【課題】被撮像物が厚い書籍であっても綴じ部近辺の像が歪まない小型の撮像装置を提供する。特に、薄い撮像装置を提供する。さらには、小型化により撮像装置の可搬性を向上させる。
【解決手段】撮像面が両面に配された撮像装置を提供する。好ましくは、発光素子及び受光素子などの撮像装置を構成する素子は、すべて一の基板上に配する。換言すると、第１の撮像面と、前記第１の撮像面の逆を向いた第２の撮像面と、を有する撮像装置である。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ別のマスクを用いた別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層（またはドレイン電極層）と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、ソース電極層またはドレイン電極層は、開口を埋め込むように絶縁層上に導電膜を形成し、絶縁層上の導電膜を化学的機械研磨処理によって除去することで形成される。 （もっと読む）

【課題】ショートチャネル特性などを向上する。
【解決手段】ｎ型ＦＥＴ１１１Ｎの半導体活性層１１１Ｃの上面に、バックゲート絶縁膜４０１を介してバックゲート電極１２１を金属材料で形成する。ここでは、バックゲート電極１２１，２２１について、半導体活性層１１１Ｃの上面においてゲート電極１１１Ｇおよび一対のソース・ドレイン領域１１１Ａ，１１１Ｂに対応する部分を被覆するように、バックゲート電極１２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像素子を備えたチップ領域が複数配列された固体撮像素子ウエハにおいて、個片化されるチップ領域のサイズを縮小し、これにより固体撮像素子の小型化を図る。
【解決手段】複数のチップ領域２００と、チップ領域２００を囲んで配置された分割領域３００と、各チップ領域２００に設けられた光電変換部２０と、各チップ領域２００において光電変換部２０に対する受光面Ａとは逆の表面側に設けられた駆動回路と、駆動回路に接続され各チップ領域２００において表面側に引き出されたデバイス用端子３３と、駆動回路に接続され分割領域３００において受光面Ａ側に露出された検査用端子４００とを備えた固体撮像素子ウエハ１００−１である。 （もっと読む）

【課題】光学的な干渉を抑制することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体３１と、半導体基体３１の第１主面上に形成された、Ｇｅを含む第１半導体層３２とを備える固体撮像素子３０を構成する。この固体撮像素子３０は、半導体基体３１の第２主面に形成された転送トランジスタＴｒ１と、第１半導体層３２を含む領域に形成されたフォトダイオード３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】配線層における導体層の層数の削減をより有効に行うことができる裏面照射型CMOSイメージセンサを提供する。
【解決手段】撮像素子１１は、複数の画素３１が配置される半導体基板５１と、複数本の配線が配設された複数層の導体層５８が絶縁膜５７に埋め込まれて構成される配線層５５とが積層されて構成される。そして、配線層５５では、画素３１により得られた画素信号を出力する配線、および、画素の駆動に必要な電力を供給する配線、画素を駆動するための駆動信号を供給する配線が、２層の導体層５８で形成される。 （もっと読む）

【課題】色分離が良好であり、かつ、高い感度を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】表面側が回路形成面とされた半導体層１１と、半導体層１１内に積層されて形成された２層以上の光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２と、ゲート電極２１が半導体層１１の表面１５から内部に埋め込まれて形成された、縦型トランジスタＴｒ１とを含み、２層以上のうちの１層の光電変換部ＰＤ１は、縦型トランジスタＴｒ１のゲート電極２１の半導体層１１に埋め込まれた部分２１Ａにまでわたって形成され、縦型トランジスタＴｒ１によって形成されるチャネルに接続されている固体撮像装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】受光面側にパッド配線を設けた裏面照射型の固体撮像装置において、絶縁膜の薄膜化を図ることにより光電変換部での受光特性の向上を図ることが可能な裏面照射型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】このような目的を達成するための本技術の固体撮像装置は、光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板を備え、このセンサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側には駆動回路が設けられている。また画素領域の外側の周辺領域には、センサ基板における受光面側から駆動回路に達しする貫通ビアが設けられている。さらに、周辺領域の受光面側には、貫通ビア上に直接積層されたパッド配線が設けられている。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を抑制する。
【解決手段】センサチップは、複数のＰＤが配置された半導体基板を有している。信号処理チップは、センサチップに積層され、センサチップを駆動するためのロジック回路が形成された半導体基板を有している。そして、センサチップの半導体基板と、信号処理チップの半導体基板との間に、信号の送受信を行う配線を有する配線層が配置されており、その配線層において配線が形成されていない領域に、遮光性を備えた遮光膜が配設される。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOS型固体撮像素子に適用できる。 （もっと読む）

【課題】複数の不良画素が存在する場合であっても、簡易な冗長化プロセスで、不良画素が存在する領域に実際に入射する光に基づく情報が得られるようにし、不良画素による画像情報の欠落を防止して、歩留まりを向上させる。
【解決手段】イメージセンサ１を、同一波長に感度を持ち、かつ、入射光の向きに対して感度が異なる２つのフォトディテクタ７Ａ、７Ｂを有する複数の画素８を備えるセンサアレイ４と、複数の画素の中の少なくとも一の画素に対応する位置に設けられ、入射光を周囲の画素に散乱させる散乱体９とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】 遮光性能を向上させた電荷保持部を有する固体撮像装置、及びそれを用いた撮像システムを提供する。
【解決手段】 半導体基板に配された光電変換部と、電荷保持部と、フローティングディフュージョン部と、半導体基板上に配され、光電変換部と電荷保持部との間に配された第１のゲート電極と、半導体基板上に配され、電荷保持部とフローティングディフュージョン部との間に配された第２のゲート電極と、を有する固体撮像装置において、電荷保持部の上と、少なくとも第１のゲート電極と第２のゲート電極のいずれかの上に配された第１の部分と、第１のゲート電極と第２のゲート電極との間に配され、前記半導体基板の表面側に前記第１部分から延在した第２の部分とによって構成される遮光部を有する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドおよびシールド構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体装置の正面と背面に対応する正面と背面を有する装置基板と、装置基板の正面上に形成される金属層部と、半導体装置の背面に設置され、金属層部と電気的に接続するボンディングパッドと、装置基板の背面上に設置されるシールド構造と、を含み、シールド構造とボンディングパッドは異なる厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】積層型の画素構造を採用するに当たって、色毎の感度のＦ値依存の低減を可能にした固体撮像装置及び当該固体撮像装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板の配線層が形成される第１面と反対側の第２面側に設けられ、所定の波長域の光について光電変換を行い、他の波長域の光を透過させる光電変換膜と、半導体基板の内部に設けられ、光電変換膜を透過した他の波長域の光について光電変換を行う光電変換層とを備え、光電変換膜に対して第２面側から入射光を取り込むようにする。 （もっと読む）

【課題】 裏面照射型イメージセンサ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 イメージセンサデバイスは、表面及び表面と対向する裏面を有する基板、この基板に配置され、裏面を通過して基板に入射する放射波を検出するように動作可能である放射線検出領域、基板の表面の上に配置された相互接続構造、基板の裏面の上に配置され、基板に引張応力を与える材料層、及び材料層の少なくとも一部の上に配置された放射線遮蔽デバイスを含む。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置１００において、光入射効率を高める多重干渉効果に加えて、第１に、シリコンのもつ引張応力を緩和し、第２に、シリコン基板への金属コンタミネーションを抑制することを可能とする。
【解決手段】固体撮像装置１００において、シリコン基板１０１の第２面上に光透過膜１２３を形成し、該光透過膜１２３を、該シリコン基板１０１の該第２面上に形成されたシリコン酸化膜（第１の透明絶縁膜）１０２と、該シリコン酸化膜１０２上に形成され、該シリコン酸化膜の屈折率より高い屈折率を有するシリコン窒化膜（第２の透明絶縁膜）１０３とを、該シリコン窒化膜の厚みの増大に伴って、該シリコン基板の第２面での入射光の反射率が周期的に極小となるよう積層した構造とし、該シリコン窒化膜１０３の厚みを、該反射率の極小値として２周期目の極小値のみを含む範囲に設定した。 （もっと読む）

【課題】シリコン界面からの暗電流の発生を防止するために、基板裏面側にｐ＋層を形成する構造を採った場合に種々の問題が発生する。
【解決手段】シリコン基板３１の裏面上に絶縁膜３９を設け、さらにその上に透明電極４０を設け、電圧源４１から透明電極４０を介して絶縁膜３９にシリコン基板３１のポテンシャルに対して負の電圧を印加することにより、基板裏面側シリコン界面に正孔を貯めて当該シリコン界面に正孔蓄積層が存在しているのと等価な構造を作り出す。 （もっと読む）

【課題】金属遮光膜のストレス（応力）に起因する暗電流を抑制して黒レベル補正をより正確に行う。
【解決手段】半導体基板６の上方に、被写体からの入射光を光電変換して撮像する有効画素アレイ領域２が中央部に設けられ、有効画素アレイ領域２の外周側に、有効画素アレイ領域２からの撮像信号に対して黒レベル補正を行うためのオプティカルブラック領域３が設けられ、オプティカルブラック領域３の外周側に周辺回路領域４が設けられた固体撮像素子１において、オプティカルブラック領域３と周辺回路領域４に入射光を遮光する金属遮光膜８ａ，８ｂが設けられ、オプティカルブラック領域３と周辺回路領域４における金属遮光膜８ａ，８ｂの境界の全部に、ストレスを開放するためのスリット部５が設けられている。スリット５ａは、有効画素アレイ領域２およびその外周側のオプティカルブラック領域３の平面視４角形の外周囲に渡って形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基体同士が張り合わされた構成を有する半導体装において、接合精度の向上を可能とする。
【解決手段】第１半導体基体３１と、第２半導体基体４５とを備え、第１半導体基体３１の第１主面３１Ａ側と、第２半導体基体４５の第１主面４５Ａ側が接合されている。そして、第１半導体基体３１の第１主面３１Ａ側、第２半導体基体４５の第１主面４５Ａ側、第１半導体基体３１の第２主面３１Ｂ側、及び、第２半導体基体４５の第２主面４５Ｂ側から選ばれる少なくとも１つ以上に形成されている反り補正層１３，１４を備える半導体装置７９を構成する。 （もっと読む）

【課題】不要なノイズ成分の発生を抑制し、高精度な距離検出を行なうことが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】距離画像センサ１は、光入射面１ＢＫと表面１ＦＴとを有する半導体基板１Ａ、電極ＴＸ１，ＴＸ２、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２、及び半導体領域ＳＲ１を備える。半導体基板１Ａには、入射光に応じて電荷が発生する光感応領域が表面１ＦＴ側に設けられている。半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、光感応領域にて発生した電荷を蓄積する。電極ＴＸ１，ＴＸ２は、光感応領域にて発生した電荷を半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２に転送する。半導体領域ＳＲ１は、半導体基板１Ａにおける半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と光入射面１ＢＫとの間に位置すると共に、光入射面１ＢＫに直交する方向から見て、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２を覆うように形成されており、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 （もっと読む）