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Fターム[4M118DD10]の内容

固体撮像素子 (108,909) | 転送電荷検出 (5,763) | 回路構成 (3,414) | 差動回路 (329)

Fターム[4M118DD10]に分類される特許

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【課題】CMOS型イメージセンサを用いた撮像装置において、高輝度光が入射したときの横筋状又は横帯状のノイズの発生を抑制する。
【解決手段】複数の画素が二次元に配列され、光を受光する開口画素領域と、基準となる遮光されたオプティカルブラック領域とを含むCMOS型の撮像素子と、撮像素子の開口画素領域の特定の領域が高輝度被写体からの光を受光している場合の撮像素子の出力から得られる情報を予め記憶する記憶部と、開口画素領域の特定の領域が高輝度被写体からの光を受光しているか否かを判定する判定部と、判定部により特定の領域が高輝度被写体からの光を受光していると判定された場合に、記憶部に記憶された情報に基づいて、撮像素子からの出力を補正する補正部とを備える。 (もっと読む)


【課題】従来の縦筋状のムラの補正処理では、補正と同時にランダムノイズを画像信号に足してしまい、ランダムノイズの増加の弊害を招く。
【解決手段】撮像装置は、縦筋状のムラの補正処理に用いる遮光状態での光電変換動作で生じた信号の読み出し動作において、少なくとも撮像素子の画素信号の転送手段の信号転送速度と画素信号処理の信号処理ゲインを変更するランダムノイズが低減するように変更する。 (もっと読む)


【課題】ランプ信号の生成に容量帰還型アンプを用いても、良好なAD変換精度でAD変換を行うことができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】2次元状に配列された複数の画素と、列毎に配置され画素からの信号を増幅する増幅回路と、ランプ信号を生成する参照信号発生回路と、ランプ信号及び増幅回路からの出力を用いて、画素からの信号をAD変換するAD変換回路とを備え、増幅回路が有する容量帰還型アンプ及び参照信号発生回路が有する容量帰還型アンプにて同じ構造の帰還容量を用い、かつ帰還容量と増幅器との接続関係を同じにするようにして、増幅回路及び参照信号発生回路のそれぞれの帰還容量のキャパシタンスの電圧依存性を等しくし、AD変換精度を向上させる。 (もっと読む)


【課題】ノイズによる影響を抑制する。
【解決手段】光検出回路と、差分データ生成回路と、データ入力選択回路と、を具備する。光検出回路は、光データ信号を生成する機能を有する。また、差分データ生成回路は、第1のデータ信号及び第2のデータ信号が入力され、第1のデータ信号のデータと第2の信号のデータとの差分データを生成する機能を有する。また、データ入力選択回路は、光データ信号のデータを、第1のデータ信号のデータみなすか第2のデータ信号のデータとみなすかを決定する機能を有する。 (もっと読む)


【課題】 S/N比の向上ならびにダイナミックレンジを拡大することのできる撮像システムを提供することを目的とする。さらに、これに適した撮像システムの駆動方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 行列状に配列された複数の画素と、複数の画素の各列に設けられた列増幅部と、列増幅部で増幅されたことに基づく画像信号を出力する出力部と、を有する固体撮像素子と、画像信号を受ける信号処理部と、を備える撮像システムにおいて、列増幅部は、画素から出力される一の信号を1よりも大きいq倍のゲインで増幅し、信号処理部はq倍のゲインで増幅されたことに基づく画像信号に対して、1を下回る倍率をかける。 (もっと読む)


【課題】ランダムノイズの影響を低減した撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】入射光に応じて発生した電荷を蓄積して信号を出力する複数画素の有効画素領域及び入射光に依存しない信号を出力する複数画素の非有効画素領域を含む画素部と、前記画素部の画素の列毎に設けられる複数の垂直信号線と、前記画素部の画素を行単位に走査して選択することにより前記選択された同一行の画素の信号を前記複数の垂直信号線に出力させる垂直走査回路と、前記複数の垂直信号線の信号を走査して選択することにより前記選択された垂直信号線の信号を出力させる水平走査回路とを有し、前記垂直走査回路は、1フレームの間に前記有効画素領域の同一行の画素を行単位で1回選択し、1フレームの間に前記非有効画素領域の同一行の画素を行単位で複数回選択することを特徴とする撮像装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】1フレームの画像を撮像するための時間を長くすることなく、暗電流による画質劣化を低減する。
【解決手段】撮像装置は、互いに近接する第1及び第2の光電変換部PDA,PDBの組を複数有する撮像素子4と、前記各組の第1の光電変換部PDAを同時に一旦リセットしてから前記各組の第1及び第2の光電変換部PDA,PDBを露光した後に、前記各組の前記第1の光電変換部PDAをリセットすることなく前記各組の第2の光電変換部PDBを同時に一旦リセットした後、前記各組の第1及び第2の光電変換部PDA,PDBに蓄積された信号を読み出す制御を行う制御手段と、を備える。 (もっと読む)


【課題】光の検出範囲が狭くなることを抑制する。
【解決手段】入射する光の照度に応じて値が設定される第1の光データ信号及び第2の光データ信号を出力する光検出回路と、第1の光データ信号及び第2の光データ信号が入力され、第1の光データ信号及び第2の光データ信号を用いて演算処理を行うアナログ演算回路と、アナログ演算回路における演算処理として、第1の光データ信号及び第2の光データ信号の加算処理を行うか、第1の光データ信号及び第2の光データ信号の減算処理を行うかを切り替える切替回路と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】雑音が小さい積層型の固体撮像装置を実現できるようにする。
【解決手段】固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素11と、列ごとに形成された垂直信号線141と、垂直信号線と接続された負荷部23とを備えている。画素11は、増幅トランジスタ113、アドレストランジスタ115、リセットトランジスタ117及び光電変換部111を有している。光電変換部111は、半導体基板の上に形成された光電変換膜と、光電変換膜の基板側の面に形成された画素電極及び光電変換膜の画素電極と反対側の面に形成された透明電極とを含む。リセットトランジスタ117は、ソースが画素電極と接続され、ドレインが増幅トランジスタ113のドレインと共に電源線と接続され、負荷部23は、負性抵抗23Bを含む。 (もっと読む)


【課題】光の左右比の検出精度の低下が抑制された光センサ、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板(10)に受光素子(20)が形成され、受光素子(20)の形成面(10a)上に、透光膜(30)を介して遮光膜(40)が形成され、遮光膜(40)に透光用の開口部(50)が形成された光センサであって、仮想直線(VL)を介して線対称の関係にある一対の受光素子(21,22)及び一対の開口部(51,52)を有し、形成面(10a)に直交する高さ方向に沿う光を、開口部(51,52)を介して受光素子(21,22)に照射した際に、一対の受光素子(21,22)から出力される出力信号に基づいて、高さ方向に沿う光が開口部(51,52)を介して受光素子(21,22)に入射した際に出力される一対の受光素子(21,22)の出力信号が互いに一致するように、各出力信号を補正する。 (もっと読む)


【課題】局所的な太陽光やスポット光などの強烈光を受光したときに起こるOB画素領域の信号レベル(黒基準信号)のズレを防止する。
【解決手段】OB画素領域3,4に対応した水平転送部HCCDのみを電荷転送することにより、太陽光などの強烈光を受光した際に起こる余剰電荷の溢れ出しによる信号レベルの変動がクリーニングされて無信号化されて電荷検出部5に検出される。即ち、強烈光に影響されない真のOB画素領域信号(黒基準信号)を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置に含まれる信号処理回路の増幅率を大きくするために、入力容量を大きい値とする、帰還容量を小さい値とする、もしくはその両方の手法があるが、容量値を大きくすることはチップ面積の増大をもたらし、容量値を小さくすることは製造ばらつきをもたらしうる。
【解決手段】帰還容量に代替して、第1容量素子および第2容量素子が直列に配置され、第1容量素子と第2容量素子とを接続する経路と基準電位との間に第3容量素子が配置されたフィードバック回路を採用する。 (もっと読む)


【課題】S/Nを向上しつつ、ダイナミックレンジを広くする。
【解決手段】固体撮像装置10は、光電変換素子21と、光電変換素子21から信号電荷が転送される浮遊拡散層26とを有する複数の単位画素20が行列状に配置された画素アレイ部11と、画素列ごとに設けられ、かつ単位画素20から信号を読み出すための複数の信号線30と、画素列ごとに設けられ、かつ浮遊拡散層26と容量結合する複数の容量配線40と、複数の信号線30と複数の容量配線40との接続を切り替える複数のスイッチ素子42と、複数の容量配線40と電源線41との接続を切り替える複数のスイッチ素子43とを含む。 (もっと読む)


【課題】 モジュール当たりのPD数の減少が抑制されたフォトダイオードアレイモジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第1半導体基板1と第2半導体基板2とは材料が異なるため、互いに異なる波長帯域の入射光に対して感度を有する。フォトダイオードアレイの各フォトダイオードは、第1半導体基板1のアンプに接続されている。この方法によれば、第2半導体基板2をエッチングした後に、そのエッチング溝の最深部をダイシングすることで、第2半導体基板2をウェハから分離している。エッチングによって現れる側面内の結晶欠陥密度は、ダイシングによって現れる側面内の結晶欠陥密度よりも小さい。第2半導体基板2の端部に位置するフォトダイオードは、取り除く必要が無いので、フォトダイオード数の減少を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】CCD固体撮像素子を用いた固体撮像装置において、白キズ等のCCD固体撮像素子の暗電流の影響を受けない様に、垂直スメアを低減する。
【解決手段】固体撮像素子の受光面の有効画素より先に読み出す4ラインの垂直遮光画素から取得した信号の画面垂直方向の暗電流むらを補正してから、垂直遮光画像4ラインの各垂直画素信号の最小値から2番目の値を算出し、垂直スミア補正信号として記憶し、画像AGCに合わせて利得を可変して固体撮像素子の受光面の有効画素から出力されるAGC後の画像信号から減算する。また、前記固体撮像素子から出力される信号を14ビットにA/D変換して前記代表値信号を算出して15/16に減衰して、前記固体撮像素子の受光面の有効画素から出力される画像信号から減算する。 (もっと読む)


【課題】受光量の変化にともなう温度変化を抑制できる赤外線固体撮像素子及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】赤外線固体撮像素子20は、赤外線を検出する複数の赤外線検出画素21aが2次元方向に配列された画素エリア21と、画素エリア21から映像信号を読み出して映像信号出力線41に出力する読み出し回路22,23とを有する。読み出し回路22,23は、更に所定のタイミングで温度センサ13の出力を映像信号出力線41に出力する。 (もっと読む)


【課題】熱雑音を除去することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】行列状に配置され、フォトダイオードと浮遊拡散層とを有し、初期化された浮遊拡散層に対応する第1初期化信号と、受光量に応じた第1映像信号とを出力する複数の画素回路1aと、列毎に設けられ、複数の画素回路からの第1初期化信号と第1映像信号とを転送する列信号線と、列信号線を通して対応画素回路から転送されてくる第1初期化信号と第1映像信号を保持する複数の第1保持回路2aと、列毎に設けられ、第1保持回路と列信号線とに接続された差分回路とを備える。 (もっと読む)


【課題】衝撃ノイズによる誤動作を防止しつつ、X線の照射開始を自己検出する。
【解決手段】画素37を制御するための走査線47が行毎に、信号電荷を読み出すための信号線48が列毎に配設された撮像領域51を有するFPD25と、蓄積動作と読み出し動作とを行わせるゲートドライバ52と、X線の照射開始を検出するとともに、X線の照射開始を検出したときに、蓄積動作が開始するようにゲートドライバ52を制御する制御部54と、信号線48のうち少なくとも1本の第1信号線に接続され、TFT43のオンオフの状態に関わらず、X線の入射量に応じた信号電荷を第1信号線に送出する短絡画素62を有し、制御部54は、蓄積動作が開始された後、第1信号線の出力値と第1信号線とは別の第2信号線の出力値に基づいて、照射開始の検出が、X線の照射による正当なものか、ノイズによる誤検出かを判定する。 (もっと読む)


【課題】 FD部を共有する画素構成において、画素によって疑似信号が生じるおそれがあった。
【解決手段】 FD部を共有する複数の画素について、読み出し動作に先立って画素ユニットを非選択状態にした後に選択状態にする動作を行う。 (もっと読む)


【課題】出力特性のばらつきを抑えつつ、遅延効果による課題を解決することができる固体撮像装置、および固体撮像装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】制御部6は、M行のうち或る行を構成する各画素Pm、nの読出用スイッチSWを接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を積分回路Sに入力させ、積分回路Sから出力された電圧値を第1の保持回路HO1、nに保持させたのち、転送用スイッチSW32を接続状態にして該電圧値を第2の保持回路HO2、nに転送し、その後、該電圧値を第2の保持回路HO2、nから順次に出力させる動作と、M行のうち他の行を構成する各画素Pm+1、nの読出用スイッチSWを接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を積分回路Sに入力させる動作とを並行して実施する。 (もっと読む)


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