【課題】高解像度化した画素を有する撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明の撮像素子１０は、Ｘ，Ｙ軸平面上に正方又は六方配置された各感光部１０１から蓄積電荷に相当する信号をＺ軸方向に並列に抽出して出力する積層素子１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄと、この積層素子における感光部１０１を有する素子１００ａに対して設けられ、それぞれの感光部１０１に対して一部の領域を遮光するための当該感光部１０１の面積よりも小さい面積を有する１つの遮光部１１０を、当該感光部１０１の領域の範囲内で走査することにより各感光部１０１を所定の分割数で分割し、当該分割した各領域における遮光による蓄積電荷の変化量によって画素を形成する液晶素子１０６とを備える。 （もっと読む）

【課題】グローバルシャッタ機能を有し、白点及び暗電流の抑制が可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】
半導体基体３１と、半導体基体３１に形成されているフォトダイオード３２と、フォトダイオード３２に蓄積された信号電荷が転送される浮遊拡散領域３５とを備える。さらに、半導体基体３１内において浮遊拡散領域３５を覆う半導体基体面と平行な水平遮光部３２Ａと、半導体基体３１面と垂直な垂直遮光部３２Ｂとからなる遮光層３２とを備える固体撮像素子３０を構成する。 （もっと読む）

【課題】より良好な画素信号を得る。
【解決手段】固体撮像素子は、入射する光を電荷に変換する光電変換素子、および、光電変換素子により光電変換された電荷を一時的に保持する電荷保持部が形成された半導体基板と、少なくとも半導体基板の光電変換素子および電荷保持部の間の領域に延在するように埋め込まれる埋め込み部を有する遮光部とを備える。さらに、遮光部は、光電変換素子に光が入射する側である半導体基板の裏面側において、少なくとも電荷保持部を覆うように配置される蓋部をさらに有する。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSセンサに適用できる。 （もっと読む）

【課題】ランダムノイズの影響を低減した撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】入射光に応じて発生した電荷を蓄積して信号を出力する複数画素の有効画素領域及び入射光に依存しない信号を出力する複数画素の非有効画素領域を含む画素部と、前記画素部の画素の列毎に設けられる複数の垂直信号線と、前記画素部の画素を行単位に走査して選択することにより前記選択された同一行の画素の信号を前記複数の垂直信号線に出力させる垂直走査回路と、前記複数の垂直信号線の信号を走査して選択することにより前記選択された垂直信号線の信号を出力させる水平走査回路とを有し、前記垂直走査回路は、１フレームの間に前記有効画素領域の同一行の画素を行単位で１回選択し、１フレームの間に前記非有効画素領域の同一行の画素を行単位で複数回選択することを特徴とする撮像装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を回避する裏面照射型のCMOS型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子２１は、受光した光を電気信号に変換するＰＤ３２が平面的に配置された半導体基板４２と、半導体基板４２に入射する光の透過を制御するシャッター層４４とを備えて構成される。そして、半導体基板４２とシャッター層４４との間の間隔が、シャッター層４４に形成されるシャッター素子３３の間隔以下に設定される。また、シャッター層４４は、ＰＤ３２に対する光の入射角に応じて、光を遮光する箇所を調整する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、光電流／暗電流のＳ／Ｎ比の良好であり、且つ、応答速度の速い光電変換素子を提供する
【解決手段】一対の電極（２０，４０）と、一対の電極（２０，４０）に挟持された少なくとも光電変換層３２を含む受光層３０を有する光電変換素子１は、受光層３０の少なくとも一部の層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を主成分とする複数の粒子又は該複数の粒子が成形されてなる成形体であり、複数の粒子のＤ５０％で表される平均粒径が５０μm〜３００μmであるの光電変換素子用蒸着材料を用いて蒸着されたフラーレン又はフラーレン誘導体を含むものである。 （もっと読む）

【課題】 高いアライメント精度、および少ない工程数でアライメント用の光の透過率が低い材料のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板の上に凹部または凸部を有するアライメントマークを含む第１のパターンを形成する工程と、第１のパターンの上に平坦化層を形成する工程と、平坦化層のアライメントマークの上に形成された部分を除去する工程と、アライメントマークの上に形成された部分が除去された平坦化層の上に、被加工層を形成する工程と、アライメントマークの位置を被加工層の上から光を用いて光学的に検出し、位置あわせを行う工程と、位置合わせに基づき被加工層をパターニングしてパターンを形成する工程と、を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】「混色」の発生などを防止して、撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】第１トレンチＴＲ１と、半導体基板１０１において第１トレンチよりも浅い部分において、第１トレンチＴＲ１よりも幅が広い第２トレンチＴＲ２とを、トレンチＴＲとして形成する。そして、第１トレンチＴＲ１の内部を埋め込むと共に、第２トレンチＴＲ２の内側の面を被覆するようにピニング層３１１を形成する。そして、少なくともピニング層３１１を介して第２トレンチＴＲ２の内部を埋め込むように、遮光層３１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な加工プロセスにより、高感度化および微細化を実現することが可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】イメージセンサ１は、２次元配置された複数の画素Ｐを備え、各画素Ｐが、フォトダイオードを含む受光部２０と、入射光を受光部２０へ向けて集光する集光部１０とを有する。集光部１０では、その画素位置に応じた特定の凹凸構造１１Ａを表面に有する１または複数の光学機能層（例えばオンチップレンズ１１）を含んでいる。特定の凹凸構造１１Ａを有することにより、オンチップレンズ１１表面における反射率が低減すると共に、瞳補正の効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】より良好な画素特性を備える。
【解決手段】固体撮像素子２１Ａは、半導体で構成され、互いに反対側を向く表面および裏面を有する半導体基板２２と、表面と裏面とを貫通するように半導体基板２２に対して形成されたトレンチに成膜されたゲート絶縁膜２５Ａと、ゲート絶縁膜２５Ａを介してトレンチ内に、半導体基板２２の裏面側に露出するように埋め込まれたゲート電極２６Ａとを備える。そして、ゲート絶縁膜２５Ａおよびゲート電極２６Ａが裏面側に突出するように形成されることで、半導体基板２２の裏面側の面から、ゲート電極２６Ａの裏面側の先端面までの間に段差が設けられる。本発明は、例えば、撮像機能を備えた電子機器に適用できる。 （もっと読む）

【課題】画素サイズの微細化を実現するとともに、高感度及び低混色の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素部１００が行列状に配置された固体撮像素子１０であって、画素部１００は、ナノメートルオーダーの直径を有する半導体または金属からなる複数の微粒子１１４ａ、１１４ｂが分散され入射光量に応じた信号電荷を生成する光電変換膜１１５と、信号電荷を光電変換膜１１５から読み出す読み出しトランジスタ１０３を有する半導体層１０１とを備える。 （もっと読む）

【課題】赤外遮光能に優れた遮光膜を形成でき、該遮光膜の形成の際、該遮光膜の形成領域外における残渣物を低減できるチタンブラック分散物を提供する。
【解決手段】（Ａ）チタンブラック粒子、（Ｂ）分散剤、及び（Ｃ）有機溶媒を含有し、
前記（Ａ）チタンブラック粒子からなる被分散体の９０％以上が３０ｎｍ以下の粒径を有し、一方の面に撮像素子部を有するシリコン基板の他方の面に設けられ赤外光を遮光する遮光膜の形成に用いられるチタンブラック分散物である。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズと光電変換部との距離を低減しつつマイクロレンズの形状制御を容易にするために有利な技術を提供する。
【解決手段】固体撮像装置の製造方法は、複数の光電変換部が形成された半導体基板の上に配置された配線構造の上に、複数のカラーフィルタを含むカラーフィルタ層を形成する工程と、前記カラーフィルタ層の上に感光性のマイクロレンズ材料層を形成する工程と、露光装置の解像限界よりも小さな寸法を有する遮光部の密度に応じた透過光量分布を有するフォトマスクを使用して前記マイクロレンズ材料層を露光することによって前記マイクロレンズ材料層に潜像を形成し、前記マイクロレンズ材料層を現像することによってマイクロレンズを形成する工程とを含み、前記カラーフィルタ層は、表面段差を有し、前記マイクロレンズ材料層は、前記カラーフィルタ層の前記表面段差に応じた表面段差を有する。 （もっと読む）

【課題】膜厚精度良好な層間絶縁膜で撮像領域を覆うとともに、周辺回路領域においては層間絶縁膜上の配線と下層との間の寄生容量を十分に抑えることができ、これにより撮像特性の向上が図られた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の表面層に配列された複数の光電変換部１３と、半導体基板１１上を覆う層間絶縁膜３１と、光電変換部１３が配列された周囲における層間絶縁膜３１上に設けられた配線３５とを備え、配線３５と層間絶縁膜３１との間に、層間絶縁膜３１とは別層からなると共に配線３５と同一のパターン形状を有する絶縁性パターン３３が挟持された構成の固体撮像素子１ａ。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、遮光膜下のオプティカルブラック領域への光の回り込み、及び有効画素部での混色発生などの抑制を図る。
【解決手段】半導体基板２２に形成され、光電変換部ＰＤを有する複数の画素２３が配列された画素領域２４と、画素領域２４における有効画素領域３３及び遮光されたオプティカルブラック領域３４を有する。さらに、半導体基板２２の光入射側とは反対側の面上に形成された多層配線層２８と、多層配線層側の面に接合された半導体による支持基板４１と、支持基板４１の接合面側に形成された光の反射防止構造５１を有する。 （もっと読む）

【課題】隣接カップリング容量を抑制した固体撮像装置及びこの固体撮像装置を備えたカメラ等の電子機器を提供する。
【解決手段】半導体チップ部が貼り合わされ、第１の半導体チップ部に画素アレイと第１多層配線層が形成され、第２の半導体チップ部にロジック回路と第２多層配線層が形成された積層半導体チップを有する。半導体チップ間を接続する複数の接続配線６７と、一方向に隣り合う接続配線６７間をシールドする第１シールド配線１１３とを有する。各接続配線６７は、第１多層配線層内の所要の第１配線に繋がる第１の接続パッドに接続された接続導体６８と、第１の半導体チップ部を貫通して第２多層配線層内の所要の第２配線に繋がる第２の接続パッドに接続された貫通接続導体６９を有する。接続配線６７は、接続導体６８と貫通接続導体とを連結する連結導体とを有して形成される。固体撮像装置は、裏面照射型の固体撮像装置として構成される。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオード(ＰＤ)の感度の低下の軽減を可能としつつ画素の読み出し時間の短縮が可能な裏面照射固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】裏面照射型固体撮像装置は、半導体基板１にフォトダイオード３とＭＯＳトランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３を具備して、このＭＯＳトランジスタは半導体基板の表面に形成され、フォトダイオード３は半導体基板の表面と反対の裏面に照射される入射光ＬＧに応答する。フォトダイオード３の主要部とその近傍の上部には、同一列で複数行同時選択される複数のフォトダイオードＰＤからの複数の信号電圧を転送するための複数の垂直信号線ＶＳＬ１、２、３が形成される。裏面照射型固体撮像装置では、半導体基板の裏面からフォトダイオードへの照射光が入射されるので、画素の読み出し時間の短縮のための複数の垂直信号線ＶＳＬ１、２、３を形成しても、フォトダイオードの感度の低下が生じない。 （もっと読む）

【課題】透明基板上に設けられたセンサ部に入射する光によるノイズを防ぎ、良好な画像
を読み込むことのできるセンサ部を有する安価な液晶パネルを提供する。
【解決手段】少なくとも、透明基板上に設けられたセンサ部が、アクティブ素子と、該ア
クティブ素子と電気的に接続し、透明基板からの光を遮断する金属電極と、該金属電極上
に設けられた光電変換素子と、該光電変換素子上に設けられた透明電極と、を有し、セン
サ部の側部には前記透明基板内で反射された光を吸収する光吸収物が設けられ、アクティ
ブ素子は多結晶珪素膜を有する。この構成により、上記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の面積が異なる画素を含む固体撮像装置において、画素間の感度のばらつきを低減する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換素子をそれぞれ有する複数の画素と、光電変換素子を覆う遮光層とを備える固体撮像装置が提供される。遮光層は、複数の画素のそれぞれの光電変換素子に対して、当該光電変換素子への入射光の一部分を遮るための遮光部と、入射光の残り部分を通すための開口部とを有し、複数の画素は、光電変換素子の平面視における面積が異なる少なくとも２種類の画素を含み、光電変換素子の平面視における面積の大きい画素ほど遮光部の面積が大きい。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、ＭＥＭＳ素子を固体撮像装置と同一のチップ上に設けて装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現する。
【解決手段】画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を有する固体撮像素子部（Ｒ５）を有するデバイス基板１０上に、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子（１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂ，ＤＦ）を有する構成とする。 （もっと読む）