【課題】低フラックスを用いている間のノイズレベルを減少することを可能にするような検出回路を提供する。
【解決手段】ソースフォロワ検出器型の検出回路は、結合ノードＮに接続されたフォトダイオード１を備える。バイアス回路３は、逆バイアスである第１の状態とフローティングである第２の状態との間にフォトダイオード１をバイアスすることを可能にする。読み出し回路４は、結合ノードＮに接続され、フォトダイオード１により測定された現状を示す信号を生成する。金属シールド５は結合ノードＮの周りに配置される。金属シールド５は、読み出し回路４の出力に接続され、結合ノードＮの電位と同じ方向に変動する電位を持つように構成される。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を有する固体撮像装置の画素から複数の読み出し方式により信号を読み出すと共に、複数の読み出し方式のうち少なくとも１つの読み出し方式により１枚の基板のみを使用して信号を読み出す。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、複数の基板が接続部によって電気的に接続されている固体撮像装置であって、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の読み出し方式のそれぞれに対応して信号の読み出しを可能にする回路要素を含む第１〜第ｎの回路セットを有し、複数の基板のうちの１枚の基板のみに配置された回路要素を使用して、光電変換素子による信号の発生から、第１〜第ｎの読出し方式のうち少なくとも１つの読み出し方式による信号の読み出しまでの動作が完了するよう、光電変換素子、読み出し回路、および少なくとも１つの読み出し方式に対応した回路セットが１枚の基板に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】何れかの行選択用配線が断線している場合にも解像度が高い画像を得ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１は、受光部１０、信号読出部２０、行選択部３０、列選択部４０、溢れ出し防止部５０および制御部６０を備える。受光部１０では、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、このフォトダイオードと接続された読出用スイッチと、を各々含むＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,ＮがＭ行Ｎ列に２次元配列されている。第ｍ行のＮ個の画素部Ｐ_ｍ,１〜Ｐ_ｍ,Ｎそれぞれは、第ｍ行選択用配線Ｌ_Ｖ,ｍにより行選択部３０および溢れ出し防止部５０と接続されている。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、トランジスタのオフ電流を低減することで、低消費電力化を図る。
【解決手段】フォトダイオード１３、第１のトランジスタ１４、及び第２のトランジスタ１５を有するフォトセンサと、読み出し制御トランジスタ１８を有する読み出し制御回路と、を有する。フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有する。第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有する。第２のトランジスタは、出力信号の読み出しを制御する機能を有する。読み出し制御トランジスタは、出力信号を電圧値の信号に変換する抵抗素子としての機能を有し、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び読み出し制御トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】暗い被写体を撮影して得られる画像における横線ノイズを抑制する。
【解決手段】撮像装置は、光電変換部と、前記光電変換部で発生した電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部と、前記電荷電圧変換部の電圧に応じた信号を列信号線へ出力する増幅トランジスタとを含む画素が複数行かつ複数列を構成するように配列され、複数の列信号線のそれぞれに複数の画素が接続された画素配列と、前記画素配列から前記複数の列信号線を介して信号を読み出す複数の読み出し部と、前記複数の列信号線に接続され、前記複数の列信号線に流れる電流を定める複数の負荷トランジスタと、前記複数の負荷トランジスタにおける少なくとも隣接して配された負荷トランジスタのゲートへ互いに異なるバイアス電圧を供給する複数のバイアス供給部とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、光検出の精度を向上させることを目的の一とする。また
、フォトセンサの受光面積を広げることを目的の一とする。
【解決手段】フォトセンサは、光を電気信号に変換する受光素子と、電気信号を転送する
第１のトランジスタと、電気信号を増幅する第２のトランジスタとを有し、受光素子はシ
リコン半導体を用いて形成され、第１のトランジスタは酸化物半導体を用いて形成されて
いる。また、受光素子は横型接合タイプのフォトダイオードであり、受光素子が有するｎ
層又はｐ層と、第１のトランジスタとが重なって形成されている。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置に含まれる信号処理回路の増幅率を大きくするために、入力容量を大きい値とする、帰還容量を小さい値とする、もしくはその両方の手法があるが、容量値を大きくすることはチップ面積の増大をもたらし、容量値を小さくすることは製造ばらつきをもたらしうる。
【解決手段】帰還容量に代替して、第１容量素子および第２容量素子が直列に配置され、第１容量素子と第２容量素子とを接続する経路と基準電位との間に第３容量素子が配置されたフィードバック回路を採用する。 （もっと読む）

【課題】出力分解能を犠牲にすることなく、消費電力を低減することができるＡ／Ｄ変換装置、Ａ／Ｄ変換方法および固体撮像装置を提供する。
【解決手段】
アナログ入力信号に応じてパルス信号を遅延させるｎ（ｎ：正の整数、ｎ≧２）個の遅延素子が円環状に接続され、第１の時刻から第２の時刻までパルス信号を伝播させるパルス遅延回路と、第１の時刻から第２の時刻よりも短い第３の時刻までの周回数をカウントするカウンタ回路と、第３の時刻までの周回数を上位ビットラッチ値として出力する上位ビットラッチ回路と、第３の時刻の位置を第１の下位ビットラッチ値として出力し、第２の時刻の位置を第２の下位ビットラッチ値として出力する下位ビットラッチ回路と、第１の時刻から第２の時刻までの周回数の上位ビット推定値と第２の下位ビットラッチ値とに基づいて、アナログ入力信号の大きさに応じたデジタル出力値を生成するデジタル演算回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に発生するノイズを低減する
【解決手段】 シリコン基板１００の第１部分１１０を覆い、シリコン基板１００の第１部分１１０に隣接する第２部分１２０を覆わない窒化シリコン膜２００をマスクとしてシリコン基板１００を熱酸化することにより、酸化シリコン膜３００を形成する。窒化シリコン膜２００をマスクとして酸化シリコン膜３００のバーズビーク部３１０の下へ斜めイオン注入を行うことにより、不純物領域１２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】リセットトランジスタ及びアドレストランジスタを有しないＣＭＯＳイメージセンサピクセルを提供する。
【解決手段】イメージセンサピクセルは、電荷を感知するためのフローティングベースバイポーラトランジスタとピンドフォトダイオードとを含み、前記ピンドフォトダイオードが、前記ピンドフォトダイオードから前記フローティングベースバイポーラトランジスタのフローティングベース２１３に電荷を伝送することができる伝送ゲート２０７を介して、前記フローティングベースバイポーラトランジスタに結合されている。イメージセンサアレイは、複数のピクセルと信号線とを含んでおり、特定ロー上のすべての伝送ゲートが互いに接続されており、特定カラム上のエミッタ領域が互いに接続されて、ピクセル当たり２個の信号線を形成する。 （もっと読む）

【課題】読取速度の高速化したイメージセンサを提供する。
【解決手段】本発明のイメージセンサ１は、ｍ（ｍは２以上の整数）個のスイッチング素子２と、スイッチング素子２の入力端子１０に接続されたｍ個の受光素子３と、スイッチング素子２をｎ（ｎは２以上の整数）個のスイッチング素子群４ごとに分割するとき、スイッチング素子２の切替端子１１に、スイッチング素子群４ごとに接続されたｎ個のシフトレジスタ５と、スイッチング素子２の出力端子１２に、スイッチング素子群４ごとに接続された加算部６と、外部から入力されたクロック信号を１／ｎクロック信号に分周し、分周した１／ｎクロック信号を、所定時間ずつ遅延させながらシフトレジスタ５にそれぞれ出力する分周遅延部７とを備えるものであって、ｍ個のスイッチング素子２の切替端子１１は、スイッチング素子２の配列順に、ｎ個のシフトレジスタ５に、シフトレジスタ５の配列順に接続されている。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎを向上しつつ、ダイナミックレンジを広くする。
【解決手段】固体撮像装置１０は、光電変換素子２１と、光電変換素子２１から信号電荷が転送される浮遊拡散層２６とを有する複数の単位画素２０が行列状に配置された画素アレイ部１１と、画素列ごとに設けられ、かつ単位画素２０から信号を読み出すための複数の信号線３０と、画素列ごとに設けられ、かつ浮遊拡散層２６と容量結合する複数の容量配線４０と、複数の信号線３０と複数の容量配線４０との接続を切り替える複数のスイッチ素子４２と、複数の容量配線４０と電源線４１との接続を切り替える複数のスイッチ素子４３とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、ピクセル、ピクセル配列及びピクセル配列を含む画像センサーに関する。
【解決手段】本発明の実施形態によるピクセルは、光電変換部と、光電変換部で変換された電荷を蓄積するためのコンデンサと、コンデンサに接続されてコンデンサの電位に応じてキャパシタンスが変化する可変コンデンサと、コンデンサの電位を出力するためのスイッチング素子と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 精密な計測が可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供する。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイモジュールは、第１波長帯域の光に感応する第１フォトダイオードアレイを有する第１半導体基板２と、第２波長帯域の光に感応する第２フォトダイオードアレイを有する第２半導体基板２’と、複数のアンプＡＭＰが形成されると共に第１及び第２半導体基板２，２’が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプＡＭＰに接続した第３半導体基板３とを備えている。第１半導体基板２及び第２半導体基板２’の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。 （もっと読む）

【課題】 モジュール当たりのＰＤ数の減少が抑制されたフォトダイオードアレイモジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１半導体基板１と第２半導体基板２とは材料が異なるため、互いに異なる波長帯域の入射光に対して感度を有する。フォトダイオードアレイの各フォトダイオードは、第１半導体基板１のアンプに接続されている。この方法によれば、第２半導体基板２をエッチングした後に、そのエッチング溝の最深部をダイシングすることで、第２半導体基板２をウェハから分離している。エッチングによって現れる側面内の結晶欠陥密度は、ダイシングによって現れる側面内の結晶欠陥密度よりも小さい。第２半導体基板２の端部に位置するフォトダイオードは、取り除く必要が無いので、フォトダイオード数の減少を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤ固体撮像素子を用いた固体撮像装置において、白キズ等のＣＣＤ固体撮像素子の暗電流の影響を受けない様に、垂直スメアを低減する。
【解決手段】固体撮像素子の受光面の有効画素より先に読み出す４ラインの垂直遮光画素から取得した信号の画面垂直方向の暗電流むらを補正してから、垂直遮光画像４ラインの各垂直画素信号の最小値から２番目の値を算出し、垂直スミア補正信号として記憶し、画像ＡＧＣに合わせて利得を可変して固体撮像素子の受光面の有効画素から出力されるＡＧＣ後の画像信号から減算する。また、前記固体撮像素子から出力される信号を１４ビットにＡ／Ｄ変換して前記代表値信号を算出して１５／１６に減衰して、前記固体撮像素子の受光面の有効画素から出力される画像信号から減算する。 （もっと読む）

【課題】過大光が入射した場合の故障防止、画素サイズ縮小が可能な積層型の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上方に形成された光電変換部Ｐと半導体基板に形成されたＭＯＳ型の信号読出し回路Ｓとを含む画素１００がアレイ状に配置された固体撮像素子である。信号読出し回路Ｓは、画素電極１に移動した正孔が蓄積される電荷蓄積部４と、電荷蓄積部４にゲート電極７１が電気的に接続され電荷蓄積部４の電位に応じた信号を出力する出力トランジスタ７と、ゲート電極７１の電位が所定値以上になるのを防止する保護トランジスタ６とを含む。保護トランジスタ６は電源に接続されるソース領域６２を有し、出力トランジスタ７は前記電源に接続されるドレイン領域７２を有し、隣接する２つの画素１００にソース領域６２とドレイン領域７２が１つずつ含まれるように、当該２つの画素１００においてソース領域６２とドレイン領域７２が共通化されている。 （もっと読む）

【課題】画素サイズが小さくなっても、上記電荷検出部の容量を更に低減することにより電荷電圧変換率を更に向上させて更なる高画質の画像信号を得る。
【解決手段】Ｎ型基板２の上部にＰ型ウエル３が設けられ、Ｐ型ウエル３内に埋め込みフォトダイオード６および電荷検出部７が設けられており、電荷検出部７の下方のＰ型ウエル３は完全に空乏化されている。このように、電荷検出部７とＮ型基板２に挟まれたＰ型ウエル３を空乏化することにより、電荷検出部７のジャンクション容量Ｃを大幅に下げることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】低輝度レベルでの画像収集を行う電子増倍画像センサを提供する。
【解決手段】各ピクセルは、半導体能動層１２の表面に、フォトダイオード領域（ＰＨＤ）、電荷蓄積ノード１８、およびフォトダイオードから蓄積ノードに電荷を転送するための転送構造を含んでいる。転送構造は、フォトダイオードに隣接する第１の転送ゲート（ＴＲ１）、蓄積ノードに隣接する第２の転送ゲート（ＴＲ２）、および第１と第２の転送ゲートの間に位置する電子増倍増幅構造（ＡＭＰ）を含んでいる。増幅構造は、２個の別々の加速ゲート（ＧＡ、ＧＢ）、および２個の加速ゲートの間に位置し、固定された表面電位を有する中間ダイオード領域（ＤＩ）を含んでいる。電荷が蓄積ノードに転送される前に転送構造内で移動中に、一連の高および低電位が交互に加速ゲートに印加される。増幅は交替の数に依存する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の画質の向上を図る。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１０の撮像領域２１内に設けられ、少なくとも１つの光電変換素子３０を含む単位セルと、半導体基板１０の黒基準領域２９内に設けられ、少なくとも１つの光電変換素子４０を含む黒基準セルと、半導体基板１０上の絶縁膜７１を介して単位セルの上方に設けられるレンズ６０と、絶縁膜７１を介して黒基準セルの上方に設けられ、表面に凹凸部６２を有する第１の遮光膜６１と、を含んでいる。 （もっと読む）