【課題】出力特性のばらつきを抑えつつ、遅延効果による課題を解決することができる固体撮像装置、および固体撮像装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】制御部６は、Ｍ行のうち或る行を構成する各画素Ｐ_ｍ、ｎの読出用スイッチＳＷ_１を接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を積分回路Ｓ_ｎに入力させ、積分回路Ｓ_ｎから出力された電圧値を第１の保持回路Ｈ_Ｏ１、ｎに保持させたのち、転送用スイッチＳＷ_３２を接続状態にして該電圧値を第２の保持回路Ｈ_Ｏ２、ｎに転送し、その後、該電圧値を第２の保持回路Ｈ_Ｏ２、ｎから順次に出力させる動作と、Ｍ行のうち他の行を構成する各画素Ｐ_{ｍ＋１、ｎ}の読出用スイッチＳＷ_１を接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を積分回路Ｓ_ｎに入力させる動作とを並行して実施する。 （もっと読む）

【課題】光電変換膜に印加される電圧が高い場合でも増幅トランジスタのゲート破壊を抑えることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素単位セル１１と垂直信号線１７とを備え、画素単位セル１１は、光電変換膜１３と、画素電極７と、正電圧が印加された透明電極９と、シリコン基板１内に形成されたトランジスタであって、画素電極７と結線されたゲート電極を有し、画素電極７の電位に応じた信号電圧を出力する増幅トランジスタ５と、シリコン基板１内に形成されたトランジスタであって、画素電極７と結線されたドレイン領域を有し、増幅トランジスタ５のゲート電極の電位をリセット電圧にリセットするリセットトランジスタ６とを有し、シリコン基板１内には、リセットトランジスタ６のドレイン領域により寄生ダイオードが形成され、寄生ダイオードのブレークダウン電圧は増幅トランジスタ５のゲート破壊電圧以下である。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置を大型化させることなく、Ａ／Ｄ変換回路の動作に起因する入力およびＧＮＤの電圧レベルの変動を低減し、出力するデジタル値の変動（誤差）を低減することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子のリセット信号と画素信号とを出力する画素が二次元の行列状に複数配置された画素部と、所定の１つの画素からのリセット信号および画素信号が順次入力される第１の容量と、画素信号とリセット信号との差を保持する第２の容量とを具備し、差分信号を出力するアナログ信号処理部と、差分信号の大きさに応じた遅延時間でパルス信号を遅延させる遅延素子がリング状に複数段接続された遅延回路と、パルス信号の遅延回路内の伝播を検出した結果に基づいたデジタル信号を生成するアナログ・デジタル変換器と、アナログ信号処理期間とサンプリング期間とで第１の容量の接続を切り替える切り替え回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】次の静止画が撮影可能になるまでの時間を短縮することができる撮像装置を提供する。
【解決手段】露光量に応じた信号電荷を発生させる複数の画素が２次元状に配列され、全画素の画像信号を記憶するメモリを備えた撮像素子と、撮像素子に第１の露光を行わせ、露光された全画素の画像信号をメモリに記憶させてフィールド毎に順次読み出させる第１の読出制御と、撮像素子に第２の露光を行わせ、順序が連続する２つのフィールド読出期間の間に、第１の読出制御が終了したフィールドに含まれる画素の少なくとも一部から第２の露光に係る画像信号を読み出させる第２の読出制御と、を行う撮像制御部と、第２の読出制御により読み出された画像信号に基づいて次回以降の第１の露光制御に係る撮影条件を決定する撮影条件決定部と、を備えた撮像装置。 （もっと読む）

【課題】 熱型光検出器の検出感度を向上させること。
【解決手段】 熱型光検出器は、基板１０と、基板に対して空洞部１０２を介して支持される支持部材２１５と、記支持部材上に形成されている熱検出素子２３０と、熱検出素子と分離して、支持部材上における熱検出素子の周囲領域の少なくとも一部において形成されている光反射層２３５と、熱検出素子および光反射層上に形成されている光吸収層（２７０，２７２）と、熱検出素子と接続部ＣＮによって接続され、平面視で接続部よりも広い面積を有し、少なくとも一部の波長域の光に対して光透過性を有し、かつ光吸収層の内部に形成されている集熱部ＦＬを備える熱伝達部材２６０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 チップ面積を縮小可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 電源配線１０５とパッド１０３とは第１の配線層に配される。そして、電源配線１０５とパッド１０３とは互いに重ならないように配される。信号配線１０６ａ、１０６ｂは第２の配線層に配される。信号配線１０７は第２の配線層とは異なる層に配される。信号配線１０７は、パッド１０３と重なるように、パッド１０３の下部に配される。信号配線１０６と信号配線１０７とは、プラグ１０８によって互いに接続される。パッド１０３と信号配線１０７との間に緩衝部１０９が配される。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳイメージセンサに代表される固体撮像素子において、裏面受光構造を採ることにより、画素の微細化および高開口率化を可能とした固体撮像素子を提供する。
【解決手段】フォトダイオード３７を有するシリコン層３１と、シリコン層３１における受光面と逆側の他方の面上に設けられた配線層と、シリコン層３１内における他方の面側の表面層に設けられたＰ＋層４５とシリコン層３１内に設けられたＮ−型領域４１からなる光電変換領域と、光電変換領域よりも高濃度の第２導電型であって、シリコン層３１内におけるＰ＋層４５とＮ−型領域４１からなる光電変換領域との間に設けられたＮ＋領域４４とを備えた固体撮像素子である。 （もっと読む）

【課題】高輝度時の画像信号の出力低下を防止し、高輝度画素と同時に読み出される同一行画素の出力変動を防止することを課題とする。
【解決手段】２次元行列状に配置された開口された複数の有効画素及び遮光された複数の遮光画素を有し、各画素が光学像を電気信号に変換する画素アレイ部と、遮光画素の信号と目標値との差分に対応する補正値を有効画素の信号に加算するクランプ回路と、クランプ回路の出力信号を信号処理する画像信号処理回路とを有し、画像信号処理回路は、画素アレイ部の同一行の画素の信号の平均値を算出する平均化部（Ｓ１０４）と、平均値を複数行にわたって積算することにより積算値を算出する積算部（Ｓ１０９）と、平均化部により算出された所定の行における平均値と積算部により算出された積算値との差分が第１の閾値より大きいときには、クランプ回路の目標値が大きくなるように目標値を変更する目標値変更部（Ｓ１０６）とを有する。 （もっと読む）

【課題】少ないメモリセル部の数で焦点検出を行うことができる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換素子により光電変換された信号を共通出力線に出力するセンサセル部（101）と、共通出力線の信号を転送容量に蓄積して転送する転送回路部（201）と、共通出力線の信号を第１〜第３メモリ容量に記憶し、第１〜第３メモリ容量の信号を反転増幅して共通出力線に出力する第１〜第３メモリセル部（301、401、501）とを有し、第１メモリセル部はリセットに起因するリセットノイズ信号を第１メモリ容量に書き込み、第３メモリセル部は第１メモリセル部に書き込まれているリセットノイズ信号を第３メモリ容量に書き込み、第２メモリセル部は第３メモリセル部に書き込まれているリセットノイズ信号を第２メモリ容量に書き込み、転送回路部は第２メモリセル部のリセットノイズ信号とセンサセル部の出力信号を加算する。 （もっと読む）

【課題】 微細化と、高速読み出し動作を実現した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子と該光電変換素子の電荷に応じた信号を列信号線に出力する増幅ＭＯＳトランジスタを含む画素が配された画素領域と、前記画素の駆動もしくは前記列信号線に出力された信号を処理する回路を含む周辺回路領域とが、半導体基板に配された固体撮像素子であって、前記増幅ＭＯＳトランジスタのソース領域の抵抗は、前記増幅ＭＯＳトランジスタのドレイン領域の抵抗よりも低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】記憶部で発生するリーク電流を抑制した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の画素回路１ａと、列信号線２１と、複数の単位記憶回路２ａとを備え、複数の単位記憶回路２ａのそれぞれは、書き込みトランジスタ３１と、記憶容量３２と、ｎ型の第１拡散領域１４３と、第１拡散領域１４３から所定距離離して形成され、書き込みトランジスタ３１のソース又はドレイン領域に隣接する絶縁分離領域１４１と、絶縁分離領域１４１の周囲に、第１拡散領域１４３から所定距離離して形成された、ｐ型の第２拡散領域１４２とを有し、少なくとも第２拡散領域１４２の表面には、金属シリサイド層が形成されていないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳセンサにおける電荷蓄積を行うフローティングディヒュージョン（以下、ＦＤ）の端子間電圧を昇圧させ、ダイナミックレンジを拡大するグローバルシャッタ方式の固体撮像装置、撮像方法及び固体撮像装置を搭載した２足歩行ロボットを提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、複数のＣＭＯＳセンサがマトリクス状に配置され、グローバルシャッタ機能を有し、ＣＭＯＳセンサは入射光を光電変換して電荷を発生し、発生した電荷を蓄積するフォトダイオード（以下、ＰＤ）と、ＰＤから転送される電荷を蓄積するＦＤ部と、ＰＤとＦＤ部との間に介挿された、電荷を転送する転送トランジスタと、ＦＤ部の電荷に対応する信号電流を出力する増幅ＭＯＳトランジスタを有し、固体撮像装置全てのＣＭＯＳセンサで、増幅ＭＯＳトランジスタの電源が供給される端子が共通に接続され、転送トランジスタのゲートが共通に接続されている。 （もっと読む）

【課題】第２の駆動モードでの取り扱い電荷量を確保す際に、第１の駆動モードでの暗時白線等のノイズによる画質劣化が問題となる。
【解決手段】画素部の飽和信号量を調整する基板バイアス調整部を利用し、第１の駆動モードと、第２の駆動モードとで、変換効率および出力回路ゲインを選択的に調整する機構により、第１の駆動モードでは、変換効率および出力回路ゲインを低く設定し、第２の駆動モードでは、変換効率および出力回路ゲインを高く設定する。 （もっと読む）

【課題】リニアログ特性を持つ固体撮像装置において、対数特性部のみの感度を制御する。
【解決手段】転送部を直列接続された２段の転送トランジスタＴＸＬ，ＴＸＨで構成する。転送トランジスタＴＸＨは転送トランジスタＴＸＬよりもオン抵抗が大きい。よって、転送トランジスタＴＸＨを中間電圧ＶＭで駆動させた場合、光電変換素子ＰＤから浮遊拡散層ＦＤに漏れ出る信号電荷は少なくなるため、対数特性部の感度が上がる。一方、転送トランジスタＴＸＬは転送トランジスタＴＸＨよりもオン抵抗が小さい。よって、転送トランジスタＴＸＬを中間電圧ＶＭで駆動させた場合、光電変換素子ＰＤから浮遊拡散層ＦＤに漏れ出る信号電荷は多くなるため、対数特性部の感度が下がる。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、２次元状に配置されたフォトダイオード１と、フォトダイオード１から読み出した信号電荷を垂直方向に転送する垂直ＣＣＤとを備えた画素領域２２と、転送チャネル４と、転送電極５および６とを有し、転送電極５および６に異なる電圧を印加することにより垂直ＣＣＤから転送された信号電荷を水平方向に転送する水平ＣＣＤと、転送電極５および６のいずれか一方と接続され、転送チャネル４の上方に転送チャネル４を覆うように設けられて転送チャネル４を遮光する配線１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】増幅部のゲイン切り替え時の増幅部のオフセット電圧変動を防止することができる撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】撮像装置は、反転入力部及び非反転入力部の一方が入力容量の他方のノードに接続され、他方が基準電圧のノードに接続される増幅回路（３）と、入力容量の他方のノード及び増幅回路の出力部間に接続される第１の帰還容量（Ｃ１）と、第１の帰還容量に直列に接続される第１のＭＯＳトランジスタスイッチ（８）と、第１の帰還容量に直列に接続され、ドレイン及びソースが短絡された第２のＭＯＳトランジスタスイッチ（４）と、入力容量の他方のノード及び増幅回路の出力部間に接続される第２の帰還容量（Ｃ２）と、第２の帰還容量に直列に接続される第３のＭＯＳトランジスタスイッチ（９）と、第２の帰還容量に直列に接続され、ドレイン及びソースが短絡された第４のＭＯＳトランジスタスイッチ（５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子と金属配線との間のバンプ接合を確実に行い、歩留まりを向上することが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素が２次元行列状に配置された画素アレイと、画素アレイの画素列に対応して設けられ画素列内の画素の信号を出力するパッド５１とを有し、画素アレイの列方向に複数のパッド５１が配列された信号出力端子群が、画素アレイの行方向に配列されるセンサチップ５と、信号出力端子群毎に設けられ複数の配線層７１が積層された積層配線３２を具備するガラス基板６とを備え、積層配線３２は、画素アレイの列方向に延設されて、信号出力端子群の各パッド５１に対向する位置に各配線層７１が露出された第１端子部６１を備え、パッド５１と第１端子部６１とがバンプ９を介して接続されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のようにトランジスタゲート面積を大きくすることなく、より簡単な製造工程で、トランジスタのソース側ゲート端のイオン注入ダメージにより発生するソース側ゲート端付近の欠陥を低減することにより、ランダムノイズを効果的に低減する。
【解決手段】ドレイン側のＬＤＤ領域のＮ型拡散層１１だけがゲート電極６の他方端の下に潜り込んで、ドレイン側のＬＤＤ領域のＮ型拡散層１１がゲート電極６と平面視でオーバラップし、ソース側のＬＤＤ領域のＮ型拡散層１２はゲート電極６の一方端の下に潜り込まず、ソース側のＬＤＤ領域のＮ型拡散層１２がゲート電極６と平面視でオーバラップしておらず、ソース側のＬＤＤ領域のＮ型拡散層１２がゲート電極６の一方端と離間して形成されている。 （もっと読む）

【課題】隣接する光電変換素子間の暗電流差がなく又は暗電流差が小さい、高速読み出しをした際にも高感度でかつ低暗電流な固体撮像装置を得る。
【解決手段】ウエハ基板301上にウエル302を設け、ウエル内に拡散層101a，101bを形成してフォトダイオードを構成する。拡散層101a，101b間にウエルコンタクト306を形成する。ウエルコンタクトと拡散層間に素子分離領域303b,303aを設け、素子分離領域303b,303aの下にチャネルストップ層307b，307aを設ける。素子分離領域303b上に導電層304を設け、導電層304の側面にサイドウォール308を設ける。素子分離領域303bの端部と導電層304間の距離をa、サイドウォール308の幅をｂ、素子分離幅をｃとすると、ｃ＞ａ≧ｂなる関係を有する。 （もっと読む）

【課題】 参照信号Ｖｒｅｆの開始電圧と、画素からの輝度信号電圧に差がある場合においては、カウンタ動作時間Ｔｃが長くなり、消費電流が多くなってしまう。これが、選択行での全てのカウンタが、同様に動作時間が長くなると、さらにカウンタの個数分消費電流が積算されてしまうといった問題があった。
【解決手段】得られた画像データを元に、カウンタの参照信号Ｖｒｅｆの初期値を制御することで、輝度信号電圧と、参照信号Ｖｒｅｆの初期値Ｖｉとの電圧差が少なくして、カウンタ動作が早めに停止するカウンタを多くする事で、列毎にあるカウンタで消費する電流を減らす （もっと読む）