【課題】１つの実施形態は、例えば、電源オフ時における消費電力を低減することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、メモリセルは、第１の駆動トランジスタと第１の負荷トランジスタと第１の読み出し転送トランジスタと第１の書き込み転送トランジスタと第２の駆動トランジスタと第２の負荷トランジスタと第２の読み出し転送トランジスタと第２の書き込み転送トランジスタと１以上の抵抗変化素子とを有する。１以上の抵抗変化素子は、両端に印加されるバイアスの方向に依存して抵抗が変化する。１以上の抵抗変化素子は、第１の記憶ノード及び第１の書き込み転送トランジスタの間と第２の記憶ノード及び第２の書き込み転送トランジスタの間との少なくとも一方に配される。 （もっと読む）

【課題】先端プロセスではＭＯＳのゲートトンネルリーク電流が増大し、低リーク電流での待機が必要となる半導体装置では問題となる。
【解決手段】電源線とソース線との電位差である複数のスタティック型メモリセルの電源電圧を制御する電源電圧制御回路を具備する。負荷Ｐ型ＭＯＳ及び駆動Ｎ型ＭＯＳのゲート絶縁膜厚は、４ｎｍ以下である。電源電圧制御回路は、動作状態から待機状態への変更に伴い、前記ソース線の電位を第１の電圧から当該第１の電位より高い第２の電位に変更する。前記電圧制御回路が前記ソース線の電位を前記第２の電位に変更したとき、前記スタティック型メモリセルの第１及び第２の記憶ノードのうちの一方は前記電源線の電位を保持し、前記第１及び第２の記憶ノードのうちの他方は前記第２の電位を保持する
【選択図】図５
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【課題】
断熱的ＳＲＡＭ回路の回路構造と制御方法を改良し、さらなる低消費電力化を実現するためのＳＲＡＭ回路を提供すること。
【解決手段】
従来の断熱的ＳＲＡＭで記憶保持として用いられているインバータからなるフリップフロップ回路を抵抗負荷型のＭＯＳトランジスタに置き換え、かつ読み込み・書き込み選択線の切り替えにＣＭＯＳトランスミッションゲートを配置することで、書き込み時における消費電力の増加を解決できる。 （もっと読む）

【課題】低電源電圧でもＳＮＭと書き込みマージンを両立させたＳＲＡＭを備える。
【解決手段】ＳＲＡＭは、複数列に対応して設けられた複数のセル電源線、電源電圧を供給する電源線、及び前記複数のセル電源線にそれぞれ対応して設けられ、各々はその対応するメモリセル電源線と前記電源線との間を電気的に接続する複数の電源回路を含む。メモリセルの各々は、第１及び第２のＰチャネル型トランジスタと、第１ないし第４のＮチャネル型トランジスタと第１及び第２の記憶ノードとを有するＣＭＯＳラッチ回路で構成される。電源回路は、第１の状態時にはその接続するセル電源線に第１の電圧を供給し、第２の状態時にはその接続するセル電源線に前記第１の電圧よりも低い第２の電圧を供給する、 （もっと読む）

【課題】ＳＲＡＭの読み書き機能と不揮発性メモリの不揮発記憶特性をあわせ持つ不発揮性ＳＲＡＭセルを提供する。
【解決手段】二つの出力ノードを設けるラッチと、前記二つの出力ノードのうちの一つとビットラインペアのうちの一つとの間に接続されるアクセストランジスタからなるＳＲＡＭセルにおいて、前記二つの出力ノードのうちの一つと電圧ラインとの間に不揮発性メモリ素子を接続することにより、不揮発性ＳＲＡＭセルを構成する。 （もっと読む）

【課題】ＳＲＡＭ面積の増加を抑制しつつ、サブスレッショルド電流を削減しながらデータ保持が可能となる技術を提供する。
【解決手段】上記の課題を解決するために、メモリセル（３）と、メモリセル（３）のデータを伝達するディジット線（ＤＴ０、ＤＢ０）と、メモリセル（３）にデータを書き込む書込み回路（１７、１８）と、書込み回路（１７、１８）の動作を制御する制御回路（９、１１）と、メモリセル（３）のドライバトランジスタのソースに接続されるソース線（ＳＬ）と、ディジット線（ＤＴ０、ＤＢ０）とソース線（ＳＬ）との間に設けられたスイッチ回路（２１、２２）とを具備する半導体記憶装置を構成する。そして、書込み回路（１７、１８）を、ＧＮＤ電圧を供給する接地線とソース線（ＳＬ）と間のダイオードとして機能させる。 （もっと読む）

【課題】消費電流を低減させる。
【解決手段】半導体装置は、外部端子から供給された外部電源電圧より低い第１内部電圧を第１出力端子から出力する第１降圧回路、外部電源電圧より低い第２内部電圧を第２出力端子から出力する第１モードと第２出力端子から第１及び第２内部電圧より低い第３内部電圧を出力する第２モードとが切替えられる第２降圧回路、第１出力端子に接続され接地電圧が供給される第１ＳＲＡＭを含む第１内部回路、第２出力端子に接続され接地電圧が供給される第２ＳＲＡＭを含む第２内部回路とを備え、スタンバイ時に第２降圧回路は第２モードに制御され、第１内部回路の高位電源電圧として第１降圧回路から第１内部電圧が供給されて第１ＳＲＡＭの記憶内容は保持され、第２内部回路の高位電源電圧として第２降圧回路から第３内部電圧が供給されて第２ＳＲＡＭの記憶内容は消失される。 （もっと読む）

【課題】複数のメモリモジュールに対する低消費電力モードの解除に際して突入電流の発生を緩和する。
【解決手段】制御信号により低消費電力モードの設定と解除が制御される複数個のメモリモジュール（ＭＤＬｉｊ）の全部または一部がメモリブロック（ＢＬＫ０〜ＢＬＫｍ）に属し、同じメモリブロックに属する複数個のメモリモジュールに並列的に前記制御信号を入力してモジュール内経路を伝播させ、その一部のメモリモジュールが前記モジュール内経路から後段のモジュール外経路（ＥＸＲ＿０〜ＥＸＲ＿ｍ）に前記制御信号を出力させるように、制御信号の伝播経路を構成する。このとき、前記一部のメモリモジュールは、これと同一メモリブロック内における他のメモリモジュールよりも大きな記憶容量を有するメモリモジュールとする。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置は、消費電力が大きくなる問題があった。
【解決手段】半導体装置１は、プログラムとプログラムによって利用されるデータとの少なくとも一方が格納される記憶領域部１６と、プログラムを実行して記憶領域部１６にバスを介してアクセス要求を発行する機能ブロック１１と、バス２３上に流れる、記憶領域部１６に対するアクセス要求を示す第１の信号ＲＥＱと、記憶領域部１６によるバス２３の占有状態を示す第２の信号ＧＮＴと、を監視して記憶領域部１６へのアクセスが発生していない期間は記憶領域部１６をスタンバイ状態に制御し、記憶領域部１６へのアクセスが発生している期間は記憶領域部１６を活性状態に制御するバス状態監視回路２０と、を有し、記憶領域部１６は、プログラム又はデータを記憶する記憶セルの低電位側電源電圧と高電位側電源電圧との電圧差を前記スタンバイ状態において活性状態よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】低消費電力でより安定して動作することが可能なＳＲＡＭ装置を提供する。
【解決手段】ＳＲＡＭ装置１００は、非反転出力端子Ｑおよび反転出力端子／Ｑを有するフリップフロップ回路ＦＦを備える。非反転出力端子と第１のビット線ｂｉｔとの間に、非反転出力端子側から第１のビット線側への方向に電流が流れる第１のトンネルトランジスタＴ１を備える。非反転出力端子と第１のビット線との間で、第１のビット線側から非反転出力端子側への方向に電流が流れる第２のトンネルトランジスタＴ２を備える。反転出力端子と第２のビット線ｂｉｔｂとの間に、反転出力端子側から第２のビット線側への方向に電流が流れる第３のトンネルトランジスタｔ３を備える。反転出力端子と第２のビット線との間で、第２のビット線側から反転出力端子側への方向に電流が流れる第４のトンネルトランジスタｔ４を備える。 （もっと読む）

【課題】ロジックと揮発メモリが混載されたシステムＬＳＩのスタンバイ状態の消費電力を低減する。
【解決手段】システムＬＳＩ中のロジック回路と第１電源線の間に第１スイッチを設けるとともに、揮発メモリの少なくとも一部と第１電源線の間に第２スイッチを設ける。スタンバイ時には該第１スイッチと第２スイッチをオフして電源を遮断する。同時に揮発メモリの少なくとも他の一部では、スタンバイ時の基板バイアスを制御してリーク電流を低減する。 （もっと読む）

【課題】オフ電流を増加させることなく電源供給配線の電気抵抗を下降させることが可能な、ＴＦＴを有する半導体装置を提供することである。
【解決手段】表面を有する絶縁膜ＩＩ４と、絶縁膜ＩＩ４の表面上に形成され、かつチャネル領域ＴＰ２と、チャネル領域ＴＰ２を挟む１対のソース／ドレイン領域ＴＰ１，ＴＰ４とを含む半導体層と、ソース領域ＴＰ１に電源を供給するための電源供給配線ＴＰ１とを備えている。上記絶縁膜ＩＩ４の表面には凹部ＴＲが形成されている。上記電源供給配線ＴＰ１は、半導体層と同一の層から形成された層を含み、かつ絶縁膜ＩＩ４の表面上に形成された第１の部分ＴＰ１Ａと、凹部内に形成された第２の部分ＴＰ１Ｂとを有している。上記第２の部分ＴＰ１Ｂの底面全体が絶縁体ＩＩ４で覆われている。 （もっと読む）

【課題】パワーダウンモードから通常動作モードへの復帰時にメモリマクロに大電流が流れ込むのを抑制する。
【解決手段】ＳＲＡＭマクロ１００は、複数のメモリセルアレイブロックに対してアクセスが可能な通常動作モードと、複数のメモリセルアレイブロックのビットラインＢＬ，／ＢＬをフローティングにするパワーダウンモードを備える。パワーダウンモードから通常動作モードへの復帰時には、複数のメモリセルアレイブロックのうち、アクセスされるメモリセルアレイブロック１１のビットラインＢＬ，／ＢＬのみを順次プリチャージする。それにより、ＳＲＡＭマクロ１００に流れ込む、プリチャージに要する電流のピークを分散させる。 （もっと読む）

【課題】待機時のリーク電流が少なく、かつ、データ保持特性に優れたＳＲＡＭセルを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】それぞれ負荷ＭＯＳトランジスタを備えた複数のＳＲＡＭセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイ１１０と、メモリセルアレイの第１の電源端子ＶＤＤＭと第２の電源端子ＶＳＳＭとの間に電源を供給する電源回路１３０と、負荷ＭＯＳトランジスタに基板バイアス電圧を与える基板バイアス発生回路１４０と、動作時より待機時の方が、第１の電源端子と第２の電源端子との間の電位差が小さく、かつ、負荷ＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧が浅くなるように電源回路と基板バイアス発生回路とを制御する電圧制御回路２００と、を備える。 （もっと読む）

【課題】先端プロセスでは、ＭＯＳのゲートトンネルリーク電流が増大し、低リーク電流での待機が必要となる半導体装置では問題となる。
【解決手段】電源線とソース線との電位差である複数のスタティック型メモリセルの電源電圧を制御する電源電圧制御回路を具備する。負荷型Ｐ型ＭＯＳ及び駆動型Ｎ型ＭＯＳのゲート絶縁膜厚は、４ｎｍ以下である。電源電圧制御回路は、動作状態では前記電源電圧を第１電圧とし、待機状態では前記電源電圧を前記第１電圧よりも小さい第２電圧とするように制御して、オフ状態での負荷型Ｐ型ＭＯＳのソース電極とゲート電極の間に流れるゲートトンネルリーク電流、及び、駆動型Ｎ型ＭＯＳのソース電極とゲート電極の間に流れるゲートトンネルリーク電流を動作状態に対し待機状態の方を小さくする。 （もっと読む）

【課題】低電圧でSRAM回路を動作させるために構成するトランジスタのしきい値電圧を下げると、トランジスタのリーク電流の増加により、データを記憶しながら動作していない状態での消費電力が増加するという問題がある。
【解決手段】SRAMメモリセルMC内の駆動MOSトランジスタのソース線sslの電位を制御することでメモリセル内のMOSトランジスタのリーク電流を低減する。 （もっと読む）

【課題】回路動作速度を犠牲にすることなく、待機時の消費電力を小さくすることが可能な半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】同一Si基板上に少なくともソース・ゲート間又はドレイン・ゲート間に流れるトンネル電流の大きさが異なる複数種類のMOSトランジスタを設け、当該複数種類のMOSトランジスタの内、トンネル電流が大きい少なくとも１つのMOSトランジスタで構成された主回路と、トンネル電流が小さい少なくとも１つのMOSトランジスタで構成され、主回路と２つの電源の少なくとも一方の間に挿入した制御回路を有し、制御回路に供給する制御信号で主回路を構成するソース・ゲート間又はドレイン・ゲート間に電流が流れることの許容／不許容を制御し、待機時間中に主回路のINとOUTの論理レベルが異なる際のIN−OUT間リーク電流を防止するスイッチを主回路のIN又はOUTに設ける。 （もっと読む）

【課題】低電圧でSRAM回路を動作させるために構成するトランジスタのしきい値電圧を下げると、トランジスタのリーク電流の増加により、データを記憶しながら動作していない状態での消費電力が増加するという問題がある。
【解決手段】SRAMメモリセルMC内の駆動MOSトランジスタのソース線sslの電位を制御することでメモリセル内のMOSトランジスタのリーク電流を低減する。 （もっと読む）

【課題】可能な限り消費電力を増加させずに高速化できるセンスアンプ回路を提供する。
【解決手段】２個のインバータを接続してなるラッチ回路と、ビット線とラッチ回路の各出力ノードとの間に挿入されセンスアンプ活性化信号に応答してプリチャージ動作する２個のプリチャージ用トランジスタとを備えたセンスアンプ回路において、各プリチャージ用トランジスタの基板−ソース間に所定の電圧を印加してトランジスタの基板バイアス効果を利用してしきい値電圧を低下させることによって、プリチャージ動作を高速化する。センスアンプ活性化信号又はその反転信号を反転して各プリチャージ用トランジスタの基板に印加するインバータ回路を備え、各インバータ回路のｎＭＯＳＦＥＴのソース端子はラッチ回路の出力ノードに接続され、プリチャージ時に各プリチャージ用トランジスタの基板からｎＭＯＳＦＥＴを介して出力ノードに流れる基板リーク電流を再利用する。 （もっと読む）