【課題】単位画素のサイズを微細化によるフォトダイオードの光感度低下およびノイズ信号が増大を抑制する固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】実施の形態の固体撮像装置は、フォトダイオードと、第２の拡散層と、基準電圧設定手段とを備える。フォトダイオードは、光電効果で発生したキャリアを蓄積する第１の拡散層を有し、基板に形成される。第２の拡散層は、前記第１の拡散層と接するとともに前記第１の拡散層とは逆の極性を有する。基準電圧設定手段は、前記第２の拡散層に配線を介して接続し、時間的に急激に値が変動する変動電圧を前記第２の拡散層を介して前記第１の拡散層に印加することによって、印加した前記変動電圧の振幅に基づく電圧を前記第１の拡散層の基準電圧として設定する。 （もっと読む）

【課題】 リセット動作を高速で行うことが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る固体撮像装置は、複数の画素が行列状に配される。複数の画素のうち、並列に読み出されない２つの画素を、便宜的に第１の画素及び第２の画素とする。第１のリセット電源線と第１の画素に含まれる増幅トランジスタの制御電極との間の電気的経路に第１のリセットトランジスタが配される。第１の画素に含まれる増幅トランジスタの制御電極と、第２の画素に含まれる増幅トランジスタの制御電極との間の電気的経路に第２のリセットトランジスタが配される。第２の画素に含まれる増幅トランジスタの制御電極と第２のリセット電源線との間の電気的経路に第３のリセットトランジスタが配される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板中の複数の素子層間を有効に絶縁分離する。
【解決手段】裏面照射型の固体撮像装置において、受光部側と回路側との素子分離層を所定のマスクパターンを介した酸素イオン注入と、その後の熱処理によって半導体基板中に酸化膜を形成することにより実現する。例えばＳＯＩ基板のような支持基板部（絶縁体層）の上にシリコン層を設けた半導体基板に対し、シリコン基板（表面）側から光電変換素子層、素子分離層としての酸素イオン注入層、画素トランジスタ等の回路層を順次形成し、その後、シリコン層上に配線層を形成する。そして、裏面側の絶縁体層を除去することにより、シリコン層の受光部を露出させ、薄型のシリコン基板よりなる固体撮像装置を形成できる。 （もっと読む）

【課題】配線やコンタクトホールの寸法の微細化に際しても、コンタクト抵抗の低減を図ることが可能であり、且つ、暗電流の発生が少ない固体撮像素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１では、配線２４と転送電極膜１０２とが、２層のコンタクトホールにより接続されている。下側のコンタクトホールＡは、その底部にチタンシリサイド膜１０５が形成されている。そして、上側のコンタクトホールＢは、チタンシリサイドを構成中に含まず、下側のコンタクトホールとの間が中間配線層としてのタングステン膜１０７により接続されている。ここで、上下の両コンタクトホールＡ，Ｂには、純粋なチタンは残っていない。また、撮像画素領域におけるフォトダイオード１２１の上方の層内レンズ膜１２７は、下方のコンタクトホールＡに対して積層上方に選択的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた固体撮像装置であって、近赤外を含む波長帯域に実用上十分な感度特性を有する固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１０は、互いに対向する第１主面１０ａ及び第２主面１０ｂを含む。シリコン基板１０の第１主面１０ａ側には、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードをそれぞれ有する複数の受光部Ｐ_ｍ,ｎが配列されている。シリコン基板１０には、第２主面１０ｂ側にアキュムレーション層２１が形成されていると共に、第２主面１０ｂに不規則な凹凸２０が形成されている。シリコン基板１０の第２主面１０ｂにおける受光部Ｐ_ｍ,ｎに対向する領域は、光学的に露出している。シリコン基板１０は、アイソレーション領域２３により、受光部Ｐ_ｍ,ｎに対応する部分毎に光学的に実質的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】感度の向上、混色，スミアの発生などの防止を実現して、画像品質を向上させる。
【解決手段】オンチップレンズＭＬが入射光Ｈを集光する焦点位置を受光面ＪＳへ近づける発散レンズとして、レンズ層５２が機能するように、受光面ＪＳの中央に対応する部分が、受光面ＪＳの周辺に対応する部分よりも低い屈折率分布で、レンズ層５２を形成する。 （もっと読む）

【課題】感度の向上、および、スミア，混色などの防止を実現して、画像品質を向上させる。
【解決手段】クラッド部１４０よりも高い屈折率であって、受光面ＪＳの中央に対応する部分が、受光面ＪＳの周辺に対応する部分よりも低い屈折率分布になるように、光導波路コア部１３０を形成する。これと共に、オンチップレンズＭＬにおいて生ずる位相差よりも、光導波路コア部１３０で生ずる位相差の方が小さくなるように、光導波路コア部１３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】蓄積（光）電荷に作用するスミア等のノイズ成分を全画素の配置面内で均一かつ十分に抑圧する。
【解決手段】画素は、光路制限部、光電変換部、電荷保持部、読出部（共有可）を有する。走査駆動部は、全画素同時読み出しを行い各読出部を一方向に走査駆動する。走査方向で光電変換部と電荷保持部が交互に繰り返され、その画素列において、隣接画素の２つの電荷保持部が光路制限部または光電変換部に対して走査方向内で一方側に偏って配置されている。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜の厚膜化を抑制しつつ、周辺回路領域の配線層数を増加させることのできる光電変換装置を提供する。
【解決手段】 画素領域と、画素領域よりも多くの配線層を有する周辺回路領域とが配された半導体基板と、半導体基板の上部に配された配線部とを有する光電変換装置において、配線部は、第１の配線層と接続する第１の層間絶縁膜に配されたプラグを周辺回路領域に有し、第１の配線層よりも上部に配された第２の配線層と接続する第１の層間絶縁膜に配されたプラグと第２の層間絶縁膜に配されたプラグとを画素領域に有し、
半導体基板に最も近接して配された配線層は、周辺回路領域において第１の配線層であり、画素領域において第２の配線層である。 （もっと読む）

【課題】混色の発生等を防止し、撮像画像の画像品質が低下するなどの不具合の発生を抑制する。
【解決手段】複数の画素Ｐに対応して形成されたカルコパイライト光電変換膜１３の間においてポテンシャル障壁になるように、画素分離部ＰＢを、ドーピングの濃度制御または組成制御がされた化合物半導体によって形成する。 （もっと読む）

【課題】基板を反らせる量が小さく重金属の捕獲のために有利なゲッタリング技術を提供する。
【解決手段】第１面および第２面を有する半導体基板の少なくとも前記第２面の上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜を熱処理することによって前記アモルファスシリコン膜を結晶化させ、これにより、表面に凹凸を有するシリコン膜を形成する工程と、前記半導体基板の少なくとも前記第１面に素子を形成する工程とを含み、前記シリコン膜によって重金属が捕獲される。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で出力部の寄生容量を大幅に低減でき、従来構造よりも格段に高感度とする。
【解決手段】電荷転送領域２の終端部にある信号出力取り出し部であるＦＤ部３と、そのＦＤ部３からのコンタクト１３が接続される出力回路６の初段トランジスタ６ａとの間の素子分離領域を空洞化した空間部１５を有するので、従来の絶縁酸化膜から空気層にして誘電率を約１／３程度に大幅に低減したことにより、簡便な方法でＦＤ部３から出力回路６に向かう部分のゲート電極１１と間の基板との寄生容量を大幅に低減して、従来構造よりも格段に固体撮像素子１の感度特性を高感度化する。 （もっと読む）

【課題】 耐圧を有しつつ、素子分離部から電荷保持部への電荷の混入を低減する。
【解決手段】 撮像領域に電荷保持部を有する光電変換装置において、電荷保持部のための素子分離部は、ＰＮ接合を用いた第１の素子分離部と絶縁体を用いた第２の素子分離部とを有する。そして、第２の素子分離部は電荷保持部と複数のトランジスタの少なくとも一部との間に配される。 （もっと読む）

【課題】結像光学系の絞りＦ値と裏面照射型撮像素子が出力する信号レベルとの線形性を維持する。
【解決手段】裏面照射型撮像素子の撮像画素３１０においては、オンチップレンズ１０により、遮光膜３０が配置された面は撮像素子上に像を形成する結像光学系の射出瞳面の共役面となっており、単結晶シリコン層４０１の裏面側のオンチップレンズ１０に入射した光は色フィルタ９を通過し、遮光膜３０が配置された面で一旦焦点を結ぶ。遮光膜３０上の開口１１で制限された光が最終的に光電変換素子４０４に導かれる。射出瞳面上の絞り開口面積に比例した光量の光を撮像画素が受光することができ、露出制御の線形性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 画素ピッチが微細化された場合にも画素トランジスタの特性変化を抑制することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、第１の光電変換部が配される第１の活性領域と、第２の光電変換部が配される第２の活性領域と、第１及び第２の活性領域にフィールド領域を介して隣接し、画素トランジスタが配される第３の活性領域と、を含む固体撮像装置の製造方法で、第３の活性領域内の所定深さに、ポテンシャルバリアとなる半導体領域を形成する第１導電型の不純物イオンをイオン注入する第１の工程と、前記第３の活性領域内に、前記イオン注入エネルギーよりも低エネルギーで、第２導電型の不純物イオンをイオン注入する第２の工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、光学混色の低減及び／又はＭｇフレアの低減、さらに暗電流の抑制により、画質の向上を図る。
【解決手段】本発明は、裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置であって、光電変換部ＰＤと画素トランジスタＴｒからなる複数の画素２４が配列された画素領域２３と、画素領域２３に形成された遮光膜３９と、遮光膜３９より受光部側にある反射防止膜３６とを有し、反射防止膜３６がハフニウム酸化膜３８を有している。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、深い位置からの電荷転送を改善し、飽和電荷量Ｑｓの増加を図る。
【解決手段】光電変換部と複数の画素トランジスタからなる画素が配列された画素領域を備える。画素トランジスタのうちの転送トランジスタは、半導体基板の表面に形成された平面型転送ゲート電極４２と、平面型転送ゲート電極と絶縁されて平面型転送ゲート電極を貫いて垂直方向に半導体基板の内部に埋め込まれた縦型転送ゲート電極４３とを有する。 （もっと読む）

【課題】画素サイズが縮小されても、飽和電荷量を増加させ、電荷の転送効率の向上、暗電流の抑制を図った固体撮像装置とその製造方法、この固体撮像装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、光電変換部ＰＤと画素トランジスタ（Ｔｒ１〜Ｔｒ４）とからなる複数の画素２１と、平面から見て、それぞれの光電変換部ＰＤの領域内に存するフローティングディフージョン部ＦＤを有する。さらに、各光電変換部ＰＤの周囲の少なくとも一部を囲って基板の深さ方向に形成されて画素トランジスを構成する転送トランジスタＴｒ１の縦型転送ゲート電極３３１を有する。 （もっと読む）

【課題】工数の増加を招くことなく、更には、特性劣化を抑止して高品質の製品を供給することができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】画素２に形成されたトランジスタのゲート電極３０５〜３０７の周辺にイオン注入を行うことでソース領域及びドレイン領域として機能するｎ^＋領域４２６、４２７を形成し、その後に、ブロック膜として機能する第１の絶縁膜３５及び第２の絶縁膜３６を成膜し、エッチバックによって第１の絶縁膜３５及び第２の絶縁膜３６をその一部としたゲート電極のサイドウォールを形成する。 （もっと読む）

【課題】複雑化することなく、暗電流を抑制することを可能にする。
【解決手段】第１導電型の半導体基板１０に設けられた第２導電型の半導体層２４を有し、半導体基板の第１面側に入射した入射光を信号電荷に変換して蓄積する光電変換部２４と、光電変換部によって蓄積された信号電荷を読み出す読み出し回路と、半導体基板の第１面側に光電変換部の半導体層２４を覆うように設けられ、固定電荷を保持する固定電荷膜を含み、入射光の反射を防止する反射防止構造２８と、光電変換部と、反射防止構造との間に設けられ、正孔を蓄積する正孔蓄積領域２５と、を備えている。 （もっと読む）