【課題】低輝度レベルでの画像収集を行う電子増倍画像センサを提供する。
【解決手段】各ピクセルは、半導体能動層１２の表面に、フォトダイオード領域（ＰＨＤ）、電荷蓄積ノード１８、およびフォトダイオードから蓄積ノードに電荷を転送するための転送構造を含んでいる。転送構造は、フォトダイオードに隣接する第１の転送ゲート（ＴＲ１）、蓄積ノードに隣接する第２の転送ゲート（ＴＲ２）、および第１と第２の転送ゲートの間に位置する電子増倍増幅構造（ＡＭＰ）を含んでいる。増幅構造は、２個の別々の加速ゲート（ＧＡ、ＧＢ）、および２個の加速ゲートの間に位置し、固定された表面電位を有する中間ダイオード領域（ＤＩ）を含んでいる。電荷が蓄積ノードに転送される前に転送構造内で移動中に、一連の高および低電位が交互に加速ゲートに印加される。増幅は交替の数に依存する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ型の固体撮像装置において、画素が微細化されても感度の向上を図る。
【解決手段】画素トランジスタのうち、少なくともリセットトランジスタ及び増幅トランジスタを共有する横２画素、縦４×ｎ画素（ｎは正の整数）のフォトダイオード配列を１共有単位としたレイアウトを有する。そして、増幅トランジスタのゲート長を画素ピッチ以上の長さとする。 （もっと読む）

【課題】複数の受光素子によって単位画素を構成する撮像素子において、２つの画像信号を効率よく読み出せるようにするとともに、読み出し回路を効率良く配置できるようにする。
【解決手段】第１の画像を生成するための第１の受光素子と、第１の画像に対して視差を有する第２の画像を生成するための第２の受光素子とを含む受光素子群と、受光素子群の直上に配置されたマイクロレンズとを単位画素とし、単位画素を二次元に配置した固体撮像素子であって、第１の受光素子からの信号を第１の方向から読み出し、第２の受光素子からの信号を第２の方向から読み出すようにした。 （もっと読む）

【課題】高輝度の光入力または被写体の瞬時の明るさ上昇に対しても、画像形成不能状態を生じない受光装置を提供する。
【解決手段】受光素子アレイ１０と、信号入力部および該信号入力部を経由する信号を受ける本体部を有するマルチプレクサとを備え、受光素子アレイ１０において、受光素子Ｓの間に位置するモニタ受光部Ｍを備え、いずれも、各自ｐｉｎ型フォトダイオードを形成し、モニタ受光部および受光素子の電極は各別に信号入力部に接続され、該信号入力部において、受光素子からの直の信号は、モニタ受光部からの直の信号に基づいてゲイン制御またはオンオフ制御されて、本体部へ出力される。 （もっと読む）

【課題】ラインセンサにおいて、画素内で発生したランダムノイズを低減することができ、これにより製造歩留まりを向上する。
【解決手段】複数の画素を１次元に配列してなる画素部１２０を有し、該複数の画素の各々で光電変換により得られた信号電荷を画素信号に変換して出力するラインセンサ１００において、該画素Ｐａは、入射光を光電変換して信号電荷を発生する光電変換素子ＰＤと、該光電変換素子で発生した信号電荷に応じた信号電圧を増幅する複数の増幅トランジスタＡＭＰｎ１、ＡＭＰｎ２、・・・、ＡＭＰｎｋとを備え、複数の増幅トランジスタの各々で増幅された信号電圧を複数の画素信号として並列出力し、この並列出力された複数の画素信号の信号レベルを平均化して得られる平均値を、各画素の画素値として出力する。 （もっと読む）

【課題】基板上に配置された光検出器のバイアス条件が改良された検出行列を備える電磁放射検出装置およびこの製造方法を提供する。
【解決手段】検出装置は、第１の導電型の半導体基板（１）を備えている。第１の組織軸に沿って組織化されたフォトダイオード行列が基板（１）上に形成される。各フォトダイオードが基板（１）に少なくとも部分的に形成される。周辺バイアスリングがフォトダイオード行列（１）の周辺に形成される。バイアスリングはバイアス電圧生成器（３）に接続される。導電性コンタクトが基板に接続され、かつ、第１の組織軸上の２つのフォトダイオード間に配置される。コンタクトを２つのフォトダイオードの各々から分離する距離は、第１の組織軸に沿って２つの隣接するフォトダイオードを分離する距離に等しい。コンタクトはバイアス電圧生成器に接続される。 （もっと読む）

【課題】高速動作をすることができる固体撮像装置を備えるＸ線検査システムを提供する。
【解決手段】Ｘ線検査システムは、Ｘ線発生装置から出力されて検査対象物を透過したＸ線を固体撮像装置１Ａにより撮像して該検査対象物を検査する。固体撮像装置１Ａは受光部１０Ａおよび信号読出部２０を備える。受光部ではＭ×Ｎ個の画素部がＭ行Ｎ列に配列されている。第１撮像モードのとき、受光部におけるＭ×Ｎ個の画素部のフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値が信号読出部から出力される。第２撮像モードのとき、受光部における連続するＭ_１行の特定範囲に含まれる画素部のフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値が信号読出部から出力される。固体撮像装置の移動方向に対して第２撮像モードのときの受光部における特定範囲の長手方向が垂直になるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】受光領域のうち一部の領域の画素に蓄積された電荷を選択的に読み出す際に、一つの撮像フレームに要する時間を抑制し、また周辺回路への負荷を低減することができる固体撮像素子の制御方法を提供する。
【解決手段】受光領域のうち一部の領域を構成する一又は複数の読出対象行に含まれる画素に蓄積された電荷を、Ｌ回（Ｌは２以上の整数）の撮像フレームの各々において選択的に読み出すとともに、Ｌ回の撮像フレームのそれぞれにおいて、一部の非読出対象行のみに含まれる画素に蓄積された電荷のリセットを行い、且つ、二以上の非読出対象行の各々についてＬ回の撮像フレームの間に少なくとも一回、リセットを行う。 （もっと読む）

【課題】積層フォトダイオードにおいて半導体基板表面からの深さ距離で決まる分光特性における混色を低減し、また、３色以上の分光特性を検知することにより感度を向上させることができる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板中に、第１導電型の光電変換領域（１２，１４）と、前記第１導電型と逆の導電型である第２導電型の領域（１１，１３，１５）とを交互に複数積層した光電変換装置であって、複数の前記第１導電型の光電変換領域（１２，１４）の間に設けられる前記第２の導電型の領域（１３）に印加する電圧を制御することにより、前記半導体基板中に形成される空乏層の幅を変化させる電圧制御部（１８）を有することを特徴とする光電変換装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】被写体から反射した可視光に基づく可視画像の撮影と赤外光に基づく赤外画像の撮影とを同時に行うことのできる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板内１にはＲ光検出光電変換部３ｒ、Ｇ光検出光電変換部３ｇ、Ｂ光検出光電変換部３ｂが二次元状に配列される。基板１内の各光電変換部の上方には、一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３間に設けられた光電変換膜１２とを含む光電変換部が形成される。光電変換膜１２は、可視域と赤外域を併せた範囲における吸収スペクトルの吸収ピークを赤外域に持ち、吸収した光に応じた電荷を発生する有機光電変換材料を含んで構成され、全体として可視域の光を５０％以上透過する。電極１３上方には、基板内の各光電変換部に対応してカラーフィルタ１３ｒ，ｇ，ｂが設けられる。 （もっと読む）

【課題】製造効率の向上、コストダウン、信頼性の向上、小型化を容易に実現させる。
【解決手段】接着層５０１によってセンサ素子１００に接着される第１ガラス基板３０１Ａにおいてセンサ素子１００に対面する面に対して反対側の面に、遮光層３１１を設ける。そして、第１ガラス基板３０１Ａにおいて遮光層３１１が設けられた面に対面するように、第２ガラス基板３０１Ｂを配置する。 （もっと読む）

【課題】製造効率の向上、コストダウン、信頼性の向上、小型化を容易に実現させる。
【解決手段】ガラス基板３０１においてセンサ素子１００に対面する側の面のうち、画素領域ＰＡに対応する部分と、画素領域ＰＡの周辺に位置する周辺領域ＳＡの一部とを被覆するように、赤外カットフィルタ層３１１を形成する。そして、センサ素子１００と赤外カットフィルタ３００とが対面する面の周辺部分において、ガラス基板３０１にて赤外カットフィルタ層３１１で被覆されていない部分と、その赤外カットフィルタ層３１１の周辺部分とに接するように、接着層５０１を設ける。 （もっと読む）

【課題】衝撃ノイズによる誤動作を防止しつつ、Ｘ線の照射開始を自己検出する。
【解決手段】画素３７を制御するための走査線４７が行毎に、信号電荷を読み出すための信号線４８が列毎に配設された撮像領域５１を有するＦＰＤ２５と、蓄積動作と読み出し動作とを行わせるゲートドライバ５２と、Ｘ線の照射開始を検出するとともに、Ｘ線の照射開始を検出したときに、蓄積動作が開始するようにゲートドライバ５２を制御する制御部５４と、信号線４８のうち少なくとも１本の第１信号線に接続され、ＴＦＴ４３のオンオフの状態に関わらず、Ｘ線の入射量に応じた信号電荷を第１信号線に送出する短絡画素６２を有し、制御部５４は、蓄積動作が開始された後、第１信号線の出力値と第１信号線とは別の第２信号線の出力値に基づいて、照射開始の検出が、Ｘ線の照射による正当なものか、ノイズによる誤検出かを判定する。 （もっと読む）

【課題】光検出感度の低下を抑えながらクロストークを低減するために有利な技術を提供する。
【解決手段】位相差検出方式による焦点検出のための複数の画素を含む固体撮像装置において、前記画素は、互いに独立して信号の読み出しが可能な複数の光電変換部を含む半導体領域と、マイクロレンズと、前記マイクロレンズと前記半導体領域との間に配置されたレンズ面とを含み、前記レンズ面は、前記マイクロレンズを通過して前記半導体領域に向かう光に対して負のパワーを作用させる。 （もっと読む）

【課題】使用環境によらずに高画質での撮像が可能な複眼系の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】二次元配列された光電変換部２１と、各光電変換部２１に対応して光電変換部２１の上方に二次元配列されたオンチップレンズ２７ａと、オンチップレンズ２７ａのうちの複数毎に対向配置されたマイクロレンズ１０ａと、オンチップレンズ２７ａとマイクロレンズ１０ａとの間に挟持された第１中間層２９および第２中間層３１からなる透明材料層とを備えた固体撮像装置である。 （もっと読む）

【課題】高ダイナミックレンジイメージセンサを提供する。
【解決手段】第１の基板１２上に、複数の画素１８であって、各画素が光検出器を有する画素と、前記複数の光検出器に接続する複数の読み出し回路であって、各読み出し回路が、この読み出し回路に接続する少なくとも１つの光検出器の充放電装置を有し、各充放電装置は、充放電の作動信号によって制御して前記読み取り回路に接続する各画素の前記光検出器の積分時間を課す回路とを有する。第１の基板１２とは異なる第２の基板１４を有し、この第２の基盤上には充放電装置の制御電子回路３０、３２、３４を配置し、この回路は、第１の基板１２と第２の基板１４との間の電気接続１６を介して充放電装置に転送するための充放電の作動信号を生成するように設計し、各画素または画素群は作動信号に接続して固有かつ適切な積分時間をこの画素または画素群に課す。 （もっと読む）

【課題】回路規模の大幅な増大を防ぎつつ、黒沈み現象及び横スジ現象などの画質の悪化を効果的に抑制する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像装置１００は、列毎に設けられており、対応する列の垂直信号線１１１の電圧をクリップ電圧に抑制する複数のクリップ回路１１２を備え、複数のクリップ回路１１２の各々は、対応する列の垂直信号線１１１の電圧と、設定電圧１４４との電圧差を増幅するソース接地型の増幅回路１４０と、増幅回路１４０により増幅された信号がゲート端子に印加され、ソース端子及びドレイン端子の一方が対応する列の垂直信号線１１１に接続されているＭＯＳトランジスタ１４１とを含む。 （もっと読む）

【課題】出力特性のばらつきを抑えつつ、遅延効果による課題を解決することができる固体撮像装置、および固体撮像装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】制御部６は、Ｍ行のうち或る行を構成する各画素Ｐ_ｍ、ｎの読出用スイッチＳＷ_１を接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を積分回路Ｓ_ｎに入力させ、積分回路Ｓ_ｎから出力された電圧値を第１の保持回路Ｈ_Ｏ１、ｎに保持させたのち、転送用スイッチＳＷ_３２を接続状態にして該電圧値を第２の保持回路Ｈ_Ｏ２、ｎに転送し、その後、該電圧値を第２の保持回路Ｈ_Ｏ２、ｎから順次に出力させる動作と、Ｍ行のうち他の行を構成する各画素Ｐ_{ｍ＋１、ｎ}の読出用スイッチＳＷ_１を接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を積分回路Ｓ_ｎに入力させる動作とを並行して実施する。 （もっと読む）

【課題】光電変換膜に印加される電圧が高い場合でも増幅トランジスタのゲート破壊を抑えることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素単位セル１１と垂直信号線１７とを備え、画素単位セル１１は、光電変換膜１３と、画素電極７と、正電圧が印加された透明電極９と、シリコン基板１内に形成されたトランジスタであって、画素電極７と結線されたゲート電極を有し、画素電極７の電位に応じた信号電圧を出力する増幅トランジスタ５と、シリコン基板１内に形成されたトランジスタであって、画素電極７と結線されたドレイン領域を有し、増幅トランジスタ５のゲート電極の電位をリセット電圧にリセットするリセットトランジスタ６とを有し、シリコン基板１内には、リセットトランジスタ６のドレイン領域により寄生ダイオードが形成され、寄生ダイオードのブレークダウン電圧は増幅トランジスタ５のゲート破壊電圧以下である。 （もっと読む）

【課題】高輝度な被写体を撮像してもストリーキングの発生を抑制することが可能な小型の固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、２次元状に配列され、受光量に応じた画素信号を出力する画素回路１と、画素回路１の列に対応して設けられ、対応する列の画素回路１と接続された垂直信号線３と、垂直信号線３に電流を供給する画素電流源回路４と、垂直信号線３に対応して設けられ、対応する垂直信号線３を介して出力される画素信号をデジタル信号にＡＤ変換するカラムＡＤＣ６と、複数のカラムＡＤＣ６の出力と接続されたＬＶＤＳ出力バッファ回路１１と、ＬＶＤＳ出力バッファ回路１１を制御する制御回路１４とを備え、制御回路１４は、カラムＡＤＣ６によりＡＤ変換が行われている期間中に、ＬＶＤＳ出力バッファ回路１１を停止する。 （もっと読む）