【課題】フォトダイオードに蓄積された電荷をより正確に読み出す。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１内に設けられ、第１導電型の半導体層を有するフォトダイオード１６と、フォトダイオード１６上に設けられ、上部又は全体が第２導電型の半導体層からなるシールド層２７と、半導体基板１１に設けられ、フォトダイオード１６に蓄積された電荷を浮遊拡散層に転送する転送トランジスタ２０とを含む。シールド層２７の上面は、半導体基板１１の上面より高い。 （もっと読む）

【課題】電荷結合デバイス画像センサの構造、作成、使用法を提供する。
【解決手段】チャネルドーピング層８０２と比較して逆導電型にドープされた１つ以上のチャネルストップ層８０４を、チャネルドーピング層８０２から離して配置することにより、電荷増倍ＣＣＤチャネルにおける衝撃イオン化によるスプリアス電荷の生成を大きく低減する。 （もっと読む）

【課題】ランダムノイズを低減する。
【解決手段】固体撮像装置は、基板上に形成され、光電変換部（PD）と複数の画素内トランジスタとからなる画素が２次元配列された画素アレイを備え、複数の画素内トランジスタのうちの所定の画素内トランジスタの電極、具体的には、増幅トランジスタのゲート電極のみに接続されるコンタクトの基板に平行な面の形状は、略長方形または略楕円形に形成される。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】黒レベルの基準値の検出をより正確に行うことができるようにする。
【解決手段】本開示の撮像素子は、有効画素領域の画素値の黒レベルの基準値を検出するための領域であり、半導体基板外部からの光が遮光膜により遮光されるオプティカルブラック画素領域に、前記オプティカルブラック画素領域の前記半導体基板内部に存在する電荷を、前記オプティカルブラック画素領域の外部に伝送する伝送路領域を備える。本開示は撮像素子、撮像装置、並びに、製造装置および方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの画質を改善する
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１１０の画素アレイ１２０内に設けられた単位セル形成領域ＵＡと、単位セル形成領域ＵＡ内に設けられ、被写体からの光信号に基づいた信号電荷を生成する画素１Ａと、単位セル形成領域ＵＡ内に設けられ、画素１Ａからフローティングディフュージョン６に転送された信号電荷に対応した電位を増幅するアンプトランジスタ５と、を含む。アンプトランジスタ５のゲート電極５０は、半導体基板１１０の溝内にゲート絶縁膜を介して埋め込まれた第１の埋め込み部１５１を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】より良好な画素信号を得る。
【解決手段】固体撮像素子は、入射する光を電荷に変換する光電変換素子、および、光電変換素子により光電変換された電荷を一時的に保持する電荷保持部が形成された半導体基板と、少なくとも半導体基板の光電変換素子および電荷保持部の間の領域に延在するように埋め込まれる埋め込み部を有する遮光部とを備える。さらに、遮光部は、光電変換素子に光が入射する側である半導体基板の裏面側において、少なくとも電荷保持部を覆うように配置される蓋部をさらに有する。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSセンサに適用できる。 （もっと読む）

【課題】画素間においての混色を防止することが可能で、これにより撮像特性の向上が図られた固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】固体撮像装置１-1は、半導体層３０と、半導体層３０の内部に半導体層３０の表面に対して２次元的に配列されたｎ＋型（第1導電型）の電荷蓄積領域３１とを備えている。さらに半導体層３０の内部には、半導体層３０の表面から電荷蓄積領域３１までの深さにわたってｐ＋型（第２導電型）の界面領域３７が設けられている。特に、電荷蓄積領域３１を囲む位置には、界面領域３７に対してｐ型不純物が追加で導入されたｐ++型の高濃度領域３９が電荷移動防止領域として設けられている。 （もっと読む）

【課題】飽和電荷量の向上が可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体５１の表面５１Ａ側に形成された第１フォトダイオードＰＤ１と、裏面５１Ｂ側に形成された第２フォトダイオードＰＤ２を備える。そして、第２フォトダイオードＰＤ２を構成する第１導電型半導体領域５９と第２導電型半導体領域５８との接続面の不純物濃度が、第２導電型半導体領域５８の第１導電型半導体領域５９と反対側の層との接続面の不純物濃度以上である固体撮像素子５０を構成する。 （もっと読む）

【課題】一般的なＣＭＯＳ製造プロセスを適用した場合においても、イメージセンサ特性の劣化を生じさせず、また、製造プロセス上の制約を受けることなく、フォトダイオード上に形成された反射防止膜の膜厚を最適化できる構造を有する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、シリコン基板１０における上部に形成された光電変換を行うフォトダイオード１１と、シリコン基板１０上に、フォトダイオード１１を覆うように形成されたシリコン酸化膜１７と、シリコン酸化膜１７の上に形成されたシリコン窒化膜１８とを備える。シリコン窒化膜１８は、フォトダイオード１１の全部又は一部の上において、シリコン窒化膜１８における少なくとも端部の膜厚よりも薄い膜厚部分を有している。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードを有する半導体イメージセンサーにおいて、より高い光検出効率を実現し、光検出部以外の信号処理を行う画素トランジスタの特性を安定させることで、半導体装置の微細化を可能にする。
【解決手段】フォトダイオードＰＤを構成するＰ^＋領域１２６およびＮ型領域１１１に炭素を共注入して炭素注入層１２８ａ、１２８ｂを形成することで、フォトダイオードＰＤの容量を増大させる。また、炭素注入層１２８ｂの形成によりＮ型領域１１１を含む転送トランジスタＴｒのチャネル内のホウ素の分布を均一化し、転送トランジスタＴｒの特性を安定させることで半導体装置内の素子の特性ばらつきの発生を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】画素分離部の幅を縮小することや光電変換部の面積の拡大することを可能にする固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の電荷蓄積領域２３を含む光電変換部及び画素トランジスタＴｒ_１から成る画素３８と、画素３８が複数配列された画素領域と、この画素領域内の隣接する画素３８間の半導体層２２に設けられたトレンチ４２の内壁部に形成された、エピタキシャル成長による第１導電型の半導体層４３と、この第１導電型の半導体層４３の内部に形成され、隣接する画素３８の電荷蓄積領域２３を分離する、画素分離部４１とを含んで、固体撮像装置２１を構成する。 （もっと読む）

【課題】 例えばブルーミングや混色などの発生をさらに抑制することのできる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 本開示の固体撮像装置１００では、キャリア極性が第１の導電型である第１不純物層５を含む光電変換部１１上に、キャリア極性が第２の導電型である第２不純物層６、及び、キャリア極性が第１の導電型である第３不純物層７をこの順で形成する。さらに、第３不純物層７を不純物領域部１６と接続し、かつ、第３不純物層７を覆うようにゲート電極３を形成する。この構成により、光電変換期間中に、光電変換部１１から第２不純物層６を介して第３不純物層７に向かう方向に余剰電子のオーバーフロー経路を形成して光電変換部１１の余剰電子を排出する。 （もっと読む）

【課題】本発明の一つの実施形態の目的は、素子分離特性を向上可能な固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像装置の製造方法が提供される。固体撮像装置の製造方法は、素子分離領域形成工程と、電荷蓄積領域形成工程とを含む。素子分離領域形成工程では、第１導電型の半導体層をエピタキシャル成長させて光電変換素子間を分離する素子分離領域を形成する。電荷蓄積領域形成工程では、第２導電型の半導体層をエピタキシャル成長させて前記光電変換素子における電荷蓄積領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に発生するノイズを低減する
【解決手段】 シリコン基板１００の第１部分１１０を覆い、シリコン基板１００の第１部分１１０に隣接する第２部分１２０を覆わない窒化シリコン膜２００をマスクとしてシリコン基板１００を熱酸化することにより、酸化シリコン膜３００を形成する。窒化シリコン膜２００をマスクとして酸化シリコン膜３００のバーズビーク部３１０の下へ斜めイオン注入を行うことにより、不純物領域１２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】画素部と電極との間のリーク電流を低減する。
【解決手段】固体撮像装置１は、第１及び第２の領域を有する半導体層１３と、第１の領域に設けられた画素部と、第２の領域に設けられ、かつ半導体層１３を貫通する複数の電極２２と、第２の領域に設けられ、かつ半導体層１３を貫通し、かつ画素部と複数の電極２２とを電気的に分離するガードリング２０とを含む。第２の領域の半導体層１３の上面は、第１の領域の半導体層１３の上面より低い。 （もっと読む）

【課題】画素サイズが小さくなっても、上記電荷検出部の容量を更に低減することにより電荷電圧変換率を更に向上させて更なる高画質の画像信号を得る。
【解決手段】Ｎ型基板２の上部にＰ型ウエル３が設けられ、Ｐ型ウエル３内に埋め込みフォトダイオード６および電荷検出部７が設けられており、電荷検出部７の下方のＰ型ウエル３は完全に空乏化されている。このように、電荷検出部７とＮ型基板２に挟まれたＰ型ウエル３を空乏化することにより、電荷検出部７のジャンクション容量Ｃを大幅に下げることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】出力部の変換効率を向上させて、高感度の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、信号電荷を生成する複数の受光部１０２と、前記信号電荷を転送する転送部１０４と、転送部１０４から転送される信号電荷を蓄積する浮遊拡散層２２と、浮遊拡散層２２の信号電荷を電圧に変換する出力部２３と、転送部２２と出力部２３とに接する分離領域とを備え、分離領域は、第１導電型不純物を含む第１分離領域２４１と、第１分離領域２４１よりも高濃度の第１導電型不純物を含む第２分離領域２４２を有し、前記第１分離領域は、前記浮遊拡散層に隣接する。 （もっと読む）

【課題】 電荷伝送効率及びフィルファクタを向上可能なイメージセンサを提供する。
【解決手段】 イメージセンサ５は、第１面１及び第２面２を有する半導体層１００、半導体層１００の第１面１上に配置される配線層２００、および半導体層１００の第２面２上に配置される光透過層３００を有する。半導体層１００は、光電変換部１１０を構成するｐ型不純物層１１３、及びｎ型不純物層１１１を有する。ｐ型不純物層１１３内に形成されるフローティング拡散領域１３１、及びフローティング拡散領域１３１を囲むように形成されるトランスファーゲート電極１２３は、ｎ型不純物層１１１上の第１面１側に形成される。これにより、光電変換部１１０で電位が最も高い地点とトランスファーゲート電極１２３との間の距離が小さくなるため、フローティング拡散領域１３１への電荷伝送効率が向上することができる。 （もっと読む）

【課題】赤画素、緑画素、青画素と同時に赤外光を受光可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換により発生した電荷を蓄積するＮ型不純物層１１、１２、１３、１４が設置され、Ｎ型不純物層１１、１２、１３、１４のそれぞれの表面側には、Ｐ型シリコン半導体基板１０の表面をシールドし、フォトダイオードの暗電流を抑制するためのＰ型不純物層１５、１６、１７、１８が設置され、Ｐ型シリコン半導体基板１０の受光面より上部側（撮像対象側）には、画素の配列を実現するように、入射光から赤色光、緑色光、青色光、赤外光を分離する（透過させる）カラーフィルター２６、２７、２８、２９が配置されて、赤画素３１、緑画素３２、青画素３３及び赤外画素３４を具備する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも暗電流の抑制を図ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】基板の第１面側に配線層を有し、基板の第２面側から光を受光する固体撮像装置であって、基板の第２面上に形成された膜厚１ｎｍ以上５０ｎｍ以下の第１絶縁膜７１と、第１絶縁膜７１上において、周辺回路領域を除く撮像領域の受光部の受光面上に形成された酸化インジウム錫、又は、酸化亜鉛からなる透明導電膜７４とを備える。 （もっと読む）