【課題】プラズマを安定して維持することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】金属膜が形成された基板を収容する真空容器と、電磁波の入射窓を有する誘導結合型のプラズマ発生機構とを備えたプラズマ処理装置により、基板に絶縁膜を成膜するプラズマ処理方法において、Ａｒプラズマ中のイオンにより基板の表面をＡｒスパッタ処理し（Ｓ３）、Ａｒスパッタした基板に絶縁膜を成膜し（Ｓ４）、基板を真空容器から搬出し（Ｓ５）、Ａｒスパッタにより入射窓の内壁に付着した原子を、酸素プラズマ処理により酸化する（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】実施形態による、磁壁制御が容易な磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】磁気メモリ素子１００は、第１方向に延在し、磁壁により隔てられた複数の磁区を有する磁性細線２０と、前記磁性細線２０に対して前記第１の方向又は前記第１の方向と逆方向に通電可能な一対の第１の電極３０と、前記第１の方向に直交する第２の方向において、前記磁性細線２０上に設けられた第１の絶縁層４０と、前記第２の方向であって前記第１の絶縁層４０上に離間して設けられた複数の第２の電極５０と、複数の前記第２の電極５０と電気的に接続された第３の電極６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＭＴＪ素子内における層間の短絡を抑制し、かつ、ＭＴＪ素子を構成する磁性層の劣化を抑制した半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態による半導体記憶装置は、半導体基板を備える。磁気トンネル接合素子は、２つの磁性層と該２つの磁性層間に設けられたトンネル絶縁膜とを含み、半導体基板の上方に設けられている。側壁膜は、磁気トンネル接合素子の側面の上部に設けられている。フェンス層は、導電性材料を含み、側壁膜の側面および磁気トンネル接合素子の側面の下部に設けられている。フェンス層の頂点は、側壁膜の頂点よりも低く、かつ、トンネル絶縁膜よりも高い位置にある。 （もっと読む）

【課題】素子特性の劣化なしにリデポ現象による電気的ショートを防止する。
【解決手段】実施形態に係わる磁気抵抗効果素子は、磁化方向が可変の記憶層１１と、記憶層１１上のトンネルバリア層１２と、トンネルバリア層１２上の磁化方向が不変の参照層１３と、参照層１３上のハードマスク層１４と、参照層１３及びハードマスク層１４の側壁上の側壁スペーサ層１７とを備える。記憶層１１及び参照層１３は、垂直磁化を有し、参照層１３の平面サイズは、記憶層１１の平面サイズよりも小さい。記憶層１１及び参照層１３のサイズ差は、２ｎｍ以下であり、側壁スペーサ層１７は、ダイアモンド、ＤＬＣ、ＢＮ、ＳｉＣ、Ｂ_４Ｃ、Ａｌ_２Ｏ_３及びＡｌＮのうちの１つを備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加を抑えつつ、直列に接続されたＭＴＪ素子を所望の特性の抵抗体として機能させることが可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、磁化方向に応じて抵抗値が変化可能な複数の記憶用ＭＴＪ素子が、半導体基板上に配置されたメモリセルアレイ領域を備える。半導体記憶装置は、複数の抵抗用ＭＴＪ素子が、前記半導体基板上に第１の方向および前記第１の方向に垂直な第２の方向に沿って配置された抵抗素子領域を備える。前記半導体基板の上面に平行な前記抵抗用ＭＴＪ素子の第１の断面の面積は、前記半導体基板の前記上面に平行な前記記憶用ＭＴＪ素子の第２の断面の面積よりも、大きい。 （もっと読む）

【課題】磁化反転に必要とされる電流密度のマージンを広げる。
【解決手段】実施形態に係わる磁気メモリの製造方法は、磁化方向が可変である第１の磁性層１６を形成する工程と、第１の磁性層１６上にトンネルバリア層１７を形成する工程と、トンネルバリア層１７上に、磁化方向が不変である第２の磁性層１９を形成する工程と、第２の磁性層１９上にハードマスク層２０を形成する工程と、ハードマスク層２０をマスクにして第２の磁性層１９のパターニングを行なう工程と、第２の磁性層１９のパターニング後に、ハードマスク層２０をマスクにしてＧＣＩＢ照射を行うことにより、少なくとも第１の磁性層１６内に磁気的及び電気的に不活性な領域Ｎｏｎを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い磁気抵抗効果素子の構造並びにそのような構造を安定して得ることのできる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、第１の電極層と、金属材料により形成された金属層と、第１の磁性層と、トンネル絶縁膜と、第２の磁性層と、第２の電極層とを形成し、第２の電極層をパターニングし、第２の磁性層、トンネル絶縁膜、第１の磁性層及び金属膜をパターニングするとともに、パターニングした第２の磁性層、トンネル絶縁膜、第１の磁性層及び金属膜の側壁部分に、金属膜のリスパッタ粒子を堆積して側壁金属層を形成し、側壁金属層を酸化して絶縁性の側壁金属酸化物層を形成する。 （もっと読む）

【課題】駆動電極に透明電極を適用する必要がなく、また、開口率を増大させることができると共に、効率的な偏光変調を行なうことができ、さらに、磁化反転動作を正確に知ることができる光変調素子およびこの光変調素子を用いた空間光変調器を提供する。
【解決手段】光を透過させる基板７上に形成され、磁化自由層３と、中間層２１，２２と、磁化固定層１１，１２と、がこの順序で積層されたスピン注入磁化反転素子構造を有する光変調素子１であって、光変調素子１は、さらに、基板７と磁化自由層３との間に透明電極層８を備え、磁化固定層１１，１２は、同一平面上に分離した２つの磁化固定層１１，１２からなり、２つの磁化固定層１１，１２は、互いに反平行な磁化に固定され、かつ磁化自由層３よりも保磁力の大きい磁性体であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メモリセルに含まれる強磁性体膜の酸化を抑制しながら、磁性メモリのメモリセルを形成する技術を提供する。
【解決手段】磁性メモリの製造方法は、金属強磁性体により磁性体膜６を基板１の上面側に形成することと、無機物により磁性体膜６の上面に接触する無機物膜７、８を形成することと、無機物膜７、８の上面に、レジストによりレジストパターン９を形成することと、レジストパターン９をマスクとして無機物膜７、８をエッチングし、マスクパターン７’、８’を形成することと、レジストパターン９を除去することと、レジストパターンが除去された後、マスクパターン７’、８’をマスクとして磁性体膜６をエッチングすることとを備えている。磁性体膜６のうちマスクパターン７’、８’と接触する接触部分は、レジストパターンの除去の際に露出されず、酸化されにくい。 （もっと読む）

【課題】書込電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子の提供。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層１６とを有する。そして積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層の磁化の向きが変化して情報の記録が行われる。ここで記憶層が受ける実効的な反磁界の大きさが、記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされている。さらに記憶層１７の断面形状が台形であって、絶縁層１６との界面に接する面が、絶縁層１６とは反対側の層（キャップ層１８）に接する面の面積よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】形成された膜のステップカバレッジを大きくすることが可能であり、かつ低温領域で成膜することが可能な磁気抵抗効果素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、プラズマ源と成膜室を隔壁板により隔離したプラズマＣＶＤ装置により多層磁性層上に絶縁性の保護層を形成する。本方法によれば、磁気特性の劣化をもたらすことなく保護層を成膜でき、かつ、１５０℃未満の低温成膜も可能である。これにより、レジストを残留させたまま保護層の成膜が可能であり、多層構造の磁気抵抗効果素子の製造において工数低減も可能である。 （もっと読む）

【課題】記憶素子の下にあるコンタクトプラグの上面の平坦性を改善し、信頼性の高い半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた複数のスイッチングトランジスタと、隣接する２つのスイッチングトランジスタ間に埋め込まれ、該隣接する２つのスイッチングトランジスタの各ゲートから絶縁されかつ該隣接する２つのスイッチングトランジスタの拡散層に電気的に接続されたコンタクトプラグと、コンタクトプラグ上に形成され、上面がスイッチングトランジスタの上面よりも高い位置にある上部コネクタと、上部コネクタの上面上に設けられ、データを記憶する記憶素子と、記憶素子上に設けられた配線とを備えている。 （もっと読む）

【課題】厚膜の磁性多層膜に隣接する埋め込み膜にボイド・シームを発生させない磁気ヘッドの製造方法及びこれを用いた差動型再生ヘッドもしくはＭＡＭＲ素子を提供する。
【解決手段】磁性多層膜１４のパターン加工後の隣接する埋め戻し膜４２，４３の堆積を，第１段階の堆積工程と，続けて堆積した膜をエッチバックする工程と，第２段階の堆積工程からなる一連の製造プロセスによって形成する。ハードバイアスを加える硬磁性膜を埋め戻す場合には，第２段階の堆積工程の前に配向下地膜を堆積する工程を追加することで保磁力を増加できる。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子を構成する多層磁性膜を加工する際に生じるダメージを少なくし、前記のダメージを受けたことにより磁気特性に劣化が生じることを防止でき、高品質な磁気抵抗効果素子を製造することに適した磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子を構成する多層磁性膜が形成された基板に対して反応性イオンエッチングにより多層磁性膜を加工する工程を含んでいる磁気抵抗効果素子の製造方法において、反応性イオンエッチングが行われた多層磁性膜に対してイオンビーム照射する工程を含む磁気抵抗効果素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】特性の向上、製造コストの低減を可能とする磁気抵抗メモリを提供する。
【解決手段】本発明の例に関わる磁気抵抗メモリは、半導体基板３０上に設けられる選択トランジスタ２と、選択トランジスタ２の拡散層２３，２４上にそれぞれ設けられるコンタクトプラグ５０Ａ，５０Ｂと、コンタクトプラグ５０Ａに電気的に接続される下部電極１０と、下部電極１０上に設けられる磁気抵抗効果素子１と、磁気抵抗効果素子１上に設けられる上部電極１９と、を具備し、下部電極１０は、その底面の寸法が上面の寸法より長いテーパー状の断面形状を有し、下部電極１０の一端が、コンタクトプラグ５０Ａ上面に接触し、磁気抵抗効果素子１は、コンタクトプラグ５０Ａの直上から半導体基板表面に対して平行方向にずれた位置に設けられている。 （もっと読む）

本発明の具体例にかかる方法は、磁性層（４１）と、下部導電性電極（４３）と、その反対側で磁性層サブスタックを電気的に接続する上部導電性電極（４４）とを含む磁性層サブスタックを含む磁気スタックを形成する工程と、磁気スタックの上に犠牲柱（４６）を形成する工程であって、犠牲柱（４６）は上に横たわる第２の犠牲材料（４５）に対するアンダーカットと、磁気スタックに向かって断面寸法が大きくなる傾斜フットを有する工程と、犠牲柱を磁気スタックのパターニングのために使用する工程と、犠牲柱（４６）の周囲に絶縁層（７０）を堆積する工程と、犠牲柱を選択的に除去し、これによりパターニングされた磁気スタックに向かってコンタクトホール（８０）を形成する工程と、コンタクトホールを電気的な導電性材料（８１）で埋める工程とを含む。
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【課題】正確に情報を識別することができる磁気記憶素子を提供する。
【解決手段】磁気記憶素子の一具体例は、基礎面３１上で延びるアモルファス磁性材層３２、および、このアモルファス磁性材層３２上に積層される強磁性材層３３で形成される導電性の磁性細線１８を備える。磁性細線１８上に導電性の自由磁化層３５は配置される。自由磁化層３５上に絶縁性のトンネルバリア層３６は配置される。トンネルバリア層３６上に導電性の固定磁化層３８は配置される。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子の信頼性の向上と素子の微細化を両立する。
【解決手段】本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子は、下部電極２０上に設けられる第１の強磁性層１１と、強磁性層１１上に設けられるトンネルバリア層１２と、トンネルバリア層１２上に設けられる第２の強磁性層１３と、強磁性層１３上に設けられる上部電極２１と、具備し、上部電極２１は六角形状の断面形状を有し、上部電極２１の最大寸法Ｗａが、トンネルバリア層１２の寸法Ｗｃよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】パターンの合わせずれを抑制する。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリの製造方法は、下部電極９上に磁気抵抗効果素子の磁性材１０を形成する工程と、磁性材上に上部電極１４を形成する工程と、上部電極上にナノインプリントリソグラフィ用のレジストを塗布する工程と、磁気抵抗効果素子及び下部電極の第１のパターンが作り込まれた第１のテンプレート２０又は磁気抵抗効果素子及び上部電極の第２のパターンが作り込まれた第２のテンプレートをレジストに接触させて硬化させることで、レジストに第１のパターン又は第２のパターンを形成する工程と、第１のパターンを有するレジストを用いて磁性材及び下部電極を一括でパターニングする、又は、第２のパターンを有するレジストを用いて磁性材及び上部電極を一括でパターニングする工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】トンネル磁気抵抗効果膜を積層した積層体の加工をイオンミリング等で行なう場合、トンネル磁気抵抗効果膜を構成する材料の飛散物が、当該積層体の側壁等に付着したり、当該加工を行なう装置内を汚染する。従って、磁性記憶素子或いはこうした磁性記憶素子を搭載した半導体装置を安定的な特性で製造することが困難であった。
【解決手段】トンネル磁気抵抗効果膜の上部に配置した導体層の側壁に側壁スペーサを形成し、且つ側壁スペーサに、加工中のトンネル磁気抵抗効果膜を構成する材料の飛散物を付着させた後に、側壁スペーサを除去することで前記材料の付着物をも除去する。一種類の側壁スペーサを用いる方法と、２種類の側壁スペーサを用いる方法がしめされる。 （もっと読む）