【課題】積層される半導体ウェハにより、量産性向上、コスト低減を図った、固体撮像装置等の半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半製品状態の回路を備えた半導体ウェハ３１，４５を複数積層して貼り合わせ、複数の半導体ウェハ３１，４５からなる積層体を形成し、積層体のうち、上層の半導体ウェハ３１の半導体層を薄肉化する。また、上層の半導体ウェハ３１側から最下層の半導体ウェハ４５に形成された配線に達する貫通開口部７７を形成し、最下層の半導体ウェハ４５に形成された配線を露出させることにより電極パッド部７８を形成する。これにより、貫通開口部７７は、半導体ウェハ３１，４５の脆弱な接合面を貫通して形成され、電極パッド部７８は、脆弱な接合面よりも下層の半導体ウェハ４５の配線において形成される。これにより、電極パッド部７８における外部配線との配線時に、脆弱な接合面に係る応力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、画素内に電荷保持部を有する固体撮像装置において、電荷保持部への電荷混入を抑制するとともに、画素間の混色を低減することを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部１０１、電荷保持部１０２と、フローティングディフージョン１１４と、転送部１０３を含んで構成される転送部と、を有する画素を複数備え、保持部下分離層１１１と、画素分離層１１７とを有している。画素分離層１１７の光電変換部側の端部が、保持部下分離層１１１の光電変換部側の端部に比べて、光電変換部から離れた位置にあり、保持部下分離層１１１の少なくとも一部の下部に前記光電変換部の一部を構成するＮ型の半導体領域が配されている。 （もっと読む）

【課題】コストダウンおよび製造効率の向上の実現が可能であって、撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】画素分離部ＰＳの形成においては、第１画素分離部ＰＳ１の他に、この第１画素分離部ＰＳ１と異なる位置にて複数の画素Ｐを間に挟む部分に、第２画素分離部ＰＳ２を形成する。第２画素分離部ＰＳ２の形成においては、トレンチＴＲの形成後、薄膜化におけるＣＭＰ処理において、基板１０１よりも研磨されにくい導電性材料を、トレンチＴＲの内部に導電材料を埋め込む。そして、薄膜化の実施においては、基板１０１の裏面についてＣＭＰ処理を実施し、そのＣＭＰ処理のＣＭＰストッパーとして、上記の第２画素分離部ＰＳ２を用いる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子の光電変換部を取り囲む分離領域を効率的に形成する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板において光電変換部を取り囲む分離領域を有する固体撮像素子の製造方法が提供される。この製造方法は、半導体基板の上に、光電変換部を覆う島状の遮蔽部を有するイオン注入マスクを形成するマスク形成工程と、少なくとも遮蔽部の傾斜した側面を通じて半導体基板にイオンを注入することによって分離領域を形成するイオン注入工程とを含み、側面は、遮蔽部の上方に向かって遮蔽部の面積が小さくなるように形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で容易に高画質な画像を検知するイメージセンサを提供すること。
【解決手段】基板に形成されて光を検知する光検知部１Ｂを備え、光検知部１Ｂには、複数のピクセルが配置されるとともに、ピクセルが配置される光検知部１Ｂ面の中心部であるピクセル位置Ｃ１０と、光検知部１Ｂ面内の外周部であるピクセル位置Ｅ１１〜Ｅ１３，Ｅ１４，Ｅ１５，Ｅ１６〜Ｅ１８とで、赤色を検知する赤色検知領域Ｒ１、緑色を検知する緑色検知領域Ｇ１および青色を検知する青色検知領域Ｂ１の各領域の形状が異なるピクセルが配置されている。 （もっと読む）

【課題】グローバルシャッタ機能を有する高画質撮像が可能でかつ安価なイメージセンサを提供する。
【解決手段】光電変換部ＰＤとＰＤに蓄積された電荷を蓄積するフローティングゲートＦＧを含む書き込みトランジスタＷＴ及び読み出しトランジスタＲＴとを含む画素部２１と、各画素部２１のＰＤの電荷を同時にリセットし、リセットの終了よりも前に各画素部２１のＦＧの電荷を同時に消去し、リセットの終了直後にＰＤに存在する電荷をＦＧに蓄積し、電荷蓄積後の各画素部２１のＲＴの閾値電圧に応じた暗時信号を読み出し、リセット後に開始される露光期間中にＰＤに蓄積される電荷をＦＧに蓄積し、蓄積後の各画素部２１のＲＴの閾値電圧に応じた露光信号を読み出す制御を行う垂直駆動走査回路３と、ＡＤ変換部で変換後の暗時信号を記憶するメモリ８と、ＡＤ変換部で変換後の露光信号とメモリ８に記憶された暗時信号との差分を求めるノイズ除去回路６とを備える。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の信頼性を向上する。
【解決手段】本発明の一態様に関わる固体撮像装置は、第１の面と第１の面に対向する第２の面とを有する半導体基板１０と、半導体基板１０内に設けられ、第１の面から入射した光を電気信号に変換する素子２１を有する画素領域２と、画素領域２に隣接して設けられ、画素領域内の素子の動作を制御する回路を有する周辺領域３と、第２の面上に積層された複数の層間絶縁膜６１，６２，６３内にそれぞれ設けられる複数の配線５１，５２，５３と、層間絶縁膜６３上及び配線５３上に設けられる支持基板１８と、を具備し、少なくとも最上層の配線５３は、最上層の層間絶縁膜６３内に設けられた溝Ｐ内に、設けられ、最上層の配線５３の上面の高さは、最上層の層間絶縁膜６３の上面の高さと一致する。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減することが可能なＭＯＳ型イメージセンサを提供する。
【解決手段】複数の画素部２１を有するＭＯＳ型イメージセンサ１００であって、画素部２１は、入射光に応じた電荷を発生し蓄積する光電変換部ＰＤと、書き込みトランジスタＷＴ及び読み出しトランジスタＲＴと、素子分離領域２１１とを含み、書き込みトランジスタＷＴは、フローティングゲートＦＧを有し、光電変換部ＰＤに蓄積された電荷をフローティングゲートＦＧに蓄積するものであり、かつ、光電変換部ＰＤに接続されたソースと書き込みコントロールゲートＷＣＧの２端子構造となっており、書き込みコントロールゲートＷＣＧがフローティングゲートＦＧの側面に対向する位置で、かつ、素子分離領域２１１上方に少なくとも配置されている。 （もっと読む）

【課題】広ダイナミックレンジ撮像が可能で低ノイズかつ安価なイメージセンサを提供する。
【解決手段】光電変換部ＰＤとフローティングゲートＦＧを含む書き込みトランジスタＷＴ及び読み出しトランジスタＲＴとを含む画素部２１と、各画素部２１のＰＤ電荷のリセットの終了よりも前に、各画素部２１のＦＧ電荷を同時に消去し、リセットの終了直後にＰＤに存在する電荷をＦＧに蓄積し、蓄積電荷に応じた暗時信号を読み出し、ＦＧへの電荷蓄積後に開始される第一露光期間中にＰＤに蓄積される電荷をＦＧに蓄積し、蓄積電荷に応じた第一信号を読み出し、第一露光期間の後に開始される第二露光期間中にＰＤに蓄積される電荷をＦＧに蓄積し、蓄積電荷に応じた第二信号を読み出す駆動回路３と、デジタル変換後の暗時信号を記憶するメモリ８と、デジタル変換後の第一信号及び第二信号の各々と暗時信号との差分を求めて出力するノイズ除去回路６とを備える。 （もっと読む）

【課題】不完全転送型イメージセンサであってもリセットノイズを正確に除去可能にする。
【解決手段】イメージセンサ１００は、半導体基板１内に形成された蓄積ダイオードＳＤと、ＳＤの電位をリセットするトランジスタＲＳＴｒと、ＳＤと電気的に接続されたゲート電極ＷＣＧ及びＷＣＧの電位に応じて基板１から注入される電荷を蓄積するフローティングゲートＦＧを含むトランジスタＷＴと、ＦＧに蓄積される電荷に応じて閾値電圧が変化するトランジスタＲＴとを含む画素部２１を有し、ＳＤの電位をリセットし、該リセット後のＳＤの電位に応じた電荷をＦＧに注入し、その後、ＲＴの閾値電圧に対応する第一の信号を読み出して保持し、続いてリセット後に開始した露光が終了した後のＳＤの電位に応じた電荷をＦＧに注入し、その後、ＲＴの閾値電圧に対応する第二の信号を読み出す駆動制御回路４と、第一の信号と第二の信号の差分を出力する差分回路８とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ソリッド・ステート・イメージ・センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ソリッド・ステート・イメージ・センサは、感光領域が設けられている基板を有する。ソリッド・ステート・イメージ・センサ内には、感光領域の放射光が入射する側と反対の側に非平坦状の反射層が配置されている。非平坦状の反射層は、感光領域により最初に捕獲されなかった入射放射光を反射して前記感光領域に戻し、一方１つの感光領域により最初に捕獲されなかった入射放射光を、上記１つの感光領域に隣接して基板に設けられている他の感光領域へ反射しないような形状を有する。 （もっと読む）

【課題】動作信頼性を向上させる裏面照射型固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】第１導電型の半導体基板表面１００内に形成された第２導電型の拡散層１０７を含み、前記半導体基板１００の裏面側から表面側に向かって照射された光により前記半導体基板１００内で生成された電子を蓄積する複数の電荷蓄積部１０７と、複数の前記電荷蓄積部１０７をそれぞれ電気的に分離し、前記半導体基板の前記裏面側が開口されるよう形成されたトレンチと、前記トレンチを埋め込み、絶縁膜で皮膜された埋め込み層１１０、１１１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】３次元構造とすることにより装置の小型化が図られると共に、受光面積を減少させることなく、受光部が形成された基板に所望の電位を供給することができ、プロセス制約上実現可能な固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】複数の基板が、配線層又は絶縁層を介して積層し、複数の基板のうち、光入射側に配された基板には、受光量に応じた信号電荷を生成する受光部を形成する。さらに、受光部が形成された基板の反光入射面側に接続され、該基板の反光入射側に配された配線層の配線から該基板に所望の電圧を供給するコンタクト部を形成する。このコンタクト部を介して、受光部が形成された基板の下層に配された配線層の配線から、受光部が形成された基板に、所望の電位を供給する。これにより、受光面積を減少させることなく、受光部が形成された基板に所望の電位を供給することができる。 （もっと読む）

【課題】 画素サイズを縮小しても画素間素子分離を確実に行うことができ、画素の微細化に伴うクロストークの増加を防止することができ、色再現性の高い解像度の高い再生画像を実現する。
【解決手段】 半導体基板１３に第１導電型からなり単位画素に相当する光電変換部１６が２次元配置され、且つ該基板１３上に光電変換部１６で得られた光信号を読み出す信号走査回路部２０が設けられ、基板１３の裏面側に受光面が設けられた固体撮像装置であって、基板１３内の隣接画素との境界部分の領域に、第２導電型の拡散層から成る画素分離領域１７が形成され、画素分離領域１７は、基板１３の表面側から裏面側にかけて幅が狭くなっている。 （もっと読む）

【課題】画素サイズを縮小しても画素間分離を確実に行うことができ、裏面照射型の画素の微細化に伴うクロストークの増加を防止することができ、色再現性の向上をはかる。
【解決手段】光電変換により信号電荷を生成する光電変換部及び信号電荷を出力する信号走査回路部を含む単位画素を二次元配置してなる固体撮像装置であって、信号走査回路部は光電変換部を有する第１の半導体層とは異なる第２の半導体層に設けられ、第２の半導体層は第１の半導体層の表面上に絶縁膜を介して積層され、第１半導体層には、画素境界部分に第１の半導体層の厚さ方向に絶縁膜からなる画素分離層が埋め込み形成され、且つ表面部に光電変換部で生成された信号電荷を読み出す読み出しトランジスタが形成されている。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換膜を用いた固体撮像装置において、電気的および光学的な要因による空間分解能の低下および混色を抑制することを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１上に複数の光電変換部２２と該光電変換部２２から選択的に読み出すＭＯＳトランジスタとを含む複数の画素２１が形成されていて、前記光電変換部２２上に絶縁膜４３を介して形成された有機光電変換膜４４を有し、前記画素２１間に対応する前記有機光電変換膜４４の位置に光学的かつ電気的に分離する分離領域４５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ドレイン領域等の不純物拡散領域からフローティングゲートに電荷が注入されてしまうことを防止でき、Ｓ／Ｎを向上できる固体撮像素子及び撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に配列された複数の画素部が配列され、画素部が、半導体基板に形成された光電変換部と半導体基板の上方に設けられた電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域に電荷を蓄積させて、該電荷に応じた信号を読み出すトランジスタ構造とを備え、トランジスタ構造がソース領域及びドレイン領域を含み、ソース領域及びドレイン領域と光電変換部との間の半導体基板に、ソース領域及びドレイン領域と光電変換部との間で移動する電荷に対して電位勾配のポテンシャル障壁となる障壁層を備える。 （もっと読む）

【課題】検出器装置の感度を向上させることを目的として、落下光を検出器の受光領域上で焦点を結ばせるために、球状の素子を備えたレンズアレイの形態の光偏向素子を用いることが知られている。このようなレンズアレイの製造は、特に製造数が少ない場合、製造コストが高い。新規の光偏向素子を用いることによって、検出器装置の感度の向上を容易に、かつ費用対効果が高い状態で実現する。
【解決手段】本検出器装置は、落下光が検出器の受光領域３０４上で偏向して角度を変える光入射面３０５ｂを有する光偏向素子３０５を備える。光偏向素子の光入射面３０５ｂは互いに傾斜しており、平坦な面として形成されている。本検出器装置は、顕微鏡、特にレーザ走査型顕微鏡において、特に、試料から放出される光を検出するのに適している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い飽和電荷量を保ちつつ、良好な信号電荷の転送が可能な固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】埋め込み型フォトダイオード２３と、埋め込み型フローティングディフュージョン１６と、埋め込み型ゲート電極２２とから構成される画素を有する固体撮像装置を構成する。埋め込み型フォトダイオード２３は基板１４内部に形成されており、埋め込み型フローティングディフュージョン１６は、基板１４に形成されたトレンチ部２０底部に面する基板１４内であって、埋め込み型フォトダイオード２３と同等の深さに形成されている。埋め込み型ゲート電極２２は、埋め込み型フォトダイオード２３から埋め込み型フローティングディフュージョン１６に信号電荷を転送するために、トレンチ部２０内の底部に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像素子において、電荷転送の容易さとダイナミックレンジの確保の両立を達成する。
【解決手段】 上記目的は、画素内にフォトダイオードを有する固体撮像素子であって、前記フォトダイオードは第一導伝型の半導体基板に形成された第二導伝型の第１の不純物領域と、第一導伝型の第２の不純物領域とを含んで形成されており、前記第１の不純物領域は複数の不純物濃度ピークを有し、少なくとも、前記第２の不純物領域に近接する第１の不純物濃度ピークＣ１は３×１０^１５≦Ｃ１≦２×１０^１７ｃｍ^−３の範囲であることを特徴とする固体撮像素子において達成される。 （もっと読む）