【課題】 停電等の異常終了が発生した際にも、ダーティデータを外部記憶装置に書き込むことができる情報処理装置及びキャッシュ制御方法を提供すること。
【解決手段】 実施形態によれば、第１外部記憶装置をアクセス可能な情報処理装置は、ホストシステム、第２外部記憶装置、揮発性メモリ、第１キャッシュ制御手段、終了処理手段及び初期化手段を具備する。第２外部記憶装置は前記第１外部記憶装置に対する二次キャッシュとして機能する。揮発性メモリは前記第１外部記憶装置に対する一次キャッシュとして機能し、停電時にバッテリを用いて電力が供給される。第１キャッシュ制御手段は前記第１外部記憶装置に書き込むべきライトデータを前記揮発性メモリ内のキャッシュ領域に格納する。初期化手段は前記情報処理装置が異常終了した後に起動されたとき、前記揮発性メモリ内のキャッシュ領域に格納されたダーティデータを前記第１外部記憶装置に書き込む。 （もっと読む）

【課題】多値書込フラッシュメモリの活用されていないエリアを使用し、データ領域内の退避領域を不要とする。
【解決手段】コントローラ１０は、多値書込フラッシュメモリ６のデータ領域への新規データ書込時には、先ずこの新規データの書込先アドレスを決定し、次に前記新規データの書込先アドレスに対応するデータ領域のアドレスに書込済データが存在するか否かを検出し、前記書込先アドレスに対応するアドレスに書込済データが存在すると判断した時には、前記書込済データのコピーをＦＡＴ予約領域に書込み、その後、前記新規データをＦＡＴ予約領域に書込み、次に、ＦＡＴ予約領域に存在する新規データと前記書込済データをデータ領域に書込む構成とした。 （もっと読む）

【課題】半導体メモリで構成された記憶部と、磁気ディスクで構成された記憶部とに対して信頼性の高いミラーリング制御を行うことができるディスク制御装置を提供する。
【解決手段】ディスク制御装置は、ＳＳＤにおけるデータの書き換え回数から、導出されたＳＳＤにおけるデータの保持期間を経過した後に、ＳＳＤにおけるデータの書き換え回数を取得し、この取得された書き換え回数が、取得されたＳＳＤにおけるデータの書き換え回数から、予め定められた値以上に増加しなかったとき、ＨＤＤからデータを読み取るように設定する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリを有する記憶装置をキャッシュデバイスとして用い、仮想マシンが動作する環境において、記憶装置の寿命を減らすことを抑制すること。
【解決手段】実施形態によれば、仮想マシンモニタ上で仮想マシンが稼働する計算機は、第１の記憶装置と、フラッシュメモリを有する第２の記憶装置とを具備する。前記仮想マシンモニタは、前記第１の記憶装置の一部の領域を第３の記憶装置として前記仮想マシンに割り当て、前記第２の記憶装置の一部の領域を第４の記憶装置として前記仮想マシンに割り当る。前記仮想マシンは、前記第４の記憶装置を前記第３の記憶装置のリードキャッシュとして用いる第１のキャッシュ制御手段を有する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリ等の不揮発性メモリの誤書き込み、誤消去を防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】内部リセット信号を正論理で保持するレジスタと負論理で保持するレジスタとを複数設け、これらの出力信号と、外部リセット信号とを入力し、これらの信号のいずれかがリセット状態である場合に活性化し、これらの信号のいずれもリセット状態でない場合に非活性化するメモリリセット信号を出力するメモリリセット信号を出力するメモリリセット信号生成回路と、メモリリセット信号を入力し、メモリリセット信号が活性化しているときにリードライトアクセス、消去動作が禁止される不揮発性メモリと、を備える。 （もっと読む）

【課題】ロックステップ方式の情報処理装置におけるいずれかの系にメモリエラーが発生した場合にも、ロックステップを外すことなく安定して動作する。
【解決手段】プロセッサと、誤り検出・訂正機能を有するメモリとが含まれる複数系のＣＰＵモジュールがクロック同期して同一の処理を行うロックステップ方式の情報処理装置の、ＣＰＵモジュールが、自系のメモリから誤りが検出された場合に生成される第１の訂正情報を記憶し、生成された第１の訂正情報を他系のＣＰＵモジュールに送信し、他系のＣＰＵモジュールのメモリが誤りを検出した場合に送信される第２の訂正情報を受信し、他系のＣＰＵモジュールから第２の訂正情報を受信した遅延に応じて、記憶部に記憶されている第１の訂正情報を読み出し、第２の訂正情報と第１の訂正情報とを同期してエラー訂正処理を行う。 （もっと読む）

【課題】モニターセルを用いると情報を記録するメモリセルの量が減少する。
【解決手段】半導体記憶装置は、複数のメモリチップと、複数のパラメータ記憶部と、誤り訂正符号化部と、パラメータ処理部とを備える。メモリチップは、蓄えられた電荷量に応じた情報を記憶する。パラメータ記憶部は、対応するメモリチップに対する情報の書き込みまたは読み込みに用いる信号の電気的特性を定めるパラメータを記憶する。誤り訂正符号化部は、規定数以内のメモリチップに記憶された情報の誤りを訂正可能な第１訂正符号を生成する。パラメータ処理部は、規定数以内の個数のメモリチップに対するパラメータを変更し、変更したパラメータをパラメータ記憶部に書き込む。 （もっと読む）

【課題】ライトペナルティ及びパリティの更新頻度を低減して、半導体記憶装置の寿命の低下を防止可能な半導体記憶制御装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体記憶ドライブが接続され、情報処理装置から論理アドレスが指定されて書き込みが要求されたデータを半導体記憶ドライブへ書き込む半導体記憶制御装置は、所定の単位毎の第１データと、所定の数の第１データを用いて計算され当該所定の数の第１データの誤りを訂正するために使われる冗長情報とを異なる半導体記憶ドライブに各々書き込む書き込み制御部と、半導体記憶ドライブの諸元の情報を用いて第１テーブルを記憶する第１テーブル記憶領域を構築する構築部と、所定の数の第１データ及び冗長情報を関連付けるための識別情報と、半導体記憶ドライブに書き込まれた所定の数の第１データの各物理アドレス及び論理アドレスと、冗長情報の物理アドレスとを対応付けられた第１テーブルを第１テーブル記憶領域に記憶させるテーブル制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】データのバックアップ処理に要する時間を短縮する。
【解決手段】制御部１ａでは、制御情報生成部１ａ１は、記憶部１ａ３におけるデータの記憶状態を示す制御情報を生成する。転送制御部１ａ２は、制御部に対する電力の供給が停止した場合に、制御情報生成部１ａ１で生成された制御情報に基づいて記憶部１ａ３に記憶されているデータの記憶部１ａ４への転送を制御する。記憶部１ａ３は、記憶媒体１ｂに記憶されるデータを記憶する。記憶部１ａ４は、制御部１ａに対する電力の供給が停止した場合に、記憶部１ａ３に記憶されているデータを記憶する。記憶媒体１ｂは、データを記憶する。 （もっと読む）

【課題】記憶装置全体のデータにアクセスできなくなることを防止し、かつデータのデータ化けも防止する。
【解決手段】実施形態の記憶装置は、揮発性メモリと、補助電源と、不揮発性メモリと、書込手段と、禁止手段と、を備える。書込手段は、揮発性メモリに対する主電源からの電源が遮断された場合に、前記補助電源からの電源の投入を受けて、揮発性メモリに保持されるユーザデータを表す書込未完了情報を不揮発性メモリに書き込み、書込未完了情報の書込後、揮発性メモリに保持されるユーザデータを不揮発性メモリに書き込み、ユーザデータの書込後、主電源からの電源の遮断を表す電源遮断情報を不揮発性メモリに書き込む。禁止手段は、主電源から揮発性メモリに電源が投入された際に不揮発性メモリに電源遮断情報が書き込まれていなかった場合、書込未完了情報が表すユーザデータの不揮発性メモリからの読み出しを禁止する。 （もっと読む）

【課題】データの書き込み速度の高速化を図ると共にＲＲＡＭの劣化を抑制する。
【解決手段】ホスト装置１０から書き込み要求信号が入力されたときには、ホスト装置１０から入力されたデータを順次エンコーダ３０に入力し、エンコーダ３０から出力されたデータがＲＲＡＭ２４に記憶されるようＲＲＡＭ２４を制御し、ＲＲＡＭ２４に記憶されているデータのサイズが所定サイズＳｒｅｆに至ったときにはＲＲＡＭ２４に記憶されて所定サイズＳｒｅｆのデータが読み出されるようＲＲＡＭ２４を制御し、ＲＲＡＭ２４から読み出されたデータをエンコーダ３２に入力し、エンコーダ３２から出力されたデータがフラッシュメモリ２２に記憶されるようフラッシュメモリ２２を制御する。これにより、データの書き込み速度の向上とデータの信頼性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】データ記憶装置単体の信頼性を向上する。
【解決手段】第１データ記憶部および第２データ記憶部を含む記憶装置に対するアクセスを制御するコントローラである。第２データ記憶部は、ユーザデータと、ユーザデータのパリティデータとを記憶する。第１データ記憶部は、パリティデータを記憶する。コントローラは、パリティ更新部と、パリティ書込部とを備える。パリティ更新部は、パリティデータが更新されたときに、更新されたパリティデータを第１データ記憶部に書き込む。パリティ書込部は、所定の条件が満たされたときに、第１データ記憶部に書き込まれたパリティデータを読み込み、読み込んだパリティデータを第２データ記憶部に書き込む。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリの特定部分に格納したファイル管理情報の更新を不要とする。
【解決手段】ＲＯＭ２２には、ＦＡＴファイルシステムにおけるデータ領域に二つの設定ファイル及びｎ個のデータファイルが格納された場合におけるＦＡＴ領域及びルートディレクトリ領域の具体的内容が、予め記憶されている。メモリマネージャ３４は、メモリカードスロット１５に装填されたメモリカード１７のＦＡＴ領域及びルートディレクトリ領域の内容が、ＲＯＭ２２に格納されている具体的内容通りでない場合にのみ、ＲＯＭ２２に格納されている各領域の具体的内容をメモリカード１７の各領域に書き込み、それ以外の場合には、メモリカード１７のＦＡＴ領域及びルートディレクトリ領域の更新を行わない。 （もっと読む）

【課題】アドレス変換テーブルのエントリデータに誤り訂正符号を付与することなく、そのエントリデータに生じたビット異常の訂正を可能とする。
【解決手段】半導体記憶装置２は、論理アドレスに対応する物理アドレスへの変換にかかるアドレス変換テーブル３１のエントリデータに付与された誤り検出符号をもとに、エントリデータに生じたビット異常を検出するアドレス変換テーブル異常検出部２１と、ビット異常が検出されたエントリデータに含まれる所定のビットを反転させたデータが、正常なエントリデータであるか否かを検査するエントリデータ検査部２２と、ビット異常が検出されたエントリデータを、検査された正常なエントリデータに置き換えるエントリデータ置換部２３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 管理情報を半導体記録メディアに記録する場合であっても、長期の運用に耐えることが可能なビデオサーバと、このビデオサーバで用いられる管理情報キャッシュ方法及び管理情報キャッシュプログラムとを提供する。
【解決手段】 素材データを符号化データに変換する符号化部と、前記符号化データを記録する記録部と、前記符号化部及び前記記録部を制御すると共に、前記素材データの管理情報を管理する制御部とを具備するビデオサーバにおいて、前記制御部は、メモリ、ＣＰＵ、キャッシュメモリ及び接続インタフェースを備える。ＣＰＵは、メモリに記録される操作履歴に基づいて、前記管理情報が変更される可能性が高いか否かを判断し、高いと判断した場合、キャッシュメモリに管理情報を一時的に記録し、低いと判断した場合、管理情報を接続インタフェースに接続される半導体記録メディアに書き込む。 （もっと読む）

【課題】キャッシュデータのバックアップ処理に要する処理時間を短縮する。
【解決手段】 記憶装置とのアクセス時に取得したデータを記憶するキャッシュメモリと、不揮発性メモリと、キャッシュメモリ内に記憶されているデータにおいて、退避の優先順位を決定するための情報を記憶する管理テーブルと、キャッシュメモリへのデータ記憶に際し、データの種別に応じて、退避の優先順位を決定するための情報を管理テーブルに記憶させる管理手段と、停電発生時に、管理テーブルに記憶されている退避の優先順位を決定するための情報に基づき、キャッシュメモリに記憶されているデータを不揮発性メモリに書き込む処理を実行する停電処理部とを有する。 （もっと読む）

【課題】開発の負担を軽減する。
【解決手段】実施形態の記憶制御装置は、状態記憶手段と、判定手段と、ウェアレベリングブロック保持手段と、ブロック移動制御手段と、を備える。状態記憶手段は、データ消去の単位となるブロックを複数個含んでいる記憶手段内で、データが格納されたブロック毎に、消去時期及び当該ブロックの消去回数のいずれか１つ以上を含むブロック状態情報を記憶する。判定手段は、ブロック状態情報に基づいて、ウェアレベリングが必要なブロックがあるか否かを判定する。ウェアレベリングブロック保持手段は、ウェアレベリングなブロックを識別するブロック識別情報を保持する。ブロック移動制御手段は、複数のブロックに格納されたデータを移動させて、複数のブロック以外のブロックにまとめるコンパクションを行うと共に、ウェアレベリングブロック保持手段がブロック識別情報を保持している場合に、当該ブロック識別情報で識別されるブロックに格納されたデータを移動させる。 （もっと読む）

【課題】データ保持特性を向上することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルをそれぞれ含む複数のブロックを有し、前記複数のブロックのうちの通常ブロックに、通常のデータが記憶され、前記複数のブロックのうちのタイムコードブロックに、前記通常ブロック毎に設定され且つ前記通常ブロックの最後の書き込み動作を実行した時間に対応する時間データを含むタイムコードが記憶されたメモリセルアレイを備える。前記不揮発性半導体記憶装置は、前記タイムコードブロックから前記タイムコードを読み出し、現在の時間を取得し、読み出された前記タイムコードの時間データの時間と前記現在の時間との時間差が規定値よりも大きくなる選定された前記通常ブロックに対して、データを読み出し、消去し、且つ、読み出されたデータを書き込み、前記現在の時間の時間データに対応する新たなタイムコードを、選定された前記通常ブロックに対応させて、前記タイムコードブロックに書き込む。 （もっと読む）

【課題】従来の不揮発性メモリはリードキャッシュあるいはライトキャッシュとして使用した場合、その書き換え耐性が低いために、キャッシュとしての効果の持続性が短い、あるいは、そのリード速度あるいはライト速度が遅いために速度向上効果が低い、あるいはまたリード時あるいはライト時の消費電力が大きいために省電力効果が低い、等の問題があった。
【解決手段】リードキャッシュ及びライトキャッシュを、特性の異なる２種類の不揮発性メモリで構成する。例えば、ライトキャッシュに書き換え耐性の高い不揮発性メモリを、リードキャッシュに書き換え耐性の低い不揮発性メモリを割り当て、それらのキャッシュにおけるデータの管理テーブルを書き換え耐性の高い不揮発性メモリに記憶する。あるいはまた、ライトキャッシュにはライト速度が速くリード速度が遅い不揮発性メモリを、リードキャッシュにはリード速度が速く、ライト速度が遅い不揮発性メモリを採用する。 （もっと読む）

【課題】記憶部用のソフトウェアが破損されて、データの読み書きが不可能となることを防止する。
【解決手段】記憶装置は、データを不揮発的に記憶可能なフラッシュメモリ３０と、フラッシュメモリ３０へのデータの読み書きを制御するためのメインコントローラ１０と、通常用ファームウェアＦＷ１と拡張用ファームウェアＦＷ２とを個別に格納するＳＰＩフラッシュ７１，７２と、メインコントローラ１０によりアクセスし得るＳＰＩフラッシュ７１，７２を切り替えるＳＷ回路８０とを備える。 （もっと読む）