【課題】固体撮像装置の光感度の低下を抑制する。
【解決手段】入射光を電気信号に変換する光電変換部を有する画素２と、画素２に対応して形成されたカラーフィルタ１５と、カラーフィルタ１５を介して入射光を光電変換部ＰＤに集光するマイクロレンズ１６と、を含む複数の画素領域と、マイクロレンズ１６側の第１の端面と該第１の端面と対向する第２の端面とを有し、前記画素領域の辺部に形成された第１遮光部１７と、マイクロレンズ１６側の第１の端面と該第１の端面と対向する第２の端面とを有し、画素２の表面から第１の端面までの距離が、第１遮光部１７より短く、画素領域の角部に形成された第２遮光部１８と、を備える固体撮像装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、光電変換効率を向上でき、結晶欠陥起因の望ましくない電流を低減できる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、フォトダイオードを備えた固体撮像装置が提供される。フォトダイオードでは、第１導電型の領域と第２導電型の領域とが接合されている。第１導電型の領域は、第１の半導体領域と複数の第２の半導体領域とを有する。第１の半導体領域は、Ｓｉを主成分とする材料で形成されている。複数の第２の半導体領域のそれぞれは、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（０＜ｘ≦１）を主成分とする材料で形成されている。複数の第２の半導体領域のそれぞれは、第１の半導体領域の上に島状に配されている。 （もっと読む）

【課題】暗電流を抑制することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、光電変換が行われるフォトダイオードが形成された有効領域と、遮光膜により遮光された光学的黒領域とが形成された半導体基板と、前記有効領域上であって、負の固定電荷を有する層が少なくとも１層以上積層された第１の膜と、前記遮光領域上であって、負の固定電荷を有する層が少なくとも１層以上積層された第２の膜と、を備え、前記第１の膜が有する層の数が前記第２の膜が有する層の数と異なる。 （もっと読む）

【課題】近赤外域〜遠赤外域にわたって高い受光感度を持ち、製造が容易であり、安定して高品質が得られる、受光デバイス、半導体エピタキシャルウエハ、これらの製造方法、および検出装置を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板と、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板の上に位置し、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層された多重量子井戸構造の受光層３とを備え、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板がＩｎＡｓ基板１であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減を図ることができる。
【解決手段】シリコンウェハ３１の上面側の内部にメタルパッド３２が形成され、シリコンウェハ３１の上面にガラスシール材３３が積層され、メタルパッド３２がシリコンウェハ３１の上面に露出するようにシリコンウェハ３１およびガラスシール材３３に加工された開口部にストッパ層３４が形成される。そして、シリコンウェハ３１の下面からストッパ層３４まで開口するように縦孔３５が形成され、縦孔３５の先端部においてストッパ層３４を介してメタルパッド３２に電気的に接続され、シリコンウェハ３１の下面まで延在するようにメタルシード層３７が形成される。本発明は、例えば、固体撮像装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】複数画素共有構造において、リセットトランジスタおよび増幅トランジスタに対してフローティングディフュージョンを対称に配置する。
【解決手段】セルＵＣ１には、４個のフォトダイオードＰＤ１〜ＰＤ４に対して２個のリセットトランジスタＴｃ１、Ｔｃ２および１個の増幅トランジスタＴｂを設け、リセットトランジスタＴｃ１はフォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２から読み出された信号をリセットし、リセットトランジスタＴｃ２はフォトダイオードＰＤ３、ＰＤ４から読み出された信号をリセットする。 （もっと読む）

【課題】フレアやゴーストの発生を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置は、レンズにより取り込まれた光を光電変換するCMOSイメージセンサと、レンズからCMOSイメージセンサに入射する光の一部を遮光する遮光部材とを備え、遮光部材の縁面の、レンズの光軸方向に対してなす角度は、遮光部材の縁部に入射する光の入射角より大きく設計されている。本技術は、例えば、カメラ付き携帯電話機に搭載されるカメラモジュールに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】チップサイズ・パッケージを持ち、容易に製造することができる固体イメージセンサである。
【解決手段】受光素子層（２０）の半導体基板（２１）に複数の画素領域に対応して素子形成領域を形成し、それら素子形成領域内に半導体受光素子（ＰＤ）を形成して、透光性絶縁膜（２５ａ）、（２５ｂ）、（２６）で覆う。絶縁膜（２６）上に、複数のマイクロレンズ（４３）を内蔵した光導入用キャビティ（４２）と、それを閉鎖する石英キャップ（５１）を持つ光導入層（４０）を形成する。半導体受光素子（ＰＤ）の出力電気信号は、半導体基板（２１）の埋込配線を介してその底面に取り出し、出力層（１０）またはインターポーザ（１０Ａ）を介して固体イメージセンサの外部に取り出す。 （もっと読む）

【課題】撮像領域を三次元に湾曲させた湾曲部の周囲に平坦部を残すことが可能で、これによりクラックなどの損傷が発生し難い固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一主面側に光電変換部を配列した素子チップ２を作製する。素子チップ２よりも膨張係数の大きい材料を用いて構成されると共に、開口２３を有し開口２３の周囲が平坦面２５として整形された台座２１を用意する。台座２１を加熱して膨張させる。台座２１の開口２３を塞ぐ状態で、台座２１の平坦面２５上に素子チップ２を載置する。その後、膨張させた台座２１の平坦面２５に素子チップ２を固定した状態で台座２１を冷却して収縮させる。これにより、素子チップ２において開口２３に対応する部分を三次元に湾曲させる。 （もっと読む）

【課題】装置の信頼性や、製品の歩留まりなどを向上させる。
【解決手段】パッド電極ＰＡＤのパッド面の上面に設けるパッド開口ＰＫの側部を囲うように第１パッド周辺ガードリングＰＧ１を設ける。ここでは、パッド開口ＰＫの側部において、パッド開口ＰＫと同じ深さまで設けられたトレンチＴＲＰの全体に、金属材料を一体で埋め込むことで、この第１パッド周辺ガードリングＰＧ１を形成する。これにより、パッド開口ＰＫから吸湿した水分が内部へ侵入することを、第１パッド周辺ガードリングＰＧ１が遮断する。 （もっと読む）

【課題】より確実に画素間クロストークを抑制することが可能な、固体撮像素子を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢの主表面上に配置された第１導電型の不純物層ＤＰＷと、不純物層ＤＰＷ上に、第１導電型の不純物領域と第２導電型の不純物領域とが互いに接合する構成を含む光電変換素子と、光電変換素子を含む単位画素を構成し、光電変換素子と電気的に接続されるトランジスタＭ１〜Ｍ４とを備えている。平面視において光電変換素子の外周部の少なくとも一部には、内部に空隙ＡＧが含まれ、光電変換素子と、光電変換素子に隣接する光電変換素子とを、互いに電気的に絶縁する分離絶縁層ＳＩが配置されている。上記分離絶縁層ＳＩは、第１導電型の不純物層ＤＰＷの最上面に接する。 （もっと読む）

【課題】「混色」の発生などを防止して、撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】第１トレンチＴＲ１と、半導体基板１０１において第１トレンチよりも浅い部分において、第１トレンチＴＲ１よりも幅が広い第２トレンチＴＲ２とを、トレンチＴＲとして形成する。そして、第１トレンチＴＲ１の内部を埋め込むと共に、第２トレンチＴＲ２の内側の面を被覆するようにピニング層３１１を形成する。そして、少なくともピニング層３１１を介して第２トレンチＴＲ２の内部を埋め込むように、遮光層３１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】「混色」の発生などを防止して、撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】半導体基板１０１において裏面（上面）側に形成されたトレンチＴＲ内に、画素分離部３０１を設ける。ここでは、受光面ＪＳに入射した光を吸収する絶縁材料によって、画素分離部３０１を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線層の露出面において、ダイシングの工程等で水が接触することにより生じ、配線層の露出面における接合強度の低下や外観不良等の原因となる腐食の発生を抑制する。
【解決手段】半導体基板の一方の面側にて、標準電極電位が互いに異なる２種以上の金属を含む合金により形成された配線層を露出させる工程（パッドを開口する工程（Ｓ１０））と、前記配線層の露出面を含む範囲に、Ｎ_２／Ａｒプラズマを照射するプラズマ処理を行う工程（Ｎ_２／Ａｒプラズマ処理を行う工程（Ｓ３０））と、を含む方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】簡易な加工プロセスにより、高感度化および微細化を実現することが可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】イメージセンサ１は、２次元配置された複数の画素Ｐを備え、各画素Ｐが、フォトダイオードを含む受光部２０と、入射光を受光部２０へ向けて集光する集光部１０とを有する。集光部１０では、その画素位置に応じた特定の凹凸構造１１Ａを表面に有する１または複数の光学機能層（例えばオンチップレンズ１１）を含んでいる。特定の凹凸構造１１Ａを有することにより、オンチップレンズ１１表面における反射率が低減すると共に、瞳補正の効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】より良好な画素特性を備える。
【解決手段】固体撮像素子２１Ａは、半導体で構成され、互いに反対側を向く表面および裏面を有する半導体基板２２と、表面と裏面とを貫通するように半導体基板２２に対して形成されたトレンチに成膜されたゲート絶縁膜２５Ａと、ゲート絶縁膜２５Ａを介してトレンチ内に、半導体基板２２の裏面側に露出するように埋め込まれたゲート電極２６Ａとを備える。そして、ゲート絶縁膜２５Ａおよびゲート電極２６Ａが裏面側に突出するように形成されることで、半導体基板２２の裏面側の面から、ゲート電極２６Ａの裏面側の先端面までの間に段差が設けられる。本発明は、例えば、撮像機能を備えた電子機器に適用できる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの結晶方位起因の応力による配線層のずれを効果的に抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、第１の基板１の主表面上にフォトダイオード含んだ活性領域であるフォトダイオード層４を形成する工程と、前記フォトダイオード層４の上に、配線７０、７１およびそれを覆う絶縁層６を含む配線層７を形成する工程と、前記配線層７の上に絶縁膜８を形成する工程を備える。実施形態の半導体装置の製造方法は、前記フォトダイオード層４の結晶方位と第２の基板２の結晶方位とが一致するように、前記第１の基板１の前記絶縁膜８に前記第２の基板２を接合する工程をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】基板同士を貼り合わせて形成する半導体装置において、貼り合わせ面の密着力を向上させることによりウエハ間の剥がれやチッピングなどが抑制され、信頼性の向上が図られた半導体装置を提供することを目的とする。また、その半導体装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の半導体ウエハ３１の周縁領域５３と、該周縁領域５３よりも内側の内側領域５４との境界に形成された配線層３３上の段差を埋め込むように埋め込み膜５７を形成し、周縁領域５３と内側領域５４における配線層３３上の表面をほぼ面一とする。そして、第１の半導体ウエハ３１に形成された配線層３３上の表面と第２の半導体ウエハ４３の所望の面とを向かい合わせて貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】遮光領域への光漏れを防止し、光漏れによる画質の劣化を低減することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２４内に形成され、光を電気信号に変換する光電変換素子２５と、半導体基板２４上に光電変換素子２５に対応するように配置され、入射光を光電変換素子２５上に集光するマイクロレンズ１３と、半導体基板２４上に形成され、光を遮光する遮光膜３０と、遮光膜３０上に形成され、入射光を遮光層３０上に集光するマイクロレンズ１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】製品の信頼性および製品の歩留まりを向上し、高い製造効率で製造可能にする。
【解決手段】配線層１１０にて支持基板ＳＫに対面する面において、パッド電極１１０Ｐが形成される部分に凸部１１１を設ける。この凸部によって、接着層２０１について配線層１１０と支持基板ＳＫとの間において、パッド電極１１０Ｐの形成部分が他の部分よりも薄くなるように形成する。 （もっと読む）