【課題】撮像ユニットのトータルの厚さが低減された構造を有する撮像ユニットを提供する。
【解決手段】開口１０ａが設けられた基板１０と、該基板１０の一方の面に、開口１０ａを覆い、且つ、受光面１１ａが開口１０ａと対向するように実装された撮像素子１１と、基板１０の他方の面に、開口１０ａを覆うように固着され、撮像素子１１の受光面１１ａを保護する保護ガラス１３と、該保護ガラス１３を収容可能な開口１５ａが設けられ、開口１５ａ内に保護ガラス１３を収容した状態で基板１０に固定された固定部材１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】撮像素子が実装された後のフレキシブルプリント配線板の厚さが薄く、小型な撮像ユニット及び前記撮像ユニットを備えた内視鏡と前記撮像ユニットの製造方法を提供する。
【解決手段】撮像素子、及びフレキシブルプリント配線板を含む撮像ユニットにおいて、前記撮像素子は、受光部、前記受光部に電気的に接続された金属配線層、前記金属配線層に形成された金属パッド、及び前記金属パッドを受光側とは反対側に露出させるように設けられた開口部、を含み、前記フレキシブルプリント配線板は、前記開口部内において前記金属パッドと電気的に接続される金属線を含み、かつ前記撮像素子の受光側とは反対側の面上に接着剤によって接着される。 （もっと読む）

【課題】信号書き込み時間が長くなることを防ぎながら、信号振幅値が大きく、かつ、入出力関係が線形で動作する範囲を大きくすることが出来る半導体装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】増幅用トランジスタ及びバイアス用トランジスタを有する半導体装置において、放電用トランジスタを設けて、プリ放電を行う。または、増幅用トランジスタ及びバイアス用トランジスタを有する半導体装置において、バイアス用トランジスタに接続されたバイアス側電源線の電位を、増幅用トランジスタに接続された増幅側電源線の電位に近づけることにより、プリ放電を行う。 （もっと読む）

【課題】撮像デバイスの透光性部材から撮像素子の受光面までの距離を一定以上確保して、撮像画像の画質劣化を防止しつつ、小型化、薄型化できる撮像デバイスを提供する。
【解決手段】撮像デバイスは、平板状のパッケージ部材１１に表裏貫通する開口孔１３が形成され、パッケージ部材の開口孔の一端側に撮像素子１５、他端側に透光性部材１７がそれぞれ配置される。パッケージ部材１１は、開口孔１３の一端側の内面に第１の段部２１、他端側の内面に第２の段部２３を有する。第１の段部２１に撮像素子１５の外縁部が接合され、第２の段部２３に透光性部材１７の外縁部が接合されて、撮像素子１５と透光性部材１７が開口孔１３に収容されている。このパッケージ部材１１の撮像素子１５が収容された側の開口孔周囲におけるパッケージ部材表面と、撮像素子の裏面側とを、同じ高さに形成した。 （もっと読む）

【課題】高画質化を図ることができる固体撮像装置、固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置は、複数の画素が形成された上面が窪むように湾曲したセンサ基板と、前記上面側に設けられた結像レンズと、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は上記問題点を解決するために成されたものであり、光電変換素子の静電破壊を防止することができると共に、導電体を任意の電圧に設定することができる、光電変換基板、放射線検出器、及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、接続配線５２と一体的に形成されており、切替部５４に接続されている。また、切替部５４は、制御装置１０６から入力される制御信号に応じて、接続配線５２の接続先を、バイアス電源１１０、内部電源５６、及びグランドのいずれかに切り替える。光電変換基板６０の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。 （もっと読む）

【課題】フレアやゴーストの発生を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置は、開口部を有する基板と、基板の開口部の周囲の下面にフリップチップ実装され、基板の上面に配設されるレンズにより取り込まれ、開口部から入射される光を受光し、光電変換する固体撮像素子とを備え、基板の開口部の周囲の厚さは、基板の他の部分の厚さより薄く形成されている。本技術は、例えば、カメラ付き携帯電話機に搭載されるカメラモジュールに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】 信号電荷の収集効率を向上する。
【解決手段】 半導体基板の表面１０００の第１区域１００１の下に設けられた第１半導体領域１３１と、表面１０００の第２区域１００２の下に設けられ、接続部３００に接続された第２半導体領域１３２と、表面１０００の第１区域１００１と第２区域１００２との間の第３区域１００３の下に設けられた第３半導体領域１３３とを有するエネルギー線変換装置の製造方法において、
第１半導体領域１３１及び第３半導体領域１３１を、第１区域１００１及び第３区域１００３を覆い、且つ、第３区域１００３を覆う部分２０３の厚さが第１区域１００１を覆う部分２０１の厚さよりも薄い緩衝膜２００を介して、半導体基板１００にイオン注入を行うことによって形成する。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサと、発光素子を有する表示素子と、の組をマトリクス状に複数有する半導体装置であって、高精細化可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】フォトセンサと、発光素子を有する表示素子と、を有し、発光素子を有する表示素子に電気的に接続される電源線と、フォトセンサに電気的に接続される電源線とを共有する半導体装置である。こうして、電源線の幅を狭くすることなく、高精細の半導体装置が得られる。そのため、電源線の電位の安定性を確保しつつ、半導体装置を高精細化することができるため、高精細な半導体装置においても、発光素子を有する表示素子の駆動電圧を安定とし、且つフォトセンサの駆動電圧も安定とすることができる。こうして、高精細化可能であり、且つ、表示品質が高く、被検出物の撮像精度や検出精度の高い半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】デジタルカメラモジュールにおけるイメージ撮像デバイスの配置的問題の軽減を可能とする。
【解決手段】デジタルカメラモジュール２００は、イメージ撮像デバイス２０４を備える。イメージ撮像デバイスは、可撓性の回路基板２０２上に据付けられる。デジタルカメラモジュールにおいて、イメージ撮像デバイスは、接着剤を用いて直接的に可撓性の回路基板上に据付けられる。前記可撓性を有する回路基板が、可撓性の基層と、該可撓性の基層上に形成される第１、第２の導電性のトレース層と、イメージ撮像デバイス用の複数の第１接触パッド２２４と、コネクタ２１４とを備え、前記第１接触パッドの各々が、前記第１の導電性のトレース層上に接着されるニッケルからなる層と、前記ニッケルからなる層上に接着される金からなる層とからなり、前記可撓性を有する回路基板が屈曲した状態で、前記コネクタに接続される。 （もっと読む）

【課題】 撮像素子と撮像素子固定部材の接着固定について十分な接着強度を確保すると同時に、高温、低温下での撮像素子と撮像素子固定部材の線膨張係数の差による撮像素子の変形を低減することが可能である撮像装置を提供する。
【解決手段】 撮像素子と、開口部が形成される固定部材とを備え、前記撮像素子を前記固定部材に位置決めした後、前記開口部に接着剤を流し込むことで、前記撮像素子を前記固定部材に接着固定する撮像装置であって、前記開口部は、前記撮像素子の長辺方向における略中央部分にて、前記撮像素子の短辺方向に延出した形状に形成されるとともに、前記撮像素子に対向しない側の開口幅が前記撮像素子に対向する側の開口幅よりも大きくなるように形成される。 （もっと読む）

【課題】ウェハの接着時の歪みを緩和する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、支持基板の接合面上のチップ領域の外周部に溝を形成する工程と、ダイシングラインの内側の各チップ領域の外周部にそれぞれチップリングを備えた半導体基板と前記支持基板を、前記チップリングの上から前記ダイシングラインの内側に前記溝が位置するように接合する工程を備える。半導体装置の製造方法は、接合した前記半導体基板と前記支持基板を前記ダイシングラインに沿ってダイシングする工程を備える。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出装置の画質と耐久性とを両立させる。
【解決手段】放射線画像検出装置１は、放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群を有する蛍光体１８と、前記蛍光体の少なくとも蛍光出射面を覆う保護膜１９と、を含む放射線画像変換パネル２と、前記蛍光体から出射される蛍光を検出するセンサパネル３と、前記蛍光出射面を覆う前記保護膜と前記センサパネルの受光面との間に介在して前記放射線画像変換パネルと前記センサパネルとを貼り合わせる粘着層２５と、を備え、前記保護膜の表面は、プラズマ処理されており、前記粘着層の厚みが１０μｍ以上４０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】信号配線、ゲート配線の寄生容量を低下させ、感度の向上、ノイズの減少を図る放射線検出装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に配置されたスイッチ素子と、スイッチ素子上に配置された放射線を電荷に変換する変換素子とを含み、スイッチ素子と変換素子とは接続されている画素を有し、画素は絶縁基板上に行列に二次元配列され、絶縁基板上に配置された行方向に配列された複数のスイッチ素子が共通に接続されるゲート配線と、列方向に配列された複数のスイッチ素子が共通に接続される信号配線と、を有し、スイッチ素子と変換素子の間に複数の絶縁層が配置され、ゲート配線又は信号配線の少なくとも一方が、複数の絶縁層に挟まれて配置されている。 （もっと読む）

【課題】電力供給モードを切り替えても画像データ中に縦スジが現れることを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、検出部Ｐ上の各放射線検出素子７にバイアス電圧Ｖbiasを印加するバイアス電源１４を備え、各機能部に電力を供給する電力供給モードを覚醒モードＭｗとスリープモードＭｓとの間で切り替え可能とされており、電力供給モードを覚醒モードＭｗからスリープモードＭｓに切り替えた後、バイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加される電圧Ｖｂが上記のバイアス電圧Ｖbiasから所定の電圧値Ｖthまで上昇するまで、電力供給モードを覚醒モードＭｗに復帰させないように構成されている。 （もっと読む）

【課題】光学デバイス全体の小型化を図れるようにする。
【解決手段】光学デバイスは、第１の表面及び第１の表面とは反対側の第２の表面を有する光学素子２と、光学素子２における第１の表面の上方に配置された光学部材３と、光学素子２における第１の表面の上方に配置され、且つ、光学部材２の横側に配置された基板７とを備えている。光学部材３は、第１の表面と対向する第３の表面及び該第３の表面とは反対側の第４の表面を有し、平面視において、第２の表面の全てが第１の表面よりも内側に位置するか又は第４の表面の全てが第３の表面よりも内側に位置する。 （もっと読む）

【課題】放射線検出素子を微細に形成した場合でも放射線検出素子の集光率を向上させることが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、走査線５と信号線６により区画された各小領域ｒに設けられた放射線検出素子７ごとに設けられ、放射線検出素子７の第１電極７ａにソース電極８ｓが接続され、信号線６にドレイン電極８ｄが接続されたＴＦＴからなるスイッチ手段８を備え、ＴＦＴからなるスイッチ手段８は、放射線検出素子７同士の間の部分に設けられた走査線５上に形成され、走査線５自体がスイッチ手段８のゲート電極８ｇとされている。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出装置の感度低下を抑えつつ、耐衝撃性を向上させる。
【解決手段】少なくとも全放射線撮影領域を含む底部を有する凹部が形成された基板（１４）と、放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有し、前記基板の凹部に設けられる蛍光体（１８Ａ、１８Ｂ）と、前記蛍光体が設けられた凹部とは反対側に設けられ、前記蛍光体から発せられた蛍光を光電変換する光電変換素子の群（２６）と、前記蛍光体を支持する支持体（１２Ａ，１２Ｂ）と、前記支持体と前記基板とを固定する固定部（１３Ａ）と、を備え、放射線入射側から、光電変換素子、基板、蛍光体、支持体の順に並んでいる放射線画像検出装置（１，２）。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板上の金属配線露出部での水分の関与による腐食反応を防止すると共に、アレイ基板カット面とＦＰＣの擦れによる断線を防止し、高温高湿下や結露状態などの環境負荷が大きい状態においても高い信頼性を確保した放射線検出器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコーン樹脂をアレイ基板１２／ＦＰＣ４７の隙間に塗布形成して絶縁防湿被覆５３とする。また、シリコーン樹脂をアレイ基板１２／ＦＰＣ４７の隙間だけでなく、接着されたＡＬハットからなる防湿層１５の鍔部１５ａ端部まで同時に塗布形成して絶縁防湿被覆５５とする。 （もっと読む）