【課題】画素部の金属汚染や受光部の光電変換素子表面へのＲＩＥによるダメージの発生を抑制することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像素子は、所定の波長の光を透過させるカラーフィルタ５１Ｌ，５１Ｍ，５１Ｓと、カラーフィルタ５１Ｌ，５１Ｍ，５１Ｓを透過する光を検出するフォトダイオードＰＤと、を含む画素Ｐ_L，Ｐ_M，Ｐ_Sを、異なる波長の光を検出するように複数有する絵素が、所定の周期で２次元的に基板１１上に配置される。絵素中の最も長い波長の光を検出する画素Ｐ_Lは、基板１１の光の入射面と対向する面側のフォトダイオードＰＤ上に設けられる保護膜１２と、保護膜１２上に設けられ、厚さ方向に貫通する円柱状の孔が２次元的に配置される回折格子部２０Ｌと、を備える。回折格子部２０Ｌは、画素Ｐ_Lに設けられるカラーフィルタ５１Ｌを透過する光を反射させるように孔の径と配置される周期が選択される。 （もっと読む）

【課題】色再現性に優れる多層型撮像素子を提供する。
【解決手段】第１透明電極に積層される第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜の上に配設される第２の信号読み出し部と、第２の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第２の波長の光に感度を有する第２光電変換膜と、第２光電変換膜に積層される第２透明電極と、第２透明電極に積層される第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜の上に配設される第３の信号読み出し部と、第３の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第３の波長の光に感度を有する第３光電変換膜と、第３光電変換膜に積層される第３透明電極と、第１光電変換膜、第２光電変換膜、及び第３光電変換膜を画素毎に隔離する第１隔壁とを備え、前記第１の信号読み出し部、前記第２の信号読み出し部、及び前記第３の信号読み出し部は、それぞれ複数の画素が２次元方向に配置された画素アレイの各画素の信号読み出し部を形成している。 （もっと読む）

【課題】赤外線の受光感度および解像度を向上させることができる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置１０は、半導体基板１３、反射体１７、および半田ボール２０、を具備する。半導体基板１３は、表面にフォトダイオードを含む感光領域を有し、その裏面は鏡面仕上げされている。反射体１７は、半導体基板１３の裏面上に形成されており、感光領域に入射された赤外線を反射する。半田ボール２０は、感光領域に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】撮像素子基板上に集光機能を有するカラーフィルタを効率的に作製する。
【解決手段】撮像素子基板20上に、光電変換素子毎に対応する開口22aを有する格子状の分離壁22を形成し、その開口２２aにカラーレジスト42を塗布、露光および現像してカラーフィルタを作製する。カラーレジスト42の露光は、所定のマスク開口52を有するフォトマスク50を用いた縮小倍率ｒの縮小投影露光により行う。また、フォトマスク50は、分離壁22の開口22aの面積をＳとしたとき、マスク開口52の開口面積Ｓｍが、Ｓｍ＜Ｓ／ｒであるものを用い、分離壁22の表面位置57におけるカラーレジスト42の露光面積が分離壁22の開口22aの面積以下となるように、露光光Lを分離壁22の表面位置57よりも上方位置56で集光させる。 （もっと読む）

【課題】感度の向上と感度のばらつきの低減のために有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の光電変換部を有する半導体層と、前記半導体層の第１面の側に配置された配線構造とを有し、前記半導体層の第２面の側から光が入射する固体撮像装置において、前記配線構造は、前記第２面から前記第１面に向かって前記半導体層を透過した光を前記半導体層に向けて反射する反射面を有する反射部と、前記反射面と前記第１面との間に位置する絶縁膜と、を含み、前記固体撮像装置は、前記第１面に接触して配置された第１の誘電体膜と、前記絶縁膜と前記第１の誘電体膜との間に配置された、前記第１の誘電体膜および前記絶縁膜とは屈折率の異なる第２の誘電体膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 隣接画素間でのクロストークを防止して、混色の発生を防止でき、再生画面上での色再現性の向上に対して有利な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板４０４に、光電変換部及び信号走査回路部を含み単位画素行列を配置して成る撮像領域を具備し、撮像領域は、隣接する単位画素との境界部分に対応して各単位画素を囲むように設けられる素子分離絶縁膜４０８を備え、素子分離絶縁膜は、信号走査回路部が形成される半導体基板の表面から半導体基板中にオフセットされて設けられ且つ半導体基板の裏面に達している。 （もっと読む）

【課題】「混色」の発生などを防止して、撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】半導体基板１０１において裏面（上面）側に形成されたトレンチＴＲ内に、画素分離部３０１を設ける。ここでは、受光面ＪＳに入射した光を吸収する絶縁材料によって、画素分離部３０１を形成する。 （もっと読む）

【課題】高画素密度、高解像度、低混色、高感度を可能にする固体撮像装置を提供する。
【解決手段】各画素１ａは、基板上に形成された第１の半導体Ｎ^＋領域と、この領域上の第２の半導体Ｐ領域３と、その上部側面領域の第３の半導体Ｎ^＋領域６ａ，６ｂと、領域６ａ，６ｂの下部側面領域の外周部の絶縁層４ａ，４ｂと、第３の半導体Ｎ^＋領域６ａ，６ｂ及び絶縁層４ａ，４ｂの外周部の光反射導体層９ａ，９ｂと、領域３及び領域６ａ，６ｂ上の第５の半導体Ｐ^＋領域１０と、領域１０上に形成され、該領域１０の上表面近傍に焦点が位置するマイクロレンズ１１と、マイクロレンズ１１と第５の半導体Ｐ^＋領域１０との間の光透明中間層２４と、を備えている。マイクロレンズ１１の焦点が、光透明中間層２４の内部に位置する。 （もっと読む）

【課題】距離分解能を向上させることができるとともに薄型化を可能にする。
【解決手段】固体撮像装置は、第１の面に設けられて外周部に開口を有する円板形状の平面反射板と、第１の面に対向する第２の面にそれぞれが半径方向に沿って傾斜しかつ径が異なるように形成された複数の円環状領域に設けられた複数の反射板と、を備える。開口を介して入射した被写体からの光を、複数の反射板と平面反射板との間で反射して、中央部で結像させる結像光学系を有している。結像光学系からの光を受光し画像データに変換する撮像素子と、結像光学系と撮像素子との間に設けられた可視光透過基板と、可視光透過基板の撮像素子側の面上に設けられ複数の画素ブロックに対応して設けられたマイクロレンズアレイと、撮像素子で取得された画像データを処理する画像処理部と、を含むこの結像光学系の第２の面の中央部に設けられた撮像素子モジュールを備えている。 （もっと読む）

【課題】受光部にて正しい信号を受信するために混色をより有効に抑制する。
【解決手段】カラーフィルタ５ａ、５ｂの境界部分の画素境界部分に格子状の遮光壁８を設けて、マイクロレンズ７と半導体基板２間の高さを低下させ、さらに遮光壁８（または反射壁）の高さをカラーフィルタ５ａ、５ｂの厚さの３／４以上設ける。また、カラーフィルタ５ａ、５ｂは、格子状の遮光壁８（または反射壁）内に埋め込むように形成する。これによって、受光部にて正しい信号を受信するために混色をより有効に抑制する。 （もっと読む）

【課題】受光感度を高めつつ電荷の飽和を抑制することが可能な撮像素子ユニットを提供する。
【解決手段】撮像素子ユニット１００は、光電変換部１１４と、複数の可動ミラー１２１と、駆動ユニット１２５と、を備えている。光電変換部１１４は、マトリックス状に配置され光を電荷に変換する複数の光電変換素子１１９を有している。複数の可動ミラー１２１は、マトリックス状に配置されており、光電変換部１１４の透過光を光電変換部１１４に向けて反射する。駆動ユニット１２５は、各可動ミラー１２１の光電変換部１１４に対する角度を個別に変更可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】混色やノイズの低減に有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の光電変換素子を含む半導体基板を有する固体撮像装置は、前記半導体基板の上に配され、前記複数の光電変換素子の上にそれぞれ配された複数の開口部を有する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の屈折率よりも高い屈折率を有し、前記複数の開口部にそれぞれ配された複数の絶縁体と、前記複数の絶縁体の上面および前記第１の絶縁膜の上面の上に配された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記第２の絶縁膜の上面に接して配された第３の絶縁膜と、を備え、前記複数の絶縁体に入射する光の波長をλ、前記第２の絶縁膜の屈折率をｎ、前記第１の絶縁膜の上面の少なくとも一部の領域の上における前記第２の絶縁膜の膜厚をｔとしたときに、ｔ＜λ／ｎの関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた固体撮像装置であって、近赤外を含む波長帯域に実用上十分な感度特性を有する固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１０は、互いに対向する第１主面１０ａ及び第２主面１０ｂを含む。シリコン基板１０の第１主面１０ａ側には、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードをそれぞれ有する複数の受光部Ｐ_ｍ,ｎが配列されている。シリコン基板１０には、第２主面１０ｂ側にアキュムレーション層２１が形成されていると共に、第２主面１０ｂに不規則な凹凸２０が形成されている。シリコン基板１０の第２主面１０ｂにおける受光部Ｐ_ｍ,ｎに対向する領域は、光学的に露出している。シリコン基板１０は、アイソレーション領域２３により、受光部Ｐ_ｍ,ｎに対応する部分毎に光学的に実質的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】撮像面へ向かう撮影光束の一部を他の目的に使用し得るように瞳伝送することができる撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換を行う画素６が複数配列された撮像面２と、撮像面２が設けられた面側に配設された、撮像面２へ向かう撮影光束の一部を反射して瞳伝送するための反射面５と、を備えた撮像素子１。反射面５は、例えば複数の微小反射面４により構成され、各微小反射面４は、例えば画素６同士の間隙に配設されている。 （もっと読む）

【課題】結像光学系の絞りＦ値と裏面照射型撮像素子が出力する信号レベルとの線形性を維持する。
【解決手段】裏面照射型撮像素子の撮像画素３１０においては、オンチップレンズ１０により、遮光膜３０が配置された面は撮像素子上に像を形成する結像光学系の射出瞳面の共役面となっており、単結晶シリコン層４０１の裏面側のオンチップレンズ１０に入射した光は色フィルタ９を通過し、遮光膜３０が配置された面で一旦焦点を結ぶ。遮光膜３０上の開口１１で制限された光が最終的に光電変換素子４０４に導かれる。射出瞳面上の絞り開口面積に比例した光量の光を撮像画素が受光することができ、露出制御の線形性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】読み出しゲート電極を被覆する反射膜を設けることで、隣接画素への混色を防止し、感度の向上を可能とする。
【解決手段】光電変換素子１１１で光電変換された信号電荷を電気信号に変換して出力する能動素子を含む複数の単位画素が配列されたもので、光電変換素子１１１が形成される素子層１１０に対してその一方の面側に、能動素子に対して配線１３１をなす配線層１３０を備え、入射光Ｌを素子層１１０の他方の面側に形成したカラーフィルター１５０を透過させて光電変換素子１１１に入射させる固体撮像素子１において、素子層１１０の配線層１３０側に、絶縁膜１４１を介して、能動素子のうちの光電変換された信号電荷を読み出す読み出しゲート電極１２１を含む画素全面を被覆するように形成した反射膜１４０を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】読み出しゲート電極を被覆する反射膜を設けることで、隣接画素への混色を防止し、感度の向上を可能とする。
【解決手段】光電変換素子１１１で光電変換された信号電荷を電気信号に変換して出力する能動素子を含む複数の単位画素が配列されたもので、光電変換素子１１１が形成される素子層１１０に対してその一方の面側に、能動素子に対して配線１３１をなす配線層１３０を備え、入射光Ｌを素子層１１０の他方の面側に形成したカラーフィルター１５０を透過させて光電変換素子１１１に入射させる固体撮像素子１において、素子層１１０の配線層１３０側に、絶縁膜１４１を介して、能動素子のうちの光電変換された信号電荷を読み出す読み出しゲート電極１２１を含む画素全面を被覆するように形成した反射膜１４０を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードへの再入射を確実に行って、赤色感度を向上させる。
【解決手段】複数の受光部２が形成された撮像デバイスの裏面に、反射材１１の凹面形状を反射した反射光が受光部２のＰＮ接合位置で焦点を結ぶように、受光部２の向きに反射材１１により凹面鏡を形成するように配置する。これにより、受光部２を一旦透過した入射光が、再び受光部２側に集光されて戻って光電変換され、感度、特に透過しやすい赤色光に関する赤色感度が向上する。半導体基板１の厚さも、反射材１１からの反射光が隣接する受光部２に到達しないような厚さとする。 （もっと読む）

【課題】画素が微細化した固体撮像装置において、光の波長毎に光導波路を最適化する。
【解決手段】固体撮像装置１００は、表面部に第１受光部１０５及び第２受光部１５５を備える半導体基板２００と、半導体基板２００上に設けられた絶縁膜２０７と、絶縁膜２０７上で且つ第１受光部１０５上方に形成され、第１の波長の光を透過させる第１カラーフィルタ２１３と、絶縁膜２０７上で且つ第２受光部１５５上方に形成され、第１の波長よりも短い第２の波長の光を透過させる第２カラーフィルタ２６３と、第１受光部１０５上方部分の絶縁膜２０７に不純物が含まれた第１高屈折率領域２１４と、第２受光部１５５上方部分の絶縁膜２０７に不純物が含まれた第２高屈折率領域２６４とを備える。第１高屈折率領域２１４と、第２高屈折率領域２６４とは、それぞれに含まれる不純物の元素及び濃度分布の少なくとも一方が異なる。 （もっと読む）

【課題】 軽量、薄型、小型である密着型エリアセンサを提供する。
【解決手段】本発明のエリアセンサは、発光素子を用いてセンサ部に画像を表示する機能と、光電変換素子を用いた読み取り機能を有する。そのため、新たに電子ディスプレイをエリアセンサに設けなくとも、センサ部で読み込んだ画像をセンサ部に表示させることが可能である。また、本発明のフォトダイオードの光電変換層は、非晶質珪素膜で形成されており、Ｎ型半導体層及びＰ型半導体層は多結晶珪素膜で形成されている。このとき、非晶質珪素膜は、多結晶珪素膜よりも厚く形成され、その結果、本発明のフォトダイオードは、より多くの光を受け取ることが出来る。 （もっと読む）