【課題】カウンタ動作の低速化を抑制しつつ、カウンタ回路の消費電流を低減する。
【解決手段】各カウンタ回路ＣＵ内において、Ｓ個のクロックＣＫ_１〜ＣＫ_ｓによるカウント動作の起動および停止を順次伝播させることで、クロックＣＫ_ｎによるカウント動作が行われている時は、クロックＣＫ_１〜ＣＫ_１−ｎ、ＣＫ_１＋ｎ〜ＣＫ_ｓによるカウント動作を停止させる。 （もっと読む）

【課題】分光光度計において、スペクトルのＵＶ部分、可視部分およびＩＲ部分を検出するために自己走査形フォトダイオードアレイを用いて行われる測定の信号対雑音比を改善する。
【解決手段】自己走査フォトダイオードアレイは、読み出される前に低い信号ピクセルが所定の露光時間ｔ_０の倍数の間、電荷を蓄積することを可能にする。露光のパターン、すなわち整数Ｍ_ｉ（ｉはアレイ内の１からＮまでのピクセル数）は、当該のピクセルが飽和状態を超えずに可能な限り多くの電荷を蓄積するように選択される。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオード(ＰＤ)の感度の低下の軽減を可能としつつ画素の読み出し時間の短縮が可能な裏面照射固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】裏面照射型固体撮像装置は、半導体基板１にフォトダイオード３とＭＯＳトランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３を具備して、このＭＯＳトランジスタは半導体基板の表面に形成され、フォトダイオード３は半導体基板の表面と反対の裏面に照射される入射光ＬＧに応答する。フォトダイオード３の主要部とその近傍の上部には、同一列で複数行同時選択される複数のフォトダイオードＰＤからの複数の信号電圧を転送するための複数の垂直信号線ＶＳＬ１、２、３が形成される。裏面照射型固体撮像装置では、半導体基板の裏面からフォトダイオードへの照射光が入射されるので、画素の読み出し時間の短縮のための複数の垂直信号線ＶＳＬ１、２、３を形成しても、フォトダイオードの感度の低下が生じない。 （もっと読む）

【課題】動作速度を向上させると共に、コストを低減することができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】行列状に配列され、光電変換により信号を生成する複数の画素（１０１）と、前記複数の画素の各列に設けられ、前記複数の画素の信号を第１のゲインで増幅した第１の信号及び前記第１のゲインより大きい第２のゲインで増幅した第２の信号を出力する列増幅部（１０２）と、前記第１の信号又は前記第２の信号のいずれか一方を選択してアナログからデジタルに変換するアナログデジタル変換部（１０８）とを有することを特徴とする固体撮像装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 光電変換領域の面積を減少させることなく、画素ごとに高度な信号処理が可能となる。また信号処理回路の遮光性能が向上する。
【解決手段】 本発明は、画素構成要素における光電変換部及び、転送トランジスタ、電荷保持部の少なくとも一部が第１の半導体基板に配され、増幅トランジスタ、リセットトランジスタ以外の信号処理回路及び、複数の画素からの信号が読み出される複数の共通出力線が第２の半導体基板に配されている。 （もっと読む）

【課題】異なるゲインで増幅した信号を得る場合のゲイン誤差やアナログデジタル変換誤差を低減することができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換により信号を生成する複数の画素（１０１）と、複数の画素の信号又は基準信号入力部（１０７）の基準信号を第１のゲインで増幅した第１の信号及び第２のゲインで増幅した第２の信号を出力する列増幅部（１０２−１，１０２−２）と、第１の信号及び第２の信号をアナログからデジタルに変換するアナログデジタル変換部と、列増幅部が基準信号を増幅した第１の信号及び第２の信号を出力した時、第１及び第２の信号を同じゲインレベルにレベルシフトした後の第１及び第２の信号の間のゲイン誤差を検出する比較部と、列増幅部が複数の画素の信号を増幅した第１の信号及び第２の信号を出力した時、ゲイン誤差を基に第１の信号又は第２の信号を補正する補正部とを有する。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質等を向上する。
【解決手段】半導体層１０１においてフォトダイオード２１が入射光Ｈを受光して信号電荷を生成する。そして、その半導体層１０１において入射光Ｈが入射する一方の面に対して反対側の他方の面の側において、その入射光Ｈのうち、そのフォトダイオード２１を透過した赤外の光を、赤外線吸収部３１が吸収する。 （もっと読む）

【課題】ノイズ成分を低減し、ＦＰＮ補正を精度良く行う。
【解決手段】放射線信号を電荷信号に変換して蓄積する複数の光電変換素子が配置された放射線検出手段を有する放射線撮像装置であって、前記複数の光電変換素子に対する電荷信号の蓄積を制御する蓄積制御手段と、前記複数の光電変換素子に蓄積された電荷信号の読み出しを制御する読み出し制御手段と、前記蓄積制御手段による電荷信号の蓄積制御、及び、前記読み出し制御手段による電荷信号の読み出し制御のうちの少なくとも何れか一方が行われていない期間に、前記放射線検出手段で発生する不定電位の固定化を行う制御手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来技術とは全く異なる構成でＯＢ段差をなくすことが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】互いに隣接して配置される２つの有効画素５１，５２からなる有効画素ペアであって、二次元状に配列された複数の有効画素ペアと、撮像画像信号の黒の基準レベルを検出するためのＯＢ画素５３，５４を含むＯＢ画素群であって、同一行に並ぶ複数の前記有効画素ペアに対応して設けられた少なくとも１つのＯＢ画素群を備え、前記ＯＢ画素群に含まれるＯＢ画素５３，５４は、前記有効画素ペアに含まれる有効画素５１，５２の光電変換領域５１ａ,５２ａと対応する位置に形成される素子領域５３ａ,５４ａの構成が全てのＯＢ画素５１，５２で同じになっていないものである。 （もっと読む）

【課題】撮像画像品質を向上させることが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板６上方に二次元状に配列された複数の画素電極２１と、画素電極２１の上層に形成された抵抗が１００ｋΩ／□以下の透明導電性酸化物で構成される対向電極２３と、画素電極２１と対向電極２３との間に形成された有機材料を含む光電変換層を含む受光層２２と、対向電極２３に印加するバイアス電圧を供給する電圧供給線４と対向電極２３との電気的接続を行う接続部３とを備え、平面視において画素電極２１が配列された略矩形の領域を画素領域２とし、画素領域２のサイズは５インチ以下であり、接続部３は、画素領域２より外側の周辺領域のうち、画素領域２の４辺のうちの少なくとも１辺の近傍で当該１辺に沿った領域、又は、画素領域２の４つの角のうちの少なくとも２つの角の近傍領域に形成され、対向電極２３は接続部３上にまで伸びて形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来の裏面入射型の固体撮像装置においては、撮像面である裏面と反対側の面（表面）から、受光部が設けられた半導体基板内に迷光が入り込む可能性がある。
【解決手段】固体撮像装置１は、半導体基板１０、受光部１４、および遮光膜２０を備えている。固体撮像装置１は、裏面入射型であり、半導体基板１０の裏面Ｓ２に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した電荷を受光部１４で受けて当該被撮像体を撮像する。受光部１４は、半導体基板１０と共にＰＮ接合ダイオードを構成している。半導体基板１０の表面Ｓ１側には、受光部１４を覆うように遮光膜２０が設けられている。この遮光膜２０は、固体撮像装置１の外部から上記表面Ｓ１に入射しようとする光を遮るものである。 （もっと読む）

【課題】面積の増大、制御の複雑化を招くことなく電源投入時のラッシュ電流を的確に抑制することが可能なパワーゲート回路、固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】適用回路１１の基準電位端子と基準電位間および適用回路の電源端子と電源間の少なくとも一方に接続されるパワーゲートスイッチ１２と、パワーゲートスイッチ１２のゲートに接続された容量Ｃ１１と、制御信号に応じてパルス信号をパワーゲートスイッチのゲートに供給するパルス生成部１３と、パワーゲートスイッチをオンにするときに、制御信号をパルス生成部に出力してパルス信号をパワーゲートスイッチのゲートに供給し、容量Ｃ１１に電荷を蓄積させて上記パワーゲートスイッチのゲート電位を、パワーゲートスイッチがオンとなる電位に徐々に近づくように制御するパワーゲート制御部１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】静電気等に対する耐久性を向上するとともに、検査精度を向上し、かつ、検査時間を短縮した積分アンプを提供する。
【解決手段】演算増幅器OP、および、演算増幅器OPの反転入力端子と出力端子との間に接続したサンプリングキャパシタCfを備えた積分回路41を有する。入力端子部INと演算増幅器OPの反転入力端子との電気的接続の開閉を切り換え可能なモードスイッチSWtestを有する。移送キャパシタCT、および、移送キャパシタCTを充放電させるスイッチSW1〜SW4を備えた検査用回路42を有する。検査用回路42は、移送キャパシタCTの放電により、充電した電荷の一部をサンプリングキャパシタCfに送り込む。スイッチSW1〜SW4により移送キャパシタCTを充電させている状態でサンプリングキャパシタCfを放電させる放電スイッチSWinitを有する。 （もっと読む）

【課題】
従来、瞳分割方式に対応する焦点検出装置における検出精度に問題があった。
【解決部】
瞳分割された第１光束を入射して第１焦点検出信号を出力する第１焦点検出用画素と、前記第１光束と対を為す第２光束を入射して第２焦点検出信号を出力する第２焦点検出用画素とを有する焦点検出装置において、前記第１焦点検出用画素および前記第２焦点検出用画素は、入射光量に応じた電子および正孔を蓄積する光電変換部と、前記光電変換部で蓄積された電子量に応じた電気信号を読み出す電子読み出し部と、前記光電変換部で蓄積された正孔量に応じた電気信号を読み出す正孔読み出し部とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】混色の影響を効果的に低減可能とする画像処理装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、画像処理装置は、混色補正部１３を有する。混色補正部１３は、固体撮像素子に配列された対象画素の信号レベルと、対象画素の周辺に位置する周辺画素の信号レベルとを参照する。混色補正部１３は、周辺画素に対応するカラーフィルタを通過した入射光が対象画素へ進行することによる混色を補正する。混色補正部１３は、周辺画素である赤色画素の信号レベルに応じて算出された補正量を、対象画素の信号レベルから減算する。 （もっと読む）

【課題】アナログ回路とデジタル回路とが混在する半導体集積回路において、基板の総面積の増加を抑制する。
【解決手段】半導体集積回路１には、アナログ回路１３およびアナログ回路１３のアナログの出力信号をデジタル変換するデジタル回路１４が形成される。このうち、アナログ回路の一部１９は第１半導体基板５１に形成され、アナログ回路の残部３７およびデジタル回路１４は第２半導体基板５３に形成される。第１半導体基板５１と第２半導体基板５３とは、基板接続部５５により接続される。基板接続部５５は、第１半導体基板５１のアナログ回路の一部１９により生成されたアナログ信号を、第２半導体基板５３へ伝送する。 （もっと読む）

【課題】信号書き込み時間が長くなることを防ぎながら、信号振幅値が大きく、かつ、入出力関係が線形で動作する範囲を大きくすることが出来る半導体装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】増幅用トランジスタ１０１及びバイアス用トランジスタ１０２を有する半導体装置において、放電用トランジスタ１０８を設けて、プリ放電を行う。または、増幅用トランジスタ１０１及びバイアス用トランジスタ１０２を有する半導体装置において、バイアス用トランジスタ１０２に接続されたバイアス側電源線１０４の電位を、増幅用トランジスタに接続された増幅側電源線１０３の電位に近づけることにより、プリ放電を行う。 （もっと読む）

【課題】 製造コストを削減しつつ、撮像装置の動作を高速化する。
【解決手段】 撮像装置は、センサチップおよび信号処理チップを有している。センサチップは、複数の画素が２次元行列状に配置された画素アレイと、画素アレイの画素列毎に画素のアナログ信号を出力する複数のデータ出力端子により構成されるデータ出力端子群とを有している。信号処理チップは、データ出力端子群に電気的に接続されるデータ入力端子群と、データ入力端子群で受けた画素のアナログ信号を画素アレイの画素列毎にデジタル信号へ変換する複数のＡ／Ｄ変換器と、複数のＡ／Ｄ変換器の動作を制御する制御部とを有している。 （もっと読む）

【課題】 従来の構成では、光電変換装置の感度の向上とダイナミックレンジの拡大とを両立することが困難であった。
【解決手段】 複数の単位画素の各々が第１および第２の光電変換部と、第１および第２の光電変換部に共通の画素出力部と、を有し、第１の光電変換部は、リセットされた状態で空乏化し、第２の光電変換部は、リセットされた状態で空乏化しないようにする。 （もっと読む）

【課題】基板が大型化すること無しに配線抵抗を低減して画質劣化を抑制することが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】画素アレイと、該画素アレイへ供給する電気信号を入力する入力端子とを有するセンサチップと、センサチップの受光面側に配置されるとともに、入力端子に電気的に接続される第２配線パターン４５が形成されたガラス基板３１と、第２配線パターン４５と電気的に接続されるメタル層５２ａとを有する上側信号処理チップ７および下側信号処理チップ８と、ガラス基板３１に形成された第２配線パターン４５に電気的に接続されるＦＰＣ配線を有するフレキシブルプリント基板と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）