【課題】 高集積度を実現可能なスピン注入書き込み方式の磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】 スピン注入書き込み型磁気記憶装置は、一端が第１ノードに接続される磁気抵抗効果素子３と、第１拡散領域が磁気抵抗効果素子の他端に接続され、第２拡散領域が第２ノードに接続される選択トランジスタ４とを有するメモリセル１を含む。選択線１３は、第１方向に延在し、選択トランジスタのゲート電極に接続される。第１配線１２は、第２方向に延在し、第１ノードに接続される。第２配線１１は、第２方向に延在し、第２ノードに接続される。第１方向に隣り合うメモリセル同士で、第１ノードを共有し、第２方向に隣り合うメモリセル同士で、第２ノードを共有する。 （もっと読む）

【課題】 意図しない磁化反転を抑制可能な磁気メモリを提供する。
【解決手段】 磁気ヨーク８は、第１配線６及び第２配線７の基準面ＳＳ上の部分と、磁気抵抗効果素子５とを覆っており、磁気抵抗効果素子５の厚み方向に垂直な全方位に位置している。したがって、磁気抵抗効果素子５や第１配線６及び第２配線７の基準面ＳＳ上の部分への外部磁界の導入が抑制される。この構造では、磁気抵抗効果素子５における感磁層の意図しない磁化反転を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子を含むメモリセルのサイズを縮小する。
【解決手段】磁気記憶装置の製造方法は、コンタクトプラグ１３および第１の絶縁層１１上に、磁気抵抗効果素子１０を形成する工程と、上部電極層１６上に、第１の方向に延在する第１のマスク層１８を形成する工程と、上部電極層１６を第１のマスク層１８を用いてエッチングする工程と、上部電極層１６および非磁性層１５上に保護膜２０を形成する工程と、保護膜２０上に第２のマスク層２１を形成する工程と、第２の方向に延在するように、第２のマスク層２１上にレジスト層２２を形成する工程と、第２のマスク層２１をレジスト層２２を用いてエッチングし、上部電極層１６の側部に側壁部２１Ａを形成する工程と、非磁性層１５および下部電極層１４を、第２のマスク層２１および側壁部２１Ａを用いてエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

集積回路装置（３００）は、基板（３０１）と、当該基板（３０８）上に形成されたＭＲＡＭアーキテクチャ（３１４）とを備える。ＭＲＡＭアーキテクチャ（３１４）は、基板（３０１）に形成されたＭＲＡＭ回路（３１８）と、当該ＭＲＡＭ回路（３１８）に結合され且つその上に形成されたＭＲＡＭセル（３１６）とを含む。その上、受動デバイス（３２０）が、ＭＲＡＭセル（３１６）と一緒に形成される。受動デバイス（３２０）は、１又はそれより多い抵抗及び１又はそれより多いキャパシタであることができる。ＭＲＡＭアーキテクチャ（３１４）と受動デバイス（３２０）との同時製作は、基板（４０４，５０４）の能動型回路ブロックの上での使用可能な物理的スペースの効率的で且つコスト的に実効性のある使用を促進し、その結果３次元の集積化をもたらす。
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磁気メモリを提供するための方法及びシステム。本方法及びシステムは、複数の磁気記憶セル、複数のワードライン及び複数のビットラインを設けることを含む。複数の磁気記憶セルの各々は、複数の磁気素子及び少なくとも１つの選択トランジスタを含む。各磁気素子は、該磁気素子を通じて駆動される書込み電流によって、スピン転移誘起スイッチングを用いてプログラム可能である。各磁気素子は、第１端及び第２端を有する。各磁気素子の第１端には、少なくとも１つの選択トランジスタが接続される。複数のワードラインは、複数の選択トランジスタに結合され、複数の選択トランジスタの一部を選択的にイネーブル状態にする。
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本発明は、熱アシスト方式で書き込まれる磁気メモリに関し、本磁気メモリにおいてはメモリ点（４０）の各々が磁気トンネル接合から構成されており、メモリの、トンネル接合を形成する層の平面に平行な断面が円形又はほぼ円形である。前記トンネル接合は、少なくとも、磁化方向が固定のトラップ層（４４）、磁化方向が可変の自由層（４２）、及び自由層（４２）とトラップ層（４４）の間に配置された絶縁層（４３）を備える。本発明によれば、自由層（４２）は、接触により磁気的に結合された少なくとも１つの軟質磁性層と１つのトラップ層とから形成され、読み込みメモリ又は休止メモリの動作温度は自由層及びトラップ層それぞれのブロック温度より低く選択される。
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