【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。または、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層を形成し、半導体層上に、単層でなる第１の導電層を形成し、第１の導電層上に、３６５ｎｍ以下の波長の光を用いて第１のレジストマスクを形成し、第１のレジストマスクを用いて第１の導電層をエッチングして、凹部を有する第２の導電層とし、第１のレジストマスクを縮小させて第２のレジストマスクを形成し、第２のレジストマスクを用いて第２の導電層をエッチングして、周縁に突出部を有し、且つ突出部はテーパ形状であるソース電極及びドレイン電極を形成し、ソース電極及びドレイン電極上に、半導体層の一部と接するゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上の半導体層と重畳する位置にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】画質の劣化をより抑制する。
【解決手段】クロストーク補正部５２は、光を受光する複数の画素を有する撮像素子４４における隣接する画素からの光または電子の漏れにより発生するクロストークを補正する補正マトリックスを記憶しており、その補正マトリックスを、撮像素子４４から出力される画素ごとの画像信号に対して適用する演算を行う。さらに、クロストーク補正部５２は、撮像素子４４の受光面に光を集光させるレンズの開放値に応じて補正マトリックスを生成する。本発明は、例えば、撮像装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】半導体基板１０１の画素分離部３０１に形成されたトレンチＴＲの内部に第１遮光部３１３Ａを設ける。これと共に、その第１遮光部３１３Ａの上面側に第２遮光部３１３Ｂを設ける。ここでは、画素領域ＰＡの中心よりも周辺において、第２遮光部３１３Ｂの中心が、画素分離部３０１の中心に対して、画素領域ＰＡの周辺の側へ多くシフトするように、第２遮光部３１３Ｂを形成する。つまり、少なくとも第２遮光部について「瞳補正」を実施する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ全体の厚みを抑制しつつ、トランジスタからのホットキャリアによる発光の悪影響を抑制し、かつ工程数の削減を可能にした固体撮像装置を提供する。
【解決手段】２つ以上の半導体チップ部２２、２６が接合され、少なくとも第１の半導体チップ部２２に画素アレイと多層配線層３７が形成され、第２の半導体チップ部２６にロジック回路と多層配線層５９が形成される。両多層配線層３７、５９が向かい合って電気的に接続されて接合される。第１及び第２の半導体チップ部２２、２６の接合付近に、一方又は双方の接続される配線と同じ層の導電膜により形成された遮光層６８が形成される。裏面照射型に構成される。 （もっと読む）

【課題】 電荷伝送効率及びフィルファクタを向上可能なイメージセンサを提供する。
【解決手段】 イメージセンサ５は、第１面１及び第２面２を有する半導体層１００、半導体層１００の第１面１上に配置される配線層２００、および半導体層１００の第２面２上に配置される光透過層３００を有する。半導体層１００は、光電変換部１１０を構成するｐ型不純物層１１３、及びｎ型不純物層１１１を有する。ｐ型不純物層１１３内に形成されるフローティング拡散領域１３１、及びフローティング拡散領域１３１を囲むように形成されるトランスファーゲート電極１２３は、ｎ型不純物層１１１上の第１面１側に形成される。これにより、光電変換部１１０で電位が最も高い地点とトランスファーゲート電極１２３との間の距離が小さくなるため、フローティング拡散領域１３１への電荷伝送効率が向上することができる。 （もっと読む）

【課題】画質の劣化を抑制する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】上部素子分離層５０Ａと、裏面と上部素子分離層５０Ａとの間に設けられる下部素子分離不純物層５１Ａと、不純物層２１を含むフォトダイオード１３１と、フローティングディフュージョン３９と、フォトダイオード１３１とフローティングディフュージョン３９との間に配置されるトランジスタ１３２と、を具備し、半導体基板１０の表面に対して水平方向において、不純物層２１を挟んでトランジスタ１３２に対向する下部素子分離不純物層５１Ａの側面は、上部素子分離層５０Ａの側面よりもトランジスタ１３２側に突出している。 （もっと読む）

【課題】種々のＦナンバーの撮影レンズとの組み合わせにおいて感度の向上とクロストークの低減とに有利な技術を提供する。
【解決手段】位相差検出方式による焦点検出のための複数の画素を含む固体撮像装置において、前記画素は、互いに独立して信号の読み出しが可能な複数の光電変換部を含む半導体領域と、第１マイクロレンズと、前記第１マイクロレンズと前記半導体領域との間に配置された第２マイクロレンズとを含み、前記第２マイクロレンズは、中央部と、前記中央部を取り囲む周辺部とを含み、前記周辺部のパワーは、前記中央部のパワーよりも大きく、かつ、正の値を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、動作電圧を低減させる高感度光電変換膜を用いた撮像デバイス及びこれを用いた撮像管を提供することを目的とする。
【解決手段】透光性基板１０と、
該透光性基板の一方の面に形成された導電膜１１と、
該導電膜側に設けられた光電変換層２２と、
該光電変換層の光電変換作用により生成された信号電荷を読み出す電荷読み出し手段３０と、を有する撮像デバイス４０であって、
前記光電変換層は、塩素を含有することを特徴とする撮像デバイス。 （もっと読む）

【課題】波長が０．７μｍから３μｍ程度までの近赤外〜赤外域に、高感度で、高品位の受光信号を得ることができる受光装置等を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１の裏面において、画素に対応する領域ごとに位置するマイクロレンズ２１を備え、マイクロレンズが、波長０．７μｍ〜３μｍの光に対する透過率のレンジが２５％以下で、かつ該透過率が７０％以上である樹脂材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出装置の感度低下を抑えつつ、耐衝撃性を向上させる。
【解決手段】少なくとも全放射線撮影領域を含む底部を有する凹部が形成された基板（１４）と、放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有し、前記基板の凹部に設けられる蛍光体（１８Ａ、１８Ｂ）と、前記蛍光体が設けられた凹部とは反対側に設けられ、前記蛍光体から発せられた蛍光を光電変換する光電変換素子の群（２６）と、前記蛍光体を支持する支持体（１２Ａ，１２Ｂ）と、前記支持体と前記基板とを固定する固定部（１３Ａ）と、を備え、放射線入射側から、光電変換素子、基板、蛍光体、支持体の順に並んでいる放射線画像検出装置（１，２）。 （もっと読む）

【課題】光電変換部とは反対側の面に配線を設けた構成においてノイズの発生を防止して画像品質の向上を図ることが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】配線層２１と、配線層２１上に設けられた半導体層３１からなる電荷蓄積部３５と、半導体層３１上に設けられた光電変換膜４１とを備え、電荷蓄積部３５における光電変換膜４１との界面には、電荷蓄積部３５とは逆導電型の第２ピニング層Ｐ２が一部を開口して設けられた固体撮像素子１ａ。 （もっと読む）

【課題】電荷・電気信号変換部に設けた電荷入力部に余剰電荷が溢れる現象を簡単な構造で抑制することのできる技術を提供する。
【解決手段】水平転送路２１０（電荷転送部）は、電荷転送方向において、電荷を出力する最終段水平転送レジスタ２１４（電荷出力部）を有する。電荷・電気信号変換部１６は、最終段水平転送レジスタ２１４から入力された電荷を受け取るＦＤ部２５０（電荷入力部）を有する。好ましくは、水平転送路２１０上に小信号障壁２２０を設け、その出口２２２を電荷入力部と対向させる。好ましくは、水平転送路２１０に隣接して、水平オーバーフローバリア２７２及び水平オーバーフロードレイン２７６で構成された余剰電荷掃捨部２７０を配置する。電荷の転送方向に対して交差した第２の方向（幅方向）における最終段水平転送レジスタ２１４の中央部からずれた位置（好ましくは余剰電荷掃捨部２７０側）に電荷入力部を配置する。 （もっと読む）

【課題】センサ基板と回路基板とを電極間で張り合わせてなる構成において電極間の接合面積を確保することが可能な３次元構造の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換部２１が配列形成されたセンサ基板２と、光電変換部２１を駆動する回路が形成されセンサ基板２に対して積層された回路基板７と、センサ基板２における回路基板７側の界面に引き出されたセンサ側電極４５と、回路基板７におけるセンサ基板２側の界面に引き出された回路側電極６５とを備え、センサ側電極４５と回路側電極６５とは、凹型電極に凸型電極を嵌め合わせた状態で接合されていることを特徴とする固体撮像素子１である。 （もっと読む）

【課題】画質の劣化を低減させる。
【解決手段】撮像素子２００は、画像を生成するための信号を生成する受光素子を備える画像生成画素と、位相差検出による合焦判定を行うための信号を生成する受光素子を備える位相差検出画素と、画像生成画素における受光素子において生成された信号を保持する保持部であって、位相差検出画素における遮光層により被写体光が遮光される領域に配置される保持部とを具備する。また、画像生成画素に隣接する各画素のうちの少なくとも１つの画素は位相差検出画素であり、かつ、当該位相差検出画素における受光素子と画像生成画素における受光素子との間に保持部が配置される。 （もっと読む）

【課題】素子基板に対する支持基板の貼り合わせを要せずに、製造コストを低減する。
【解決手段】裏面照射型固体撮像素子は、画素アレイ部３１が形成された素子基板２１を備える。素子基板２１の周辺部２１ａの厚さｄ１が、素子基板２１における周辺部２１ａにより囲まれた部分の厚さｄ２よりも厚い。素子基板２１における周辺部２１ａにより囲まれた部分に、画素アレイ部３１が配置される。透光性板２２の周辺の部分が、素子基板２１の周辺部２１ａに接着剤２３にて接着される。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの対応する画素同士のアライメントを正確に行うことができるイメージセンシング装置を得る。
【解決手段】光信号を受光して信号を出力する複数個の受光素子と、受光素子の面上に複数積層された光学層とを含むイメージセンシング装置において、複数積層された光学層は、それぞれ異なる光学的機能を有している。 （もっと読む）

【課題】少なくとも暗電流の抑制を図ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】基板の第１面側に配線層を有し、基板の第２面側から光を受光する固体撮像装置であって、基板の第２面上に形成された膜厚１ｎｍ以上５０ｎｍ以下の第１絶縁膜７１と、第１絶縁膜７１上において、周辺回路領域を除く撮像領域の受光部の受光面上に形成された酸化インジウム錫、又は、酸化亜鉛からなる透明導電膜７４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ストリーキングやシェーディングといった画像不良を発生させない固体撮像装置、カメラ及び固体撮像装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１００は、入射光量に応じたアナログの画素信号を生成する複数の画素部２がアレイ状に配列された画素アレイ領域３と、画素信号と参照信号とを比較する比較部１４ｂと、比較処理の開始時刻から画素信号が参照信号よりも大きくなる時刻までの時間をカウントするカウンタ部１５とを備え、比較部１４ｂは、画素信号が入力される第１トランジスタ３０３と、参照信号が入力される第２トランジスタ３０２とが差動対を構成するよう接続された差動部１４２と、差動部１４２の出力信号を増幅する増幅部１４３と、増幅部１４３の定電流源トランジスタ３１１に流れる電流を一定に保つためのクリップ部１４４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】入射光に対する感度が高く且つ電荷の蓄積期間を長く設定することが可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１は、平面形状が二つの長辺と二つの短辺とによって形作られる略矩形状をなし、長辺に交差する第１方向に並置された複数の光感応領域１３を有する光電変換部２と、複数の光感応領域１３に対向して配置され、一方の短辺から他方の短辺に向かう第２方向に沿った電位勾配を形成する電位勾配形成部３と、を備える。電位勾配形成部３は、第２方向に沿って低くされた電位勾配を形成する第１電位勾配形成領域と、第２方向に沿って高くされた電位勾配を形成する第２電位勾配形成領域とを有する。第２電位勾配形成領域は、第１電位勾配形成領域に対し第２方向に並置されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳイメージセンサに代表される固体撮像素子において、裏面受光構造を採ることにより、画素の微細化および高開口率化を可能とした固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子を提供する。
【解決手段】基板の第１の面側に光電変換素子を形成する工程と、前記基板の前記第１の面側に溝を形成する工程と、前記溝を前記基板と異なる材質で埋め込んで位置合わせマークを形成する工程と、前記光電変換素子が形成された前記基板の第１の面上に配線層を形成する工程と、前記基板の厚さが所定の厚さになるように当該基板を第２の面側から研磨する工程と、前記位置合わせマークが形成された前記第１面側とは反対側の第２の面にからの当該位置合わせマークを用いた位置合わせにより、前記光電変換素子上に開口を具備した遮光膜を前記基板の第２の面上に形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法である。 （もっと読む）