【課題】導波路凹部内に空洞を生じることなく高屈折率物質を埋め込むことにより、集光率を高くすることを可能とする固体撮像装置を提供する。
【解決手段】画素ごとにフォトダイオード１０１が形成された半導体基板１００の上に絶縁膜１０９Ａ〜１０９Ｃ等が形成されている。フォトダイオード１０１の上方に位置する部分の絶縁膜１０９Ａ〜１０９Ｃ等に凹部１５０が形成されている。凹部１５０の側面及び底面を被覆するように、絶縁膜１０９Ａ〜１０９Ｃ等よりも高い屈折率を有する第１の埋め込み膜１１０が形成されている。第１の埋め込み膜１１０上に凹部１５０が埋まるように、絶縁膜１０９Ａ〜１０９Ｃ等よりも高い屈折率を有する第２の埋め込み膜１１０が形成されている。凹部１５０の断面積は、半導体基板１００の受光面から遠ざかるに従って大きくなる。 （もっと読む）

【課題】画素分離領域を狭小化することによって画素数を十分に増大させることができ、隣接する画素に入射した可視光の前記画素分離領域に対する透過を抑制し、高い解像度を得ることが可能なＣＭＯＳイメージセンサを提供する。
【解決手段】第一導電型の半導体基板と、前記第一導電型の半導体基板上に形成され、入射した光をキャリアに変換するフォトダイオードを備え、前記第一の導電型とは異なる第二の導電型の画素領域と、前記第一の導電型であり、前記半導体基板前とともに前記画素領域を取り囲むように形成された素子分離領域と、前記画素分離内に形成された空洞と、前記画素分離領域上に形成されたゲート電極と、を備えるようにしてＣＭＯＳイメージセンサを構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、感度ムラや、シェーディングが抑制された固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】基板１９と、基板１９に形成された画素２と、隣接する画素間を分離する多段素子分離層３１とを有して構成されている。画素２は、入射光に応じた信号電荷を生成、蓄積する受光部１２と、基板１９上に形成された画素電極１４とを有して構成されている。多段素子分離層３１は、複数段の不純物拡散層を有して構成されている。そして、受光部１２を挟んで画素電極１４に対向する領域の基板表面から深さ方向に形成された多段素子分離領域３１は、基板１９の光入射面から０．５μｍ〜１μｍよりも深い領域において、受光部１２から所定の距離Ｗ１だけ離して形成された下段素子分離層２４，２５を有している。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質を向上し、製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】画素分離ウェルＰＳの形成工程では、画素分離ウェルＰＳの形成領域のうち、複数の画素Ｐを間に挟む領域に、不純物をイオン注入して、第１の画素分離ウェルＰＳ１を形成する。その後、第１の画素分離ウェルＰＳ１の形成領域と異なる位置において複数の画素Ｐを間に挟む領域に不純物をイオン注入して、第２の画素分離ウェルＰＳ２を形成する。読出しドレインＦＤの形成工程では、画素分離ウェルＰＳのうち、各部ＰＳ１，ＰＳ２のいずれか一方において不純物がイオン注入された部分に、複数の読出しドレインＦＤを形成する。つまり、両部ＰＳ１，ＰＳ２が交差する部分ＰＳ１２に読出しドレインＦＤを形成しない。 （もっと読む）

【課題】微細な画素ピッチであってもリーク電流や暗電流をなくすことができる撮像素子を提供する。
【解決手段】フォトダイオ−ドＰＤ及びカラーフィルタＣＦを含む複数の画素がシリコン基板１０に配置された撮像素子において、シリコン基板１０の厚さ方向の表面位置が隣接する画素間で異なるようにした。 （もっと読む）

【課題】感光期間において信号電荷の転送を行うことが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】２次元状に配列された複数の単位セル１６を備える固体撮像装置であって、単位セル１６は、ｐ型半導体基板１上に設けられた光電変換膜８と、光電変換膜８で生成した信号電荷を収集する信号電荷収集手段と、信号電荷収集手段により収集された信号電荷を蓄積する信号電荷積分手段とを備え、信号電荷収集手段は、ｐ型半導体基板１内に設けられたｎ型電荷収集拡散層５と、ｎ型電荷収集拡散層５および光電変換膜８と電気的に接続された画素電極７とを有し、信号電荷積分手段は、ｎ型電荷収集拡散層５を取り囲むようにｐ型半導体基板１内に設けられた上面ｐ型拡散層２と、ｎ型電荷収集拡散層５の下方に上面ｐ型拡散層２と接するようにｐ型半導体基板１内に設けられたｎ型電荷積分拡散層３とを有する。 （もっと読む）

【課題】不揮発メモリトランジスタの閾値電圧のばらつき等を抑えて高画質化を図ることが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素部１００を複数有する固体撮像素子１０であって、画素部１００は、光電変換部３と、光電変換部３で発生した電荷を蓄積可能なフローティングゲートＦＧ１，ＦＧ２をそれぞれ含む不揮発性メモリトランジスタＭＴ１，ＭＴ２とを有し、光電変換部３のリセット後に光電変換部３で発生した電荷をフローティングゲートＦＧ１，ＦＧ２に蓄積し、次いで、露光期間中に光電変換部３で発生した電荷をフローティングゲートＦＧ１に蓄積する制御部４０と、フローティングゲートＦＧ１に蓄積された電荷に応じた第一の信号と、フローティングゲートＦＧ２に蓄積された電荷に応じた第二の信号との差分を撮像信号として読み出す読み出し回路２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】受光素子と回路素子領域との素子分離領域でのリーク電流の低減を図ること。
【解決手段】本発明は、半導体基板に形成されるフォトダイオードＰＤと、半導体基板のフォトダイオードＰＤに隣接して形成されるトランジスタ（回路素子領域）と、半導体基板におけるフォトダイオードＰＤとトランジスタ（回路素子領域）との間に形成され、中央に関して一方側より他方側が深く形成されている素子分離部ＩＳＬとを有する固体撮像装置である。また、この固体撮像装置を備えた電子機器でもある。 （もっと読む）

【課題】任意の増倍回数で増倍された電荷信号の増倍率を算出することが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】このＣＭＯＳイメージセンサ１００（撮像装置）は、光電変換により電荷を生成するＰＤ部１１と、電荷を増倍するための電子増倍部１０ｃを含む電荷転送領域１０ａ（転送ゲート電極１４、増倍ゲート電極１５、転送ゲート電極１６および蓄積ゲート電極１７下の転送チャネル１０）とを備える。また、ＰＤ部１１と、転送チャネル１０の電荷転送領域１０ａとの両方の領域に発生する暗電流（電荷信号）を増倍ゲート電極１５下の転送チャネル１０（電子増倍部１０ｃ）において増倍させ、増倍された暗電流の電荷信号による出力値Ｑ_ｋ、Ｑ_ｍおよびＱ_ｎに基づいて、暗電流（電荷信号）の増倍率Ｍが算出されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置を微細化・高速化しても、高い感度で、安定した動作を行うことのできる固体撮像装置を提供することにある。
【解決手段】アレイ状に配列した画素部１０の隣接する光電変換部１１間、及び光電変換部１１と増幅トランジスタ１４間は、それぞれ絶縁分離部２２で分離され、絶縁分離部２２は、光電変換部１１間に増幅トランジスタ１４が配置されていない第１の領域Ａと、増幅トランジスタ１４が配置されている第２の領域Ｂとを有している。第１の領域Ａの絶縁分離部２２下方には低濃度の第１の分離拡散層２３が形成され、第２の領域Ｂの絶縁分離部２２下方には高濃度の第２の分離拡散層２４と低濃度の第１の分離拡散層２３が形成されている。第２の領域Ｂにおける増幅トランジスタ１４のソース・ドレイン領域は、第２の分離拡散層２４と同時に形成されたウエル領域２５内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】転送クロック間の位相ずれに応じて出力信号波形に歪が生じてしまうこと。
【解決手段】ラインセンサ１００は、第１導電型のウェル領域１２が形成された第２導電型の半導体基板１０と、入射光に応じた電荷を生成する複数の画素２０ａがウェル領域１２に形成された画素列２０と、転送クロックに応じて電荷を転送する転送電極がウェル領域１２上に配置されたＣＣＤレジスタ部２２と、転送電極によって転送された電荷に応じた電圧信号を出力する出力回路と、ウェル領域１２及び出力回路に対して基準電位を供給する配線部（電極パッド３６、３７、接続配線２５）と、ウェル領域１２と配線部間の第１コンタクトを、出力回路と配線部間の第２コンタクトに対して接続する配線に含まれる抵抗領域５２と、を備える。抵抗領域５２は、ウェル領域１２に対する不純物拡散により形成される。 （もっと読む）

【課題】画素サイズを微細化しても、高感度にしかつクロストークを低減する。
【解決手段】固体撮像素子は、Ｐ型シリコン基板３１と、Ｐ型シリコン基板３１上のＮ型半導体層３２と、複数の光電変換部３と、Ｐ型のバリア領域３５とを備える。光電変換部３は、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかのカラーフィルタ４４が光入射側に配置され、各々が、Ｎ型半導体層３２の一部の領域からなり入射光に応じて生成された電荷を蓄積する電荷蓄積部３３を有する。バリア領域３５は、各電荷蓄積部３３の周囲を個別に囲むとともに各電荷蓄積部３３をＰ型シリコン基板３１に対して接触させる開口部を有するように、Ｎ型半導体層３２中に形成される。Ｒのカラーフィルタ４４を有する画素２のバリア領域３５の開口部の面積は、Ｇ，Ｂのカラーフィルタ４４を有する画素２のバリア領域３５の開口部の面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤ固体撮像装置において、ホットキャリア現象に起因する発光光が画素領域へ到達するのを抑制し、画質の向上を図る。
【解決手段】画素領域２２と出力回路部２５との間の半導体基板３１に、出力回路２５を構成するトランジスタ２６において発生するホットキャリア発光３７の光電変換部（ＰＤ）への進入を阻止する阻止部４２を有する。 （もっと読む）

【課題】フレアやゴーストの発生が抑制された固体撮像装置と、その固体撮像装置の製造方法を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置１では、矩形形状のオンチップマイクロレンズ１９を用いて入射光を、基板９に形成された受光部２に集光する。また、オンチップマイクロレンズ１９上部には平坦化レンズ層２０を形成する。平坦化レンズ層２０が形成されることによって、固体撮像装置１の光入射面と空気との界面にオンチップマイクロレンズ１９のような周期構造が形成されないので、周期構造物に起因する反射回折光の発生を抑制することができる。これにより、ゴーストやフレアの発生が抑制される。また、オンチップマイクロレンズ１９を矩形形状（又は屈折率分布型）とすることで平坦化レンズ層２０を用いた場合にも十分な集光特性を得ることができ、感度の向上が図られる。 （もっと読む）

【課題】暗電流を抑制すると共に、負の固定電荷を有する層の特性の制約を緩和することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換が行われるフォトダイオードが形成された半導体層２と、少なくともフォトダイオードが形成された領域の半導体層２上に形成された負の固定電荷を有する第１の膜２１と、この負の固定電荷を有する第１の膜２１上に形成された、負の固定電荷を有する第１の膜２１とは異なる材料から成る、負の固定電荷を有する第２の膜２２とを含む固体撮像素子１を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、読み出し電圧が印加されたときのチャネルストップ部の空乏化を阻止して、隣接画素からの電荷の漏れこみを防ぎ、混色を防止することを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１に、マトリックス状に配列されていて入射光を光電変換する受光部２１と、受光部２１より信号電荷を読み出す読み出し部２３と、読み出し部２３で読み出した信号電荷を転送する電荷転送部２４と、信号電荷の垂直転送方向と平行な方向に配列された受光部２１間の半導体基板１１に形成された拡散層からなるチャネルストップ部２５とを有し、チャネルストップ部２５上に形成された少なくとも表面が第１絶縁膜２６からなる空乏化阻止層２７と、電荷転送部２４上に第２絶縁膜２８を介して形成された転送電極２９と、空乏化阻止層２７上に水平転送方向の転送電極２９，２９間を接続する転送電極配線３１を有する。 （もっと読む）

【課題】 光電変換素子同士の間隔が異なる場合、隣接する光電変換素子へ混入する電荷量にばらつきが生じてしまう。
【解決手段】 本発明の光電変換装置は、第１〜第３の光電変換素子を含む複数の光電変換素子を有し、第１の光電変換素子と第２の光電変換素子との間に、第１の幅の、電荷が少数キャリアとなる第１導電型の第１の半導体領域を有する。そして、第１の光電変換素子と第３の光電変換素子との間に、第１の幅より狭い第２の幅の、第１の半導体領域よりも半導体基板に深い、あるいは不純物濃度が高い第１導電型の第２の半導体領域を有する。 （もっと読む）

【課題】重金属汚染物質による半導体装置又は光電変換装置の特性の悪化を抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板における第１の側の面に第１のゲッタリング層を形成する第１の工程と、前記第１の工程の後に、酸化雰囲気中で前記半導体基板を加熱することにより、前記半導体基板における前記第１の側と反対側の第２の側の面に酸化膜を形成する第２の工程と、前記第２の工程の後に、前記第１のゲッタリング層の少なくとも一部を除去する第３の工程と、前記第３の工程の後に、前記半導体基板の前記第２の側にポリシリコン層を形成するとともに前記半導体基板の前記第１の側に第２のゲッタリング層をポリシリコンで形成する第４の工程と、前記ポリシリコン層をパターニングすることにより、ＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜及びゲート電極を形成する第５の工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像素子において、光電変換素子間の隙間を通して入射し配線層で反射する光が光電変換素子に受光されることを防ぎ、ノイズや混色の問題を生じさせない固体撮像素子とその製造方法を提案すること。
【解決手段】薄膜板状のシリコン層と、前記シリコン層の片方の面側に設けられた配線層と、前記シリコン層の前記配線層と反対側の面に受光部を面して形成された複数の光電変換素子と、前記光電変換素子の受光部表面上に該受光部と同形に設けた高屈折率透明層と、前記高屈折率透明層を覆って平坦面を形成する平坦化透明層と、前記平坦化透明層の上面に前記光電変換素子受光部の各々に対応して設けられたカラーフィルタと、を有する。 （もっと読む）

【課題】混色防止、さらに光電変換部の開口率の低下、感度低下等を抑制できる裏面照射型の固体撮像素子を提供するものである。
【解決手段】半導体基板３２に形成された光電変換部３４と、光電変換部３４の信号電荷を読み出す手段からなる複数の画素３５と、半導体基板３２の裏面から光照射する光照射面と、隣接する画素間に位置して半導体基板３２の裏面より内側に埋め込まれた遮光膜４５とを有する。 （もっと読む）