【課題】横線ノイズを低減した高画質固体撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置の１形態は、行単位に選択される単位画素Ｐｎｍから画素信号を読み出す固体撮像装置であって、各単位画素に含まれる増幅トランジスタＭ４と、列毎に設けられ、選択された行に属する増幅トランジスタＭ４にバイアス電流を供給する第１トランジスタＭＬｍと、基準バイアス電圧を発生する電流源の１次側ミラートランジスタＭＦと、電流源の１次側ミラートランジスタＭＦのゲート端子から、第１のトランジスタＭＬｍのゲート端子に基準バイアス電圧を伝達する第１のバイアス信号線と、電流源の１次側ミラートランジスタＭＦのゲート端子と各第１のトランジスタＭＬｍのゲート端子との間の前記バイアス信号線に挿入されたサンプルホールド回路２５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】量子ドット型赤外線検知器の感度を向上させること。
【解決手段】量子ドットと、前記量子ドットを覆い、エネルギーギャップが前記量子ドットより広い第１の障壁層と、前記第１の障壁層の上側および前記量子ドットの下側に設けられ、エネルギーギャップが前記量子ドットより広く且つ前記第１の障壁層より狭い中間層と、前記第１の障壁層内に設けられ、エネルギーギャップが前記量子ドットより広く且つ前記第１の障壁層より狭い量子井戸層とを有する光電変換層と、前記光電変換層の両側に設けられた電極層を備えた量子ドット型赤外線検知器。 （もっと読む）

【課題】カメラの光学レンズからの入射光がより広い入射角度範囲であっても撮像領域にわたり高感度が維持され、感度ムラが低減された固体撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像領域に行列状に配置された複数の単位画素１１を有する固体撮像装置であって、単位画素１１は、撮像領域の面方向に互いに異なる実効屈折率分布を有する、単位画素１１内の境界線５０において互いに接する集光素子１０１Ａと集光素子１０１Ｂとを有する集光部１０１と、集光部１０１で集光された入射光を受光する受光部１０４とを備え、集光部１０１は、受光部１０４に対して、撮像領域の中心方向へシフトして配置される。 （もっと読む）

【課題】
光導電膜の厚膜化や光導電膜への印加電圧の過度な増大を伴わず、大幅に感度を向上させるとともに、高い光電変換効率と安定したアバランシェ増倍を両立できるアバランシェ増倍方式の撮像デバイスを提供する。
【解決手段】
光入射側に配設される第１透光性電極と、第１透光性電極に積層され、第１透光性電極を介して入射する入射光を光電変換する第１光電変換部と、第１光電変換部に積層され、第１光電変換部で生成される電荷が注入されて発光する第１電界発光薄膜部と、第１電界発光薄膜部に積層される第２透光性電極と、第２透光性電極に積層され、第１電界発光薄膜部で発光され第２透光性電極を透過した光を光電変換する第２光電変換部と、第２光電変換部で生成される信号電荷を２次元の画像信号として読み出す信号読み出し部とを含み、第１光電変換部又は第２光電変換部は光電変換部内で電荷のアバランシェ増倍を行う。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、遮光膜下のオプティカルブラック領域への光の回り込み、及び有効画素部での混色発生などの抑制を図る。
【解決手段】半導体基板２２に形成され、光電変換部ＰＤを有する複数の画素２３が配列された画素領域２４と、画素領域２４における有効画素領域３３及び遮光されたオプティカルブラック領域３４を有する。さらに、半導体基板２２の光入射側とは反対側の面上に形成された多層配線層２８と、多層配線層側の面に接合された半導体による支持基板４１と、支持基板４１の接合面側に形成された光の反射防止構造５１を有する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、垂直信号線の電圧降下を低減し、シェーディング改善などの画質の改善を図る。
【解決手段】物理量を電気信号に変換する複数の画素５が２次元状に配列された画素部６と、画素５からの信号が読み出される垂直信号線１０と、画素部６の内部で垂直信号線１０から信号を取り込み、画素部６の列に対応して配列されたカラム回路１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサにおけるノイズの発生を抑える。
【解決手段】裏面照射型イメージセンサは、基板と、上記基板の裏面上に配置された裏面保護層と、上記裏面保護層上に配置された透明導電層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】光検出装置の縮小、製造コストの低減を図る。
【解決手段】可視光センサ及び赤外光センサを配置する際の面積を縮小するために、可視光を検知する第１のフォトダイオードと赤外光を検知する第２のフォトダイオードとを重畳して配置し、可視光を第１のフォトダイオードで先に吸収する構成とすることで第２のフォトダイオードに入射される可視光を非常に少なくするものである。また、第２のフォトダイオードと重畳して配置する第１のフォトダイオードを第２のフォトダイオードの光学フィルタとして用いるものである。そのため第１のフォトダイオードを構成する半導体層は可視光を吸収し、且つ赤外光を透過する半導体層とし、第２のフォトダイオードの半導体層は赤外光を吸収する半導体層とするものである。 （もっと読む）

【課題】シールリング構造を有し、半導体基板の一部を除去した半導体チップにおいて、シールリング構造を構成するプラグが、半導体基板を除去した部分で露出することによる耐湿性の劣化を回避する。
【解決手段】半導体ウエハを分割して得られる半導体チップ１００において、半導体基板１０１上に形成された機能回路を含む回路形成領域Ｃｒと、該回路形成領域の周囲の、該半導体基板の一部を除去した領域上に、該回路形成領域への水分の侵入が阻止されるよう形成されたシールリング構造Ｓｈとを備え、該シールリング構造Ｓｈは、絶縁膜内に形成され、該絶縁膜の上下に位置する導電性層を接続する導電性プラグ１０４ｃ及び１０５ｃを有し、該シールリング構造を構成する最下層の導電性プラグ１０４ｃは、該半導体基板に代わる耐湿材料層１０２ｃ上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳイメージセンサに代表される固体撮像素子において、裏面受光構造を採ることにより、画素の微細化および高開口率化を可能とした固体撮像素子を提供する。
【解決手段】フォトダイオード３７を有するシリコン層３１と、シリコン層３１における受光面と逆側の他方の面上に設けられた配線層と、シリコン層３１内における他方の面側の表面層に設けられたＰ＋層４５とシリコン層３１内に設けられたＮ−型領域４１からなる光電変換領域と、光電変換領域よりも高濃度の第２導電型であって、シリコン層３１内におけるＰ＋層４５とＮ−型領域４１からなる光電変換領域との間に設けられたＮ＋領域４４とを備えた固体撮像素子である。 （もっと読む）

【課題】回路ノイズ及び混色を低減しながら、高感度化を図る。
【解決手段】本発明の一形態に係る固体撮像装置１０は、シリコン層１０１の第一主面側から入射した光を電荷に変換する第一導電型の複数のフォトダイオード１１１と、シリコン層１０１の第一主面側の表面に形成されている第二導電型の埋め込み層１２６と、フォトダイオード１１１間に形成されるとともに、シリコン層１０１の第二主面から埋め込み層１２６まで到達するように形成されている第二導電型の分離部１２０と、分離部１２０の第二主面側に形成されているトランジスタ１１２と、シリコン層１０１の第ニ主面側に形成されている周辺回路部１３０と、シリコン層１０１の、フォトダイオード１１１間の領域の第一主面側と、周辺回路部１３０が形成されている領域の第一主面側とに埋め込み形成されている導電性の遮光部１１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】異なる機能を有する素子を積層して形成した半導体装置、又は固体撮像装置において、上下の素子間にシールド層を容易に形成することができる製製造方法を提供する。また、これにより、上下の素子間に発生する電磁波の影響やクロストークの影響を低減された半導体装置又は固体撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像素子２２は、第１の半導体基板２７と、第１配線層３０と、該第１配線層３０上部に形成された第１金属層３１とを備え、第１の半導体基板２７の裏面側が受光面とされた画素領域が形成されている。ロジック素子２６は、第２の半導体基板４５と、第２配線層４８と、該第２配線層４８上部に形成された第２金属層３２とを備え、画素領域で得られた画素信号を処理する信号処理回路が形成されている。これらの撮像素子２２及びロジック素子２６は、第１金属層３１と第２金属層３２とが接合されるように、互いに積層されている。 （もっと読む）

【課題】画素サイズの微細化を実現するとともに、高感度、低混色及び高画質を実現することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光が入射する第１面、及び、第１面と反対側の第２面を有する層であって、第１面から入射した光を光電変換する複数のフォトダイオード２０３、複数のフォトダイオード２０３を分離する分離部２０４、及び、フォトダイオード２０３で生成された信号電荷を検出するトランジスタ２００を含む半導体層２０２と、第２面側に形成され、多層配線２０１を含む配線層２０１０と、第１面上に形成された層であって、分離部２０４に向けて入射してくる光を吸収する吸収部２０８を含む吸収層２０８０と、吸収層２０８０上に複数のフォトダイオード２０３のそれぞれに対応して形成され、隙間２０９によって隔てられたカラーフィルタ２１０ａ〜２１０ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の光入射面とは反対側の界面で発生する暗電流を抑制すると共に、基板を透過した光による混色を抑制できる裏面照射型の固体撮像装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。さらに、その固体撮像装置を用いた電気機器を提供することを目的とする。
【解決手段】裏面照射型の固体撮像装置において、基板１１と、基板１１に形成されたフォトダイオード領域ＰＤと、配線層１７と、遮光配線２８と、接続部３０とを備えた構成とする。遮光配線２８は、配線層１７内に形成され、フォトダイオード領域ＰＤの少なくとも一部を覆う領域に形成される。接続部３０は、遮光配線２８からフォトダイオード領域ＰＤに所望の電圧を供給する。遮光配線２８により、基板１１を透過した光による混色が低減される。また、遮光配線２８からフォトダイオード領域ＰＤに所望の電圧を供給することで、暗電流の抑制が図られる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子部分に遮光部材を設けることなく、スイッチング素子でのノイズの発生を抑制しつつ、残像を消去できる放射線撮影装置を提供する。
【解決手段】光透過性を有する基板６４の一方の面に、第１波長域の光に対して感度を有するセンサ部７２、及び第１波長域よりも広い波長域の光に対してノイズが発生するＴＦＴ７０が形成された画素が複数設けられた放射線検出器６０の基板６４の他方の面に対して主に第１波長域の光を照射する。 （もっと読む）

【課題】隣接カップリング容量を抑制した固体撮像装置及びこの固体撮像装置を備えたカメラ等の電子機器を提供する。
【解決手段】半導体チップ部が貼り合わされ、第１の半導体チップ部に画素アレイと第１多層配線層が形成され、第２の半導体チップ部にロジック回路と第２多層配線層が形成された積層半導体チップを有する。半導体チップ間を接続する複数の接続配線６７と、一方向に隣り合う接続配線６７間をシールドする第１シールド配線１１３とを有する。各接続配線６７は、第１多層配線層内の所要の第１配線に繋がる第１の接続パッドに接続された接続導体６８と、第１の半導体チップ部を貫通して第２多層配線層内の所要の第２配線に繋がる第２の接続パッドに接続された貫通接続導体６９を有する。接続配線６７は、接続導体６８と貫通接続導体とを連結する連結導体とを有して形成される。固体撮像装置は、裏面照射型の固体撮像装置として構成される。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、隣接画素間の混色（クロストーク）を抑制することを目的とする。
【解決手段】複数の画素を配列してなり、画素毎に撮像信号を生成する撮像領域と、該画素を構成する回路素子を駆動する駆動回路とを備えた固体撮像装置１００において、画素は、半導体基板１０１の裏面側領域に形成され、入射光を光電変換する光電変換部１０２と、該半導体基板の表面側に形成され、該入射光の光電変換により得られた光電変換信号を該光電変換部から該撮像信号として読み出す信号処理回路とを有し、該半導体基板の裏面上の隣接する画素の境界部分に、光反射性部材からなる隆起部１１２が選択的に形成され、該半導体基板の裏面上に絶縁膜１１３ａが、該隆起部による段差が反映されて、該入射光を該光電変換部に集光する凹レンズが形成されるよう形成されている。 （もっと読む）

【課題】高感度化を図りつつ、電荷の高速転送を実現することが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】フォトゲート電極ＰＧは、平面形状が互いに対向する第１及び第２長辺ＬＳ１，ＬＳ２と互いに対向する第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２とを有する長方形状である。第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、第１及び第２長辺ＬＳ１，ＬＳ２の対向方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向して配置されている。第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２の対向方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向して配置されている。第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２側でのポテンシャルをフォトゲート電極ＰＧの直下の領域における第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２の間に位置する領域でのポテンシャルよりも高めている。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオード(ＰＤ)の感度の低下の軽減を可能としつつ画素の読み出し時間の短縮が可能な裏面照射固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】裏面照射型固体撮像装置は、半導体基板１にフォトダイオード３とＭＯＳトランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３を具備して、このＭＯＳトランジスタは半導体基板の表面に形成され、フォトダイオード３は半導体基板の表面と反対の裏面に照射される入射光ＬＧに応答する。フォトダイオード３の主要部とその近傍の上部には、同一列で複数行同時選択される複数のフォトダイオードＰＤからの複数の信号電圧を転送するための複数の垂直信号線ＶＳＬ１、２、３が形成される。裏面照射型固体撮像装置では、半導体基板の裏面からフォトダイオードへの照射光が入射されるので、画素の読み出し時間の短縮のための複数の垂直信号線ＶＳＬ１、２、３を形成しても、フォトダイオードの感度の低下が生じない。 （もっと読む）

【課題】プロセスバラつきが低減され、白点の発生が低減された固体撮像装置を提供することを目的とする。さらに、その固体撮像装置を用いた電気機器を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１２を貫通する貫通孔３１に、ゲート絶縁膜２４を介して縦型ゲート電極２８が形成された固体撮像装置において、基板１２裏面側の貫通孔３１端部のゲート絶縁膜２４を所望の深さまで積極的に除去し、その代替として負の固定電荷を有する膜からなる電荷固定膜１７を形成する。電荷固定膜１７により、貫通孔３１の形成時に、貫通孔３１底部側で発生した欠陥に起因する異常キャリアを吸収することができるので、白点の発生を抑制することができる。 （もっと読む）