【課題】増加された集積度を有し且つ高密度で高速の３次元（抵抗性）半導体（メモリ）装置を、最小限のマスク工程数で提供する。
【解決手段】チャンネル領域によって分離された第１及び第２不純物領域を含む基板、前記第１不純物領域に接続するビットライン、前記第２不純物領域に接続する垂直電極、前記基板と前記ビットラインとの間に配置される水平電極の積層体、及び、前記積層体と前記基板との間に配置される選択ラインを含む。この時，前記選択ラインは平面形状及び平面位置において、前記水平電極の各々と実質的に同一であり得る。 （もっと読む）

【課題】ビット当たりの単価を低減できる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、第１方向に沿う第１部分(11a)と第２方向に沿いかつ第１部分と接続された第２部分(11b)とを有し、第２部分において半導体材料を含み、第１方向および第２方向からなる第１平面と交わる方向に沿って離れて並ぶ少なくとも２つの第１配線(11)を含む。可変抵抗膜(15)は、第１配線の第２部分に接続された第１面を有し、相違する抵抗値を示す複数の状態を取り得る。第２配線(12)は、可変抵抗膜の第１面と対向する第２面と接続されている。制御線(13)は、第１平面と交わる方向に沿い、少なくとも２つの第１配線の第２部分の半導体材料を含む部分と絶縁膜を介して接し、第１配線の第２部分の半導体材料を含む部分および絶縁膜とともにトランジスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】４個のトランジスタと２個のＭＴＪ素子からなり、電源を印加しないでも不揮発性メモリとして動作するＳＲＡＭからなる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】第１及び第２のインバータ２，４と第１及び第２の転送用ＭＯＳＦＥＴ３，５とを含むメモリセル１からなるＳＲＡＭにおいて、第１及び第２のインバータ２，４はスピン注入型のＭＴＪ素子６，８と駆動用ＭＯＳＦＥＴ７，９とからなり、これらのインバータ２，４からフリップフロップ回路が構成され、第１及び第２のインバータ２，４の出力端子は、それぞれ第１及び第２の転送用ＭＯＳＦＥＴ３，５を介してビットライン及びビットラインバーに接続され、第１及び第２の転送用ＭＯＳＦＥＴ３，５のゲートは、同一のワードラインに接続される。従来のＳＲＡＭに比較してメモリセルの面積が小さく、高速で低消費電力の不揮発性メモリが得られる。 （もっと読む）

【課題】磁気記録素子のＭＲ比の向上を図る。
【解決手段】実施形態に係わる磁気記録素子は、磁化が可変で磁化容易軸方向が膜面に垂直となる方向の磁気記録層１１と、磁化が膜面に垂直となる方向に固定される磁気固着層１２と、磁気記録層１１と磁気固着層１２との間の非磁性バリア層１３と、磁気記録層１１と非磁性バリア層１３との間の挿入層１４とを備える。挿入層１４は、軟磁性材料、ホイスラー合金、ハーフメタル酸化物、及び、ハーフメタル窒化物のうちの１つを含む。 （もっと読む）

【課題】高速、不揮発性、低消費電力のメモリ回路を提供する。
【解決手段】一方のソース／ドレインがノード４０に接続された第１導電型スピンＭＯＳＦＥＴ１０と、一方のソース／ドレインがノード４０に接続された第１導電型スピンＭＯＳＦＥＴもしくは第１導電型のＭＯＳＦＥＴ１２と、ノード４０にゲート電極が接続され一方のソース／ドレイン電極が出力端子３７に接続されたｐチャネルスピンＭＯＳＦＥＴもしくはｐチャネルのＭＯＳＦＥＴ１４と、ノード４０にゲート電極が接続され、一方のソース／ドレイン電極が出力端子３７に接続されたｎチャネルスピンＭＯＳＦＥＴもしくはｎチャネルのＭＯＳＦＥＴ１６と、出力端子３７と、を備え、第３トランジスタ１４と第４トランジスタ１６はインバータ回路を構成し、第３トランジスタ１４および第４トランジスタ１６の少なくとも一方がスピンＭＯＳＦＥＴであり、出力端子３７からインバータ回路が出力される。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動素子の微細化を促進すること。
【解決手段】磁壁移動素子は、磁気記録層を備える。磁気記録層は、第１磁化固定領域と、第２磁化固定領域と、第１磁化固定領域と第２磁化固定領域との間に挟まれた磁化自由領域と、を含む。磁壁移動素子は更に、第１構造体、第２構造体、及び磁気トンネル接合を備える。第１構造体は、第１磁化固定領域と磁気的に結合し第１磁化固定領域の磁化方向を固定する第１磁性体を備える。第２構造体は、第２磁化固定領域と磁気的に結合し第２磁化固定領域の磁化方向を固定する第２磁性体を備える。磁気トンネル接合は、第１構造体と第２構造体とによって挟まれ、第１構造体及び第２構造体に接触し、磁化自由領域の少なくとも一部を備える。 （もっと読む）

【課題】下層のハード層の面内ばらつきに影響されず初期化可能なＭＲＡＭを提供する。
【解決手段】ＭＲＡＭは、強磁性の磁気記録層１０と、磁化が固定された強磁性の磁化固定層３０と、磁気記録層１０と磁化固定層３０との間に設けられた非磁性のスペーサ層２０と磁気記録層１０の両端部の上部又は下部に設けられた導電層１４ａ、１４ｂとを具備する。磁気記録層１０は、磁化が反転可能であり、スペーサ層２０を介して磁化固定層３０に接合される磁化反転領域１３と、第１方向の磁化を有し、磁化反転領域１３と平行に設けられた第１磁化領域１１ａと、第２方向の磁化を有し、磁化反転領域１３と平行に設けられた第２磁化領域１１ｂと、磁化反転領域１３及び第１磁化領域１１ａと所定の傾斜角度φを成して結合する第１傾斜領域１２ａと、磁化反転領域１３及び第２磁化領域１１ｂと傾斜角度φを成して結合する第２傾斜領域１２ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】高い抵抗値の抵抗素子を実現する。
【解決手段】本実施形態の抵抗変化メモリは、第１の配線レベルＩＬＶ１に位置し、第１の方向に延びる制御線Ｌ１と、第２の配線レベルＩＬＶ２に位置し、第２の方向に延びる制御線Ｌ２と、制御線Ｌ１と制御線Ｌ２との間に設けられるセルユニットＣＵとを含むメモリセルアレイを有し、複数の配線レベルに設けられる少なくとも２つの抵抗線ＲＬ３Ａ，ＲＬ５と、抵抗線ＲＬ３Ａ，ＲＬ５間に設けられ、セルユニットＣＵの構成部材又はコンタクトプラグＺＣの構成部材と同じ構成部材を含む抵抗体９１と、を有し、抵抗素子領域１７内に設けられる抵抗素子９０を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流を低減する。
【解決手段】本発明の例に関わる磁気メモリは、磁化が可変な磁性層１１と、磁化が固定された磁性層１３と、中間層１２と、膜面に対して平行方向の磁化が可変な磁性層１５とを有する磁気抵抗効果素子１と、絶縁膜を介して磁気抵抗効果素子１の側面上に設けられ、磁性層１５の端部から発生する磁場を収束する磁性層１６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】積層構造を有する柱状の複数のメモリセル間のショート発生を防止した不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、マトリクス状に配置された柱状の複数のメモリセルＭＣを形成する工程と、直線上に並んだ一群のメモリセルの一方の底面に各々接触し、互いに平行なワードライン４７ａ，４７ｃ，４７ｅを形成する工程と、直線上に並んだ一群のメモリセルの他方の底面に各々接触し、互いに平行であり、かつワードラインと同一平面視で交差するビットライン５６ｂ，５６ｄを形成する工程とを含み、ワードラインを形成する工程では、複数のメモリセルのうち同じワードラインまたはビットラインに接触する一群のメモリセルの端部に位置する端部メモリセルＭＣｅ１，ＭＣｅ３と所定間隔を隔てて配置され、メモリセルＭＣと同じ積層構造を有するダミーメモリセルＤＭＣ１，ＤＭＣ２を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ビットラインとストリング選択ラインとの交差領域に各々形成され、各々が基板上に垂直に多層構造で形成されたメモリセルを有するストリングを含む不揮発性メモリ装置のプログラム方法を提供する。
【解決手段】本発明のプログラム方法によると、シャドープログラム方式によってＹＺ平面の各層に属したメモリセルがマルチビットデータにプログラムされ、ＹＺ平面のＮ番目の層（ここで、Ｎは１、またはそれより大きい定数）のメモリセルがプログラムされる場合、ＹＺ平面の他層のメモリセルがプログラムされる前にＮ番目の層に対応するＸＺ平面の残りのメモリセルがプログラムされる。 （もっと読む）

熱的前処理を用いてスピン注入磁化反転型ランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルなどの不揮発性メモリセル（１２０）にデータを書込むための方法（１８０）および装置（１０６）。いくつかの実施形態では、論理状態は、第１のブロックアドレスと関連付けられる未処理不揮発性第１のメモリセルに書込まれる（１８４）。熱的前処理は、第１のブロックアドレス（１８６）選択に応答して選択される第２のブロックアドレスと関連付けられる不揮発性第２のメモリセルに同時に適用される（１８８）ため、記録ブロックアドレスは、不揮発性第１のメモリセルの書込動作に引続く書込動作で選択される可能性が比較的高いブロックのアドレスである。
（もっと読む）

【課題】最適な書き込み電流を磁気抵抗素子に供給する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板１１に設けられた選択トランジスタ１３と、半導体基板１１の上方に設けられ、かつ第１の方向に延在する第１の配線層ＢＬと、磁化の方向が固定された固定層２２Ａと、固定層２２Ａ上に設けられた非磁性層２２Ｂと、非磁性層２２Ｂ上に設けられかつ磁化の方向が可変である記録層２２Ｃとを有し、かつ第１の配線層ＢＬの上方に設けられ磁気抵抗素子２２と、第１の方向に延在し、かつ選択トランジスタ１３の拡散領域１７に電気的に接続された第２の配線層ｂＢＬとを含む。固定層２２Ａは第１の配線層ＢＬに電気的に接続され、記録層２２Ｃは選択トランジスタ１３の拡散領域１６に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】磁性細線の磁壁移動に要する電流を低減し、且つ磁壁保持時の状態を安定にする。
【解決手段】磁性細線の材料として、遷移温度を境に磁化容易軸が面内方向と垂直方向とで遷移する材料を用いる。この場合、磁性細線１２の磁化容易軸が面内方向である第１の状態にあるときには、磁壁４８を移動させるための電流供給が行われず、磁壁の移動に要する電流が小さい磁化容易軸が垂直方向である第２の状態にあるときにのみ、磁壁を移動させるための電流供給が行われるようなシーケンスを実行することにより、磁壁移動時に必要とする電流を低減することが可能である。また磁壁４８を移動しない状態は第１の状態であり、磁壁の保持を安定化させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】直流電流に重畳させる交流電流の周波数と磁化自由層の磁化の固有振動数とを完全に一致させてスピン偏極電流を確実に低減し得る。
【解決手段】磁化固定層、磁化自由層、および磁化固定層と磁化自由層との間に配設された非磁性スペーサー層を備えた磁気抵抗効果素子２と、磁化自由層に磁場Ｈを印加する磁場印加部３と、磁化固定層と磁化自由層との間に交流電流が重畳された交流重畳直流電圧Ｖｄｄを供給する電源供給部４とを備え、電流供給部４は、磁気抵抗効果素子２についての磁化自由層の磁化の固有振動数を含む周波数範囲内で交流電流の周波数をスイープさせる。 （もっと読む）

【課題】磁気記録装置における多層記録・多値記録を実現する解決手段を提供する。
【解決手段】複数層の記録層からなる媒体を異なる磁気共鳴周波数になるように設定し、高周波発振素子を具備する記録ヘッドの高周波発振周波数を変えることによって、記録を行う記録層を選択し、情報を記録する。また、再生時には、複数層からなる媒体層の磁化状態によって、媒体層外部に漏れ出る磁界が異なるようにし、多値状態によって異なる外部磁界を磁気抵抗効果素子で異なる抵抗値として検知することで、多値状態の識別を行う。 （もっと読む）

【課題】メモリセルの高密度化を図れるＭＲＡＭやＰＲＡＭ等の半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】間隔を有して順に配置され、膜面に対して垂直方向に電流を流すことで記録が行われる第１乃至第４の抵抗変化素子ＭＴＪ１〜ＭＴＪ４と、第１及び第２の抵抗変化素子を接続する第１の電極１５と、第３及び第４の抵抗変化素子を接続する第２の電極１５と、第２及び第３の抵抗変化素子を接続するビット線ＢＬ２と、抵抗変化素子と対をなし、第１及び第２の電極と離間して配置されたワード線ＷＬ１〜ＷＬ４と、第１乃至第４の抵抗変化素子の中の選択素子にデータを書き込む時、第１乃至第４の抵抗変化素子と第１及び第２の電極とビット線とを有するチェーン構造部に第１の電流Ｉｗ１を流す第１の電流源と、選択素子にデータを書き込む時、選択素子に対応する第１乃至第４のワード線の中の選択ワード線に第２の電流Ｉｗ２を流す第２の電流源とを具備する。 （もっと読む）

【課題】磁区壁移動を利用した記録装置を提供する。
【解決手段】磁区壁移動を利用したメモリ装置において、磁性物質からなり、磁壁を含み、第１方向に形成された書き込み用トラック６１と、第１トラック上に形成された中間層６２と、中間層上に第２方向に形成され、磁性物質からなり、磁壁を含む情報保存用トラック６３と、を備える磁区壁移動を利用したメモリ装置である。 （もっと読む）

【課題】記憶容量が大きく、しかも耐熱性に優れる磁気メモリ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁壁３０の移動を規制する規制領域３２が所定の間隔で形成され、規制領域間の領域が記録ビット３４となる線状の記録層２２を有し、記録層２２に一軸磁気異方性を付与する手段２４を有している。記録層に対して一軸磁気異方性を付与する手段を有しているため、十分な一軸磁気異方性を記録層において得ることができる。このため、記録層の幅Ｄを比較的狭くした場合であっても、耐熱性の高い磁気メモリ装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】高記録密度の磁気メモリを実現する。
【解決手段】情報記録媒体としての磁性細線１に対し、リザーブ領域９５の長さに等しい長さで、等間隔に記録素子１６ａ〜１６ｄまたは再生素子１７ａ〜１７ｄを配置している。例えば情報の記録時に、端子２１ａと端子２１ｃとを選択して電圧を印加し、記録領域９４ａ内の磁壁をリザーブ領域９５に向かって移動させると、リザーブ領域９５の長さ分、磁壁を移動させる間に、全磁区が、記録素子１６ａおよび１６ｂのどちらかを通過する。情報の再生時についても、記録領域９４ｂの磁区についても、同じことがいえる。したがって、記録領域９４ａ・９４ｂの全磁区の記録再生を可能としながら、従来より遥かに高密度の記録再生を可能にする。 （もっと読む）