【課題】 電子機器においてスリープ状態と通常状態との間の状態遷移が多く発生しても、コントローラープログラムに発生するリードディスターブエラーを回避して、継続して正常に動作させる。
【解決手段】 メインコントローラー１１は、画像形成装置１の動作状態をスリープ状態に移行させる。そのスリープ状態は、メインコントローラーの電源がオフとなる動作状態である。そして、メインコントローラー１１は、コントローラープログラム３２を記憶した不揮発性メモリー２２と、コントローラープログラム３２を読み出して実行するＭＰＵ２４とを有し、コントローラープログラム３２に従って、不揮発性メモリー２２からのコントローラープログラム３２のリード回数が所定の閾値に到達すると、画像形成装置１の動作状態をスリープ状態に移行させる前に、不揮発性メモリー２２におけるコントローラープログラム３２の記憶領域に対する修復処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】 低コストのフラッシュメモリの使用によるコスト低減を可能にし、更には、処理の高速化や、フラッシュメモリの寿命延長を図ることもできる電子機器を提供すること。
【解決手段】ｎ個のデータブロックのマップ番号を書き換え候補番号に設定して、該書き換え候補番号をマップ番号として持つ記憶ブロックがフラッシュメモリ上に複数存在するか否かを判定する候補ブロック判定処理を実施し、候補ブロック判定処理で、書き換え候補番号に一致するマップ番号の記憶ブロックがフラッシュメモリ上に複数存在すると判定された時には、該当する複数個の記憶ブロックの内から、更新日時が最も古い記憶ブロックを書き込みブロックに決定して、該記憶ブロックにＲＡＭ上の該当データブロックを書き込む。 （もっと読む）

【課題】再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに対する負荷を抑えつつ、リードディスターブ現象により生じるエラーに対処する技術を提供することを課題とする。
【解決手段】メモリ４は、ページ単位での読み出しと、ブロック単位で消去が可能である。リードカウンタ５は、メモリ４に対するリード回数ＲＣをブロック単位でカウントする。メモリコントローラ３は、リード回数ＲＣがリード回数閾値ＲＣｔｈを上回る検査対象ブロックが存在するか否かを判定する。メモリコントローラ３は、検査対象ブロックが検出された場合、検査対象ブロックに含まれる各ページに対してエラー検出処理を行い、エラー閾値ＥＢｔｈを超えるエラーが検出されたエラーページが存在するか否かを検査する。エラーページが検出された場合、検査対象ブロックに対してデータの再書き込み処理を実行する。再書き込み処理終了後、検査対象ブロックのリード回数ＲＣを初期化する。 （もっと読む）

【課題】データを、相対的に迅速に各込まれるようにすることを目的とする。
【解決手段】例えば、スマート・カードのようなデータ・プロセッサは、ファイルを管理するためのコントローラを具備し、複数のレコードが逐次記憶されることができる。コントローラは、レコードがファイルに正しく書き込まれたか調べる。コントローラは、正しく書き込まれた最後のレコードに続くレコードを、ユーザ関連ソフトウェアが読み取るのを防止する。 （もっと読む）

【課題】電源が供給された際に復元すべきデータを保存する際の負担を軽減することができる、電気機器を提供することを、目的とする。
【解決手段】不揮発性メモリ３４に記憶されている復元すべきデータと、揮発性メモリ１８に記憶されている復元すべきデータとを直接比較せずに、不揮発性メモリ３４に記憶されている復元すべきデータについての現状チェックデータと、揮発性メモリ１８に記憶されている復元すべきデータについての確認チェックデータとを比較して、不揮発性メモリ３４に記憶されている復元すべきデータと、揮発性メモリ１８に記憶されている復元すべきデータとが一致するか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】ＮＯＲフラッシュメモリの読み取り方法を提供する。
【解決手段】
本発明は、ＮＯＲフラッシュメモリの読み取り方法を提供し、組込み式Ｌｉｎｕｘオペレーションシステムで使用され、巡回冗長検査値を照合し、カウンタに予め設けられた繰り返し読み取り回数の閾値により、ジャーナリングファイルシステムデータの繰り返し読み取りを継続するか否かを決定する。 （もっと読む）

【課題】画像形成装置に不揮発性の半導体記憶装置を搭載する場合において、ウェアレベリングの処理を効率化する。
【解決手段】画像形成装置における画像形成出力においてＮＡＮＤフラッシュメモリへの情報の書き込み命令を取得し、情報を書き込むべき記憶領域が、描画情報を一次的に記憶するための一次記憶領域であるか、それ以外の通常記憶領域であるか判断し、一次記憶領域である場合に、情報の書き込み先として一次記憶領域に含まれる全領域を先頭から順番に選択し、次の画像形成出力において再度前記一次記憶領域に情報を書き込む際、前回の画像形成出力において情報が書き込まれた領域の次の領域を選択する。 （もっと読む）

【課題】電力分離およびバックアップ・システムを開示する。
【解決手段】電源異常状態が検出される時に、一時ストレージをＳＤＲＡＭにフラッシュする。フラッシュの後に、インターフェースを停止し、電力を、ＳＤＲＡＭサブシステムを除くチップの大半から除去する。ＳＤＲＡＭサブシステムは、データをＳＤＲＡＭからフラッシュ・メモリにコピーする。その途中で、データを暗号化し、かつ／またはデータ完全性署名を計算することができる。データを復元するために、ＳＤＲＡＭサブシステムは、データをフラッシュ・メモリからＳＤＲＡＭにコピーする。その途中で、復元されるデータを暗号化解除し、かつ／またはデータ完全性署名をチェックすることができる。 （もっと読む）

【課題】処理速度の低下を防止でき、状況に応じた的確なリフレッシュ動作を実現することが可能なメモリ装置、メモリ制御方法、およびプログラムを提供する。
【解決手段】メモリ装置２０は、ブロック単位にデータの消去が行われ、このブロックに対するデータの書き込みおよび読み出しが行われる不揮発性メモリ２３と、不揮発性メモリのアクセス動作を制御し、不揮発性メモリのデータ変化状態のレベルを監視して不揮発性メモリのリフレッシュ動作を制御する制御部２１と、を有し、制御部２１は、複数設定されたリフレッシュ動作実行の緊急度とデータ変化状態のレベルとの比較結果に応じたリフレッシュ動作を行う。 （もっと読む）

【課題】電力分離およびバックアップ・システムを開示すること。
【解決手段】電源異常状態が検出される時に、一時ストレージをＳＤＲＡＭにフラッシュする。フラッシュの後に、インターフェースを停止し、電力を、ＳＤＲＡＭサブシステムを除くチップの大半から除去する。ＳＤＲＡＭサブシステムは、データをＳＤＲＡＭからフラッシュ・メモリにコピーする。その途中で、データを暗号化し、かつ／またはデータ完全性署名を計算することができる。データを復元するために、ＳＤＲＡＭサブシステムは、データをフラッシュ・メモリからＳＤＲＡＭにコピーする。その途中で、復元されるデータを暗号化解除し、かつ／またはデータ完全性署名をチェックすることができる。 （もっと読む）

【課題】データ記憶の信頼性を容易に高めることができるメモリシステムを提供する。
【解決手段】実施形態のメモリシステムは、揮発性の第１の記憶部を介してホスト装置と不揮発性の第２の記憶部との間のデータ転送を行うコントローラを備えている。前記コントローラは、前記第２の記憶部に記憶されたデータの格納位置を含む管理情報を前記第１および第２の記憶部で更新しながら前記管理情報に基づいてデータ管理を行う。前記コントローラは、最新状態の管理情報と、当該管理情報の前記第２の記憶部での保存位置を示すポインタと、前記ポインタの書込みが成功したか否かを示すログとを、前記ポインタを多重化して前記第２の記憶部に記憶させる。前記コントローラは、起動時に前記ポインタが所望数だけ多重化されていなければ、前記ポインタおよび／または前記ログに基づいて、前記ポインタの多重化をリカバリ処理する。 （もっと読む）

【課題】管理テーブルを不揮発性メモリに保存する時の応答遅延時間を縮減し、データ記録装置の電源遮断後に、不揮発性メモリに保存した情報から管理テーブルを復元する機能を備えるメモリコントローラを提供する。
【解決手段】不揮発性メモリ１０１１は、管理テーブル格納ブロックと、データ書き込みのために割り当てたスクラッチブロックと、データを保持するデータブロックと、データを消去した消去済みブロックを持つ。メモリ１０１２は、データの格納場所を管理する論理・物理アドレス変換テーブル１０１２０と、ブロック履歴管理テーブル１０１２５を持つ。管理テーブル格納ブロックは、論理・物理アドレス変換テーブル１０１２０とブロック履歴管理テーブル１０１２５を保存する管理テーブルページを持つ。メモリコントローラ１０１０は、論理・物理アドレス変換テーブル１０１２０の一部を不揮発性メモリ１０１１の管理テーブル格納ブロックに保存する。 （もっと読む）

【課題】メモリセルの状態を安定させることで信頼性を向上させることが可能なメモリシステムを提供する。
【解決手段】実施形態のメモリシステム１は、ワード線当たりのメモリセル群がｎ（ｎ≧２）ページ分の記憶容量を有する不揮発性メモリと、ホストが指定する論理アドレスと前記不揮発性メモリ上のデータの位置を指定する物理アドレスとの対応を示すアドレス変換テーブルを管理するランダムアクセスメモリと、前記アドレス変換テーブルを前記ランダムアクセスメモリから前記不揮発性メモリにコピーするデータ確定処理を実行する前に、同一のワード線に対応する前記ｎページへの書き込みの書き込み順序におけるページ数単位での最大距離以上のページ分のダミーデータを、有効データを書き込んだ前記不揮発性メモリに引き続き書き込むメモリコントローラとを備える。 （もっと読む）

【課題】ブートプログラムの正確な転送動作を実現する。
【解決手段】メモリシステム１は、ブートプログラムを格納する不揮発性の第１のメモリ１０と、揮発性の第２のメモリ１１と、電源電圧のレベルを検知し、電源電圧が第１のレベルより低くなった場合に割込みを発生する検知回路１３と、電源投入時に、第１のメモリ１０からブートプログラムを読み出す読み出し動作と、上記読み出されたブートプログラムを第２のメモリ１１に転送する転送動作とを含むシーケンスを実行するステートマシン１２とを含む。ステートマシン１２は、読み出し動作中、又は転送動作中に割込みが活性化された場合に、割込みが非活性化されるまで待機する待機ステートを含む。 （もっと読む）

【課題】 建設機械のモニタ装置の交換時、交換前のモニタ装置が保持していた設定や履歴のデータを交換後のモニタ装置に引き継ぐ。
【解決手段】建設機械１が備える各種のコントローラ（２０、３０、４０）の中のいずれか１つ又は複数、例えば、外部通信コントローラ（２０）が、モニタ装置（１０）のためのデータバックアップ装置として流用される。モニタ装置（１０）内の記憶装置（１６）に格納された設定や履歴のデータが、外部通信コントローラ（２０）内の記憶装置（２３）にバックアップされる。モニタ装置（１０）が交換されると、外部通信コントローラ（２０）内のバックアップデータが、交換後のモニタ装置（１０）にリストアされる。 （もっと読む）

【課題】不正な電源断やデータ破壊を簡便かつ確実に検出することが可能なメモリシステムを提供する。
【解決手段】実施形態のメモリシステムは、揮発性の第１の記憶部と、不揮発性の第２の記憶部と、データ管理部と、復元制御部と、を備える。前記データ管理部は、前記第１の記憶部に記憶されている前記管理テーブルの更新前後の差分情報である差分ログを並列書き込み処理によって多重化して前記第２の記憶部に記憶させた後、書き込み単位分の所定データを最終書き込み単位分データとして多重化して前記第２の記憶部に記憶させる。前記復元制御部は、前記第２の記憶部に記憶された差分ログおよび前記最終書き込み単位分データのデータ記憶状態に基づいて、前記差分ログを前記第２の記憶部に記憶させる際に不正電源断が発生したか、または前記第２の記憶部でデータ破壊が発生したかの状態判断をシステム起動時に行う。 （もっと読む）

【課題】誤り訂正が発生したとしてもデータ伝送が待たされる時間を少なくし、データ転送に要する時間を短縮することが可能なデータ転送装置、メモリ制御装置、およびメモリシステムを提供する。
【解決手段】データ転送元の第１メモリ装置２００の第１メモリアドレスと、データ転送先の第２メモリ装置の第２メモリアドレスと、転送データに誤りが検出されたか否かを示す誤り信号と、誤り訂正が完了して第２メモリ装置１０６に格納しているデータが有効であるか否かを示す有効信号を記憶する領域を複数含むデータ情報記憶領域１０９と、第２メモリ装置に格納しているデータのうち、データが有効であるメモリのアドレスである第２メモリ有効アドレスを出力し、第２メモリ装置の第２メモリ有効アドレスからデータを読出し、読出したデータと共に、第２メモリ有効アドレスに対応する第１メモリ装置のアドレスを転送する制御部１０８とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＵの負荷を増大させることなく多数決演算を実行可能な列車情報管理装置および多数決処理方法を得る。
【解決手段】少なくとも３つのフラッシュメモリ３ａ〜３ｃと、全てのフラッシュメモリ３ａ〜３ｃにアクセスする第１のアドレスが割り当てられたＣＰＵ１と、ＣＰＵ１から出力された第１のアドレスを検知したとき、第１のアドレスと各フラッシュメモリ３ａ〜３ｃに対応する第２のアドレスとを区別して、第２のアドレスに対応する同一のデータを各フラッシュメモリ３ａ〜３ｃから読み出し、読み出されたデータ同士が一致するか否かの多数決結果をＣＰＵ１へ通知するＰＬＤ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】書き込み可能回数が限られている記憶媒体に時系列データの書き込み回数を均等に分散させる情報処理装置および方法を提供する。
【解決手段】時系列データ毎の保存先アドレス情報と保存先アドレスに前記時系列データを書き込んだ回数情報と保存先アドレスに格納されている前記時系列データの書き込み順序情報からなる管理情報１３１０、１３２０を基に不揮発性記憶媒体１２００の特定領域にデータ種別に関係なく時系列データを書き込む回数を平準化させる制御部１１００を備える。 （もっと読む）

【課題】電源オン／オフの際に、ブロックを分割した複数のデータ領域のうち読出し元及び書込み先のデータ領域を比較的簡単に特定できる情報処理装置及情報処理装置におけるデータ管理方法を提供する。
【解決手段】フラッシュメモリー装置の２つのブロックＡ，Ｂは、それぞれ１つの管理領域と複数のデータ領域とに分割され、管理領域にはＲＯＭ状態とブロック状態と選択領域の各情報が格納される。電源オン時のデータ読出し時には、まず各ブロックＡ，Ｂの管理領域を読み出す（Ｓ１１，Ｓ１２）。管理領域Ａのブロック状態が「使用中」であれば選択領域の指すデータ領域からデータを読み出す。一方、「消去可」であればブロックＡのデータ消去を行う（Ｓ１５）。ブロックＢも同様に処理される（Ｓ１７〜Ｓ２０）。なお、電源オフ時のデータ書込みの際は、ブロックの全てのデータ領域が使い終わると、ブロック状態が「使用中」から「消去可」に変更される。 （もっと読む）