【課題】半導体装置の製造において基板の金属汚染を抑える。
【解決手段】半導体素子が設けられた基板の、半導体素子形成面とは反対側の裏面および端部に保護膜を形成する工程と、前記半導体素子形成面に設けられた金属含有膜を加工する工程と、前記金属含有膜の加工後に前記保護膜を除去する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】大気中でも安定した複合材を容易に得ることができる複合材の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基体１上に、複数の表面酸化微粒子２を堆積する。表面酸化微粒子２の直径は１０ｎｍ以下であることが好ましく、例えば０．５ｎｍ〜５ｎｍ程度である。表面酸化微粒子２は、グラファイト層を形成する際の触媒として機能し得るコバルト等の強磁性体金属微粒子とこの表面を覆う酸化膜から構成されている。次いで、炉内に基体１及び表面酸化微粒子２を挿入し、炉内を高真空にして基体１を５１０℃程度まで昇温する。この結果、基体１及び表面酸化微粒子２に付着していた異物等が除去される。その後、炉内の雰囲気を炭化水素系ガス雰囲気にする。この結果、表面酸化微粒子２の表面に存在した酸化膜が還元され、更に、強磁性体金属微粒子の表面にグラファイトが析出し、グラファイト被覆微粒子３が強磁性体複合微粒子として得られる。 （もっと読む）

【課題】予期できない磁化反転を防止すること。
【解決手段】磁壁移動型ストレージデバイスは、強磁性金属（例えば、ＮｉＦｅ）に不純物元素（例えば、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ；強磁性金属細線の保磁力を変調する元素）を添加することにより磁場に対する磁壁の動き易さを調整した強磁性金属細線（例えば、ＮｉＦｅＰｔ細線）を有し、かかる強磁性金属細線に電位パルスを印加することで情報を記録することで、予期できない磁化反転を防止する。 （もっと読む）

【課題】記録層の熱安定性を向上させることができる不揮発性磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリ装置は、記録層５３を有する積層構造体５０、第１の配線４１、第２の配線４２、並びに、積層構造体５０を取り囲む層間絶縁層２６から成る磁気抵抗効果素子３０を備え、更には、層間絶縁層２６を構成する材料の有するヤング率よりも低いヤング率を有する低ヤング率領域７１を備えており、記録層５３は、磁化容易軸、及び、該磁化容易軸と直交する磁化困難軸を有しており、記録層５３を構成する材料の磁歪定数λの値が正の場合、低ヤング率領域７１は、記録層５３の磁化容易軸の延在領域に配置されており、記録層５３を構成する材料の磁歪定数λの値が負の場合、低ヤング率領域７１は、記録層５３の磁化困難軸の延在領域に配置されている。 （もっと読む）

【課題】磁気記憶装置において、書込み電流を低減すると共に、生産効率を高める。
【解決手段】ヨーク型磁気記憶装置の製造方法であって、下部配線を形成する下部配線形成ステップと、下部配線の上方に磁気抵抗効果素子を配置する素子形成ステップと、前記磁気抵抗効果素子の上方に書込み配線を形成する書込み配線形成ステップと、前記書込み配線の長手方向の一部領域に対して、前記一部領域の側面を覆うサイドヨーク及び前記一部領域の上面を覆うトップヨークを連続的且つ同時に形成する上側ヨーク形成ステップと、を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】磁性薄膜の選択的なエッチングを可能にして生産性を向上させた磁気デバイスの製造方法及び磁気デバイスの製造装置を提供するものである。
【解決手段】基板Ｓ上に、鉄、コバルト、ニッケルからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有した磁性層５１と、磁性層５１のエッチング領域５１Ｅを露出するマスクパターン５２を形成する。そして、エッチング領域５１Ｅに対応する磁性層５１を核にして内包片５１ａを内包したＣＮＴを成長させた後、同ＣＮＴを基板Ｓ上から除去させた。 （もっと読む）

【課題】増幅機能を有するスピントランジスタを提供する。
【解決手段】強磁性を示し、内部に磁壁８を有する強磁性フリー層（軟磁性層）２と、強磁性フリー層２上に設けられた絶縁障壁層３と、強磁性を示し、絶縁障壁層３上に設けられた強磁性固定層（硬磁性層）４と、強磁性固定層４上に設けられた第１電極５と、強磁性フリー層２上に設けられた第２電極６及び第３電極７とを備え、絶縁障壁層３及び強磁性固定層４からなる積層体は、強磁性フリー層２上に島状に設けられ、第２電極６及び第３電極７は、積層体を挟み込むように設けられる。 （もっと読む）

【課題】 意図しない磁化反転を抑制可能な磁気メモリを提供する。
【解決手段】 磁気ヨーク８は、第１配線６及び第２配線７の基準面ＳＳ上の部分と、磁気抵抗効果素子５とを覆っており、磁気抵抗効果素子５の厚み方向に垂直な全方位に位置している。したがって、磁気抵抗効果素子５や第１配線６及び第２配線７の基準面ＳＳ上の部分への外部磁界の導入が抑制される。この構造では、磁気抵抗効果素子５における感磁層の意図しない磁化反転を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】磁気デバイス製造のための諸技法を提供すること。
【解決手段】一態様では、少なくとも１つの、たとえば不揮発性の材料をパターン形成する方法に、以下の諸ステップが含まれる。ここでハード・マスク構造が、パターン形成される材料の少なくとも１つの表面上に形成される。ハード・マスク構造は、材料の最も近くに基底部を有し、基底部の反対側に上面部を有するように構成される。基底部の少なくとも１部分が上面部を越えて水平にかなりの距離だけ外側に延在するように、基底部は、ハード・マスク構造の上面部の１つまたは複数の水平寸法よりも大きい、１つまたは複数の水平寸法を有する。ハード・マスク構造の上面部は、エッチングされる材料からの垂直距離が基底部よりも長い。次に材料はエッチングされる。 （もっと読む）

磁気メモリデバイスにおいて使用するための調整可能な磁気スイッチであって、バイアス磁場を与えるための磁気源と、バイアス磁場内に配置された磁気部品と、磁気リコイル効果にしたがって磁気部品中に所定の磁化レベルを設定するために磁気部品の周囲に同軸に配置されたコイルとを含む調整可能な磁気スイッチ。
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【課題】 ポリマおよびプラスチック等の低温基板上に磁気メモリ・デバイスを製造する方法を提供する。
【解決手段】 低温基板上に磁気メモリ・デバイス（およびその結果として生じる構造）を形成する方法は、メモリ・デバイスを、分解可能な材料層で被覆された透明基板上に形成し、所定の高圧を生成させる急速加熱を施すステップと、メモリ・デバイスを低温基板に移動するステップと、を含む。 （もっと読む）