前記電圧ノードと前記第１及び第２の電界効果トランジスタのゲート電極との間に接続される第１の配線とを有し、前記第１及び第２の電界効果トランジスタは、前記複数の増幅器が配列される方向に対して垂直方向に配列され、前記第１の配線の材料は、前記第１及び第２の電界効果トランジスタのゲート電極の材料より抵抗率が小さいことを特徴とする固体撮像装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた半導体光検出素子であって、近赤外を含む波長帯域に実用上十分な感度特性を有する半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子１Ａは、半導体層２０と、半導体層２０上に成長し且つ半導体層２０よりも低い不純物濃度を有するエピタキシャル半導体層２１と、を有するシリコン基板２と、エピタキシャル半導体層２１の表面上に設けられた導体（フォトゲート電極ＰＧ、第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２、コンタクト電極１１、及びパッド電極１３）と、を備えている。エピタキシャル半導体層２１には、光感応領域（フォトゲート電極ＰＧ直下の領域）が形成されており、半導体層２０における少なくとも光感応領域に対向する表面２ＢＫには、不規則な凹凸２２が形成されている。不規則な凹凸２２は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】光電変換により生成された複数の輝度値を含む画像の撮像信号において、太陽などの高輝度被写体の色または輝度の値を補正する。
【解決手段】信号処理装置４は、光電変換により生成された複数の輝度値を含む画像の撮像信号が入力される入力部６１と、撮像信号の画像において輝度値が判定値Ｓｏｐｂ以下となっている高輝度部分を判断する判断部６３と、高輝度部分の輝度値を、判定値Ｓｏｐｂより大きい輝度値に補正する補正部６３とを有する。 （もっと読む）