【課題】感度ばらつきを抑え、また、残像やノイズの発生を抑えることで画質の向上を図ることができる固体撮像素子、撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、半導体基板内に形成され、入射光に応じた電荷を生成する光電変換部と、光電変換部で生成された電荷を蓄積するフローティングゲートと、制御ゲートを有し、該制御ゲートと半導体基板との間にフローティングゲートが配置されたトランジスタとを備えた固体撮像素子であって、フローティングゲートの比抵抗と前記光電変換部の比抵抗とが同程度である。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置において、イオン注入の回数を低減する。
【解決手段】複数の素子分離部７を形成する第１の工程と、前記複数の素子分離部のそれぞれの上に配され前記複数の素子分離部の間に開口を有するレジストパターンを前記半導体基板の上に形成する第２の工程と、前記半導体基板における前記素子分離部の下に配された第１の領域６と、前記半導体基板における前記複数の素子分離部の間の前記第１の領域より深い位置に配された第２の領域８と、前記半導体基板における前記第１の領域と前記第２の領域とを接続するように配された第３の領域９とを含む半導体領域を形成する第３の工程と、前記光電変換部を形成すべき領域に前記第１導電型と反対導電型である第２導電型の不純物イオンを前記半導体基板に注入することにより、前記光電変換部における電荷蓄積領域となる第４の領域３ａを前記第３の領域より浅い位置に形成する第４の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換された電荷の電荷蓄積部への電荷注入効率を高めることが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板内に形成された光電変換部３を含む画素部１００を複数有する固体撮像素子１０であって、半導体基板上方に設けられ、光電変換部３の一部の上方に開口が形成された遮光膜Ｗを備え、画素部１００は、光電変換部３で発生した電荷を蓄積するためのフローティングゲートＦＧを半導体基板とコントロールゲートＣＧとの間に有する不揮発性メモリトランジスタＭＴを有し、不揮発性メモリトランジスタＭＴのフローティングゲートＦＧ及びチャネル領域６は遮光膜Ｗによって覆われており、光電変換部３が、不揮発性メモリトランジスタＭＴのチャネル領域６の下まで延在している。 （もっと読む）

【課題】受光領域で取り込んだ電荷を取り扱う能動素子のリーク電流の抑制を図り、受光信号に重畳されるノイズ成分の低減を図ること。
【解決手段】本発明は、受光領域で取り込んだ電荷を取り扱う能動素子と、能動素子の領域を分離する素子分離領域と、素子分離領域を囲む第１の不純物領域と、第１の不純物領域より濃度の低い不純物によって構成される領域であって、第１の不純物領域と能動素子との間に設けられる第２の不純物領域とを有する固体撮像装置である。また、この固体撮像装置を用いた電子機器でもある。 （もっと読む）

【課題】光電変換部で発生した信号電荷であるホールを電荷蓄積領域に効率良く収集する。
【解決手段】光電変換装置は、半導体基板に配された複数の光電変換部を有し、前記光電変換部は、第１の不純物を含むＰ型の電荷蓄積領域と、前記Ｐ型の電荷蓄積領域とフォトダイオードを構成するＮ型のウエル部とを備える。前記ウエル部は、砒素を第１の濃度で含むＮ型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の下に配され、砒素を前記第１の濃度より低い第２の濃度で含むＮ型の第２の半導体領域と、前記第２の半導体領域の下に配され、第２の不純物を前記第１の濃度よりも高い第３の濃度で含むＮ型の第３の半導体領域とを含む。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードのカソードをｎ型の埋め込み層で構成した新規な構造の光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、ｎ型の表面領域１８と、表面領域１８の下に形成されたｐ型領域ＰＲと、ｐ型領域ＰＲの下に形成されたｎ型の埋め込み層１０とを含む。表面領域１８、ｐ型領域ＰＲおよび埋め込み層１０によって埋め込み型のフォトダイオードＰＤが構成される。表面領域１８の主要不純物の拡散係数は、埋め込み層１０の主要不純物の拡散係数より小さい。 （もっと読む）

【課題】低温増速拡散を抑制して低電圧で充分な飽和電荷を得る急速熱加熱技術の提供。
【解決手段】光電変換部を配すべき領域を露出する第１のレジストパターンＲＰ２をマスクとして前記半導体基板にＮ型の不純物のイオン注入を行うことにより、前記光電変換部における電荷蓄積領域５１１ｉを形成する第１の工程と、前記光電変換部を配すべき領域を露出する第２のレジストパターンＲＰ３をマスクとして前記半導体基板にＰ型の不純物のイオン注入を行うことにより、前記光電変換部における前記電荷蓄積領域５１１ｉの上に配されるべき表面領域を形成する第２の工程と、前記第１の工程及び前記第２の工程の後に、ＲＴＡ法による８００℃以上１２００℃以下での前記半導体基板の加熱を行う第３の工程と、８００℃未満での前記半導体基板の加熱を伴う方法により、前記半導体基板を覆うように反射防止膜６０を形成する第４の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】暗電流が少なくかつ、ＣＤＳ動作によるリセットノイズ除去が行え、低照度の撮影環境においても高いＳ／Ｎ比での撮影が可能な固体撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板上に形成され、電荷を蓄積する第１の導電型の電荷蓄積領域（１０４）と、電荷蓄積領域の少なくとも一部を覆って半導体基板の表面に形成された第２の導電型の第１の表面領域（１０５）と、電荷を蓄積する第１の導電型のフローティングディフュージョン領域（１０３）と、電荷蓄積領域の全面を覆い、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して、電荷蓄積領域に蓄積された電荷をフローティングディフュージョン領域に転送する電極（１０２）とを有し、電極は光が透過可能な膜厚であり、電極の下は、フローティングディフュージョン領域から離れ第１の表面領域を有する部分と、フローティングディフュージョン領域に近く第１の表面領域を有しない部分とを有する。 （もっと読む）

【課題】 撮像素子の高感度化と画素の微細化とを同時に実現することが可能な撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｎ型シリコンの半導体基板１２の表面にはＰ−型層１４が形成されている。Ｐ−型層１４の上層には、Ｎ型層２０とＮ型層２２を含む光電変換部２４が島状に形成されている。Ｎ型層２２の表面にはＰ＋型層２６が形成されている。光電変換部２４は、Ｐウェル層１８の深い側に形成されたＮ型層２０と、浅い側に形成されたＮ型層２２とを含んでいる。Ｎ型層２０、２２は互いに異なる元素により形成される。深い方のＮ型層２０は、浅い方のＮ型層２２を構成する元素（例えば、砒素（Ａｓ））よりも質量（原子量）が小さい元素（例えば、燐（Ｐ））により構成される。また、浅い方のＮ型層２２は、質量の大きい元素を、深い方のＮ型層２０の形成時よりも低エネルギーでイオン注入することにより形成される。なお、Ｎ型層は２層以上であってもよい。 （もっと読む）

【課題】通常撮影と特殊撮影をほぼ同時に実施することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の画素部１００を有する固体撮像素１０であって、画素部１００が、光電変換部１１と、光電変換部１１で発生した電荷を選択的に蓄積可能なフローティングゲートＦＧ１，ＦＧ２とを含み、フローティングゲートＦＧ１，ＦＧ２の各々に蓄積された電荷に応じた信号を独立に読み出す読み出し回路２０を備える。 （もっと読む）

【課題】撮像した画像の周辺部分でスミアの発生により異なる色付きが発生することを防止することができる撮像装置を提供する。
【解決手段】ＣＣＤ２２は、受光した光の光量に応じて電荷を蓄積する複数の受光素子８０を垂直方向に沿って配列した素子列８２を水平方向に並列に複数列配置した半導体基板９０と、半導体基板９０上の光の入射側に設けられ、所定の色パターンを有して各々の前記受光素子に対して何れかの色成分の光を透過するカラーフィルタと、各々の素子列８２に対応して並列に配置され、対応する素子列８２の各受光素子８０に蓄積された電荷を転送する複数の垂直転送路８６と、を備えており、半導体基板９０上における光学ユニット２０から入射した光の光軸に対応する位置を含む垂直方向に沿った境界線を境として分割した領域の素子列８２と当該素子列８２に対応する垂直転送路８６との水平方向における並び順を逆としている。 （もっと読む）

【課題】電極パッドの異常を容易に発見することが可能である。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０と、前記半導体基板の第１領域における第１表面から前記第１表面に対向する第２表面まで空けられた第１貫通孔８０内に形成された第１貫通電極２５と、前記半導体基板の前記第１表面において、前記第１貫通電極に接して形成された第１電極パッド２８と、前記第１電極パッドと離間して形成され、前記第１電極パッドと対向する第２電極パッド２９と、前記半導体基板の前記第２表面上に形成され、前記第１貫通電極と電気的に接続された外部端子２７と、前記半導体基板の前記第１表面において、前記半導体基板の前記第１領域と異なる第２領域における前記第１表面から前記第２表面まで空けられた第２貫通孔８０上に形成され、電気的に浮遊した第３電極パッド２８と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードを透過した長波長領域の光が有効に光電変換されるようにして、感度の向上を可能とする。
【解決手段】半導体層１１中に形成された光電変換部２１と、前記光電変換部で光電変換された信号電荷を取り扱うもので、前記光電変換部２１に入射する光の入射側とは反対側の前記半導体層１１に形成された信号回路部（図示せず）と、前記光電変換部２１の光入射側とは反対側に形成されて該光電変換部２１を透過した光を光電変換部側に反射するタングステン層もしくは少なくともタングステン層を含む層からなる反射層４３と配線層５３との積層構造と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードを透過した長波長領域の光が有効に光電変換されるようにして、感度の向上を可能とする。
【解決手段】半導体層１１中に形成された光電変換部２１と、前記光電変換部で光電変換された信号電荷を取り扱うもので、前記光電変換部に入射する光の入射側とは反対側の前記半導体層に形成された信号回路部(図示せ)と、前記半導体層１１の前記光の入射側とは反対側の面に形成されたゲート絶縁膜３１と、前記光電変換部に隣接する前記半導体層上に前記ゲート絶縁膜を介して形成された転送ゲートのゲート電極３２と、前記光電変換部を透過した光を前記光電変換部側に反射するもので前記光電変換部の光入射側とは反対側に形成された反射層４３とを備える。前記反射層４３は、タングステン層もしくは少なくともタングステン層を含む層からなり、前記半導体層１１の光の入射側とは反対側の上方に形成された配線層５３とは異なる層であって、前記半導体層１１と前記配線層５３との間に形成されている。 （もっと読む）

【課題】感度とダイナミックレンジの両立、信頼性の向上、及び画質の向上を可能とする固体撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の画素部１００を有する固体撮像素子１０であって、画素部１００が、入射光に応じて正孔を発生しこれを蓄積するＰ型半導体の光電変換部３と、光電変換部３で発生した正孔をその量に応じた電圧に変換する浮遊拡散層（ＦＤ）５と、ＦＤ５の出力に接続される書き込み制御ゲートＷＣＧ及び書き込み制御ゲートＷＣＧ下方に設けられ書き込み制御ゲートＷＣＧに印加される電圧に応じて蓄積される電子量が変わるフローティングゲートＦＧを有する書き込みトランジスタ１６とを含み、フローティングゲートＦＧに蓄積された電子蓄積量の変化による書き込みトランジスタ１６の閾値電圧の変化を、フローティングゲートＦＧを共有する読み出しトランジスタ１７によって検出し、この閾値電圧の変化を、光電変換部３で発生した正孔に応じた撮像信号として読み出す読み出し回路２０を備える。 （もっと読む）

【課題】感度とダイナミックレンジの両立、信頼性の向上、及び画質の向上を可能とする固体撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の画素部１００を有する固体撮像素子１０であって、画素部１００が、光電変換部３と、光電変換部３で発生した電荷をその電荷量に応じた電圧に変換する電圧変換手段（浮遊拡散層：ＦＤ５）と、ＦＤ５の出力に接続される制御ゲートＣＧ及び制御ゲートＣＧ下方に設けられるフローティングゲートＦＧを有し且つ上記電圧に応じて閾値電圧が変化するトランジスタ１６とを含み、トランジスタ１６の閾値電圧の変化を、光電変換部３で発生した電荷に応じた撮像信号として読み出す読み出し回路２０を備える。 （もっと読む）

【課題】改質領域を形成することによる半導体基板の耐久性の低下を抑制しつつ、ノイズの発生を抑制することが可能な裏面入射型フォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１は、互いに対向する表面３ａ及び裏面３ｂを有するｎ型の半導体基板３と、半導体基板３の裏面３ｂ側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板３とのｐｎ接合１１によりフォトダイオード１３を構成する複数のｐ型半導体領域５と、裏面３ｂ側において、隣接するｐ型半導体領域５間に配置されていると共に、半導体基板３よりも不純物濃度が高く設定されているｎ型半導体領域７と、を備え、半導体基板３には、表面３ａとｎ型半導体領域７との間の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、表面３ａ及びｎ型半導体領域７に達することなく改質領域５０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】裏面入射型フォトダイオードアレイの光入射面におけるシンチレーション光の反射を抑制することが可能な放射線検出器を提供する。
【解決手段】放射線検出器１００は、フォトダイオードアレイ１とシンチレータ７３とを備え、フォトダイオードアレイ１は、表面３ａ及び裏面３ｂを有する半導体基板３と、半導体基板３の裏面３ｂ側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板３とのｐｎ接合１１によりフォトダイオード１３を構成する複数のｐ型半導体領域５と、表面３ａ上に配置されている絶縁膜４３と、を備え、絶縁膜４３の表面４３ａは、フォトダイオードアレイ１の光入射面を構成しており、フォトダイオードアレイ１の隣接するｐ型半導体領域５間の領域には、該領域の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、表面４３ａに達することなく改質領域５０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】改質領域を形成することによる半導体基板の機械強度の低下を抑制すると共に、クロストークの抑制効果を向上させることが可能なフォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１は、半導体基板３と、半導体基板３の裏面３ｂ側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板３とのｐｎ接合１１によりフォトダイオード１３を構成する複数のｐ型半導体領域５と、を備え、半導体基板３の隣接するｐ型半導体領域５間の領域には、該領域の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、ｐ型半導体領域５の配置方向に離隔し且つｐ型半導体領域５の配置方向に交差する方向に延びる２つの改質領域５０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の割れの発生を抑制しつつ、改質領域を容易に形成することが可能な固体撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１ａの製造方法は、互いに対向する表面３ａ及び裏面３ｂを有する半導体基板３と、半導体基板３の裏面３ｂ側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板３とのｐｎ接合によりフォトダイオードを構成する複数のｐ型半導体領域５と、を備えるフォトダイオードアレイを準備する工程と、半導体基板３の裏面３ｂ上に配線基板８１を配置する工程と、配線基板８１を配置する工程の後、半導体基板３の所定位置に集光点Ｆを合わせて表面３ａ側からレーザ光Ｌａを照射することによって改質領域５０を形成する工程とを備える。 （もっと読む）