フォトトランジスタは、障壁（２６）によってソース（２８）から離隔された活性領域（２４）を持つ。ドレイン（２０）は、活性領域（２４）から水平方向に離隔される。前記活性領域への入射光が、電子−正孔対を生成する。正孔が前記障壁に蓄積され、電子に対する実効障壁高を調節する。次いでゲートリセット電圧がゲート（４）に印加され、前記障壁を低下させて正孔が脱出することを可能とする。
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Ｘ線などの放射線を検出する放射線検出器である。放射線検出器は、複数のピクセルを具備した検出器を含んでおり、ピクセルのそれぞれを使用して放射線を検出する。放射線検出器は、第１面上に形成された複数のはんだボールと第２面上に形成された複数の接点を具備したボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージをも含んでいる。ＢＧＡパッケージは、空洞をも具備しており、この空洞内に、少なくとも１つの集積回路（ＩＣ）チップが取り付けられている。ＩＣチップは、複数の読み出しチャネルを具備しており、読み出しチャネルのそれぞれは、ピクセルの中の対応したものによって検出された放射線に対応した電気信号を受信するべく、対応するはんだボールを介して対応するピクセルに結合されている。
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本発明は、存在する場合もあるドープ剤を別にして、実験式Ｉ：
Ｆe_{３−（ｘ＋ｙ）}Ｍ_ｘＡ_ｙＯ_４＋δ （Ｉ）
を満足する化学組成のスピネル型フェライト構造を有する材料の使用であって、赤外線のボロメーター検出用の薄層における感光材料としての使用に関する。また、本発明は、前記の薄層の形の感応素子を具備した少なくとも一つのセンサーを含む赤外線検出用又は赤外線画像作成用のボロメーター装置を提供する。 （もっと読む）

放射線検出器10は、真空室20を規定するベース2およびウインドウ16を有している。真空室20内には、温度制御されたフィルタ32と、それとの間にギャップｈを規定する焦点平面アレイ（ＦＰＡ）22とが設けられている。フィルタ32は、非情景ソース38、40からＦＰＡ22への伝熱を阻止するために読出し集積回路（ＲＯＩＣ）24および熱電素子28にヒートシンクされる。温度制御されたフィルタ32はまた、関心を払われている所望の波長領域外の放射線の全てのソースを反射するためにバンドパスフィルタを有することができる。温度制御されたフィルタ32はＦＰＡ22と実質的に同じ温度に維持される。 （もっと読む）

光電トランスジューサ（１２）は、少なくとも１つの光センサ（９）を一方の面上に有する基板（８）と、光センサ（９）を収容する凹部を決めるスペーサ（７）を有している。凹部は、少なくとも部分的にオプチカルグルー（１１）で充填されている。トランスジューサ（１２）を光ディスク溶の光ピックアップ内に取り付けるために、スペーサ（７）は、このピックアップのオプチカルボディ（１）に取り付けられている。
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【課題】 １画素内に２つの光電変換素子を設けた場合に、トランジスタ数や配線数の低減を図ると共に電子シャッタに完全に対応させる。
【解決手段】 アレイ状に配列された複数の画素を半導体基板に設けると共に各画素間に配線を形成したＭＯＳ型イメージセンサにおいて、各画素30,40,50,60の夫々に２つの光電変換素子31,32,41,42,51,52,61,62を設けると共に、各画素内に設けられ光電変換素子の不要電荷を排出するリセット用のトランジスタ33,34及びフローティングディフュージョンアンプ用のトランジスタ37,38,3９の数を計５個にすると共に各光電変換素子の夫々の受光量に応じた蓄積電荷を一時保持するトランスファゲート用のトランジスタ35,36を各光電変換素子夫々に１つづつ設ける。これにより、少ないトランジスタ数と配線数により、全画素の光電変換素子を同一タイミングで露光可能となる。 （もっと読む）

Ｃｄ_xＺｎ_1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）と；周期表の列ＩＩＩ又は列ＶＩＩからの、濃度が１０〜１０，０００原子×１０^-9の元素と；Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕで構成される群から選択される、濃度が約１０〜１０，０００原子×１０^-9の元素と；を含む化合物又は合金で作られた放射線検出器は、完全な電気補償、高抵抗性、加えられた電気的バイアスの下での完全な空乏化及び優れた電荷輸送特性を示す。 （もっと読む）

【解決手段】 熱検出構造の製作に使用する方法は、その導電接点への電気的接続部の形成に使用するためにその接触領域（即ち、熱検出材料の露出面）を改質する段階を含んでいる。例えば、熱検出材料は、酸化バナジウムであり、その場合には改質は、不活性ガスイオンを使用して、接触領域にバックスパッタリングを施すことにより行われる。導電接点に対する電気的接続部の形成は、導体材料を、少なくとも改質された接触領域に接触させて設ける段階を含んでいる。 （もっと読む）

ｎ型半導体基板５にはその表面側において、ｐ型領域７がアレイ状に２次元配列されている。隣接するｐ型領域７同士の間には、高濃度ｎ型領域９及びｐ型領域１１が配置されている。高濃度ｎ型領域９は、表面側から見てｐ型領域７を取り囲むように、基板５の表面側からｎ型不純物を拡散して形成されている。ｐ型領域１１は、表面側から見てｐ型領域７及び高濃度ｎ型領域９を取り囲むように、基板５の表面側からｐ型不純物を拡散して形成されている。ｎ型半導体基板５の表面側には、ｐ型領域７に電気的に接続される電極１５と、高濃度ｎ型領域９及びｐ型領域１１に電気的に接続される電極１９とが形成されている。これにより、クロストークの発生を良好に抑制することと、初期的な接続エラーもしくは温度サイクル等による接続点の破損によって、あるホトダイオードが電気的にフローティングな状態になった場合においても、隣接するホトダイオードへのキャリアの流れ込みを抑制することが可能な半導体光検出素子及び放射線検出装置が実現される。 （もっと読む）

電離放射線を監視するためのアセンブリ（13）は、入射電離放射線に応答して電荷を生成すると共に、その中に形成された電離放射線検出ボリューム（12）のアレイを有する検出基板（2）を備える。検出ボリュームのアレイに対応する読出し回路（16）のアレイを支持するための回路基板（14）は、検出基板（14）に機械的かつ電気的に接続されている。各読出し回路（16）は、対応する検出ボリュームから電荷を受取るため、第一と第二の電荷集積モード間で切替え可能である。電荷集積回路（30）は、第一の電荷集積モードにおいて、対応する検出ボリュームにおける単一の電離放射線検出イベントの検出に対応して電荷を集積するとともに、第二の電荷集積モードにおいて、対応する検出ボリュームにおける複数の電離放射線検出イベントの検出に対応して電荷を集積するように、構成されている。別の実施例において、読出し回路構成は、光子計数回路構成（140）を含む。

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本発明の赤外線検出装置は、支持フレーム（３２；１３０）に固定された共振器要素（３６；７２；９６；１２０）を有する。支持フレーム（３２；１３０）は、装置が受ける赤外線を吸収するよう構成される。共振器要素（３６；７２；９６；１２０）は、温度で変動する共振特性、例えば、共振周波数を有する。本発明の赤外線検出装置は、複数の検出要素（７０）を有し、各検出要素は、支持フレームに固定された共振器要素（７２）を有する。熱検出器を配列した装置も提供される。
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【課題】湿気の浸透に影響されにくい放射線検出器を提供する。
【解決手段】放射線検出器は、電極構造（１９，４，３５）と、電極構造の上に並べられた平面化層（１０１）と、平面化層を覆う保護堆積（１０３，１０４，１０５）とを有する。平面化層は、電極構造が配置された基板の上の電極構造の段の間の重大な差を平らにする。結果として、保護堆積のクラック、弱い所及び欠陥は大体において回避される。平面化層は、電極構造全体を十分に覆っているので、実際には、保護堆積の欠陥、特にクラックの全ての原因は回避される。

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Ｘ線画像収集装置は、第１の電極と、第２の電極と、上記第１の電極と上記第２の電極との間に固定される光伝導体とを有するパネルを備える。上記光伝導体は、高エネルギーレベルにある放射Ｘ線を吸収するように形成される厚さを有する。上記第１の電極と上記第２の電極とは、光伝導体において作り出される電荷を画素ユニットに移動させるための電界を作り出すように形成され、それにより、低エネルギーレベルあるいは高エネルギーレベルの放射Ｘ線を使用する場合に、電荷を効率良く収集することができる。

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【課題】 シンチレータパネル１００の電気化学的腐食を防止する。
【解決手段】 シンチレータパネル１００に、放射線に基づく光を発生する蛍光体層１０４と、蛍光体層１０４を支持するための基材１０１と、蛍光体層１０４で変換された光を反射する反射層１０３と、基材１０１と反射層１０３との間に形成された絶縁層１０２と、反射層１０３と蛍光体層１０４との間に形成された接続防止層１０６と、蛍光体１０４等を外気から保護する保護層１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 カラー画像及び近赤外光画像を独立に得られる１個の撮像装置。
【解決手段】 可視光及び近赤外光に感度を有するＣＭＯＳで形成される各画素に、シアン(Cy)、黄(Ye)、マゼンダ(Mg)の色フィルタ並びに可視光及び近赤外光領域で波長に関わらず透過率がほぼ一定のフィルタ(X)を形成する。４種類の色フィルタの画素の出力を線型結合することにより、囲まれた点の青、緑、赤、及び近赤外の強度を求めることができるよう４種類のフィルタCy、Ye、Mg、Xの波長透過特性を調整することで、可視光カラー画像及び近赤外光画像をそれぞれ独立に求めることが可能となる。可視光カラー画像の強度により、可視光カラー画像及び近赤外光画像を自動的に切り換えて出力することも可能である。 （もっと読む）

【課題】 基板全体における光導電層の膜厚および組成の均一性に優れた二次元画像検出器、並びに、該二次元画像検出器を生産性良く（効率的に）かつ安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】 二次元画像検出器は、複数の画素電極１０…を有するアクティブマトリクス基板１と、上記画素電極１０…に積層された光導電層２とを少なくとも備えており、上記光導電層２が、転写基板上で所定の膜厚に形成された後、上記アクティブマトリクス基板１上に転写されることにより構成されている。つまり、二次元画像検出器の製造方法は、転写基板上で所定の膜厚に光導電層２を形成した後、該光導電層２を上記アクティブマトリクス基板１上に転写する方法である。光導電層２は、粒子状の光導電体と、バインダとの混合物を含んでなっている。上記バインダは、アクティブマトリクス基板１の耐熱温度以下の軟化点を有することがより好ましい。 （もっと読む）

本発明は、電磁波の位相及び振幅を検出するための装置に関する。本装置は、当該電磁波に対して敏感である少なくとも２つの変調フォト・ゲート（１，２）から成っている。本装置は、また前記変調フォト・ゲートに対して関連付けられかつ感光性でない累算ゲート（４，５）から成り、そして累算ゲートが読出し装置に接続され、変調フォト・ゲートは変調装置に接続され得る変調フォト・ゲート（１，２）と累算ゲート（４，５）のための電気接続部を有している。前記変調装置はそれら変調フォト・ゲート（１，２）の当該電位を互いに増減させ、かつ所望の変調関数に対応して好ましくは一定の累算ゲート（４，５）の当該電位をも増減させる。本発明は、複数の変調フォト・ゲート（１，２）と累算ゲート（４，５）が、ＰＭＤピクセルをグループ形式で形成する長くて狭い平行ストリップの形態を採るように構成されている。 （もっと読む）