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Fターム[4M118DD09]の内容

固体撮像素子 (108,909) | 転送電荷検出 (5,763) | 回路構成 (3,414)

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【課題】水平信号線に関する複数段の階層的な接続構造を採用しつつ、水平信号線上で水平方向の画素加算を行うことにより得られる画像の画質を向上させる。
【解決手段】固体撮像素子1は、複数の画素10と、複数の垂直信号線11と、複数のサンプルホールド部15S,15Nと、水平出力部と、水平走査回路18とを備える。水平出力部は、少なくとも2つ以上の垂直信号線11と接続される複数の第1の水平信号線31S,31Nと、複数の第1の水平信号線31S,31Nと選択スイッチHGS,HGNを介して接続される第2の水平信号線32N,32Sからなる。水平走査回路18は、サンプルホールド部15S,15Nに保持された画素信号が第1の水平信号線31S,31Nに出力されたときに、複数の選択スイッチHGS,HGNのうち、少なくとも2つをオンに制御して第2の水平信号線32N,32Sに出力する。 (もっと読む)


【課題】PWL(P型のウエル領域)の濃度プロファイルを深くしフォトダイオードでの光電変換の量子効率を向上させるPWL構造を有した場合、暗電流、ブルーミング及び混色などを大幅に抑制する。
【解決手段】入射光を信号電荷に変換する光電変換部と、光電変換部から信号電荷を転送する転送部と、を含む画素の複数を含む固体撮像装置において、光電変換部は、半導体基板の第一導電型のウエル内に形成され、第一の画素の光電変換部と第一の画素に隣接する第二の画素の光電変換部との間に、少なくとも第二導電型の第一の不純物領域が配置されており、第一の不純物領域と光電変換部の間に、ウエル濃度よりも不純物濃度が高い第一導電型の第二の不純物領域が配置され、更に、ウエルと第一の不純物領域の間に、半導体基板の受光面を基準に第二の不純物領域よりも深い位置に配置された、第一導電型の第三の不純物領域を含む。 (もっと読む)


【課題】撮像面の反りを低減することができる固体撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子の製造方法は、表面側に複数の固体撮像素子が形成されるとともに裏面に膜が形成された半導体ウエハの、前記裏面を研磨して、前記膜を除去する研磨工程S2と、研磨工程S2後の前記半導体ウエハを前記複数の固体撮像素子の個々にダイシングするダイシング工程S3と、を備える。研磨工程S2後の前記半導体ウエハの前記裏面が鏡面であるとともに、研磨工程S2後の前記半導体ウエハの厚さが700μm以上である。 (もっと読む)


【課題】距離計、画像マッピング、三次元画像キャプチャ、及び人間の色感覚によって限定されない色感覚での画像のキャプチャを含み得る三次元応用例に適したCMOS実装可能な画像センサ、及び、そのような検出器の検出特性を改善する。
【解決手段】オンチップ測定情報を、順番にではなく、ランダムに出力することができ、三次元画像を必要とするオブジェクト追跡、及び他の情報のためのオンチップ信号処理を、すぐに遂行することができる。システム全体は小さく、強固で、かなり少ないオフチップの別個の構成要素を必要とし、かつ、検出信号特性の改善を示す。オンチップ回路は、そのようなTOFデータを使って、場面内の一つのオブジェクト、又は全てのオブジェクト上の全ての点の距離及び速度を、同時に、容易に測定することができる。オンチップ回路はまた、検出センサ内の各画素における検出画像の分光組成を特定することができる。 (もっと読む)


【課題】撮像装置において、動画撮影中でも高速に精度良く焦点調節を行うことを可能としつつ、画質の劣化を抑制できるようにする。
【解決手段】撮影レンズにより結像された被写体像を光電変換する撮像素子であって、第1の受光領域を有する第1の画素群と、第1の画素群の中に離散的に配置され、第1の受光領域と略同面積の受光領域を第2の受光領域Pα1と第2の受光領域とは面積が異なる第3の受光領域Pγ1_1とに分割して構成された第2の画素群とを備える撮像素子と、第2の画素群の第2の受光領域と第1の画素群の第1の受光領域とを一体的に制御する制御部とを備える。 (もっと読む)


【課題】多重サンプリングを適用した場合においても、小信号レベルでのRTSノイズの増大を抑制する。
【解決手段】画素PCとカラムADC回路3とマルチランプ波発生回路6とが設けられている。画素PCは、光電変換された信号を出力する。カラムADC回路3は、画素PCから出力された信号に応じて変化する信号レベルと基準電圧VREFとの比較結果に基づいて、画素PCの信号成分をCDSにて検出する。マルチランプ波発生回路6は、信号レベルと基準電圧との比較時にランプ波RW1の平均レベルを段階的に変化させながら、各段階L1〜L4において複数のランプ波RW1を生成し、信号レベルの小さい方に対応した段階L1〜L4から各段階L1〜L4ごとに複数のランプ波RWを基準電圧VREFとしてカラムADC回路3に順次出力する。 (もっと読む)


【課題】高画質化に有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の行および複数の列を構成するように複数の画素が配列されるとともに複数の列信号線が配置された画素アレイを有する固体撮像装置において、前記複数の画素の各々は、半導体基板に形成された第1導電型の第1ウェルと前記第1ウェルの中に配置された前記第1導電型とは異なる第2導電型の不純物領域とを含む光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を前記列信号線に出力する画素内読出回路とを含み、前記画素内読出回路は、前記第1導電型の第2ウェルに配置された回路素子を含み、前記第1ウェルと前記第2ウェルとが前記第2導電型の半導体領域によって分離されている。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子の面積が異なる画素を含む固体撮像装置において、画素間の感度のばらつきを低減する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換素子をそれぞれ有する複数の画素と、光電変換素子を覆う遮光層とを備える固体撮像装置が提供される。遮光層は、複数の画素のそれぞれの光電変換素子に対して、当該光電変換素子への入射光の一部分を遮るための遮光部と、入射光の残り部分を通すための開口部とを有し、複数の画素は、光電変換素子の平面視における面積が異なる少なくとも2種類の画素を含み、光電変換素子の平面視における面積の大きい画素ほど遮光部の面積が大きい。 (もっと読む)


【課題】 光電変換部と、周辺回路部もしくは画素回路の一部とを別基板に分けて電気的に接続する構成における好適なウエルの分離構造を提供すること。
【解決手段】 本発明は、光電変換部と、該光電変換部で生じた信号を増幅する増幅トランジスタとを含む画素を複数有し、複数の光電変換部が配された第1の基板と、複数の増幅トランジスタが配された第2の基板とを有する固体撮像装置であって、前記増幅トランジスタのソース領域及びドレイン領域が配される第1導電型のウエルは、少なくとも一方向に隣接する増幅トランジスタのソース領域及びドレイン領域が配される第1導電型のウエルと分離されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 チップ面積を大きくすること無く、偽信号の発生を抑制することが可能な個体撮像装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、複数の光電変換部が配された第1の基板と、読み出し回路及び並列処理回路が配された第2の基板とを有する固体撮像装置であって、前記複数の並列処理回路に直流電圧を供給する直流電圧供給配線を有し、該直流電圧供給配線は、第1の基板に配された第1の導電パターンと、前記第2の基板に配された第2の導電パターンとを、電気的に接続することにより構成されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】感度低下の抑制に加え、空乏化の抑制、暗時出力のバラつき抑制、及び画素信号の変動による素子変化の抑制が可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】第1半導体層24内で生成された電子を蓄積する第1蓄積部21と、電気的に浮遊状態の第2拡散層23と、第1読出電極22と、を含む第1受光層と、第2半導体層71を備え、前記第2半導体層上に設けられ、回路を含む回路層70と、前記第2半導体層を貫通しつつ、前記第1読出電極または前記第2拡散層と前記回路とを接続する第1電極CP2とを具備し、前記第1電極は、前記第2半導体層内において順に内部絶縁膜100、外部導電膜101、及び外部絶縁膜102によって被膜され、且つこの外部導電膜の電位は一定である。 (もっと読む)


【課題】 素子が微細化されても、確実な電気的接続を行うことが可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、複数の光電変換部が配された第1の基板と、複数の読み出し回路が配された第2の基板と、を有する固体撮像装置であって、第1の基板に配され、各々が電気的に分離された複数の第1の導電パターンと、第2の基板に配され、各々が電気的に分離された複数の第2の導電パターンと、を有し、第1の導電パターンは、第1の方向に延在する第1の部分パターンを有し、第2の導電パターンは、第1の方向とは異なる第2の方向に延在する部分パターンを有し、第1の部分パターンの第1の方向に延在する長さは、第1の部分パターンの第2の方向の長さよりも長いことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】暗電流の発生を抑制する。
【解決手段】イメージセンサチップ100の撮像領域PAと、信号処理チップ200とが対面する間に介在するように、多層配線セラミックパッケージ300のセラミック基板よりも熱伝導率が低い空気層を、低熱伝導層901として設ける。 (もっと読む)


【課題】半導体装置において、キャパシタを用いて半導体装置内で信号レベルをシフトさせた場合の帯域、感度の特性劣化を抑制する。
【解決手段】半導体装置1は、第1回路51から第2回路52までの信号の信号経路81,82に対して直列に接続された一対の対向電極112,113を有し、信号経路81,82を伝播する信号のレベルをシフトするキャパシタ53と、一対の対向電極と重ねて形成されるシールド部55とを有する。シールド部55の電位は、信号経路81,82を伝播する信号に追従して変化する。 (もっと読む)


【課題】信号処理素子が形成されている信号処理基板の厚さを一層薄くすることなく、画素の微細化を図ることができる積層型撮像装置を実現する。
【解決手段】本発明による撮像装置は、2次元マトリックス状に配列された複数の光電変換素子を有する光電変換素子アレイ(1)と、光電変換素子アレイに結合され、同じく2次元マトリックス状に配列された複数の信号処理素子を有する信号処理素子アレイ(2)とを具える。kを2以上の自然数とした場合に、前記光電変換素子は、列方向にそって信号処理素子の配列密度のk倍の配列密度で形成され、前記信号処理素子は、列方向と直交する行方向にそって光電変換素子の配列密度のk倍の配列密度で形成され、各光電変換素子は、配線導体を介して対応する信号処理素子に電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】各画素間での光電変換特性のバラツキ低減が図れるとともに、搭載する半導体チップの小型化が図れる光電変換装置を得ること。
【解決手段】1ビット光電変換回路2のn個が、SW4を順に閉状態に切り替えることで順に出力回路3に接続される。画像の読み取りでは、1ビット光電変換回路2のn個において、SW1を閉状態にしPDに画像読み取りを行わせ、SW1を開状態にした後、PDに画像信号が保持される一定期間後にSW2,SW3を閉状態にし画像信号をC1に転送し保持させる。SW4を閉状態にして接続されている1つの1ビット光電変換回路2と出力回路3において、まず、SW3,SW5を同時に閉状態にしC1の画像信号をC2に転送保持させ、次いで、SW1,SW2,SW6を同時に閉状態にしてPDへの印加電源電圧を基準電圧としてC3に転送保持させる。AMPから両信号の差分が出力される。 (もっと読む)


【課題】信号を高速に読み出すことができる撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】複数の画素(101)と、画素から出力された信号を保持する複数のメモリ(C105)と、複数のメモリに保持された信号を伝達する共通信号線(110)と、複数のメモリと共通信号線とをそれぞれ接続する複数の第1のスイッチ(108)と、を有する撮像装置であって、複数のメモリの各々は、一方の端子には画素から出力された信号が与えられるとともに第1のスイッチと接続され、他方の端子に基準電位が与えられるメモリ容量を有し、撮像装置は、さらに基準電位を供給する基準電位供給部(106,107)を備え、基準電位供給部は、複数のメモリが信号を保持する期間に第1の参照電位を供給し、第1のスイッチがオンしている期間に、第1のスイッチがオンする前の共通信号線の電位に対する電位差が第1の参照電位よりも大きい第2の参照電位を供給する。 (もっと読む)


【課題】製造が容易で、且つ焦点検出用の画素を撮像画素としても兼用可能な固体撮像素子、およびこれを用いた撮影装置を提供する。
【解決手段】撮影装置2のCCD11は、素子構造が対称な第一画素38a、第二画素38bと、各画素38a、38b同士を分離する素子分離層48に独立した電圧印加を可能とするLCS端子37とを有する。瞳分割位相差検出方式による焦点検出を行う場合は、各画素38a、38bの受光部30が左右対称に変形するようLCS端子37に所定電圧よりも正負いずれかの側にシフトした電圧(素子分離層48がp型半導体の場合は所定電圧よりも負側にシフトした電圧、n型半導体の場合は所定電圧よりも正側にシフトした電圧)が印加される。画像データを生成する場合は、各画素38a、38bの受光部30に変形が生じず各画素38a、38bの受光特性が等しくなるようLCS端子37に所定電圧が印加される。 (もっと読む)


【課題】ダイナミックレンジを拡大することができる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】2次元行列状に配列され、光電変換部の光電変換により生成された信号を出力する複数の画素(101)と、前記複数の画素のうちの選択された行の各列の画素から出力される信号を増幅する演算増幅器(306)を有する複数の信号処理回路(102)とを有し、前記画素は、前記画素をリセットするためのリセットスイッチ(204)を有し、前記信号処理回路は、前記リセットスイッチによりリセットしたことに基づく前記画素の出力信号を前記演算増幅器で増幅する際のDC電圧と、前記光電変換に基づく前記画素の出力信号を前記演算増幅器で増幅する際のDC電圧とを異ならせることを特徴とする光電変換装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】画像を得るための一連の動作中に、ライブビュー用の画像の更新を行うことができる。
【解決手段】撮像素子上に配置された各画素内に設けられた複数の電荷蓄積部のうちの第1の電荷蓄積部から静止画用信号を読み出す一方、前記複数の電荷蓄積部のうちの第2の電荷蓄積部から動画用信号を読み出す読出し部と、前記第1の電荷蓄積部から前記静止画用信号をn回(nは2以上の整数)に分けて読み出すにあたって、前記静止画用信号の読出し期間よりも前または後のタイミングにおいて、前記第2の電荷蓄積部から動画用信号を読み出すよう制御する読出し制御部と、を備える。 (もっと読む)


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